磁気記憶装置及び情報読出し位置設定方法
【課題】 磁気記録媒体のトラック間隔が狭くなっても低いエラーレートで情報の再生をする。
【解決手段】 磁気記憶装置は、ライトリードオフセット量を格納したオフセットテーブルを記憶する。このオフセットテーブルは、目標トラックに対して記録素子により情報を複数回繰り返し記録する目標トラック記録工程（Ｓ１３）と、目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して記録素子により情報を記録する隣接トラック記録工程（Ｓ１４）と、当該目標トラック内における読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する再生工程（Ｓ１６，Ｓ１７）と、当該再生工程にて再生した情報を用いてエラーレートが最も低い読出位置を求めて、当該読出位置を、目標トラックにおける情報読出位置として決定しテーブルに設定する設定工程（Ｓ１８〜Ｓ２１）とを有する。
【解決手段】 磁気記憶装置は、ライトリードオフセット量を格納したオフセットテーブルを記憶する。このオフセットテーブルは、目標トラックに対して記録素子により情報を複数回繰り返し記録する目標トラック記録工程（Ｓ１３）と、目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して記録素子により情報を記録する隣接トラック記録工程（Ｓ１４）と、当該目標トラック内における読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する再生工程（Ｓ１６，Ｓ１７）と、当該再生工程にて再生した情報を用いてエラーレートが最も低い読出位置を求めて、当該読出位置を、目標トラックにおける情報読出位置として決定しテーブルに設定する設定工程（Ｓ１８〜Ｓ２１）とを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を記録し、当該記録された情報を磁気記録媒体から再生する磁気記憶装置及び情報読出し位置設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク媒体を有する磁気記憶装置は、磁気ディスク媒体に対して磁気ヘッドを配置する構成として、一方端に磁気ヘッドが設けられ他方端に回転モータが接続された支持部材（回転アーム）を有している。この支持部材は、回転モータの駆動によって回転し、円弧状の軌跡に沿って磁気ヘッドの位置を変化させる。
【０００３】
このような磁気記憶装置は、高トラック密度化によりトラック幅を狭くしても、磁気ディスク媒体に対して正確に情報の記録及び再生ができることが望まれている。このために、従来では、情報の記録時及び再生時における磁気ヘッド位置を制御することが行われている（例えば下記の特許文献１，２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３０８５３号公報
【特許文献２】特開２００５−３２２２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した磁気記憶装置においては、磁気ディスク媒体におけるトラック間隔が狭いために、トラックに対して記録を行うと、当該記録のための磁界が、隣接するトラックに漏れてしまう。この結果、複数回に亘ってトラックに記録がなされると、当該トラックに隣接するトラックの情報が干渉を受けて再生出力が低くなってしまい、エラーレートが高くなってしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体のトラック間隔を狭くても低いエラーレートで情報の再生をすることができる磁気記憶装置及び情報読出し位置の設定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するための情報読出し位置の設定方法は、ディスク型記録媒体のトラックに記録された情報を再生する時における読出素子の情報読出位置を決定する工程を含む。当該情報読出位置を決定する工程は、情報読出位置を決定する目標トラックに対して記録素子により情報を記録する目標トラック記録工程と、目標トラック記録工程の後に、目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して記録素子により情報を複数回繰り返し記録する隣接トラック記録工程と、隣接トラック記録工程の後に、当該目標トラック内における読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する再生工程と、再生工程の後に、当該再生工程にて再生した情報を用いてエラーレートを測定し、エラーレートが最も低い読出位置を求めて、当該読出位置を、目標トラックにおける情報読出位置として決定し、記憶手段のテーブルに設定する設定工程とを有する。
【０００８】
上述の課題を解決するための磁気記憶装置は、記録素子と読出素子とを有する磁気ヘッドを支持部材の一方端に設け、当該支持部材の他方端を回転駆動して、磁気ヘッドをディスク型記録媒体に対して位置決めさせるものである。
【０００９】
この磁気記憶装置は、支持部材を回転駆動させることによって記録素子を位置決めさせ、該記録素子によりディスク型記録媒体のトラックに情報を記録する記録処理手段と、読出素子によりディスク型記録媒体に記録された情報を再生する時における読出素子の情報読出位置に関する情報を含むテーブルデータを記憶する記憶手段と、支持部材を回転駆動させることによって記憶手段に記憶された情報読出位置に前記読出素子を位置決めさせ、当該読出素子によりディスク型記録媒体の当該トラックに記録された情報を再生する再生処理手段とを含み、情報読出位置に関する情報は、当該トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を複数回繰り返し記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置に基づいた情報を含んでいる。
【発明の効果】
【００１０】
上記の磁気記憶装置及び情報読出し位置の設定方法によれば、隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置により求められた情報読出位置の補正情報をテーブルデータに含むので、実際に隣接トラックに記録が行われても、低いエラーレートで情報の再生をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置の構成を示すブロックである。
【図２】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置の外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置に記憶されるオフセットテーブルを示す図である。
【図４】記録回数と、隣接トラックのエラーレートとの関係を示す図である。
【図５】記録回数と、再生出力と、オフセット量との関係を示す図である。
【図６】記録回数とオフセット量との関係を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における磁気ディスクのトラックに対するロータリーアクチュエータの動作を説明する図である。
【図８】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置において、トラックに対する磁気ヘッドの配置状態を示す図であり、（Ａ）が最インナートラック付近、（Ｂ）はヨー角０度境界線付近、（Ｃ）は最アウタートラック付近、である。
【図９】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における磁気ヘッドの構成を示す図であり、（Ａ）は記録素子８１と読出素子８２とが一体となっている構成、（Ｂ）は記録素子と読出素子とが分離した構成、（Ｃ）は記録素子と読出素子がそれぞれ独立した構成、である。
【図１０】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置におけるロータリーアクチュエータの動作に応じた磁気ヘッドの状態を示す図であり、（Ａ）はロータリーアクチュエータの動作による磁気ヘッドの移動状態、（Ｂ）はヨー角θとライトリードオフセット量との関係、を示す。
【図１１】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置において、記録素子と読出素子とがずれている時のロータリーアクチュエータの動作に応じた磁気ヘッドの状態を示す図であり、（Ａ）はロータリーアクチュエータの動作による磁気ヘッドの移動状態、（Ｂ）はヨー角θとライトリードオフセット量との関係、を示す。
【図１２】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における記録素子による記録動作時の記録素子、読出素子の位置関係を示す図である。
【図１３】記録素子幅、記録幅、トラックピッチの位置関係を示す図である。
【図１４】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における読出素子による再生動作時の記録素子、読出素子の位置関係を示す図である。
【図１５】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置において、読出素子８２をリードオフセット補正量だけずらした状態を示す図である。
【図１６】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置によりオフセットテーブルを作成する処理手順を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置によりライトリードオフセット量を測定する処理手順を示すフローチャートである。
【図１８】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置によりライトリードオフセット量を測定する他の処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［磁気記憶装置１０の構成］
本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置は、例えば図１に示すような各部を有している。磁気記憶装置１０は、制御ボード１１と、後述する磁気ディスク等を搭載する筐体を含む磁気ディスク装置１２とを有する。なお、磁気ディスク装置１２は、ディスクエンクロージャとも称される部位を含んでいる。
【００１３】
磁気ディスク装置１２は、図１及び図２に示すように、磁気ディスク４０−１，４０−２（以下、総称する場合には単に「磁気ディスク４０」とも呼ぶ。）を有する。また、磁気ディスク装置１２は、磁気ディスク４０−１，４０−２に対して記録再生を行う磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４（以下、総称する場合には「磁気ヘッド４１」とも呼ぶ。）及びヘッドＩＣ４２を有する。更に磁気ディスク装置１２は、ロータリーアクチュエータ４３と、スピンドルモータ４４と、ボイスコイルモータ４５と、ヨーク４６と、軸部４７とを有している。この磁気ディスク装置１２は、図２に示すようにベース１０ａ上に取り付けられる。
【００１４】
なお、図１に示した磁気ディスク装置１２は、２枚の磁気ディスク４０を有し、当該磁気ディスク４０の両面を記録面としている例を示している。したがって、この例には限られず、後述の動作を行うことができることは勿論である。
【００１５】
スピンドルモータ４４は、その回転軸に磁気ディスク４０−１，４０−２が装着されている。スピンドルモータ４４は、回転駆動することによって、磁気ディスク４０−１，４０−２を所定の回転数にて回転させる。磁気ディスク４０−１，４０−２の回転数は、例えば４２００ｒｐｍ程度である。
【００１６】
ロータリーアクチュエータ４３は、アーム４３ａの一方端を回転軸として回転させ、アーム４３ａの他方端に設けた磁気ヘッド４１を磁気ディスク４０−１，４０−２に対して移動させるものである。ロータリーアクチュエータ４３は、アーム４３ａにおける一方端に設けたコイルを、永久磁石を装着したヨーク４６の間に回動自在に配置している。
【００１７】
ロータリーアクチュエータ４３は、支持部材としてのアーム４３ａの先端に磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４が取り付けられる。ボイスコイルモータ４５は、回転駆動することによってロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａの先端を回転移動させる。これにより、磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４は、磁気ディスク４０−１，４０−２の記録面に対して位置決めされる。
【００１８】
磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４は、磁気ディスク４０−１，４０−２に情報を記録する記録素子と、磁気ディスク４０−１，４０−２に記録された情報を読み出す読出素子とを有している。この磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４としては、例えば、記憶素子と読出素子とが一体化された複合型のものが使用可能である。
【００１９】
磁気ディスク４０が記録層と軟磁性体裏打ち層を有する垂直磁気記録型のものである場合、記録素子としては、垂直磁気記録型のものを使用する。また、読出素子としては、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子やＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）素子が使用可能である。磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４は、磁気ヘッドＩＣ４２と信号線によって接続されている。
【００２０】
磁気ヘッドＩＣ４２は、当該磁気記憶装置１０の上位装置となるホスト２０及びＭＰＵ５６から供給されるコマンドに従った処理を行う。このコマンドは、磁気ディスク４０に情報を記録するライトコマンド又は磁気ディスク４０に記録された情報を再生するリードコマンドを含む。ヘッドＩＣ４２は、情報記録系の構成としてライトアンプを有し、情報再生系の構成としてプリアンプを有している。ヘッドＩＣ４２は、ライトコマンド又はリードコマンドに基づいて磁気ヘッド４１のうちの何れかを選択する。そして、ヘッドＩＣ４２は、情報の記録時には、選択した磁気ヘッド４１に対して記録素子から記録磁界を発生させる。また、情報の再生時には、選択した磁気ヘッド４１の読出素子により読み取った信号を受信する。
【００２１】
制御ボード１１は、制御回路３１と、バッファメモリ３２と、不揮発メモリ３３と、モータ駆動制御部３４とを有する。
【００２２】
制御回路３１は、磁気記憶装置１０の製造時において、製造・試験設備としてのホスト２０と接続される。制御回路３１は、例えば単一のＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）回路が使用可能である。制御回路３１は、当該ホスト２０から送信されたコマンドを入力して、磁気ディスク装置１２に対して記録再生制御をする。制御回路３１は、後述のオフセットテーブル５７ａを作成する命令に従って、磁気ディスク装置１２を制御して当該オフセットテーブル５７ａを作成する。
【００２３】
また、磁気記憶装置１０が例えばパーソナルコンピュータに内蔵された場合、等制御回路３１は、ホスト２０からライトコマンド及び記録情報、リードコマンドが供給される。制御回路３１は、ホスト２０から磁気ディスク４０に記録する情報と共にライトコマンドが供給された場合、当該情報を磁気ディスク４０に記録する制御をする。また、制御回路３１は、ホスト２０から情報を再生するリードコマンドが供給された場合、磁気ディスク４０から情報を読み出す制御をする。
【００２４】
バッファメモリ３２は、制御回路３１の制御に従って、各種情報を記憶する。例えば、磁気ディスク４０に書き込むべき記録情報、磁気ディスク４０から読み出された再生情報が格納される。
【００２５】
不揮発メモリ３３には、制御回路３１における各部にて実行される制御プログラムが格納される。この不揮発メモリ３３は、例えばフラッシュメモリが使用可能である。
【００２６】
モータ駆動制御部３４は、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５と接続されている。モータ駆動制御部３４は、制御回路３１からの制御信号に従って、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５を回転駆動させる。これにより、ロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａが回転して、磁気ヘッド４１を磁気ディスク４０に対して円弧状に移動して位置決め（シーク）させる。
【００２７】
制御回路３１は、バス５１（図示無し）と、ホストインターフェース制御部５２と、バッファメモリ制御部５３と、ディスクコントローラ５４と、信号変復調部５５と、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）５６と、メモリ５７とを有する。バス５１には、ホストインターフェース制御部５２と、バッファメモリ制御部５３と、ディスクコントローラ５４と、信号変復調部５５と、ＭＰＵ５６と、メモリ５７が接続されている。
