説明

端子の接続方法、端子の接合構造、及び接続用樹脂

【課題】容量結合を用いて接続端子間を電気的に接続することができる端子の接続方法を提供する。
【解決手段】接続用樹脂3を第1接続端子11に塗布する工程と、第1接続端子11と第2接続端子を接続用樹脂3を介して接続する工程と、接続用樹脂3を固化する工程とを具備する。固化した後の接続用樹脂3において、少なくとも一部の複数の第1の導電粉体32は互いに離間した状態で接続用樹脂3内で分散しており、複数の第2の導電粉体33の一部は、互いに接触することにより第1接続端子11と第2接続端子21を接続している。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、端子の接続方法、端子の接合構造、及び接続用樹脂に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の電子部品において、端子間の電気的接続ははんだや導電性接着剤を用いるものが大半である。導電性接着剤は、絶縁性の樹脂に複数の導電粉体を混入し、これら導電粉体が互いに接触することにより、端子間の電気的接続を確保する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
はんだや導電性接着剤による端子間の接続は、導電物が互いに物理的に接触することのみにより導通を確保するものである。このような場合、接続部分に応力が加わると物理的な接触がなくなり、その結果、導通が確保できなくなる可能性があった。容量結合を用いて接続端子間を電気的に接続できる場合、物理的な接触がなくても導通を確保できる為、上記した問題の発生を抑制できる。
【0004】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、容量結合を用いて接続端子間を電気的に接続することができる端子の接続方法、端子の接合構造、及び接続用樹脂を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するため、本発明に係る端子の接続方法は、絶縁性の樹脂と、前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを有する接続用樹脂を第1接続端子に塗布する工程と、
前記第1接続端子と第2接続端子を、前記接続用樹脂を介して接続する工程と、
前記接続用樹脂を固化する工程と、
を具備し、
固化した後の前記接続用樹脂において、少なくとも一部の前記複数の第1の導電粉体は互いに離間した状態で前記接続用樹脂内に分散しており、前記複数の第2の導電粉体の一部は、互いに接触することにより前記第1接続端子と前記第2接続端子を接続している。
【0006】
本発明に係る他の端子の接続方法は、固化した状態で柔軟性を有する絶縁性の樹脂と、前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを有する接続用樹脂を第1接続端子に塗布する工程と、
前記接続用樹脂を固化する工程と、
前記第1接続端子と第2接続端子を、前記接続用樹脂を介して接続する工程と、
を具備し、
固化した後の前記接続用樹脂において、少なくとも一部の前記複数の第1の導電粉体は互いに離間した状態で前記接続用樹脂内に分散しており、前記複数の第2の導電粉体の一部は、互いに接触することにより前記第1接続端子と前記第2接続端子を接続している。
【0007】
前記絶縁性ペーストは、前記第1接続端子の一面に塗布されるのが好ましい。
【0008】
本発明に係る端子の接合構造は、第1の接続端子と、
第2の接続端子と、
絶縁性の樹脂と、前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを有しており、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子を接続する接続用樹脂と、
を具備し、
少なくとも一部の前記複数の第1の導電粉体は互いに離間した状態で前記接続用樹脂内で分散しており、前記複数の第2の導電粉体の一部は、互いに接触することにより前記第1接続端子と前記第2接続端子を接続している端子の接合構造。
【0009】
前記接続用樹脂は柔軟性を有していてもよい。この場合、前記第1の接続端子及び前記第2の接続端子の少なくとも一方から取り外し可能にすることができる。
【0010】
前記複数の第1の導電粉体は、信号の交流成分を前記第1接続端子と前記第2接続端子の相互間で伝達し、前記複数の第2の導電粉体は信号の直流成分を前記第1接続端子と前記第2接続端子の相互間で伝達する。
【0011】
前記複数の第1の導電粉体に対する前記複数の第2の導電粉体の混入量は、重量比率で2倍以上20倍以下であるのが好ましい。前記接続用樹脂は、好ましくは比誘電率が1000以上であり、さらに好ましくは比透磁率が10以上である。
前記接続用樹脂は、厚さが500nm以上50μm以下であるのが好ましい。
【0012】
本発明に係る接続用樹脂は、絶縁性の樹脂と、
