素子基板、記録ヘッド及び記録装置
【課題】検知素子を配置する際の駆動素子を含めた構造、機能及び性能へ与える影響を抑制できるようにした技術を提供する。
【解決手段】素子基板は、それぞれが第１端子および第２端子を有し、互いに並列に配置された第１抵抗素子および第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子が通電され、かつ、前記第２抵抗素子が通電されていない状態において、前記第１抵抗素子の第１端子の電圧と、前記第２抵抗素子の第１端子の電圧を検出する検出手段と、を含み、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第１端子は、これらに電流を流す第１ラインに選択的に接続され、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第２端子は、これらに電流を流す第２ラインに共通に接続されている。
【解決手段】素子基板は、それぞれが第１端子および第２端子を有し、互いに並列に配置された第１抵抗素子および第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子が通電され、かつ、前記第２抵抗素子が通電されていない状態において、前記第１抵抗素子の第１端子の電圧と、前記第２抵抗素子の第１端子の電圧を検出する検出手段と、を含み、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第１端子は、これらに電流を流す第１ラインに選択的に接続され、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第２端子は、これらに電流を流す第２ラインに共通に接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板、記録ヘッド及び記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱、機械的、磁気又は光（電磁波）エネルギーを発生する駆動素子を複数備えた素子基板（駆動ヘッド）が知られている。素子基板においては、駆動によって生じた現象を直接的又は間接的に検査して駆動制御にフィードバックすることが必要とされる場合がある。
【０００３】
ここで、一例として、このような素子基板が、インクジェット記録ヘッド（以下、記録ヘッドと呼ぶ）に適用された場合について考えてみる。記録ヘッドにおいては、異物によるノズルの目詰まり、インク供給経路内に混入した気泡やノズル表面の濡れ性の変化等により、全体又は一部のノズルで吐出不良が発生する場合がある。このような場合、駆動によって生じた現象として吐出不良の発生したノズルを特定し、画像補完や記録ヘッドの回復作業に反映させる必要がある。
【０００４】
このような技術を実現するため、特許文献１には、電気熱変換する記録素子の各々に絶縁膜を介して薄膜抵抗体で形成される温度検知素子を設け、ノズル毎の温度情報を検出し、その温度変化に基づいて吐出不良のノズルを検査する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−０２３９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
検知素子とそれに付帯する回路とを各々の駆動素子近傍に設ける場合、駆動素子を含めた構造、機能及び性能に影響を与えないようにする必要がある。また、その配置場所には制約もある。例えば、特許文献１に記載された記録ヘッドに温度検知回路を設ける場合には、記録素子とその配線、インク供給路及びノズル構造を変えないようにする必要がある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、検知素子を配置する際の駆動素子を含めた構造、機能及び性能へ与える影響を抑制できるようにした技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの側面は素子基板にかかり、前記素子基板は、それぞれが第１端子および第２端子を有し、互いに並列に配置された第１抵抗素子および第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子が通電され、かつ、前記第２抵抗素子が通電されていない状態において、前記第１抵抗素子の第１端子の電圧と、前記第２抵抗素子の第１端子の電圧を検出する検出手