【００２８】
ホストインターフェース制御部５２は、ホスト２０に対するインターフェース回路である。ホストインターフェース制御部５２は、ホスト２０からライトコマンド及び記録情報、リードコマンドが供給された場合、当該コマンド及び情報を制御回路３１にて処理可能な信号形態に変換する。この記録情報は、バッファメモリ制御部５３に供給される。また、ホストインターフェース制御部５２は、ホスト２０に送信する再生情報がある場合には、当該情報をホスト２０が受信可能な信号形態に変換する。再生情報は、バッファメモリ制御部５３から供給される。
【００２９】
バッファメモリ制御部５３は、バッファメモリ３２に情報を記憶及び消去させると共に、バッファメモリ３２に記録されている情報を読み出す。バッファメモリ制御部５３は、記録情報がホストインターフェース制御部５２を介して供給されると、当該記録情報をバッファメモリ３２に格納し、必要に応じて読み出す。また、バッファメモリ制御部５３は、再生情報が供給されると、当該再生情報をバッファメモリ３２に格納し、必要に応じて読み出す。
【００３０】
ディスクコントローラ５４は、バッファメモリ制御部５３から記録情報が供給される。ディスクコントローラ５４は、記録情報を磁気ディスク４０に書き込むための所定のフォーマットに変換して、信号変復調部５５に供給する。また、ディスクコントローラ５４は、信号変復調部５５から再生情報が供給される。ディスクコントローラ５４は、供給された再生情報をホスト２０に出力すべき所定のフォーマットに変換して、バッファメモリ制御部５３に供給する。
【００３１】
信号変復調部５５は、ディスクコントローラ５４から記録情報が供給される。信号変復調部５５は、記録情報に対して所定の変調処理をして、ヘッドＩＣ４２に供給する。また、信号変復調部５５は、ヘッドＩＣ４２から再生情報が供給される。信号変復調部５５は、供給された再生情報に対して所定の復調処理をして、ディスクコントローラ５４に供給する。
【００３２】
メモリ５７には、ＭＰＵ５６によって参照される制御データ及び制御プログラムが格納されている。メモリ５７に格納された制御プログラムとしては、磁気ディスク４０から情報を再生する時にトラックに対する磁気ヘッド４１のオフセット量（位置ズレ量）を決定してオフセットテーブル５７ａを作成する処理を実行するためのプログラムを含む。
【００３３】
また、メモリ５７に格納された制御データとしては、図３に示すようなオフセットテーブル５７ａを表すテーブルデータが含まれる。図３に示すオフセットテーブル５７ａは、磁気ヘッド４１を特定するヘッド番号Ｈ、同心円状の複数トラックを特定するシリンダアドレスＣに対して、ライトリードオフセット量αが対応付けられて記述されている。また、磁気記憶装置１０には、磁気ディスク４０のトラックごとの位置情報が予め設定されている。
【００３４】
ライトリードオフセット量αとは、磁気ヘッド４１におけるトラックに対して記録再生を行うときの記録素子と読出素子とのずれ量である。したがって、任意のトラックに読出素子を位置させる場合には、当該トラックの位置情報に従って磁気ヘッド４１を位置決めした状態で、ライトリードオフセット量αだけずらす。このことから、ライトリードオフセット量αは、情報再生時における情報読出位置を表していると言える。
【００３５】
ライトリードオフセット量αは、後述するが、リードオフセット補正量βによって補正されたものである。リードオフセット補正量βは、トラックに記録された情報を最も少ないエラーレートにて読み出すためのライトリードオフセット量αに対する読出位置の補正量である。
【００３６】
シリンダは、任意のトラック本数からなる磁気ディスク４０内の記録領域を表す。そして、オフセットテーブル５７ａには、シリンダごとにライトリードオフセット量αが対応付けられている。なお、この実施形態では、シリンダごとにライトリードオフセット量αを設定しておく例を示したが、全トラックにライトリードオフセット量αを設定しても良い。また、磁気ディスク４０の記録領域において、最外周トラックから最内周トラックまでを分割した複数のゾーン毎の所定のトラックにて測定しライトリードオフセット量αをゾーン毎に登録しておいても良い。この場合、ライトリードオフセット量αが登録されていないトラックについては、そのトラックが属するゾーンに対応して登録されているライトリードオフセット量αを補間して求めることができる。
【００３７】
ライトリードオフセット量αをリードオフセット補正量βで補正する理由について説明する。
【００３８】
図４に示すように、磁気ディスク４０における任意のトラックに対して複数回に亘り情報を記録すると、その記録回数が多くなるほど、当該任意のトラックに対する隣接トラック（＋１トラック、−１トラック）における再生時のエラーレートが高くなる。
【００３９】
また、図５に示すように、任意のトラックに情報を記録する回数が多くなるほど、隣接するトラックにおける再生出力［ボルト］が低くなると共に、再生出力のピーク位置が、ライトリードオフセット量にて規定されている読出位置からずれる。この再生出力のピーク位置の移動に合わせて、当該隣接トラックにて最も低いエラーレートにて再生できる読出位置がずれる。このずれ量が、リードオフセット補正量βとなる。
【００４０】
図４に示したように、任意のトラックにおける両側の隣接トラックが同じ割合でエラーレートは発生しない。また、図５に示したように、エラーレートが最も低くなる位置は、記録回数に応じて図中の右側（＋方向＝アウター側）の一方方向にずれる。
【００４１】
このずれ量は、図６に示すように、任意のトラックに対する記録回数が多くなるほど、大きくなり、飽和に向かう。したがって、リードオフセット補正量βは、最も低いエラーレートにて再生するために、ずれ量が飽和する位置に読出素子を位置させる値とされることが望ましい。これにより、メモリ５７は、目標トラックの両側の隣接トラックに対して情報を記録した場合でも、目標トラック内でエラーレートの最も低い位置が読出位置となるようなライトリードオフセット量αを記憶することができる。なお、このリードオフセット補正量βを測定する処理については、後述する。
【００４２】
ＭＰＵ５６は、磁気記憶装置１０における各部を制御することにより、磁気ディスク４０に対する記録処理及び再生処理を制御する。ＭＰＵ５６は、ライトリードオフセット測定部６１と、記録処理部６２と、オフセット補正部６３と、再生処理部６４とを有する。
【００４３】
記録処理部６２は、ロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａを回転駆動させることによって記録素子を走査させ、当該記録素子により磁気ディスク４０に情報を記録する記録処理を行う。このために、記録処理部６２は、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を供給して、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５を動作させる。また、記録処理部６２は、制御回路３１の各部及びヘッドＩＣ４２に制御信号を供給して、磁気ヘッド４１の記録素子によって情報の書き込みをさせる。
【００４４】
オフセット補正部６３は、磁気ディスク４０の情報再生時に、目標トラックに磁気ヘッド４１の読出素子を位置決めした状態で、ライトリードオフセット量αを補正する。このライトリードオフセット量αは、オフセットテーブル５７ａの作成時に、トラック内でエラーレートが最も低い位置が探索されるときに、補正される。
【００４５】
再生処理部６４は、ロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａを回転駆動させることによって、メモリ５７に記憶されたライトリードオフセット量αだけ、記録素子に対して読出素子をずらす。これにより再生処理部６４は、当該読出素子により磁気ディスク４０に記録された情報を再生する再生処理を行う。このために、再生処理部６４は、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を供給して、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５を動作させる。また、記録処理部６２は、制御回路３１の各部及びヘッドＩＣ４２に制御信号を供給して、磁気ヘッド４１の記録素子又は再生素子によって情報の書き込み又は読出をさせる。
【００４６】
ライトリードオフセット測定部６１は、磁気記憶装置１０の製造時において、磁気ヘッド４１における記録素子と読出素子とのライトリードオフセット量αを測定して、オフセットテーブル５７ａに格納する。具体的には、製造・試験設備としてのホスト２０を磁気記憶装置１０に接続した状態で、ライトリードオフセット量αを測定する測定ファームウェア（プログラム）をメモリ５７にダウンロードする。そして、ＭＰＵ５６は、ダウンロードした測定ファームウェアを実行することにより、ライトリードオフセット測定部６１、オフセット補正部６３、記録処理部６２及び再生処理部６４を機能として含むことができる。
【００４７】
このライトリードオフセット測定部６１は、詳細は後述するが、測定ファームウェアを実行することにより、ＭＰＵ５６に各種の手段を持たせる。ＭＰＵ５６は、リードオフセット補正量を規定する第１トラックに対して記録素子により情報を記録する手段、第１トラックの両側に隣接する第２トラックに対して記録素子により情報を記録する手段を含む。また、ＭＰＵ５６は、第１トラック内における読出素子による読出位置を走査しながら情報を再生する手段を含む。更に、ＭＰＵ５６は、再生した情報を用いて最もエラーレートが低い読出位置を求めて、当該読出位置を第１トラックにおけるオフセット量として決定して、当該オフセット量を記憶手段に記憶させる手段を含む。
［ライトリードオフセット量α及びリードオフセット補正量βの説明］
つぎに、上述した磁気記憶装置１０において、オフセットテーブル５７ａに格納されるライトリードオフセット量αについて、図７乃至図１５を参照して説明する。
【００４８】
図７に示すように、磁気ディスク４０の記録面に対して模式的に示したロータリーアクチュエータ４３が軸部４７を回転中心にして、位置４３−１〜位置４３−２に亘り回動する。これにより、ロータリーアクチュエータ４３のアーム４３ａにおける先端の磁気ヘッド４１を任意のトラック７１に対向するように位置決めすることができる。
【００４９】
ロータリーアクチュエータ４３は、磁気ディスク４０におけるトラック７１の長手方向に一致するヨー角θ＝０度の位置４３−２である場合に、ヨー角０度境界線７２とする。この場合、ヨー角θは、アウター（外周）側又はインナー（内周）側に向かうほど増加し、最アウタートラック７１−１及び最インナートラック７１−２にて最大となる。
【００５０】
この磁気記憶装置１０は、例えばヨー角θが最大となる最アウタートラック７１−１を開始位置として、ヨー角θが０度のヨー角０度境界線７２に隣接するトラック７１−ｎに向けてデータを順次書き込む。次に、磁気記憶装置１０は、ヨー角θが最大となる最インナートラック７１−２からヨー角０度境界線７２に隣接したトラック７１−（ｎ＋１）に向けてデータを順次書き込む。
【００５１】
図８（Ａ）に、最インナートラック７１−２ｎ付近に対して磁気ヘッド４１を対向させた時における磁気ヘッド４１と最インナートラック７１−２ｎとの位置関係を示す。図８（Ｂ）に、ヨー角０度境界線７２のトラック７１−ｎ付近に磁気ヘッド４１を対向させた時における磁気ヘッド４１とトラック７１−ｎとの位置関係を示す。図８（Ｃ）に、最アウタートラック７１−１付近に対して磁気ヘッド４１を対向させた時における磁気ヘッド４１と最アウタートラック７１−１との位置関係を示す。
【００５２】
図８（Ｂ）に示すように、磁気ヘッド４１がヨー角０度境界線７２上のトラック７１−ｎに対向している場合には、トラック７１の長手方向に対して傾きが無い状態となっている。この状態では、磁気ヘッド４１における記録素子は、あまりトラック７１の幅方向においてはみ出していない。
【００５３】
これに対し、図８（Ａ）及び図８（Ｃ）に示すように、磁気ヘッド４１が最インナートラック７１−２ｎ及び最アウタートラック７１−１に対向するように位置している場合には、トラック７１の長手方向に対して磁気ヘッド４１が傾いた状態となっている。この状態では、磁気ヘッド４１における記録素子がトラック７１の幅方向においてはみ出す傾向にあり、隣接トラックに対して記録素子から発した磁界が漏れやすい。
【００５４】
したがって、情報が記録されたトラック７１から隣接トラックに漏れた磁界によって、当該隣接トラックに記録された情報を再生した時のエラーレートが最小となるように、当該隣接トラックでのライトリードオフセット量αをリードオフセット補正量βによって補正する必要がある。
【００５５】
図９に、本実施形態における記録素子及び読出素子を含む磁気ヘッド４１の構成例を示す。
【００５６】
図９（Ａ）は、軸部４７を中心に回動自在なロータリーアクチュエータ４３の先端に磁気ヘッド４１を設けて、磁気ヘッド４１の本体８３に記録素子８１及び読出素子８２を設けた状態を示している。記録素子８１は、幅方向の記録素子幅Ｔｗで磁気ディスク４０に情報を記録する。また、記録素子８１及び読出素子８２は、ロータリーアクチュエータ４３の長手方向（トラック７１の略長手方向）に、間隔Ｌを介して配置されている。
【００５７】
図９（Ｂ）は、磁気ヘッド４１を簡略的に示したものであり、記録素子８１と読出素子８２を分離して示している。
【００５８】
図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）の記録素子８１と読出素子８２を個々に独立してロータリーアクチュエータ４３の先端に配置した状態を示している。なお、図８においては、図９（Ａ）に示した形態の磁気ヘッド４１をトラック７１に対向させた状態を示している。
【００５９】
このように間隔Ｌを有する磁気ヘッド４１を用いた時に生ずるライトリードオフセット量αを図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。
【００６０】
先ず、ロータリーアクチュエータ４３が位置４３−１の状態にある場合には、ヨー角θは０度である。この場合、ロータリーアクチュエータ４３の長手方向とトラック７１の長手方向とは同一方向となる。記録素子８１及び読出素子８２の幅方向における中心位置は、トラック７１の幅方向における中央位置に位置決めされる。したがって、ライトリードオフセット量αは、０となる。また、読出素子８２にて当該ヨー角θのトラック７１に記録された情報を読み出すときには、リードオフセット補正量βも、不要となる。
【００６１】
これに対し、ヨー角θが−θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−２である場合、磁気ヘッド４１は、位置４１−１１に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、それぞれ位置８１−１、８２−１のようになり、磁気ディスク４０の半径方向における距離としてのライトリードオフセット量−αｍａｘを生ずる状態となる。
【００６２】
逆に、ヨー角θが＋θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−３である場合、磁気ヘッド４１は、位置４１−１２に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、それぞれ位置８１−２、８２−２のようになり、磁気ディスク４０の半径方向における距離としてのライトリードオフセット量＋αｍａｘを生ずる状態となる。
【００６３】
このようなライトリードオフセット量αは、ロータリーアクチュエータ４３が回転することによりヨー角θが変化すると、図１０（Ｂ）に示すように変化する。このライトリードオフセット量αは、記録素子８１と読出素子８２との間隔Ｌとヨー角θとに応じて、
α＝Ｌｓｉｎθ
という数式にて表される。
【００６４】
例えば図１１（Ａ）に示すように、磁気ヘッド４１における記録素子８１と読出素子８２との間に、幅方向における位置ズレが製造プロセスによって発生する場合がある。この場合、ロータリーアクチュエータ４３が位置４３−１であっても、ライトリードオフセット量α０が生ずる。
【００６５】
このように製造プロセスに起因するライトリードオフセット量αがある場合には、ヨー角θが−θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−２となると、磁気ヘッド４１は、位置４１−１１に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、図１０（Ａ）に示したライトリードオフセット量−αｍａｘよりも小さいライトリードオフセット量α０２となる。
【００６６】
一方、ヨー角θが＋θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−３となると、磁気ヘッド４１は、位置４１−１２に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、図１０（Ａ）に示したライトリードオフセット量＋αｍａｘよりも大きいライトリードオフセット量α０１となる。