前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、
前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを具備する。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、容量結合を用いて前記第1接続端子と前記第2接続端子を電気的に接続することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は本発明の実施形態に係る基板1と電子部品2の接合構造を説明するための断面図であり、図2は図1の要部拡大図である。本実施形態において電子部品2の接続端子21は、接続用樹脂3を介して基板1の接続端子11に接続している。電子部品2は、例えばBump Grid ArrayなどのLSIパッケージである。固化した状態における接続用樹脂3の厚さは、例えば500nm以上50μm以下である。
【0015】
接続用樹脂3は、基材となる絶縁性の樹脂31の中に、第1の導電粉体32及び第2の導電粉体33をそれぞれ複数混入したものである。樹脂31は、溶媒を気化させ、若しくは重合又は縮合により固化している。
【0016】
樹脂31は、固化した状態において柔軟性を有していても良い。この場合、接続用樹脂3は、樹脂31と接続端子11,21の間のファンデルワールス力により、接続端子11,21それぞれに接着することができる。樹脂31は、例えば有機物であるが、ゴム又はゲル状の材料であることが望ましく、好ましくはシリコーンゲルまたはゴムである。樹脂31は、真空処理に耐えるため、望ましくはモノマー、プライマー及び低分子が混入されていないゴムまたはゲルである。また樹脂31は、シリコーン以外の場合は、望ましくは分子骨格に追従性がある-O-や-S-基が適切の導入されている。樹脂31は、接続端子11,21の表面に十分に追従する場合、ファンデルワールス力でも十分な接着力を有する。従って、樹脂31としてのゴムまたはゲルの側鎖はアルキル基でも十分であるが、電気接続介在シートの凹凸による接触面積が不足して接着力が不十分なときは、側鎖に適切な分極基、たとえばアミン基、アミノ基、カルボキシル基、水酸基などを導入するのが好ましい。工程途中で電子部品を取り外しする場合は、この取り外しが可能な接着力に制御する。この場合、完成後圧力をかけて接触面積を増大させ、安定性を確保する。しかしこの後でも接合がファンデルワールスを主体としているため、基本的に取り外しが可能である。
【0017】
第1の導電粉体32は、例えば、銀などの金属粉体、又は金属核を絶縁膜で被覆し、更に前記絶縁膜を導電膜で被覆した複合粉体であり、平均粒径は5nm以上500nm以下であるが、5nm以上100nm以下であってもよい。第1の導電粉体32の混入量は、例えば樹脂31に対する重量比で0.05倍以上0.5倍以下である。第1の導電粉体32は、樹脂31が固化した状態において、少なくとも一部、例えば50%以上が、互いに5nm以上500nm以下の間隔で分散している。残りの第1の導電粉体32は、一部が凝集している。また残りの第1の導電粉体32の一部は、互いに接触することにより接続端子11,21を接続している。第1の導電粉体32は粒状(好ましくは球状)であるのが好ましいが、フレーク状であっても良い。
【0018】
第2の導電粉体33は、例えば、銀などの金属粉体であり、平均粒径は500nm以上20μm以下である。第2の導電粉体33の一部は、互いに接触することにより接続端子11,21を接続している。第2の導電粉体33はフレーク状であっても良いし、粒状であってもよい。なお、第1の導電粉体32は第2の導電粉体33に対して相対的に高価であるが、第1の導電粉体32に対する複数の第2の導電粉体33の混入量を、重量比率で2倍以上20倍以下にすると、第1の導電粉体32の混入量を抑制でき、その結果、費用対効果を大きくすることができる。
【0019】
このような構成において、接続端子11,21相互間は、第1の導電粉体32による容量結合で電気的に接続し、かつこの容量結合と並列に、第2の導電粉体33の物理的な接触による電気的に接続する。接続端子11,21相互間にパルス信号が入力されると、パルス信号の交流成分は、主に第1の導電粉体32による容量結合によって接続端子11,21相互間を伝播する。またパルス信号の直流成分は、第2の導電粉体33の物理的な接触によって接続端子11,21相互間を伝播する。パルス信号の周波数は低周波数(例えば1MHz)〜高周波(例えば3GHz)の範囲内のいずれの値であってもよい。
【0020】
接続用樹脂3の比誘電率は、後述する理由により1000以上になり、また比透磁率も10以上になる。このため、上記した容量結合による抵抗値は十分に小さくなる。例えば接続端子11,21が80μmφであり、固化した状態における接続用樹脂3の厚みが50μmである場合、接続端子11,21及び接続用樹脂3の相互間における接触抵抗は数mΩ〜数十Ωであるが、接続容量は5pFから数十pFが達成でき、通常の電子装置の接続として十分実用可能な値となる。特にパルス信号の周波数が1GHz以上場合は、はんだ接続よりよい接続伝送特性が得られる。