段と、を含み、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第１端子は、これらに電流を流す第１ラインに選択的に接続され、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第２端子は、これらに電流を流す第２ラインに共通に接続されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、検知素子を配置する際の駆動素子を含めた構造、機能及び性能へ与える影響を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】素子基板１０１を配して構成した装置の一例を示す図。
【図２】図１に示す素子基板１０１の結線図。
【図３】各種信号のタイミングの一例を示す図。
【図４】記録装置１０の制御系の構成の一例を示す図。
【図５】実施形態２に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図６】実施形態２に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図７】実施形態２に係わる記録素子基板の結線図。
【図８】実施形態３に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図９】従来構成の一例を示す図。
【図１０】実施形態３に係わる記録素子基板の結線図。
【図１１】実施形態３に係わる記録素子基板の構成の一例を示す図。
【図１２】実施形態４に係わる記録素子基板の結線図。
【図１３】実施形態５に係わる記録素子基板の結線図。
【図１４】実施形態６に係わる記録素子基板の結線図。
【図１５】実施形態７に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図１６】実施形態７に係わる記録素子基板の結線図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、「記録」とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わない。更に人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かも問わず、広く記録媒体上に画像、模様、パターン、構造物等を形成する、又は媒体の加工を行なう場合も表す。
【００１２】
また、「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、皮革等、インクを受容可能なものも表す。
【００１３】
更に、「インク」とは、上記「記録」の定義と同様広く解釈されるべきものである。従って、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成又は記録媒体の加工、或いはインクの処理（例えば、記録媒体に付与されるインク中の色剤の凝固または不溶化）に供され得る液体を表す。
【００１４】
また更に、「記録素子」（「ノズル」という場合もある）とは、特に断らない限りインク吐出口乃至これに連通する液路及びインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括していうものとする。
【００１５】
図１は、本発明の一実施の形態に係わる素子基板１０１を配して構成した装置の一例を示す図である。
【００１６】
ここで、コントローラ８０は、素子基板（検知回路）１０１に対して各種信号を送信し、素子基板１０１の動作を統括制御する。コントローラ８０から素子基板１０１に対して送られる信号としては、例えば、イネーブル信号（ＥＮ）、ラッチ信号（ＬＴ）、シリアルデータ信号（Ｄ＿Ｄ、Ｄ＿Ｓ）、クロック信号（ＣＬＫ＿Ｄ、ＣＬＫ＿Ｓ）等が挙げられる。
【００１７】
ここで、図２を用いて、図１に示す素子基板１０１の構成の一例について説明する。ここでは、４セグメント分の駆動素子と検知素子とを配した構成を例に挙げて説明する。なお、検知素子は、例えば、上述した特許文献１のように、測温抵抗体を用いた温度検知回路、サーミスタを用いた温度検知回路、熱電対を用いた温度検知回路、Ｃｄｓ（光電効果）を用いた光検知回路などに適用される。検知素子は、上記例示に限られず、２端子素子であり、非選択時に定電流源で生成された定電流が導通された（通電された）としても、直流電圧を通す（すなわち、電圧降下を生じない）構成であれば何でも良い。