【００６７】
このようなライトリードオフセット量α０は、ロータリーアクチュエータ４３が回転することによりヨー角θが変化すると、図１１（Ｂ）に示すように変化する。点線は、図１０に示した製造プロセスに起因するライトリードオフセット量がない時の、ヨー角θに応じたライトリードオフセット量αの変化である。このライトリードオフセット量α０は、記録素子８１と読出素子８２との間隔Ｌとヨー角θとに応じて、
α＝Ｌｓｉｎθ＋α０ｃｏｓθ
という数式にて表される。
【００６８】
なお、図１１には、一例として、記録素子８１に対して読出素子８２が左側に位置ズレした場合を示している。しかし、記録素子８１に対して読出素子８２が右側に位置ズレした場合には、図１０に示した位置ズレがない時のライトリードオフセット量αに対して、ライトリードオフセット量α０は、マイナス側にシフトすることになる。
【００６９】
このように、ロータリーアクチュエータ４３を回転させることにより生ずるライトリードオフセット量αは、磁気ディスク４０におけるシリンダごとに、ライトリードオフセット測定部６１によって測定される。そして、測定されたライトリードオフセット量αは、オフセットテーブル５７ａにおけるライトリードオフセット量αとしてメモリ５７に格納される。
【００７０】
ロータリーアクチュエータ４３によって回転移動される磁気ヘッド４１は、図１２に示すようにトラック７１に対向して配置される。図１２は、磁気ヘッド４１の記録素子８１−１，８１−２，８１−３と回転移動されることにより、記録素子８１は、トラック７１−１１，７１−１２，７１−１３に向けてインナー側に移動して位置決めされる。
【００７１】
ここで、トラック７１−１１に対して情報を記録する場合には、記録素子８１−１の記録幅Ｔｗｃは、記録素子８１の記録素子幅をＴｗ、ヨー角をθとすると、
Ｔｗｃ＝Ｔｗ・ｃｏｓθ
で表される。
【００７２】
この記録幅Ｔｗｃは、トラック７１−１１に対向して記録素子８１−１が配置されていても、当該トラック７１−１１に隣接するトラック７１−１２にも及んでいる。このようなヨー角θに対応した記録素子８１−１の記録幅Ｔｗｃで情報が書き込まれると、トラック７１−１１に隣接するトラック７１−１２にも、記録素子８１−１のはみ出し部分によって情報の書き込みが行われる。これにより、トラック７１−１１は、規定のトラックピッチＴｐとなる。
【００７３】
このように形成されたトラック７１に対して読出素子８２が磁界を読み取って生成する再生信号の信号振幅分布及び再生信号のエラーレート分布は、図１２中の下段に示すように測定されたものとする。再生信号の信号振幅分布は、トラック７１のトラックピッチＴｐの中心位置であるトラックセンタ７１ａにて最大の信号振幅値Ａとなる。記録幅Ｔｗｃの中心位置であるライトセンタ８１ａにおける再生信号の信号振幅値Ｂは、最大の信号振幅値Ａよりも小さい。再生信号のエラーレート分布は、トラックセンタ７１ａにて最小のエラーレート値Ｃとなっている。ライトセンタ８１ａにおける再生信号のエラーレート値Ｄは、最小のエラーレート値Ｃよりも高い。
【００７４】
図１３に、図１２における記録素子幅Ｔｗ、記録幅Ｔｗｃ、トラックピッチＴｐの関係を示す。記録素子８１は、トラック７１の幅方向に対して傾いている。このため、当該記録素子８１による記録幅Ｔｗｃは、Ｔｗ・ｃｏｓθで表現されるように、記録素子幅Ｔｗのヨー角θに対する余弦成分となる。
【００７５】
このような記録幅Ｔｗｃの記録領域は、隣接するトラック７１に対する情報の記録が行われることにより、一部に対して重ね書きが行われる。この重ね書き幅は、記録幅Ｔｗｃ−トラックピッチＴｐとなる。これにより、記録幅Ｔｗｃは、有効トラック幅としてのトラックピッチＴｐに修正される。
【００７６】
このようなトラック７１−１１に記録された情報を再生する場合、読出素子８２は、図１４に示すように、ロータリーアクチュエータ４３が位置４３−１１から位置４３−１２へと回転されたことによって、トラック７１−１１に向けて移動して位置決めされる。このとき、読出素子８２は、記録素子８１により情報を記録している時の位置８２−１１よりも、ライトリードオフセット量αだけアウター側に位置決めされる。
【００７７】
しかし、ライトセンタ８１ａは、トラックセンタ７１ａに対して、ずれている。このために、情報記録時よりもライトリードオフセット量αだけ読出素子８２をアウター側にずらしても、読出素子８２の中心位置は、トラックセンタ７１ａに対向する位置とはならない。この状態では、再生信号の信号振幅分布における最大の信号振幅値Ａよりも低い信号振幅値Ｂにて信号を再生することになり、最小のエラーレートにて再生を行うことができない。
【００７８】
そこで、磁気記憶装置１０は、図１５に示すように、トラック７１における再生信号のエラーレート分布から最もエラーレートが低い値にて再生を行うように、リードオフセット補正量βを求める。そして、磁気ヘッド４１における間隔Ｌに起因するライトリードオフセット量αに対してリードオフセット補正量βを加算した値を、ライトリードオフセット量αとしてオフセットテーブル５７ａに格納する。
【００７９】
なお、図１５に示した例では、トラックピッチＴｐの中央が、エラーレートが最も低い位置となっている。しかし、後述するように実際に測定した結果としてエラーレートが最も低い位置が情報読出位置となるようにライトリードオフセット量αを決定することとなる。
［オフセットテーブルの作成処理］
つぎに、上述したような磁気記憶装置１０により、リードオフセット補正量βを求めてライトリードオフセット量αをオフセットテーブル５７ａに格納する処理手順について、図１６乃至図１９のフローチャートを参照して、説明する。
【００８０】
上述したように、磁気記憶装置１０は、記録素子８１と読出素子８２とを有する磁気ヘッド４１をアーム４３ａの一方端に設け、当該アーム４３ａの他方端を回転駆動して、磁気ヘッド４１を磁気ディスク４０に対して走査させるものである。そして、磁気記憶装置１０は、その製造時に、ホスト２０からのコマンドに従って、図１６のステップＳ１以降の処理を開始する。
【００８１】
ステップＳ１において、ＭＰＵ５６は、製造・試験設備としてのホスト２０から、リードオフセット補正量βを求めた上でライトリードオフセット量αを求めてオフセットテーブル５７ａに格納する測定ファームウェアをダウンロードして、メモリ５７に格納する。そして、ＭＰＵ５６は、ダウンロードした測定ファームウェアを実行する。これにより、ＭＰＵ５６においては、ライトリードオフセット測定部６１、記録処理部６２、オフセット補正部６３、再生処理部６４としての機能が有効となる。
【００８２】
次のステップＳ２において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αを測定するトラック位置を目標トラック位置Ｘとして取り出す。具体的には、メモリ５７に格納されたオフセットテーブル５７ａから、ヘッド番号及びシリンダアドレスを取り出す。なお、この段階において、オフセットテーブル５７ａは、ヘッド番号及びシリンダアドレスのみが設定され、ライトリードオフセット量αは空き領域となっている。
【００８３】
次のステップＳ３において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αの測定処理をする。このとき、ライトリードオフセット測定部６１は、記録処理部６２、オフセット補正部６３及び再生処理部６４を制御する。このライトリードオフセット量αの測定処理は、磁気ディスク４０のトラック７１に記録された情報を再生する時におけるトラックセンタ７１ａに対する読出素子８２のライトリードオフセット量αを決定する工程である。
【００８４】
具体的には、先ず、ライトリードオフセット量αを決定する目標トラックに対して記録素子８１により情報を記録する目標トラック記録工程を行う。次に、目標トラックの両側に隣接する第２トラックに対して記録素子８１により情報を記録する隣接トラック記録工程を行う。次に、目標トラック内における読出素子８２による読出位置を走査しながら情報を再生する再生工程を行う。次に、当該再生工程にて再生した情報を用いて最もエラーレートが低い読出位置を求めて、当該読出位置を目標トラックにおけるライトリードオフセット量αとして決定しテーブルに登録設定する設定工程を行う。なお、詳細な処理内容については後述する。
【００８５】
次のステップＳ４において、ライトリードオフセット測定部６１は、磁気ディスク４０における全ての測定すべきトラック７１についてライトリードオフセット量αを求めたか否かを判定する。測定すべきトラック７１の全てについてライトリードオフセット量αを求めた場合にはステップＳ５に処理を進める。一方、測定すべきトラック７１の全てについてライトリードオフセット量αを求めていない場合には、ステップＳ２に処理を戻す。このステップＳ２においては、未だライトリードオフセット量αが求められていないトラック位置を目標トラック位置Ｘとして取り出す。
【００８６】
ステップＳ５において、ＭＰＵ５６は、は、オフセットテーブル５７ａを磁気ディスク４０のシステム領域に保存する。なお、不揮発メモリ３３に充分な容量がある場合には、オフセットテーブル５７ａを不揮発メモリ３３に保存しても良い。
【００８７】
次のステップＳ６において、ＭＰＵ５６は、ステップＳ１にてダウンロードした測定ファームウェアをメモリ５７から削除する。
【００８８】
なお、ステップＳ６にて測定ファームウェアの削除を行わずに、測定ファームウェアを磁気ディスク４０に保存したままであっても良い。この場合、磁気記憶装置１０を使用している状態でライトリードオフセット量αを用いた処理に異常が発生した時に、測定ファームウェアを実行してオフセットテーブル５７ａを再作成できる。
［ライトリードオフセット量αの測定処理］
つぎに、図１６におけるステップＳ３のライトリードオフセット量αの測定処理について、図１７のフローチャートを参照して説明する。
【００８９】
このライトリードオフセット量αの測定処理は、先ず、ステップＳ１１において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αを測定するトラック位置を目標トラック位置Ｘとして取り出す。
【００９０】
次のステップＳ１２において、記録処理部６２は、ステップＳ１１にて取り出された目標トラック位置Ｘに磁気ヘッド４１の記録素子８１をシークさせる。このとき、記録処理部６２は、目標トラック位置Ｘに磁気ヘッド４１の記録素子８１を位置させると共に所定回転数にて磁気ディスク４０を回転させるように、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を出力する。
【００９１】
次のステップＳ１３において、記録処理部６２は、ステップＳ１２にてシークされた磁気ヘッド４１の記録素子８１により目標トラック位置Ｘに対して測定信号を記録させる。このとき、記録処理部６２は、ヘッドＩＣ４２に対して測定信号を供給して、記録素子８１から記録磁界を発生させる。
【００９２】
次のステップＳ１４において、記録処理部６２は、ステップＳ１３にて測定信号が記録された目標トラック位置Ｘに両側に隣接する隣接トラックに対して、複数回に亘り測定信号を記録させる。このとき、記録処理部６２は、隣接トラックに磁気ヘッド４１をシークさせる制御信号をモータ駆動制御部３４に供給すると共にヘッドＩＣ４２に測定信号を供給して、記録素子８１から記録磁界を発生させる。
【００９３】
次のステップＳ１５において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αを、初期値−Ｐに設定する。この初期値−Ｐは、例えば、トラック７１におけるインナー側の端部である。
【００９４】
次のステップＳ１６において、再生処理部６４は、目標トラック位置Ｘにおける初期値−Ｐ（Ｘ＋（−Ｐ））又は後述の更新されたライトリードオフセット量α（Ｘ＋（Ｗ＋δｐ））に、磁気ヘッド４１の読出素子８２をシークさせる。このとき、記録処理部６２は、目標トラック位置Ｘにライトリードオフセット量αを加えた位置に、磁気ヘッド４１の読出素子８２を位置させると共に所定回転数にて磁気ディスク４０を回転させるように、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を出力する。
【００９５】
次のステップＳ１７において、再生処理部６４は、ステップＳ１６にてシークした目標トラックから測定信号を再生させる。このとき、再生処理部６４は、ヘッドＩＣ４２に対して、読出素子８２にて読み出している信号を測定信号として取得してＭＰＵ５６に出力する制御信号を供給する。再生処理部６４は、例えば目標トラック位置Ｘの１トラック分を再生させる。これにより、ＭＰＵ５６は、ヘッドＩＣ４２から再生した測定信号を取得することができる。
【００９６】
次のステップＳ１８において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１７にて再生された測定信号から、当該測定信号の信号振幅値を用いたエラーレートを求める。このエラーレートは、ステップＳ１３にて目標トラック位置Ｘに記録された測定信号が、ステップＳ１４にて行われた隣接トラックに対する記録磁界によってどの程度の影響を受けているかの評価値となる。すなわち、エラーレートが高いほど隣接トラックからの記録磁界によって情報が消去されていることが分かる。
【００９７】
次のステップＳ１９において、オフセット補正部６３は、ライトリードオフセット量αを所定のずれ量δｐだけ増加させて、新たなライトリードオフセット量αに更新する。この所定のずれ量δｐは、トラック７１内にてエラーレートが最も低い位置を探索するために設定される。したがって、所定のずれ量δｐは、高い精度でエラーレートが最も低い位置を求める場合には、小さな値に設定することが望ましい。
【００９８】
次のステップＳ２０において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１９にて更新したライトリードオフセット量αが、トラック７１内におけるオントラック範囲の限界値である＋Ｐに達したか否かを判定する。トラック７１内におけるオントラック範囲の限界値は、−Ｐをインナー側の端部に設定したので、目標トラック位置Ｘのアウター側の端部となる。
【００９９】
ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達していない場合にはステップＳ１６に処理を戻す。これにより、ライトリードオフセット測定部６１は、トラック７１内において所定のずれ量δｐごとにエラーレートを得ることができる。一方、ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達した場合には、ステップＳ２１に処理を進める。
【０１００】
ステップＳ２１において、ライトリードオフセット測定部６１は、所定のずれ量δｐごとに算出されたエラーレートを参照して、エラーレートが最も低い位置をライトリードオフセット量αとして決定する。
【０１０１】
以上のように、ＭＰＵ５６は、磁気ディスク４０のシリンダアドレスごとにライトリードオフセット量αを決定することができる。このように決定されたライトリードオフセット量αは、オフセット補正部６３によって、オフセットテーブル５７ａに格納される。オフセット補正部６３によるライトリードオフセット量αの格納タイミングは、シリンダアドレスごとにライトリードオフセット量αが決定される度であっても良く、全てのシリンダアドレスについてライトリードオフセット量αを決定した後であっても良い。
【０１０２】
以上詳細に説明したように、この磁気記憶装置１０によれば、当該磁気記憶装置１０の製造時において、読出素子８２の情報読出位置としてのライトリードオフセット量αを決定する工程を含む。そして、このライトリードオフセット量αを決定する工程は、目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録して、エラーレートが最も低い読出位置を求める。これにより、エラーレートが最も低い位置に基づいて、ライトリードオフセット量αを決定できる。
【０１０３】
これにより、オフセットテーブル５７ａは、トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１０４】
したがって、この磁気記憶装置１０によれば、磁気ディスク４０のトラック間距離を狭くしても低いエラーレートで情報の再生をすることができる。
［隣接トラックへの複数回記録］
上述したライトリードオフセット量αの測定処理において、ステップＳ１４の隣接トラックに測定信号を記録する工程は、隣接トラックに対し、少なくとも目標トラック内でエラーレートの最も低い位置がずれる所定回数に亘り情報を記録することが望ましい。
【０１０５】
すなわち、図５に示したように、隣接トラックへの記録磁界が目標トラックに及ぶために、目標トラックの情報を消してしまう隣接トラックイレーズと称される現象は、多数回に亘って隣接トラックに記録された時に発生する。したがって、例えば、図６に示したように、少なくとも１０００回程度に亘って隣接トラックに対して記録を行った後に、ライトリードオフセット量αを０．０３０［μｍ］と決定することが望ましい。
【０１０６】
これにより、オフセットテーブル５７ａは、トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して複数回に亘り情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１０７】