【0021】
次に、上記した端子の接合構造の製造方法の第1例について説明する。本例において、接続用樹脂3の樹脂31は、固化した状態において柔軟性を有していても良いし、柔軟性を有していなくても良い。まず固化する前の接続用樹脂3を準備する。次いで接続端子11又は接続端子21のいずれか一方の表面に、接続用樹脂3を塗布する。次いで、接続端子11及び接続端子21を、接続用樹脂3を介して接続し、その後樹脂31の溶媒を気化させ、若しくは樹脂31を重合又は縮合させることにより、接続用樹脂3を固化する。この場合、接続用樹脂31と接続端子11,21は、樹脂31の接着力により接続する。
【0022】
次に、上記した端子の接合構造の製造方法の第2例について説明する。本例において、接続用樹脂3の樹脂31は、固化した状態において柔軟性を有しており、接続用樹脂31と接続端子11,21はファンデルワールス力により接続する。まず固化する前の接続用樹脂3を準備する。次いで接続端子11又は接続端子21のいずれか一方の表面に、接続用樹脂3を塗布する。次いで、樹脂31の溶媒を気化させ、若しくは樹脂31を重合又は縮合させることにより、接続用樹脂3を固化する。その後、接続端子11及び接続端子21を、接続用樹脂3を介して互いに押し付け、互いに接続させる。本例の場合、接続端子11,21は、図3に示すように、接続用樹脂3から着脱可能にすることができる。固化した状態における接続用樹脂3の接着性を制御することにより、接続用樹脂3を、半永久的な永久接着接続シートまたは取り替え自由な接合シートとしても使用できる。
【0023】
次に、接続用樹脂3の比誘電率及び比透磁率が高い理由を説明する。金属内の自由電子はプラズマのように振舞うことができるが、その摂動は量子化してプラズモンと呼ばれており、電子スピンの摂動はマグノンと呼ばれている。金属内において摂動は均質化しているが、電磁波に対して反応し、誘電率や透磁率が現れる。誘電率はプラズマ内と同様に負の値である。透磁率が負の値の自然界物質は常磁性体である。この両者共にとちらかが正の値であり、電磁波を反射する材料となっている。プラズモンやマグノンがナノ寸法でベクトルをはっきり持つようになると、隣り合う導電粉体のプラズモンやマグノンと干渉することで非常に大きな負の比誘電率と比透磁率、例えばマイナス1000以上1千万の値を示すことができる。両者が負の値になると電磁波の屈折率は負の値になるが、負の掛け算になり、物質が正となる状態を保つため、電磁エネルギは通過する条件となる。
【0024】
プラズモンやマグノンが持つベクトルの寸法を、図4を用いて説明する。絶縁性の樹脂41内における円筒形の導電粉体42の半径をr、導電粉体42の中心間距離をaとすると、プラズマ周波数ωepに対して式1が成り立つ。ここで、neff=電子密度、meff=電子有効質量、c0=光速、ε=真空中の誘電率である。この摂動は0次共振のため低周波からプラズマ周波数まで負の値の誘電率を持つ。はっきりとしたベクトルを持てばよいため円筒の長さに対して無関係であり、相互共振の関係から粉体間隔に対して大きく変動する。
【数1】

【0025】
透磁率に対する式も同様に式2に表すことができる。
【数2】

【0026】
そして、接続端子11,21の間における接続用樹脂3の容量CはC=Aεrε0/dで表せるが、上記したように比誘電率が高いため、大きな接続容量が取れる。ここでCは容量[F]、Aは電極面積[m2]、dは誘電体の厚み[m]、εrは比誘電率、ε0は真空中の誘電率[F/m]=8.854×10-12である。なお接続用樹脂3の容量Cは、主に第1の導電粉体32に由来する。
【0027】
また、接続端子11と接続端子21それぞれをコイル状にした場合、接続端子11,21のインダクタンスLはL=dμrμ0/Aの関係で大きなインダクティブ接続が取れる。ここでLはインダクタンス[H]、Aは接続端子11,21の面積[m2]、dは接続端子11,21の厚み[m]、μrは比透磁率、μ0は真空中の透磁率[H/m]=1.25×10-6である。この場合、容量結合とインダクティブ結合の複合結合が本発明で容易に実現し、直流に近い周波数から高周波までを非接触で接合できる。電磁エネルギは電界Eと磁界Hで伝達可能でW=EHwd [W]であり、CとLの大きさに比例する。また金属接触のためのフレークの混入で直流電力も供給できる。
【0028】
以上、本発明によれば、容量結合を用いて接続端子間を電気的に接続することができる。また、ハンダで接続端子間を接続する場合に対して、接続に必要な労力が少なくなる。また、固化した後の接続用樹脂3に柔軟性を持たせた場合、界面ずれを不問とすることができ、その結果、柔軟性を付与した接続も可能であり、接合部分に生じる応力を小さくできる。また、接続端子11,21を、接続用樹脂3から着脱可能にすることができる。この場合、設計的自由度や検査や修理の容易性を確保できる。