【００１８】
素子基板１０１には、複数の検知素子（第１抵抗素子、第２抵抗素子などの抵抗素子）が設けられている。複数の検知素子は、複数の駆動素子（第１駆動素子、第２駆動素子など）それぞれの近傍に対応して設けられている。ここで、Ｓｅｇ１の駆動素子１１５の一方の端子は、駆動素子１１５へ駆動電圧を供給するＶＤの配線（第１ライン）に（並列に）共通接続され、他方の端子は、駆動スイッチ１１６に接続されている。駆動スイッチ１１６の他方の端子は、ＶＤのリターン（回収）先となるＧＮＤ配線（第２ライン）に接続されている。
【００１９】
駆動スイッチ１１６は、駆動素子選択回路１１７に接続されており、当該回路１１７からの選択信号（検知素子の選択を指示する信号）Ｄ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の駆動素子１１５においても、上述したＳｅｇ１と同様の構成が設けられている。
【００２０】
Ｓｅｇ１の検知素子１０２は、一方の端子（第１の端子／第１端子）が定電流源から供給される定電流ＩＳの配線（定電流共通配線）に共通接続されている。他方の端子（第２の端子／第２端子：抵抗体を介して第１の端子の反対側に設けられる端子）は、選択スイッチ１０３及び第２の読出スイッチ１０４に接続されている。選択スイッチ１０３は、検知素子１０２を選択し、検知素子１０２（の抵抗体）に定電流源からの電流を選択的に導通させて検知動作を行なわせる選択ユニットとしての役割を果たす。第２の読出スイッチ１０４は、端子電圧を読み出し、第２の共通配線１１２に入力する役割を果たす。第２の読出スイッチ１０４の他方の端子は、第２の共通配線１１２に接続され、選択スイッチ１０３の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先となるＶＳＳの配線に接続されている。すなわち、選択スイッチ１０３のオン／オフにより検知素子（の抵抗体）へ定電流ＩＳが導通されることになる。なお、定電流源（定電流を生成する生成手段）は、例えば、記録ヘッド制御部２５に設けられている。
【００２１】
検知素子１０２の端子のうち定電流ＩＳの配線に接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ２の検知素子１０６を介して第１の読出スイッチ１０５に接続されている。第１の読出スイッチ１０５の他方の端子は、第１の共通配線１１１に接続されている。第１の読出スイッチ１０５は、端子電圧を読み出し、第１の共通配線１１１に入力する役割を果たす。
【００２２】
Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の検知素子においても、上述したＳｅｇ１と同様に結線されており、検知素子の端子のうち、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する検知素子を介して第１の読出スイッチ１０５に接続されている。なお、Ｓｅｇ４は、回路端部に設けられているため、定電流ＩＳの配線がそのまま第１の読出スイッチ１１０に接続されている。これらＳｅｇ１〜Ｓｅｇ４の選択スイッチ及び読出スイッチは、検知素子選択回路１１４の選択信号Ｓ１〜Ｓ４に従ってオン／オフ制御される。
【００２３】
差動増幅器１１３には、選択された検知素子の端子電圧となるＶ１信号及びＶ２信号が共通配線１１１及び１１２を介して入力される。差動増幅器１１３は、Ｖ１信号及びＶ２信号（２つの端子電圧）を受けて、その電圧差に従った差動信号ＶＳを発生する。この差動信号ＶＳが検知素子の端子間電圧を示す検知情報となる。なお、差動増幅器１１３は、検知素子へ供給される電流が読出スイッチと共通配線１１１及び１１２との経路に流れ込まないように十分に高い入力抵抗としている。つまり、差動増幅器１１３のＶ１、Ｖ２信号の入力部は、ハイインピーダンスに設定されている。
【００２４】
駆動素子選択回路１１７は、４ビットシフトレジスタと２ラインデコーダとを含んで構成されており、２ｘ２時分割駆動する。駆動素子選択回路１１７は、駆動素子をオン／オフする行データとブロックを指定する列データとを受けて選択信号Ｄ１〜Ｄ４を発生する。一方、検知素子選択回路１１４は、４ビットシフトレジスタを含んで構成され、シフトクロックとスタートパルスとを受けて選択信号Ｓ１〜Ｓ４を発生する。
【００２５】
ここで、上述した素子基板１０１における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１の検知素子１０２が選択される場合を例に挙げて説明する。