このように複数回に亘り隣接トラックに対して記録をしてライトリードオフセット量αを決定することにより、磁気記憶装置１０は、実際に目標トラックにおけるエラーレートが最も低い情報読出位置がずれても、確実に低いエラーレートで情報を再生できる。
［ライトリードオフセット量αの予測］
また、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ２１のライトリードオフセット量αの決定処理において、エラーレートの最も低い位置を予測し、当該予測された位置が情報読出位置となるようなライトリードオフセット量αを決定しても良い。
【０１０８】
図６に示したように、目標トラックに対する隣接トラックに１０回以上の記録動作を行い、更に記録回数が多くなるほど、エラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αは、大きくなり、飽和に向かう。従って、ライトリードオフセット測定部６１は、記録回数ごとにエラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αを複数個測定して、更に記録回数が増加した時にエラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αを予測する。
【０１０９】
例えば、図６に示すようにライトリードオフセット量αが変化する目標トラックのライトリードオフセット量αを予測するとする。この場合、ライトリードオフセット測定部６１は、１０回だけ隣接トラックに記録した時のライトリードオフセット量αと、５００回だけ隣接トラックに記録した時のライトリードオフセット量αとを測定する。そして、ライトリードオフセット測定部６１は、２個のライトリードオフセット量αに１００００回に亘り隣接トラックに記録した時のライトリードオフセット量αを予測する。
【０１１０】
これにより、オフセットテーブル５７ａは、トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低いと予測された位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１１１】
このように、磁気記憶装置１０によれば、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作を行わずに、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作が行われた時にエラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αに近い値を求めることができる。したがって、この磁気記憶装置１０によれば、当該磁気記憶装置１０の製造工程におけるオフセットテーブル５７ａの作成時間を短縮できる。
［他のライトリードオフセット量αの測定処理］
つぎに、上述したライトリードオフセット量αの測定処理とは他の処理について、図１８を参照して説明する。なお、上述したライトリードオフセット量αの測定処理と同様の部分については、対応するステップ番号を示して、その詳細な説明を省略する。
【０１１２】
図１８に示すライトリードオフセット量αの測定処理は、図６に示したように、隣接トラックに対する記録回数が増加するほど、エラーレートが最も低くなることを利用したものである。このライトリードオフセット量αの測定処理は、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作を行い、ライトリードオフセット量αの変化が少なくなった場合に、飽和値に近いライトリードオフセット量αを決定するものである。
【０１１３】
先ず、ステップＳ３１、ステップＳ３２、ステップＳ３３において、ＭＰＵ５６は、上述のステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１３と同様の処理を行う。これにより、目標トラック位置Ｘの取得し、記録素子８１を目標トラック位置Ｘにシークし、当該目標トラック位置Ｘに対して測定処理を記録する。
【０１１４】
次のステップＳ３４において、記録処理部６２は、目標トラック位置Ｘの両側に隣接する隣接トラックに対して所定回数Ｎに亘り測定信号の記録を行う。この所定回数Ｎは、隣接トラックに対して記録動作を行うことにより目標トラックにおけるエラーレートが最も低くなる位置がずれる回数であることが望ましい。図６に示すようにライトリードオフセット量αが変化する場合、例えば、所定回数Ｎは、１０〜１００程度に設定されることが望ましい。
【０１１５】
次のステップＳ３５において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１５と同様に、ライトリードオフセット量αを、初期値−Ｐに設定する。
【０１１６】
次のステップＳ３６において、再生処理部６４は、ステップＳ１６と同様に、目標トラック位置Ｘにおける初期値−Ｐ（Ｘ＋（−Ｐ））又は後述の更新されたライトリードオフセット量α（Ｘ＋（Ｗ＋δｐ））に、磁気ヘッド４１の読出素子８２をシークさせる。
【０１１７】
次のステップＳ３７において、再生処理部６４は、ステップＳ１７と同様に、ステップＳ３６にてシークした目標トラックから測定信号を再生させる。
【０１１８】
次のステップＳ３８において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１８と同様に、ステップＳ３７にて再生された測定信号から、当該測定信号の信号振幅値を用いたエラーレートを求める。
【０１１９】
次のステップＳ３９において、オフセット補正部６３は、ステップＳ１９と同様に、ライトリードオフセット量αを所定のずれ量δｐだけ増加させて、新たなライトリードオフセット量αに更新する。
【０１２０】
次のステップＳ４０において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ２０と同様に、ステップＳ３９にて更新したライトリードオフセット量αが、トラック７１内におけるオントラック範囲の限界値である＋Ｐに達したか否かを判定する。ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達していない場合にはステップＳ３６に処理を戻す。一方、ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達した場合には、ステップＳ４１に処理を進める。
【０１２１】
ステップＳ４１において、ライトリードオフセット測定部６１により、所定のずれ量δｐごとに算出されたエラーレートを参照して、エラーレートが最も低い位置をライトリードオフセット量αｎとして決定する。このライトリードオフセット量αｎは、現段階における記録回数での値である。
【０１２２】
次のステップＳ４２において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ４１にて求めたライトリードオフセット量αｎと、現段階における記録回数よりも少ない記録回数の時に求めたライトリードオフセット量αｐとの差分を演算する。この差分は、隣接トラックへの記録回数が増加したことに対するライトリードオフセット量αの変化量を表す。そして、ライトリードオフセット測定部６１は、当該変化量と、所定変化量αｖとを比較する。ライトリードオフセット量αの変化量が所定変化量αｖよりも大きい場合には、ステップＳ４３に処理を進める。一方、ライトリードオフセット量αの変化量が所定変化量αｖよりも小さい場合には、ステップＳ４４に処理を進める。
【０１２３】
所定変化量αｖは、隣接トラックに対する記録回数の増加に対してライトリードオフセット量αが飽和したとみなすことができる値であることが望ましい。この所定変化量αｖは、例えば、図５及び図６のようにライトリードオフセット量αが０．０３０μｍにて飽和する場合、５ｎｍに設定される。また、所定変化量αｖはライトリードオフセット量αが飽和したとみなせる値よりも大きくても良い。所定変化量αｖを大きくすることにより、高い精度でエラーレートが最も低くするライトリードオフセット量αを設定できない。しかし、隣接トラックに対する記録回数を少なくして、ライトリードオフセット量αの測定時間を短縮できる。
【０１２４】
ステップＳ４３において、ライトリードオフセット測定部６１は、現段階における記録回数でのライトリードオフセット量αｎを、現段階における記録回数よりも少ない記録回数の時に求めたライトリードオフセット量αｐに設定する。そして、処理は、ステップＳ３４に進められる。これにより、ライトリードオフセット測定部６１は、再度所定回数Ｎに亘り隣接トラックに対して記録動作を行って、ライトリードオフセット量αの変化量を計測できる。
【０１２５】
ステップＳ４４において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αｎを、エラーレートが最も低い位置をライトリードオフセット量αとして決定する。
【０１２６】
以上のように、この磁気記憶装置１０は、ライトリードオフセット量αを決定する時に、先ず、第１所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録して、当該目標トラック内でエラーレートの最も低いライトリードオフセット量αｐ（第１情報読出位置）を決定する。次に、磁気記憶装置１０は、第１所定回数より多い第２所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録して、目標トラック内でエラーレートの最も低いライトリードオフセット量αｎ（第２情報読出位置）を決定する。次に、磁気記憶装置１０は、双方のライトリードオフセット量αｐ、αｎの差が所定値αｖよりも小さくなったかを判断する。そして、αｐ、αｎの差が所定値αｖよりも小さくなった場合に、当該ライトリードオフセット量αｎ（第２情報読出位置）を、オフセットテーブル５７ａに格納するライトリードオフセット量αとして決定できる。
【０１２７】
これにより、オフセットテーブル５７ａには、第１情報読出位置と第２情報読出位置との差が所定値よりも小さくなった場合の当該第２情報読出位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１２８】
したがって、この磁気記憶装置１０によれば、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作を行わなくても、ライトリードオフセット量αの飽和を判断して、当該飽和したライトリードオフセット量αに近い値をオフセットテーブル５７ａに格納することができる。したがって、この磁気記憶装置１０によれば、実際に目標トラックにおけるエラーレートが最も低い情報読出位置がずれても、確実に低いエラーレートで情報を再生できる。また、この磁気記憶装置１０によれば、当該磁気記憶装置１０の製造工程におけるオフセットテーブル５７ａの作成時間を短縮できる。
【０１２９】
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【０１３０】
１０ 磁気記憶装置
１１ 制御ボード
１２ 磁気ディスク装置
２０ ホスト
３１ 制御回路
３２ バッファメモリ
３３ 不揮発メモリ
３４ モータ駆動制御部
４０ 磁気ディスク
４１ 磁気ヘッド
４２ ヘッドＩＣ
４３ ロータリーアクチュエータ
４３ａ アーム
４４ スピンドルモータ
４５ ボイスコイルモータ
４６ ヨーク
４７ 軸部
５１ バス
５２ ホストインターフェース制御部
５３ バッファメモリ制御部
５４ ディスクコントローラ
５５ 信号変復調部
５６ ＭＰＵ
５７ メモリ
５７ａ オフセットテーブル
６１ ライトリードオフセット測定部
６２ 記録処理部
６３ オフセット補正部
６４ 再生処理部
７１ トラック
７１ａ トラックセンタ
７２ ヨー角０度境界線
８１ 記録素子
８１ａ ライトセンタ
８２ 読出素子
８３ 本体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を記録し、当該記録された情報を磁気記録媒体から再生する磁気記憶装置及び情報読出し位置設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク媒体を有する磁気記憶装置は、磁気ディスク媒体に対して磁気ヘッドを配置する構成として、一方端に磁気ヘッドが設けられ他方端に回転モータが接続された支持部材（回転アーム）を有している。この支持部材は、回転モータの駆動によって回転し、円弧状の軌跡に沿って磁気ヘッドの位置を変化させる。
【０００３】
このような磁気記憶装置は、高トラック密度化によりトラック幅を狭くしても、磁気ディスク媒体に対して正確に情報の記録及び再生ができることが望まれている。このために、従来では、情報の記録時及び再生時における磁気ヘッド位置を制御することが行われている（例えば下記の特許文献１，２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３０８５３号公報
【特許文献２】特開２００５−３２２２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した磁気記憶装置においては、磁気ディスク媒体におけるトラック間隔が狭いために、トラックに対して記録を行うと、当該記録のための磁界が、隣接するトラックに漏れてしまう。この結果、複数回に亘ってトラックに記録がなされると、当該トラックに隣接するトラックの情報が干渉を受けて再生出力が低くなってしまい、エラーレートが高くなってしまう。
【０００６】
そこで、本発明は、上述した実情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体のトラック間隔を狭くても低いエラーレートで情報の再生をすることができる磁気記憶装置及び情報読出し位置の設定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するための情報読出し位置の設定方法は、ディスク型記録媒体のトラックに記録された情報を再生する時における読出素子の情報読出位置を決定する工程を含む。当該情報読出位置を決定する工程は、情報読出位置を決定する目標トラックに対して記録素子により情報を記録する目標トラック記録工程と、目標トラック記録工程の後に、目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して記録素子により情報を複数回繰り返し記録する隣接トラック記録工程と、隣接トラック記録工程の後に、当該目標トラック内における読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する再生工程と、再生工程の後に、当該再生工程にて再生した情報を用いてエラーレートを測定し、エラーレートが最も低い読出位置を求めて、当該読出位置を、目標トラックにおける情報読出位置として決定し、記憶手段のテーブルに設定する設定工程とを有する。
【０００８】
上述の課題を解決するための磁気記憶装置は、記録素子と読出素子とを有する磁気ヘッドを支持部材の一方端に設け、当該支持部材の他方端を回転駆動して、磁気ヘッドをディスク型記録媒体に対して位置決めさせるものである。
【０００９】
この磁気記憶装置は、支持部材を回転駆動させることによって記録素子を位置決めさせ、該記録素子によりディスク型記録媒体のトラックに情報を記録する記録処理手段と、読出素子によりディスク型記録媒体に記録された情報を再生する時における読出素子の情報読出位置に関する情報を含むテーブルデータを記憶する記憶手段と、支持部材を回転駆動させることによって記憶手段に記憶された情報読出位置に前記読出素子を位置決めさせ、当該読出素子によりディスク型記録媒体の当該トラックに記録された情報を再生する再生処理手段とを含み、情報読出位置に関する情報は、当該トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を複数回繰り返し記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置に基づいた情報を含んでいる。
【発明の効果】
【００１０】
上記の磁気記憶装置及び情報読出し位置の設定方法によれば、隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置により求められた情報読出位置の補正情報をテーブルデータに含むので、実際に隣接トラックに記録が行われても、低いエラーレートで情報の再生をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置の構成を示すブロックである。
【図２】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置の外観構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置に記憶されるオフセットテーブルを示す図である。
【図４】記録回数と、隣接トラックのエラーレートとの関係を示す図である。
【図５】記録回数と、再生出力と、オフセット量との関係を示す図である。
【図６】記録回数とオフセット量との関係を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における磁気ディスクのトラックに対するロータリーアクチュエータの動作を説明する図である。