【0029】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0030】
【図1】実施形態に係る基板1と電子部品2の接合構造を説明するための断面図。
【図2】図1の要部拡大図。
【図3】接続端子21を接続用樹脂3から外した状態を示す図。
【図4】プラズモンやマグノンが持つベクトルの寸法を説明する図。
【符号の説明】
【0031】
1…基板、2…電子部品、3…接続用樹脂、11,21…接続端子、31,41…樹脂、32…第1の導電粉体、33…第2の導電粉体,42…導電粉体

【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁性の樹脂と、前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを有する接続用樹脂を第1接続端子に塗布する工程と、
前記第1接続端子と第2接続端子を、前記接続用樹脂を介して接続する工程と、
前記接続用樹脂を固化する工程と、
を具備し、
固化した後の前記接続用樹脂において、少なくとも一部の前記複数の第1の導電粉体は互いに離間した状態で前記接続用樹脂内に分散しており、前記複数の第2の導電粉体の一部は、互いに接触することにより前記第1接続端子と前記第2接続端子を接続している端子の接続方法。
【請求項2】
固化した状態で柔軟性を有する絶縁性の樹脂と、前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを有する接続用樹脂を第1接続端子に塗布する工程と、
前記接続用樹脂を固化する工程と、
前記第1接続端子と第2接続端子を、前記接続用樹脂を介して接続する工程と、
を具備し、
固化した後の前記接続用樹脂において、少なくとも一部の前記複数の第1の導電粉体は互いに離間した状態で前記接続用樹脂内に分散しており、前記複数の第2の導電粉体の一部は、互いに接触することにより前記第1接続端子と前記第2接続端子を接続している端子の接続方法。
【請求項3】
前記絶縁性ペーストは、前記第1接続端子の一面に塗布される請求項2に記載の端子の接続方法。
【請求項4】
第1の接続端子と、
第2の接続端子と、
絶縁性の樹脂と、前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体とを有しており、前記第1の接続端子と前記第2の接続端子を接続する接続用樹脂と、
を具備し、
少なくとも一部の前記複数の第1の導電粉体は互いに離間した状態で前記接続用樹脂内に分散しており、前記複数の第2の導電粉体の一部は、互いに接触することにより前記第1接続端子と前記第2接続端子を接続している端子の接合構造。
【請求項5】
前記接続用樹脂は柔軟性を有しており、前記第1の接続端子及び前記第2の接続端子の少なくとも一方から取り外し可能である請求項4に記載の端子の接合構造。
【請求項6】
前記複数の第1の導電粉体は、信号の交流成分を前記第1接続端子と前記第2接続端子の相互間で伝達し、
前記複数の第2の導電粉体は信号の直流成分を前記第1接続端子と前記第2接続端子の相互間で伝達する請求項4又は5に記載の端子の接合構造。
【請求項7】
前記複数の第1の導電粉体に対する前記複数の第2の導電粉体の混入量は、重量比率で2倍以上20倍以下である請求項4〜6のいずれか一項に記載の端子の接合構造。
【請求項8】
前記接続用樹脂は比誘電率が1000以上である請求項4〜7のいずれか一項に記載の端子の接合構造。
【請求項9】
前記接続用樹脂は比透磁率が10以上である請求項4〜8に記載の端子の接合構造。
【請求項10】
前記接続用樹脂は、厚さが500nm以上50μm以下である請求項4〜9のいずれか一項に記載の端子の接合構造。
【請求項11】
絶縁性の樹脂と、
前記樹脂に混入され、平均粒径が5nm以上500nm以下である複数の第1の導電粉体と、
前記樹脂に混入され、平均粒径が500nm以上20μm以下である複数の第2の導電粉体と、
を具備する接続用樹脂。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate


【公開番号】特開2009−99708(P2009−99708A)
【公開日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−268724(P2007−268724)
【出願日】平成19年10月16日(2007.10.16)
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成19年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、研究テーマ「高温鉛はんだ代替技術開発 高温鉛はんだ代替高機能材料開発 高温鉛はんだ代替信頼性技術開発」、産業技術力強化法第19条の適用を受ける特許出願
【出願人】(504176911)国立大学法人大阪大学 (1,536)
【出願人】(500132214)学校法人明星学苑 (23)
【Fターム(参考)】