【００２６】
まず、検知素子選択回路１１４からの選択信号Ｓ１に従って選択スイッチ１０３及び読出スイッチ（１０４、１０５）がオンする。Ｓｅｇ１の検知素子１０２には、選択スイッチ１０３がオンされることにより定電流ＩＳが供給される。このとき、選択スイッチ１０７はオフされている。Ｓｅｇ２の検知素子１０６には、定電流ＩＳは供給されていない。これにより、Ｓｅｇ１の検知素子１０２は、選択状態となり、検知量に応じた端子電圧を発生する。
【００２７】
検知素子１０２の選択スイッチ１０３側の端子電圧Ｖ２信号は、第２の読出スイッチ１０４を介して差動増幅器１１３に入力される。また、検知素子１０２の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号（厳密には、Ｓｅｇ２の検知素子１０６の定電流ＩＳの配線側の端子電圧）は、Ｓｅｇ２の検知素子１０６及び第１の読出スイッチ１０５を介して差動増幅器１１３に入力される。選択スイッチ１０３がオンされることにより、定電流ＩＳがＩＳの端子→ａ→ｂ→ｃ→ＶＳＳの端子と流れた状態である。一方、選択スイッチ１０７がオフされることにより、ａｄ間やｄｅ間には電流は流れていない状態である。それゆえ、位置ａの電圧は、位置ｄの電圧や位置ｅの電圧と等しい。従って、位置ｅの電圧が読出スイッチ１０５を介してＶ１信号として差動増幅器１１３に入力されることは、位置ａの電圧をＶ１信号として差動増幅器１１３に入力されることと等しい。なお、位置ｂの電圧が読出スイッチ１０４を介してＶ２信号として差動増幅器１１３に入力される。
【００２８】
差動増幅器１１３は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて検知素子１０２の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４においても、同様の動作で検知素子が順次選択されて各セグメントの温度情報が読み出される。
【００２９】
次に、図３（ａ）を用いて、コントローラ８０から駆動素子選択回路１１７へ供給される各種信号と、駆動素子選択回路１１７から出力される各種信号とについて説明する。ここでは、Ｓｅｇ１の駆動素子１１５に対応する選択信号Ｄ１を選択した場合について例を挙げて説明する。
【００３０】
コントローラ８０においては、転送クロック信号ＣＬＫ＿Ｄに同期して、２ｂｉｔの行データＤ０及びＤ１と、ブロックデータＢ０及びＢ１とをシリアルデータ信号Ｄ＿Ｄに含めて素子基板１０１側に転送する。素子基板１０１においては、コントローラ８０からラッチ信号ＬＴが転送されてきたタイミングでシリアルデータ信号をラッチに保持する。その直後に、コントローラ８０は、イネーブル信号ＥＮを素子基板１０１側に転送する。これにより、駆動素子１１５へ印加パルスが供給される。
【００３１】
次に、図３（ｂ）を用いて、こうしたデータ転送タイミングのもと、駆動素子を１つずつ順次選択するとともに、それに同期して検知素子を選択するタイミングについて説明する。
【００３２】
まず、コントローラ８０は、タイミングｔ１において、シフトクロック信号ＣＬＫ＿Ｓにシフトクロックと、シリアルデータ信号Ｄ＿Ｓにスタートパルスとを与える。これにより、検知素子選択回路１１４から出力される選択信号Ｓ１をオンする。その結果、Ｓｅｇ１の検知素子１０２が選択状態になる。
【００３３】
タイミングｔ２において、駆動素子選択回路１１７は、選択信号Ｄ１をオンし、Ｓｅｇ１の駆動素子１１５を駆動させる。検知素子１０２は、駆動オン／オフの前後に渡る選択期間で端子電圧Ｖ１信号及びＶ２信号を出力する。これにより、差動増幅器１１３から差動信号ＶＳが出力される。
【００３４】
タイミングｔ３においては、上記同様にして、Ｓｅｇ２の検知素子１０６が選択される。そして、タイミングｔ４において、Ｓｅｇ２の駆動素子が駆動する。これにより、Ｓｅｇ２の検知情報が出力される。以下同様に、Ｓｅｇ３及びＳｅｇ４が順次選択され、全セグメントの検知情報が読み出される。
【００３５】
なお、ここでのＶ１信号及びＶ２信号の波形は、駆動素子を発熱体とし、検知素子を温度検知素子とした場合の波形の一例を示している。この波形は、あくまでも一例であり、駆動素子や検知素子に応じて変化する。
【００３６】