【図８】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置において、トラックに対する磁気ヘッドの配置状態を示す図であり、（Ａ）が最インナートラック付近、（Ｂ）はヨー角０度境界線付近、（Ｃ）は最アウタートラック付近、である。
【図９】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における磁気ヘッドの構成を示す図であり、（Ａ）は記録素子８１と読出素子８２とが一体となっている構成、（Ｂ）は記録素子と読出素子とが分離した構成、（Ｃ）は記録素子と読出素子がそれぞれ独立した構成、である。
【図１０】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置におけるロータリーアクチュエータの動作に応じた磁気ヘッドの状態を示す図であり、（Ａ）はロータリーアクチュエータの動作による磁気ヘッドの移動状態、（Ｂ）はヨー角θとライトリードオフセット量との関係、を示す。
【図１１】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置において、記録素子と読出素子とがずれている時のロータリーアクチュエータの動作に応じた磁気ヘッドの状態を示す図であり、（Ａ）はロータリーアクチュエータの動作による磁気ヘッドの移動状態、（Ｂ）はヨー角θとライトリードオフセット量との関係、を示す。
【図１２】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における記録素子による記録動作時の記録素子、読出素子の位置関係を示す図である。
【図１３】記録素子幅、記録幅、トラックピッチの位置関係を示す図である。
【図１４】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置における読出素子による再生動作時の記録素子、読出素子の位置関係を示す図である。
【図１５】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置において、読出素子８２をリードオフセット補正量だけずらした状態を示す図である。
【図１６】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置によりオフセットテーブルを作成する処理手順を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置によりライトリードオフセット量を測定する処理手順を示すフローチャートである。
【図１８】本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置によりライトリードオフセット量を測定する他の処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［磁気記憶装置１０の構成］
本発明の一実施形態として示す磁気記憶装置は、例えば図１に示すような各部を有している。磁気記憶装置１０は、制御ボード１１と、後述する磁気ディスク等を搭載する筐体を含む磁気ディスク装置１２とを有する。なお、磁気ディスク装置１２は、ディスクエンクロージャとも称される部位を含んでいる。
【００１３】
磁気ディスク装置１２は、図１及び図２に示すように、磁気ディスク４０−１，４０−２（以下、総称する場合には単に「磁気ディスク４０」とも呼ぶ。）を有する。また、磁気ディスク装置１２は、磁気ディスク４０−１，４０−２に対して記録再生を行う磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４（以下、総称する場合には「磁気ヘッド４１」とも呼ぶ。）及びヘッドＩＣ４２を有する。更に磁気ディスク装置１２は、ロータリーアクチュエータ４３と、スピンドルモータ４４と、ボイスコイルモータ４５と、ヨーク４６と、軸部４７とを有している。この磁気ディスク装置１２は、図２に示すようにベース１０ａ上に取り付けられる。
【００１４】
なお、図１に示した磁気ディスク装置１２は、２枚の磁気ディスク４０を有し、当該磁気ディスク４０の両面を記録面としている例を示している。したがって、この例には限られず、後述の動作を行うことができることは勿論である。
【００１５】
スピンドルモータ４４は、その回転軸に磁気ディスク４０−１，４０−２が装着されている。スピンドルモータ４４は、回転駆動することによって、磁気ディスク４０−１，４０−２を所定の回転数にて回転させる。磁気ディスク４０−１，４０−２の回転数は、例えば４２００ｒｐｍ程度である。
【００１６】
ロータリーアクチュエータ４３は、アーム４３ａの一方端を回転軸として回転させ、アーム４３ａの他方端に設けた磁気ヘッド４１を磁気ディスク４０−１，４０−２に対して移動させるものである。ロータリーアクチュエータ４３は、アーム４３ａにおける一方端に設けたコイルを、永久磁石を装着したヨーク４６の間に回動自在に配置している。
【００１７】
ロータリーアクチュエータ４３は、支持部材としてのアーム４３ａの先端に磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４が取り付けられる。ボイスコイルモータ４５は、回転駆動することによってロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａの先端を回転移動させる。これにより、磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４は、磁気ディスク４０−１，４０−２の記録面に対して位置決めされる。
【００１８】
磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４は、磁気ディスク４０−１，４０−２に情報を記録する記録素子と、磁気ディスク４０−１，４０−２に記録された情報を読み出す読出素子とを有している。この磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４としては、例えば、記憶素子と読出素子とが一体化された複合型のものが使用可能である。
【００１９】
磁気ディスク４０が記録層と軟磁性体裏打ち層を有する垂直磁気記録型のものである場合、記録素子としては、垂直磁気記録型のものを使用する。また、読出素子としては、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子やＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）素子が使用可能である。磁気ヘッド４１−１，４１−２，４１−３，４１−４は、磁気ヘッドＩＣ４２と信号線によって接続されている。
【００２０】
磁気ヘッドＩＣ４２は、当該磁気記憶装置１０の上位装置となるホスト２０及びＭＰＵ５６から供給されるコマンドに従った処理を行う。このコマンドは、磁気ディスク４０に情報を記録するライトコマンド又は磁気ディスク４０に記録された情報を再生するリードコマンドを含む。ヘッドＩＣ４２は、情報記録系の構成としてライトアンプを有し、情報再生系の構成としてプリアンプを有している。ヘッドＩＣ４２は、ライトコマンド又はリードコマンドに基づいて磁気ヘッド４１のうちの何れかを選択する。そして、ヘッドＩＣ４２は、情報の記録時には、選択した磁気ヘッド４１に対して記録素子から記録磁界を発生させる。また、情報の再生時には、選択した磁気ヘッド４１の読出素子により読み取った信号を受信する。
【００２１】
制御ボード１１は、制御回路３１と、バッファメモリ３２と、不揮発メモリ３３と、モータ駆動制御部３４とを有する。
【００２２】
制御回路３１は、磁気記憶装置１０の製造時において、製造・試験設備としてのホスト２０と接続される。制御回路３１は、例えば単一のＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）回路が使用可能である。制御回路３１は、当該ホスト２０から送信されたコマンドを入力して、磁気ディスク装置１２に対して記録再生制御をする。制御回路３１は、後述のオフセットテーブル５７ａを作成する命令に従って、磁気ディスク装置１２を制御して当該オフセットテーブル５７ａを作成する。
【００２３】
また、磁気記憶装置１０が例えばパーソナルコンピュータに内蔵された場合、等制御回路３１は、ホスト２０からライトコマンド及び記録情報、リードコマンドが供給される。制御回路３１は、ホスト２０から磁気ディスク４０に記録する情報と共にライトコマンドが供給された場合、当該情報を磁気ディスク４０に記録する制御をする。また、制御回路３１は、ホスト２０から情報を再生するリードコマンドが供給された場合、磁気ディスク４０から情報を読み出す制御をする。
【００２４】
バッファメモリ３２は、制御回路３１の制御に従って、各種情報を記憶する。例えば、磁気ディスク４０に書き込むべき記録情報、磁気ディスク４０から読み出された再生情報が格納される。
【００２５】
不揮発メモリ３３には、制御回路３１における各部にて実行される制御プログラムが格納される。この不揮発メモリ３３は、例えばフラッシュメモリが使用可能である。
【００２６】
モータ駆動制御部３４は、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５と接続されている。モータ駆動制御部３４は、制御回路３１からの制御信号に従って、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５を回転駆動させる。これにより、ロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａが回転して、磁気ヘッド４１を磁気ディスク４０に対して円弧状に移動して位置決め（シーク）させる。
【００２７】
制御回路３１は、バス５１（図示無し）と、ホストインターフェース制御部５２と、バッファメモリ制御部５３と、ディスクコントローラ５４と、信号変復調部５５と、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）５６と、メモリ５７とを有する。バス５１には、ホストインターフェース制御部５２と、バッファメモリ制御部５３と、ディスクコントローラ５４と、信号変復調部５５と、ＭＰＵ５６と、メモリ５７が接続されている。
【００２８】
ホストインターフェース制御部５２は、ホスト２０に対するインターフェース回路である。ホストインターフェース制御部５２は、ホスト２０からライトコマンド及び記録情報、リードコマンドが供給された場合、当該コマンド及び情報を制御回路３１にて処理可能な信号形態に変換する。この記録情報は、バッファメモリ制御部５３に供給される。また、ホストインターフェース制御部５２は、ホスト２０に送信する再生情報がある場合には、当該情報をホスト２０が受信可能な信号形態に変換する。再生情報は、バッファメモリ制御部５３から供給される。
【００２９】
バッファメモリ制御部５３は、バッファメモリ３２に情報を記憶及び消去させると共に、バッファメモリ３２に記録されている情報を読み出す。バッファメモリ制御部５３は、記録情報がホストインターフェース制御部５２を介して供給されると、当該記録情報をバッファメモリ３２に格納し、必要に応じて読み出す。また、バッファメモリ制御部５３は、再生情報が供給されると、当該再生情報をバッファメモリ３２に格納し、必要に応じて読み出す。
【００３０】
ディスクコントローラ５４は、バッファメモリ制御部５３から記録情報が供給される。ディスクコントローラ５４は、記録情報を磁気ディスク４０に書き込むための所定のフォーマットに変換して、信号変復調部５５に供給する。また、ディスクコントローラ５４は、信号変復調部５５から再生情報が供給される。ディスクコントローラ５４は、供給された再生情報をホスト２０に出力すべき所定のフォーマットに変換して、バッファメモリ制御部５３に供給する。
【００３１】
信号変復調部５５は、ディスクコントローラ５４から記録情報が供給される。信号変復調部５５は、記録情報に対して所定の変調処理をして、ヘッドＩＣ４２に供給する。また、信号変復調部５５は、ヘッドＩＣ４２から再生情報が供給される。信号変復調部５５は、供給された再生情報に対して所定の復調処理をして、ディスクコントローラ５４に供給する。
【００３２】
メモリ５７には、ＭＰＵ５６によって参照される制御データ及び制御プログラムが格納されている。メモリ５７に格納された制御プログラムとしては、磁気ディスク４０から情報を再生する時にトラックに対する磁気ヘッド４１のオフセット量（位置ズレ量）を決定してオフセットテーブル５７ａを作成する処理を実行するためのプログラムを含む。
【００３３】
また、メモリ５７に格納された制御データとしては、図３に示すようなオフセットテーブル５７ａを表すテーブルデータが含まれる。図３に示すオフセットテーブル５７ａは、磁気ヘッド４１を特定するヘッド番号Ｈ、同心円状の複数トラックを特定するシリンダアドレスＣに対して、ライトリードオフセット量αが対応付けられて記述されている。また、磁気記憶装置１０には、磁気ディスク４０のトラックごとの位置情報が予め設定されている。
【００３４】
ライトリードオフセット量αとは、磁気ヘッド４１におけるトラックに対して記録再生を行うときの記録素子と読出素子とのずれ量である。したがって、任意のトラックに読出素子を位置させる場合には、当該トラックの位置情報に従って磁気ヘッド４１を位置決めした状態で、ライトリードオフセット量αだけずらす。このことから、ライトリードオフセット量αは、情報再生時における情報読出位置を表していると言える。
【００３５】
ライトリードオフセット量αは、後述するが、リードオフセット補正量βによって補正されたものである。リードオフセット補正量βは、トラックに記録された情報を最も少ないエラーレートにて読み出すためのライトリードオフセット量αに対する読出位置の補正量である。
【００３６】
シリンダは、任意のトラック本数からなる磁気ディスク４０内の記録領域を表す。そして、オフセットテーブル５７ａには、シリンダごとにライトリードオフセット量αが対応付けられている。なお、この実施形態では、シリンダごとにライトリードオフセット量αを設定しておく例を示したが、全トラックにライトリードオフセット量αを設定しても良い。また、磁気ディスク４０の記録領域において、最外周トラックから最内周トラックまでを分割した複数のゾーン毎の所定のトラックにて測定しライトリードオフセット量αをゾーン毎に登録しておいても良い。この場合、ライトリードオフセット量αが登録されていないトラックについては、そのトラックが属するゾーンに対応して登録されているライトリードオフセット量αを補間して求めることができる。
【００３７】
ライトリードオフセット量αをリードオフセット補正量βで補正する理由について説明する。
【００３８】
図４に示すように、磁気ディスク４０における任意のトラックに対して複数回に亘り情報を記録すると、その記録回数が多くなるほど、当該任意のトラックに対する隣接トラック（＋１トラック、−１トラック）における再生時のエラーレートが高くなる。
【００３９】
また、図５に示すように、任意のトラックに情報を記録する回数が多くなるほど、隣接するトラックにおける再生出力［ボルト］が低くなると共に、再生出力のピーク位置が、ライトリードオフセット量にて規定されている読出位置からずれる。この再生出力のピーク位置の移動に合わせて、当該隣接トラックにて最も低いエラーレートにて再生できる読出位置がずれる。このずれ量が、リードオフセット補正量βとなる。
【００４０】
図４に示したように、任意のトラックにおける両側の隣接トラックが同じ割合でエラーレートは発生しない。また、図５に示したように、エラーレートが最も低くなる位置は、記録回数に応じて図中の右側（＋方向＝アウター側）の一方方向にずれる。
【００４１】
このずれ量は、図６に示すように、任意のトラックに対する記録回数が多くなるほど、大きくなり、飽和に向かう。したがって、リードオフセット補正量βは、最も低いエラーレートにて再生するために、ずれ量が飽和する位置に読出素子を位置させる値とされることが望ましい。これにより、メモリ５７は、目標トラックの両側の隣接トラックに対して情報を記録した場合でも、目標トラック内でエラーレートの最も低い位置が読出位置となるようなライトリードオフセット量αを記憶することができる。なお、このリードオフセット補正量βを測定する処理については、後述する。
【００４２】
ＭＰＵ５６は、磁気記憶装置１０における各部を制御することにより、磁気ディスク４０に対する記録処理及び再生処理を制御する。ＭＰＵ５６は、ライトリードオフセット測定部６１と、記録処理部６２と、オフセット補正部６３と、再生処理部６４とを有する。
【００４３】
記録処理部６２は、ロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａを回転駆動させることによって記録素子を走査させ、当該記録素子により磁気ディスク４０に情報を記録する記録処理を行う。このために、記録処理部６２は、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を供給して、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５を動作させる。また、記録処理部６２は、制御回路３１の各部及びヘッドＩＣ４２に制御信号を供給して、磁気ヘッド４１の記録素子によって情報の書き込みをさせる。
【００４４】
オフセット補正部６３は、磁気ディスク４０の情報再生時に、目標トラックに磁気ヘッド４１の読出素子を位置決めした状態で、ライトリードオフセット量αを補正する。このライトリードオフセット量αは、オフセットテーブル５７ａの作成時に、トラック内でエラーレートが最も低い位置が探索されるときに、補正される。
【００４５】
再生処理部６４は、ロータリーアクチュエータ４３におけるアーム４３ａを回転駆動させることによって、メモリ５７に記憶されたライトリードオフセット量αだけ、記録素子に対して読出素子をずらす。これにより再生処理部６４は、当該読出素子により磁気ディスク４０に記録された情報を再生する再生処理を行う。このために、再生処理部６４は、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を供給して、スピンドルモータ４４及びボイスコイルモータ４５を動作させる。また、記録処理部６２は、制御回路３１の各部及びヘッドＩＣ４２に制御信号を供給して、磁気ヘッド４１の記録素子又は再生素子によって情報の書き込み又は読出をさせる。
【００４６】
ライトリードオフセット測定部６１は、磁気記憶装置１０の製造時において、磁気ヘッド４１における記録素子と読出素子とのライトリードオフセット量αを測定して、オフセットテーブル５７ａに格納する。具体的には、製造・試験設備としてのホスト２０を磁気記憶装置１０に接続した状態で、ライトリードオフセット量αを測定する測定ファームウェア（プログラム）をメモリ５７にダウンロードする。そして、ＭＰＵ５６は、ダウンロードした測定ファームウェアを実行することにより、ライトリードオフセット測定部６１、オフセット補正部６３、記録処理部６２及び再生処理部６４を機能として含むことができる。
【００４７】
このライトリードオフセット測定部６１は、詳細は後述するが、測定ファームウェアを実行することにより、ＭＰＵ５６に各種の手段を持たせる。ＭＰＵ５６は、リードオフセット補正量を規定する第１トラックに対して記録素子により情報を記録する手段、第１トラックの両側に隣接する第２トラックに対して記録素子により情報を記録する手段を含む。また、ＭＰＵ５６は、第１トラック内における読出素子による読出位置を走査しながら情報を再生する手段を含む。更に、ＭＰＵ５６は、再生した情報を用いて最もエラーレートが低い読出位置を求めて、当該読出位置を第１トラックにおけるオフセット量として決定して、当該オフセット量を記憶手段に記憶させる手段を含む。
［ライトリードオフセット量α及びリードオフセット補正量βの説明］
つぎに、上述した磁気記憶装置１０において、オフセットテーブル５７ａに格納されるライトリードオフセット量αについて、図７乃至図１５を参照して説明する。
【００４８】
図７に示すように、磁気ディスク４０の記録面に対して模式的に示したロータリーアクチュエータ４３が軸部４７を回転中心にして、位置４３−１〜位置４３−２に亘り回動する。これにより、ロータリーアクチュエータ４３のアーム４３ａにおける先端の磁気ヘッド４１を任意のトラック７１に対向するように位置決めすることができる。
【００４９】
ロータリーアクチュエータ４３は、磁気ディスク４０におけるトラック７１の長手方向に一致するヨー角θ＝０度の位置４３−２である場合に、ヨー角０度境界線７２とする。この場合、ヨー角θは、アウター（外周）側又はインナー（内周）側に向かうほど増加し、最アウタートラック７１−１及び最インナートラック７１−２にて最大となる。
【００５０】
この磁気記憶装置１０は、例えばヨー角θが最大となる最アウタートラック７１−１を開始位置として、ヨー角θが０度のヨー角０度境界線７２に隣接するトラック７１−ｎに向けてデータを順次書き込む。次に、磁気記憶装置１０は、ヨー角θが最大となる最インナートラック７１−２からヨー角０度境界線７２に隣接したトラック７１−（ｎ＋１）に向けてデータを順次書き込む。
【００５１】
図８（Ａ）に、最インナートラック７１−２ｎ付近に対して磁気ヘッド４１を対向させた時における磁気ヘッド４１と最インナートラック７１−２ｎとの位置関係を示す。図８（Ｂ）に、ヨー角０度境界線７２のトラック７１−ｎ付近に磁気ヘッド４１を対向させた時における磁気ヘッド４１とトラック７１−ｎとの位置関係を示す。図８（Ｃ）に、最アウタートラック７１−１付近に対して磁気ヘッド４１を対向させた時における磁気ヘッド４１と最アウタートラック７１−１との位置関係を示す。
【００５２】
図８（Ｂ）に示すように、磁気ヘッド４１がヨー角０度境界線７２上のトラック７１−ｎに対向している場合には、トラック７１の長手方向に対して傾きが無い状態となっている。この状態では、磁気ヘッド４１における記録素子は、あまりトラック７１の幅方向においてはみ出していない。
【００５３】
これに対し、図８（Ａ）及び図８（Ｃ）に示すように、磁気ヘッド４１が最インナートラック７１−２ｎ及び最アウタートラック７１−１に対向するように位置している場合には、トラック７１の長手方向に対して磁気ヘッド４１が傾いた状態となっている。この状態では、磁気ヘッド４１における記録素子がトラック７１の幅方向においてはみ出す傾向にあり、隣接トラックに対して記録素子から発した磁界が漏れやすい。
【００５４】
したがって、情報が記録されたトラック７１から隣接トラックに漏れた磁界によって、当該隣接トラックに記録された情報を再生した時のエラーレートが最小となるように、当該隣接トラックでのライトリードオフセット量αをリードオフセット補正量βによって補正する必要がある。
【００５５】
図９に、本実施形態における記録素子及び読出素子を含む磁気ヘッド４１の構成例を示す。
【００５６】
図９（Ａ）は、軸部４７を中心に回動自在なロータリーアクチュエータ４３の先端に磁気ヘッド４１を設けて、磁気ヘッド４１の本体８３に記録素子８１及び読出素子８２を設けた状態を示している。記録素子８１は、幅方向の記録素子幅Ｔｗで磁気ディスク４０に情報を記録する。また、記録素子８１及び読出素子８２は、ロータリーアクチュエータ４３の長手方向（トラック７１の略長手方向）に、間隔Ｌを介して配置されている。
【００５７】
図９（Ｂ）は、磁気ヘッド４１を簡略的に示したものであり、記録素子８１と読出素子８２を分離して示している。
【００５８】
図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）の記録素子８１と読出素子８２を個々に独立してロータリーアクチュエータ４３の先端に配置した状態を示している。なお、図８においては、図９（Ａ）に示した形態の磁気ヘッド４１をトラック７１に対向させた状態を示している。
【００５９】
このように間隔Ｌを有する磁気ヘッド４１を用いた時に生ずるライトリードオフセット量αを図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す。
【００６０】
先ず、ロータリーアクチュエータ４３が位置４３−１の状態にある場合には、ヨー角θは０度である。この場合、ロータリーアクチュエータ４３の長手方向とトラック７１の長手方向とは同一方向となる。記録素子８１及び読出素子８２の幅方向における中心位置は、トラック７１の幅方向における中央位置に位置決めされる。したがって、ライトリードオフセット量αは、０となる。また、読出素子８２にて当該ヨー角θのトラック７１に記録された情報を読み出すときには、リードオフセット補正量βも、不要となる。
【００６１】
これに対し、ヨー角θが−θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−２である場合、磁気ヘッド４１は、位置４１−１１に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、それぞれ位置８１−１、８２−１のようになり、磁気ディスク４０の半径方向における距離としてのライトリードオフセット量−αｍａｘを生ずる状態となる。
【００６２】
逆に、ヨー角θが＋θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−３である場合、磁気ヘッド４１は、位置４１−１２に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、それぞれ位置８１−２、８２−２のようになり、磁気ディスク４０の半径方向における距離としてのライトリードオフセット量＋αｍａｘを生ずる状態となる。
【００６３】
このようなライトリードオフセット量αは、ロータリーアクチュエータ４３が回転することによりヨー角θが変化すると、図１０（Ｂ）に示すように変化する。このライトリードオフセット量αは、記録素子８１と読出素子８２との間隔Ｌとヨー角θとに応じて、
α＝Ｌｓｉｎθ
という数式にて表される。
【００６４】
例えば図１１（Ａ）に示すように、磁気ヘッド４１における記録素子８１と読出素子８２との間に、幅方向における位置ズレが製造プロセスによって発生する場合がある。この場合、ロータリーアクチュエータ４３が位置４３−１であっても、ライトリードオフセット量α０が生ずる。
【００６５】
このように製造プロセスに起因するライトリードオフセット量αがある場合には、ヨー角θが−θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−２となると、磁気ヘッド４１は、位置４１−１１に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、図１０（Ａ）に示したライトリードオフセット量−αｍａｘよりも小さいライトリードオフセット量α０２となる。
【００６６】
一方、ヨー角θが＋θｍａｘとなるロータリーアクチュエータ４３の位置４３−３となると、磁気ヘッド４１は、位置４１−１２に移動する。このとき、記録素子８１及び読出素子８２は、図１０（Ａ）に示したライトリードオフセット量＋αｍａｘよりも大きいライトリードオフセット量α０１となる。
【００６７】
このようなライトリードオフセット量α０は、ロータリーアクチュエータ４３が回転することによりヨー角θが変化すると、図１１（Ｂ）に示すように変化する。点線は、図１０に示した製造プロセスに起因するライトリードオフセット量がない時の、ヨー角θに応じたライトリードオフセット量αの変化である。このライトリードオフセット量α０は、記録素子８１と読出素子８２との間隔Ｌとヨー角θとに応じて、
α＝Ｌｓｉｎθ＋α０ｃｏｓθ
という数式にて表される。
【００６８】
なお、図１１には、一例として、記録素子８１に対して読出素子８２が左側に位置ズレした場合を示している。しかし、記録素子８１に対して読出素子８２が右側に位置ズレした場合には、図１０に示した位置ズレがない時のライトリードオフセット量αに対して、ライトリードオフセット量α０は、マイナス側にシフトすることになる。
【００６９】
このように、ロータリーアクチュエータ４３を回転させることにより生ずるライトリードオフセット量αは、磁気ディスク４０におけるシリンダごとに、ライトリードオフセット測定部６１によって測定される。そして、測定されたライトリードオフセット量αは、オフセットテーブル５７ａにおけるライトリードオフセット量αとしてメモリ５７に格納される。
【００７０】
ロータリーアクチュエータ４３によって回転移動される磁気ヘッド４１は、図１２に示すようにトラック７１に対向して配置される。図１２は、磁気ヘッド４１の記録素子８１−１，８１−２，８１−３と回転移動されることにより、記録素子８１は、トラック７１−１１，７１−１２，７１−１３に向けてインナー側に移動して位置決めされる。
【００７１】
ここで、トラック７１−１１に対して情報を記録する場合には、記録素子８１−１の記録幅Ｔｗｃは、記録素子８１の記録素子幅をＴｗ、ヨー角をθとすると、
Ｔｗｃ＝Ｔｗ・ｃｏｓθ
で表される。
【００７２】
この記録幅Ｔｗｃは、トラック７１−１１に対向して記録素子８１−１が配置されていても、当該トラック７１−１１に隣接するトラック７１−１２にも及んでいる。このようなヨー角θに対応した記録素子８１−１の記録幅Ｔｗｃで情報が書き込まれると、トラック７１−１１に隣接するトラック７１−１２にも、記録素子８１−１のはみ出し部分によって情報の書き込みが行われる。これにより、トラック７１−１１は、規定のトラックピッチＴｐとなる。
【００７３】
このように形成されたトラック７１に対して読出素子８２が磁界を読み取って生成する再生信号の信号振幅分布及び再生信号のエラーレート分布は、図１２中の下段に示すように測定されたものとする。再生信号の信号振幅分布は、トラック７１のトラックピッチＴｐの中心位置であるトラックセンタ７１ａにて最大の信号振幅値Ａとなる。記録幅Ｔｗｃの中心位置であるライトセンタ８１ａにおける再生信号の信号振幅値Ｂは、最大の信号振幅値Ａよりも小さい。再生信号のエラーレート分布は、トラックセンタ７１ａにて最小のエラーレート値Ｃとなっている。ライトセンタ８１ａにおける再生信号のエラーレート値Ｄは、最小のエラーレート値Ｃよりも高い。
【００７４】
図１３に、図１２における記録素子幅Ｔｗ、記録幅Ｔｗｃ、トラックピッチＴｐの関係を示す。記録素子８１は、トラック７１の幅方向に対して傾いている。このため、当該記録素子８１による記録幅Ｔｗｃは、Ｔｗ・ｃｏｓθで表現されるように、記録素子幅Ｔｗのヨー角θに対する余弦成分となる。
【００７５】
このような記録幅Ｔｗｃの記録領域は、隣接するトラック７１に対する情報の記録が行われることにより、一部に対して重ね書きが行われる。この重ね書き幅は、記録幅Ｔｗｃ−トラックピッチＴｐとなる。これにより、記録幅Ｔｗｃは、有効トラック幅としてのトラックピッチＴｐに修正される。
【００７６】
このようなトラック７１−１１に記録された情報を再生する場合、読出素子８２は、図１４に示すように、ロータリーアクチュエータ４３が位置４３−１１から位置４３−１２へと回転されたことによって、トラック７１−１１に向けて移動して位置決めされる。このとき、読出素子８２は、記録素子８１により情報を記録している時の位置８２−１１よりも、ライトリードオフセット量αだけアウター側に位置決めされる。
【００７７】
しかし、ライトセンタ８１ａは、トラックセンタ７１ａに対して、ずれている。このために、情報記録時よりもライトリードオフセット量αだけ読出素子８２をアウター側にずらしても、読出素子８２の中心位置は、トラックセンタ７１ａに対向する位置とはならない。この状態では、再生信号の信号振幅分布における最大の信号振幅値Ａよりも低い信号振幅値Ｂにて信号を再生することになり、最小のエラーレートにて再生を行うことができない。
【００７８】
そこで、磁気記憶装置１０は、図１５に示すように、トラック７１における再生信号のエラーレート分布から最もエラーレートが低い値にて再生を行うように、リードオフセット補正量βを求める。そして、磁気ヘッド４１における間隔Ｌに起因するライトリードオフセット量αに対してリードオフセット補正量βを加算した値を、ライトリードオフセット量αとしてオフセットテーブル５７ａに格納する。
【００７９】
なお、図１５に示した例では、トラックピッチＴｐの中央が、エラーレートが最も低い位置となっている。しかし、後述するように実際に測定した結果としてエラーレートが最も低い位置が情報読出位置となるようにライトリードオフセット量αを決定することとなる。
［オフセットテーブルの作成処理］
つぎに、上述したような磁気記憶装置１０により、リードオフセット補正量βを求めてライトリードオフセット量αをオフセットテーブル５７ａに格納する処理手順について、図１６乃至図１９のフローチャートを参照して、説明する。
【００８０】
上述したように、磁気記憶装置１０は、記録素子８１と読出素子８２とを有する磁気ヘッド４１をアーム４３ａの一方端に設け、当該アーム４３ａの他方端を回転駆動して、磁気ヘッド４１を磁気ディスク４０に対して走査させるものである。そして、磁気記憶装置１０は、その製造時に、ホスト２０からのコマンドに従って、図１６のステップＳ１以降の処理を開始する。
【００８１】
ステップＳ１において、ＭＰＵ５６は、製造・試験設備としてのホスト２０から、リードオフセット補正量βを求めた上でライトリードオフセット量αを求めてオフセットテーブル５７ａに格納する測定ファームウェアをダウンロードして、メモリ５７に格納する。そして、ＭＰＵ５６は、ダウンロードした測定ファームウェアを実行する。これにより、ＭＰＵ５６においては、ライトリードオフセット測定部６１、記録処理部６２、オフセット補正部６３、再生処理部６４としての機能が有効となる。
【００８２】
次のステップＳ２において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αを測定するトラック位置を目標トラック位置Ｘとして取り出す。具体的には、メモリ５７に格納されたオフセットテーブル５７ａから、ヘッド番号及びシリンダアドレスを取り出す。なお、この段階において、オフセットテーブル５７ａは、ヘッド番号及びシリンダアドレスのみが設定され、ライトリードオフセット量αは空き領域となっている。
【００８３】
次のステップＳ３において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αの測定処理をする。このとき、ライトリードオフセット測定部６１は、記録処理部６２、オフセット補正部６３及び再生処理部６４を制御する。このライトリードオフセット量αの測定処理は、磁気ディスク４０のトラック７１に記録された情報を再生する時におけるトラックセンタ７１ａに対する読出素子８２のライトリードオフセット量αを決定する工程である。
【００８４】
具体的には、先ず、ライトリードオフセット量αを決定する目標トラックに対して記録素子８１により情報を記録する目標トラック記録工程を行う。次に、目標トラックの両側に隣接する第２トラックに対して記録素子８１により情報を記録する隣接トラック記録工程を行う。次に、目標トラック内における読出素子８２による読出位置を走査しながら情報を再生する再生工程を行う。次に、当該再生工程にて再生した情報を用いて最もエラーレートが低い読出位置を求めて、当該読出位置を目標トラックにおけるライトリードオフセット量αとして決定しテーブルに登録設定する設定工程を行う。なお、詳細な処理内容については後述する。
【００８５】
次のステップＳ４において、ライトリードオフセット測定部６１は、磁気ディスク４０における全ての測定すべきトラック７１についてライトリードオフセット量αを求めたか否かを判定する。測定すべきトラック７１の全てについてライトリードオフセット量αを求めた場合にはステップＳ５に処理を進める。一方、測定すべきトラック７１の全てについてライトリードオフセット量αを求めていない場合には、ステップＳ２に処理を戻す。このステップＳ２においては、未だライトリードオフセット量αが求められていないトラック位置を目標トラック位置Ｘとして取り出す。
【００８６】
ステップＳ５において、ＭＰＵ５６は、は、オフセットテーブル５７ａを磁気ディスク４０のシステム領域に保存する。なお、不揮発メモリ３３に充分な容量がある場合には、オフセットテーブル５７ａを不揮発メモリ３３に保存しても良い。
【００８７】
次のステップＳ６において、ＭＰＵ５６は、ステップＳ１にてダウンロードした測定ファームウェアをメモリ５７から削除する。
【００８８】
なお、ステップＳ６にて測定ファームウェアの削除を行わずに、測定ファームウェアを磁気ディスク４０に保存したままであっても良い。この場合、磁気記憶装置１０を使用している状態でライトリードオフセット量αを用いた処理に異常が発生した時に、測定ファームウェアを実行してオフセットテーブル５７ａを再作成できる。
［ライトリードオフセット量αの測定処理］
つぎに、図１６におけるステップＳ３のライトリードオフセット量αの測定処理について、図１７のフローチャートを参照して説明する。
【００８９】
このライトリードオフセット量αの測定処理は、先ず、ステップＳ１１において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αを測定するトラック位置を目標トラック位置Ｘとして取り出す。
【００９０】
次のステップＳ１２において、記録処理部６２は、ステップＳ１１にて取り出された目標トラック位置Ｘに磁気ヘッド４１の記録素子８１をシークさせる。このとき、記録処理部６２は、目標トラック位置Ｘに磁気ヘッド４１の記録素子８１を位置させると共に所定回転数にて磁気ディスク４０を回転させるように、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を出力する。
【００９１】
次のステップＳ１３において、記録処理部６２は、ステップＳ１２にてシークされた磁気ヘッド４１の記録素子８１により目標トラック位置Ｘに対して測定信号を記録させる。このとき、記録処理部６２は、ヘッドＩＣ４２に対して測定信号を供給して、記録素子８１から記録磁界を発生させる。
【００９２】
次のステップＳ１４において、記録処理部６２は、ステップＳ１３にて測定信号が記録された目標トラック位置Ｘに両側に隣接する隣接トラックに対して、複数回に亘り測定信号を記録させる。このとき、記録処理部６２は、隣接トラックに磁気ヘッド４１をシークさせる制御信号をモータ駆動制御部３４に供給すると共にヘッドＩＣ４２に測定信号を供給して、記録素子８１から記録磁界を発生させる。
【００９３】
次のステップＳ１５において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αを、初期値−Ｐに設定する。この初期値−Ｐは、例えば、トラック７１におけるインナー側の端部である。
【００９４】
次のステップＳ１６において、再生処理部６４は、目標トラック位置Ｘにおける初期値−Ｐ（Ｘ＋（−Ｐ））又は後述の更新されたライトリードオフセット量α（Ｘ＋（Ｗ＋δｐ））に、磁気ヘッド４１の読出素子８２をシークさせる。このとき、記録処理部６２は、目標トラック位置Ｘにライトリードオフセット量αを加えた位置に、磁気ヘッド４１の読出素子８２を位置させると共に所定回転数にて磁気ディスク４０を回転させるように、モータ駆動制御部３４に対して制御信号を出力する。
【００９５】
次のステップＳ１７において、再生処理部６４は、ステップＳ１６にてシークした目標トラックから測定信号を再生させる。このとき、再生処理部６４は、ヘッドＩＣ４２に対して、読出素子８２にて読み出している信号を測定信号として取得してＭＰＵ５６に出力する制御信号を供給する。再生処理部６４は、例えば目標トラック位置Ｘの１トラック分を再生させる。これにより、ＭＰＵ５６は、ヘッドＩＣ４２から再生した測定信号を取得することができる。
【００９６】
次のステップＳ１８において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１７にて再生された測定信号から、当該測定信号の信号振幅値を用いたエラーレートを求める。このエラーレートは、ステップＳ１３にて目標トラック位置Ｘに記録された測定信号が、ステップＳ１４にて行われた隣接トラックに対する記録磁界によってどの程度の影響を受けているかの評価値となる。すなわち、エラーレートが高いほど隣接トラックからの記録磁界によって情報が消去されていることが分かる。
【００９７】
次のステップＳ１９において、オフセット補正部６３は、ライトリードオフセット量αを所定のずれ量δｐだけ増加させて、新たなライトリードオフセット量αに更新する。この所定のずれ量δｐは、トラック７１内にてエラーレートが最も低い位置を探索するために設定される。したがって、所定のずれ量δｐは、高い精度でエラーレートが最も低い位置を求める場合には、小さな値に設定することが望ましい。
【００９８】
次のステップＳ２０において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１９にて更新したライトリードオフセット量αが、トラック７１内におけるオントラック範囲の限界値である＋Ｐに達したか否かを判定する。トラック７１内におけるオントラック範囲の限界値は、−Ｐをインナー側の端部に設定したので、目標トラック位置Ｘのアウター側の端部となる。
【００９９】
ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達していない場合にはステップＳ１６に処理を戻す。これにより、ライトリードオフセット測定部６１は、トラック７１内において所定のずれ量δｐごとにエラーレートを得ることができる。一方、ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達した場合には、ステップＳ２１に処理を進める。
【０１００】
ステップＳ２１において、ライトリードオフセット測定部６１は、所定のずれ量δｐごとに算出されたエラーレートを参照して、エラーレートが最も低い位置をライトリードオフセット量αとして決定する。
【０１０１】
以上のように、ＭＰＵ５６は、磁気ディスク４０のシリンダアドレスごとにライトリードオフセット量αを決定することができる。このように決定されたライトリードオフセット量αは、オフセット補正部６３によって、オフセットテーブル５７ａに格納される。オフセット補正部６３によるライトリードオフセット量αの格納タイミングは、シリンダアドレスごとにライトリードオフセット量αが決定される度であっても良く、全てのシリンダアドレスについてライトリードオフセット量αを決定した後であっても良い。
【０１０２】
以上詳細に説明したように、この磁気記憶装置１０によれば、当該磁気記憶装置１０の製造時において、読出素子８２の情報読出位置としてのライトリードオフセット量αを決定する工程を含む。そして、このライトリードオフセット量αを決定する工程は、目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録して、エラーレートが最も低い読出位置を求める。これにより、エラーレートが最も低い位置に基づいて、ライトリードオフセット量αを決定できる。
【０１０３】
これにより、オフセットテーブル５７ａは、トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１０４】
したがって、この磁気記憶装置１０によれば、磁気ディスク４０のトラック間距離を狭くしても低いエラーレートで情報の再生をすることができる。
［隣接トラックへの複数回記録］
上述したライトリードオフセット量αの測定処理において、ステップＳ１４の隣接トラックに測定信号を記録する工程は、隣接トラックに対し、少なくとも目標トラック内でエラーレートの最も低い位置がずれる所定回数に亘り情報を記録することが望ましい。
【０１０５】
すなわち、図５に示したように、隣接トラックへの記録磁界が目標トラックに及ぶために、目標トラックの情報を消してしまう隣接トラックイレーズと称される現象は、多数回に亘って隣接トラックに記録された時に発生する。したがって、例えば、図６に示したように、少なくとも１０００回程度に亘って隣接トラックに対して記録を行った後に、ライトリードオフセット量αを０．０３０［μｍ］と決定することが望ましい。
【０１０６】
これにより、オフセットテーブル５７ａは、トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して複数回に亘り情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１０７】
このように複数回に亘り隣接トラックに対して記録をしてライトリードオフセット量αを決定することにより、磁気記憶装置１０は、実際に目標トラックにおけるエラーレートが最も低い情報読出位置がずれても、確実に低いエラーレートで情報を再生できる。
［ライトリードオフセット量αの予測］
また、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ２１のライトリードオフセット量αの決定処理において、エラーレートの最も低い位置を予測し、当該予測された位置が情報読出位置となるようなライトリードオフセット量αを決定しても良い。
【０１０８】
図６に示したように、目標トラックに対する隣接トラックに１０回以上の記録動作を行い、更に記録回数が多くなるほど、エラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αは、大きくなり、飽和に向かう。従って、ライトリードオフセット測定部６１は、記録回数ごとにエラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αを複数個測定して、更に記録回数が増加した時にエラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αを予測する。
【０１０９】
例えば、図６に示すようにライトリードオフセット量αが変化する目標トラックのライトリードオフセット量αを予測するとする。この場合、ライトリードオフセット測定部６１は、１０回だけ隣接トラックに記録した時のライトリードオフセット量αと、５００回だけ隣接トラックに記録した時のライトリードオフセット量αとを測定する。そして、ライトリードオフセット測定部６１は、２個のライトリードオフセット量αに１００００回に亘り隣接トラックに記録した時のライトリードオフセット量αを予測する。
【０１１０】
これにより、オフセットテーブル５７ａは、トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低いと予測された位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１１１】
このように、磁気記憶装置１０によれば、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作を行わずに、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作が行われた時にエラーレートが最も低くなるライトリードオフセット量αに近い値を求めることができる。したがって、この磁気記憶装置１０によれば、当該磁気記憶装置１０の製造工程におけるオフセットテーブル５７ａの作成時間を短縮できる。
［他のライトリードオフセット量αの測定処理］
つぎに、上述したライトリードオフセット量αの測定処理とは他の処理について、図１８を参照して説明する。なお、上述したライトリードオフセット量αの測定処理と同様の部分については、対応するステップ番号を示して、その詳細な説明を省略する。
【０１１２】
図１８に示すライトリードオフセット量αの測定処理は、図６に示したように、隣接トラックに対する記録回数が増加するほど、エラーレートが最も低くなることを利用したものである。このライトリードオフセット量αの測定処理は、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作を行い、ライトリードオフセット量αの変化が少なくなった場合に、飽和値に近いライトリードオフセット量αを決定するものである。
【０１１３】
先ず、ステップＳ３１、ステップＳ３２、ステップＳ３３において、ＭＰＵ５６は、上述のステップＳ１１、ステップＳ１２、ステップＳ１３と同様の処理を行う。これにより、目標トラック位置Ｘの取得し、記録素子８１を目標トラック位置Ｘにシークし、当該目標トラック位置Ｘに対して測定処理を記録する。
【０１１４】
次のステップＳ３４において、記録処理部６２は、目標トラック位置Ｘの両側に隣接する隣接トラックに対して所定回数Ｎに亘り測定信号の記録を行う。この所定回数Ｎは、隣接トラックに対して記録動作を行うことにより目標トラックにおけるエラーレートが最も低くなる位置がずれる回数であることが望ましい。図６に示すようにライトリードオフセット量αが変化する場合、例えば、所定回数Ｎは、１０〜１００程度に設定されることが望ましい。
【０１１５】
次のステップＳ３５において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１５と同様に、ライトリードオフセット量αを、初期値−Ｐに設定する。
【０１１６】
次のステップＳ３６において、再生処理部６４は、ステップＳ１６と同様に、目標トラック位置Ｘにおける初期値−Ｐ（Ｘ＋（−Ｐ））又は後述の更新されたライトリードオフセット量α（Ｘ＋（Ｗ＋δｐ））に、磁気ヘッド４１の読出素子８２をシークさせる。
【０１１７】
次のステップＳ３７において、再生処理部６４は、ステップＳ１７と同様に、ステップＳ３６にてシークした目標トラックから測定信号を再生させる。
【０１１８】
次のステップＳ３８において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ１８と同様に、ステップＳ３７にて再生された測定信号から、当該測定信号の信号振幅値を用いたエラーレートを求める。
【０１１９】
次のステップＳ３９において、オフセット補正部６３は、ステップＳ１９と同様に、ライトリードオフセット量αを所定のずれ量δｐだけ増加させて、新たなライトリードオフセット量αに更新する。
【０１２０】
次のステップＳ４０において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ２０と同様に、ステップＳ３９にて更新したライトリードオフセット量αが、トラック７１内におけるオントラック範囲の限界値である＋Ｐに達したか否かを判定する。ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達していない場合にはステップＳ３６に処理を戻す。一方、ライトリードオフセット量αがオントラック範囲の限界値に達した場合には、ステップＳ４１に処理を進める。
【０１２１】
ステップＳ４１において、ライトリードオフセット測定部６１により、所定のずれ量δｐごとに算出されたエラーレートを参照して、エラーレートが最も低い位置をライトリードオフセット量αｎとして決定する。このライトリードオフセット量αｎは、現段階における記録回数での値である。
【０１２２】
次のステップＳ４２において、ライトリードオフセット測定部６１は、ステップＳ４１にて求めたライトリードオフセット量αｎと、現段階における記録回数よりも少ない記録回数の時に求めたライトリードオフセット量αｐとの差分を演算する。この差分は、隣接トラックへの記録回数が増加したことに対するライトリードオフセット量αの変化量を表す。そして、ライトリードオフセット測定部６１は、当該変化量と、所定変化量αｖとを比較する。ライトリードオフセット量αの変化量が所定変化量αｖよりも大きい場合には、ステップＳ４３に処理を進める。一方、ライトリードオフセット量αの変化量が所定変化量αｖよりも小さい場合には、ステップＳ４４に処理を進める。
【０１２３】
所定変化量αｖは、隣接トラックに対する記録回数の増加に対してライトリードオフセット量αが飽和したとみなすことができる値であることが望ましい。この所定変化量αｖは、例えば、図５及び図６のようにライトリードオフセット量αが０．０３０μｍにて飽和する場合、５ｎｍに設定される。また、所定変化量αｖはライトリードオフセット量αが飽和したとみなせる値よりも大きくても良い。所定変化量αｖを大きくすることにより、高い精度でエラーレートが最も低くするライトリードオフセット量αを設定できない。しかし、隣接トラックに対する記録回数を少なくして、ライトリードオフセット量αの測定時間を短縮できる。
【０１２４】
ステップＳ４３において、ライトリードオフセット測定部６１は、現段階における記録回数でのライトリードオフセット量αｎを、現段階における記録回数よりも少ない記録回数の時に求めたライトリードオフセット量αｐに設定する。そして、処理は、ステップＳ３４に進められる。これにより、ライトリードオフセット測定部６１は、再度所定回数Ｎに亘り隣接トラックに対して記録動作を行って、ライトリードオフセット量αの変化量を計測できる。
【０１２５】
ステップＳ４４において、ライトリードオフセット測定部６１は、ライトリードオフセット量αｎを、エラーレートが最も低い位置をライトリードオフセット量αとして決定する。
【０１２６】
以上のように、この磁気記憶装置１０は、ライトリードオフセット量αを決定する時に、先ず、第１所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録して、当該目標トラック内でエラーレートの最も低いライトリードオフセット量αｐ（第１情報読出位置）を決定する。次に、磁気記憶装置１０は、第１所定回数より多い第２所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録して、目標トラック内でエラーレートの最も低いライトリードオフセット量αｎ（第２情報読出位置）を決定する。次に、磁気記憶装置１０は、双方のライトリードオフセット量αｐ、αｎの差が所定値αｖよりも小さくなったかを判断する。そして、αｐ、αｎの差が所定値αｖよりも小さくなった場合に、当該ライトリードオフセット量αｎ（第２情報読出位置）を、オフセットテーブル５７ａに格納するライトリードオフセット量αとして決定できる。
【０１２７】
これにより、オフセットテーブル５７ａには、第１情報読出位置と第２情報読出位置との差が所定値よりも小さくなった場合の当該第２情報読出位置を、情報読出位置として含むことになる。
【０１２８】
したがって、この磁気記憶装置１０によれば、多数回に亘って隣接トラックに対して記録動作を行わなくても、ライトリードオフセット量αの飽和を判断して、当該飽和したライトリードオフセット量αに近い値をオフセットテーブル５７ａに格納することができる。したがって、この磁気記憶装置１０によれば、実際に目標トラックにおけるエラーレートが最も低い情報読出位置がずれても、確実に低いエラーレートで情報を再生できる。また、この磁気記憶装置１０によれば、当該磁気記憶装置１０の製造工程におけるオフセットテーブル５７ａの作成時間を短縮できる。
【０１２９】
なお、上述の実施の形態は本発明の一例である。このため、本発明は、上述の実施形態に限定されることはなく、この実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【０１３０】
１０ 磁気記憶装置
１１ 制御ボード
１２ 磁気ディスク装置
２０ ホスト
３１ 制御回路
３２ バッファメモリ
３３ 不揮発メモリ
３４ モータ駆動制御部
４０ 磁気ディスク
４１ 磁気ヘッド
４２ ヘッドＩＣ
４３ ロータリーアクチュエータ
４３ａ アーム
４４ スピンドルモータ
４５ ボイスコイルモータ
４６ ヨーク
４７ 軸部
５１ バス
５２ ホストインターフェース制御部
５３ バッファメモリ制御部
５４ ディスクコントローラ
５５ 信号変復調部
５６ ＭＰＵ
５７ メモリ
５７ａ オフセットテーブル
６１ ライトリードオフセット測定部
６２ 記録処理部
６３ オフセット補正部
６４ 再生処理部
７１ トラック
７１ａ トラックセンタ
７２ ヨー角０度境界線
８１ 記録素子
８１ａ ライトセンタ
８２ 読出素子
８３ 本体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録素子と読出素子とを有する磁気ヘッドを支持部材の一方端に設け、当該支持部材の他方端を回転駆動して、前記磁気ヘッドをディスク型記録媒体に対して位置決めさせる磁気記憶装置における情報読出し位置の設定方法であって、
前記ディスク型記録媒体のトラックに記録された情報を再生する時における前記読出素子の情報読出位置を決定する工程を含み、
当該情報読出位置を決定する工程は、
前記情報読出位置を決定する目標トラックに対して前記記録素子により情報を記録する目標トラック記録工程と、
前記目標トラック記録工程の後に、前記目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して前記記録素子により情報を複数回繰り返し記録する隣接トラック記録工程と、
前記隣接トラック記録工程の後に、当該目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する再生工程と、
前記再生工程の後に、当該再生工程にて再生した情報を用いてエラーレートを測定し、エラーレートが最も低い読出位置を求めて、当該読出位置を、前記目標トラックにおける情報読出位置として決定し、記憶手段のテーブルに設定する設定工程と
を有することを特徴とする情報読出し位置の設定方法。
【請求項２】
前記隣接トラック記録工程は、前記エラーレートが最も低い読出位置の変化が飽和した又は飽和したと予測されるまで、前記隣接トラックに対し、情報を複数回繰り返し記録することを特徴とする請求項１に記載の情報読出し位置の設定方法。
【請求項３】
前記隣接トラック記録工程により第１所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録し、前記再生工程により前記目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生し、前記設定工程により前記目標トラック内でエラーレートの最も低い第１情報読出位置を決定する工程と、
前記隣接トラック記録工程により第１所定回数より多い第２所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録し、前記再生工程により当該目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生し、前記設定工程により前記目標トラック内でエラーレートの最も低い第２情報読出位置を決定する工程とを有し、
前記設定工程は、前記第１情報読出位置と前記第２情報読出位置との差が所定値よりも小さくなった場合に、当該第２情報読出位置を、前記情報読出位置として決定する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報読出し位置の設定方法。
【請求項４】
記録素子と読出素子とを有する磁気ヘッドを支持部材の一方端に設け、当該支持部材の他方端を回転駆動して、前記磁気ヘッドをディスク型記録媒体に対して位置決めさせる磁気記憶装置であって、
前記支持部材を回転駆動させることによって前記記録素子を位置決めさせ、当該記録素子によりディスク型記録媒体のトラックに情報を記録する記録処理手段と、
前記読出素子により前記ディスク型記録媒体に記録された情報を再生する時における前記読出素子の情報読出位置に関する情報を含むテーブルデータを記憶する記憶手段と、
前記支持部材を回転駆動させることによって前記記憶手段に記憶された情報読出位置に前記読出素子を位置決めさせ、当該読出素子によりディスク型記録媒体のトラックに記録された情報を再生する再生処理手段とを含み、
前記情報読出位置に関する情報は、前記トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を複数回繰り返し記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置に基づいた情報を含んでいること
を特徴とする磁気記憶装置。
【請求項５】
前記情報読出位置を測定する情報読出位置測定手段を更に有し、
当該情報読出位置測定手段は、
前記情報読出位置を決定する目標トラックに対して前記記録素子により情報を記録する手段と、
前記目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して前記記録素子により情報を複数回繰り返し記録する手段と、
前記目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する手段と、
前記再生した情報を用いてエラーレートが最も低い読出位置を求め、当該読出位置を前記目標トラックにおける情報読出位置として決定して、当該情報読出位置に関する情報を前記記憶手段に記憶させる手段と
を含むことを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記情報読出位置に関する情報は、前記トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して所定回数に亘り情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置に基づいた情報を含み、
前記所定回数は、前記エラーレートが最も低い読出位置の変化が飽和した又は飽和したと予測される回数であること
を特徴とする請求項４又は請求項５に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記情報読出位置に関する情報は、前記トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低いと予測された位置に基づいた情報を含むことを特徴とする請求項４乃至請求項６の何れか一項に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記情報読出位置の情報は、第１所定回数だけ隣接トラックに対して情報が記録された時における前記トラック内でエラーレートの最も低い第１情報読出位置と、前記第１所定回数より多い第２所定回数だけ隣接トラックに対して情報が記録された時における前記トラック内でエラーレートの最も低い第２情報読出位置との差が所定値よりも小さくなった場合の当該第２情報読出位置に基づいた情報を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の磁気記憶装置。
【請求項１】
記録素子と読出素子とを有する磁気ヘッドを支持部材の一方端に設け、当該支持部材の他方端を回転駆動して、前記磁気ヘッドをディスク型記録媒体に対して位置決めさせる磁気記憶装置における情報読出し位置の設定方法であって、
前記ディスク型記録媒体のトラックに記録された情報を再生する時における前記読出素子の情報読出位置を決定する工程を含み、
当該情報読出位置を決定する工程は、
前記情報読出位置を決定する目標トラックに対して前記記録素子により情報を記録する目標トラック記録工程と、
前記目標トラック記録工程の後に、前記目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して前記記録素子により情報を複数回繰り返し記録する隣接トラック記録工程と、
前記隣接トラック記録工程の後に、当該目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する再生工程と、
前記再生工程の後に、当該再生工程にて再生した情報を用いてエラーレートを測定し、エラーレートが最も低い読出位置を求めて、当該読出位置を、前記目標トラックにおける情報読出位置として決定し、記憶手段のテーブルに設定する設定工程と
を有することを特徴とする情報読出し位置の設定方法。
【請求項２】
前記隣接トラック記録工程は、前記エラーレートが最も低い読出位置の変化が飽和した又は飽和したと予測されるまで、前記隣接トラックに対し、情報を複数回繰り返し記録することを特徴とする請求項１に記載の情報読出し位置の設定方法。
【請求項３】
前記隣接トラック記録工程により第１所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録し、前記再生工程により前記目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生し、前記設定工程により前記目標トラック内でエラーレートの最も低い第１情報読出位置を決定する工程と、
前記隣接トラック記録工程により第１所定回数より多い第２所定回数だけ隣接トラックに対して情報を記録し、前記再生工程により当該目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生し、前記設定工程により前記目標トラック内でエラーレートの最も低い第２情報読出位置を決定する工程とを有し、
前記設定工程は、前記第１情報読出位置と前記第２情報読出位置との差が所定値よりも小さくなった場合に、当該第２情報読出位置を、前記情報読出位置として決定する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の情報読出し位置の設定方法。
【請求項４】
記録素子と読出素子とを有する磁気ヘッドを支持部材の一方端に設け、当該支持部材の他方端を回転駆動して、前記磁気ヘッドをディスク型記録媒体に対して位置決めさせる磁気記憶装置であって、
前記支持部材を回転駆動させることによって前記記録素子を位置決めさせ、当該記録素子によりディスク型記録媒体のトラックに情報を記録する記録処理手段と、
前記読出素子により前記ディスク型記録媒体に記録された情報を再生する時における前記読出素子の情報読出位置に関する情報を含むテーブルデータを記憶する記憶手段と、
前記支持部材を回転駆動させることによって前記記憶手段に記憶された情報読出位置に前記読出素子を位置決めさせ、当該読出素子によりディスク型記録媒体のトラックに記録された情報を再生する再生処理手段とを含み、
前記情報読出位置に関する情報は、前記トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を複数回繰り返し記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置に基づいた情報を含んでいること
を特徴とする磁気記憶装置。
【請求項５】
前記情報読出位置を測定する情報読出位置測定手段を更に有し、
当該情報読出位置測定手段は、
前記情報読出位置を決定する目標トラックに対して前記記録素子により情報を記録する手段と、
前記目標トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して前記記録素子により情報を複数回繰り返し記録する手段と、
前記目標トラック内における前記読出素子による読出位置を変化させながら情報を再生する手段と、
前記再生した情報を用いてエラーレートが最も低い読出位置を求め、当該読出位置を前記目標トラックにおける情報読出位置として決定して、当該情報読出位置に関する情報を前記記憶手段に記憶させる手段と
を含むことを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
前記情報読出位置に関する情報は、前記トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して所定回数に亘り情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低い位置に基づいた情報を含み、
前記所定回数は、前記エラーレートが最も低い読出位置の変化が飽和した又は飽和したと予測される回数であること
を特徴とする請求項４又は請求項５に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】
前記情報読出位置に関する情報は、前記トラックに対して情報を記録した状態で当該トラックの両側に隣接する隣接トラックに対して情報を記録した場合の当該トラック内でエラーレートの最も低いと予測された位置に基づいた情報を含むことを特徴とする請求項４乃至請求項６の何れか一項に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
前記情報読出位置の情報は、第１所定回数だけ隣接トラックに対して情報が記録された時における前記トラック内でエラーレートの最も低い第１情報読出位置と、前記第１所定回数より多い第２所定回数だけ隣接トラックに対して情報が記録された時における前記トラック内でエラーレートの最も低い第２情報読出位置との差が所定値よりも小さくなった場合の当該第２情報読出位置に基づいた情報を含むことを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の磁気記憶装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１０−２１８６１３（Ｐ２０１０−２１８６１３Ａ）
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６２８２２（Ｐ２００９−６２８２２）
【出願日】平成２１年３月１６日（２００９．３．１６）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１６日（２００９．３．１６）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
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