以上説明したように実施形態１によれば、検知素子において、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する検知素子の配線を利用して第１の共通配線１１１に接続される。すなわち、検知素子に設けられる２つの端子の読出配線のうちの一方が不要になる。
【００３７】
これにより、検知素子自体を配線として利用するため、素子基板（検知回路）の構成が簡素化される。また、駆動素子を含めた構造、機能及び性能に影響を与えない又は影響を軽減して、検知素子を基板上に設けることができる。
【００３８】
（実施形態２）
次に、実施形態２について説明する。実施形態２においては、特許文献１で提案されるインクジェット記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドと呼ぶ）に対して、上述した素子基板を記録素子基板として適用する場合について説明する。
【００３９】
ここで、まず、図４を用いて、記録装置１０の制御系の構成の一例について説明する。
【００４０】
記録装置１０は、ホスト装置４０と接続されている。ホスト装置４０は、画像データの供給源となるコンピュータ（或いは、画像読取用のリーダやデジタルカメラなど）で実現される。ホスト装置４０と記録装置１０との間では、インタフェース（以下、Ｉ／Ｆと呼ぶ）１１を介して画像データ、コマンド等の授受が行なわれる。
【００４１】
記録装置１０は、インクジェット方式に従ってインクを吐出して記録を行なうインクジェット記録ヘッド（以下、記録ヘッドと呼ぶ）３０１をキャリッジ（不図示）に搭載し、キャリッジを所定方向に往復移動させて記録を行なう。すなわち、記録ヘッドを記録媒体に対して相対移動させながら、記録媒体上に画像を記録する。
【００４２】
ここで、コントローラ部２０は、ＣＰＵ２１と、ＲＯＭ２２と、ＲＡＭ２３と、画像処理部２４と、記録ヘッド制御部２５とを具備して構成される。
【００４３】
ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１は、コントローラ部２０における処理を統括制御する。ＲＯＭ（Read Only Memory）２２は、プログラムや各種データを記憶する。ＲＡＭ（RandomAccess Memory）２３は、ＣＰＵ２１によるプログラムの実行時にワークエリアとして使用され、各種演算結果等を一時的に記憶する。
【００４４】
画像処理部２４は、ホスト装置４０からＩ／Ｆ１１を介して受信した画像データに対して各種画像処理を行なう。
【００４５】
記録ヘッド制御部２５は、記録ヘッド３０１を制御する。記録ヘッド制御部２５は、各種信号を生成し、当該生成した信号を記録ヘッド３０１へ向けて転送する。この信号により、記録ヘッド３０１による時分割駆動を制御する。記録ヘッド３０１へ転送される信号としては、例えば、ヒートイネーブル信号（ＨＥ）、ラッチ信号（ＬＴ）、シリアルデータ信号（Ｄ＿Ｈ、Ｄ＿Ｓ）、クロック信号（ＣＬＫ＿Ｈ、ＣＬＫ＿Ｓ）等が挙げられる。
【００４６】
記録ヘッド３０１は、記録ヘッド制御部２５から転送されてきた信号に基づいて記録ヘッド３０１内の各吐出口からインクを吐出させる。記録ヘッド３０１には、記録素子基板（以下、基板と略す場合もある）３０２が設けられており、当該基板上には、複数のノズル列が配列される。記録ヘッド３０１は、例えば、熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェット方式により構成される。そのため、記録ヘッド３０１には、ヒータ等で構成される記録素子や、ヒータの駆動制御を行なう制御回路が設けられる。ヒータは、各ノズル（吐出口）に対応して設けられ、記録信号に応じて対応するヒータにパルス電圧が印加される。
【００４７】
次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて、実施形態２に係わる記録ヘッドの構成の一例について説明する。図５（ａ）は、実施形態２に係わる記録ヘッドの斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図である。
【００４８】
記録素子基板３０２には、記録ヘッド３０１の裏面から表面に貫通してインクを供給するインク供給口３０３が形成されている。記録素子基板３０２には、駆動素子として電気熱変換（熱エネルギーを発生）を行なう記録素子３０５と、検知素子として薄膜抵抗体で形成された温度検知素子３０４とが設けられている。
【００４９】
オリフィスプレート３０７上には、記録素子３０５に対応してノズル３０８が設けられている。ノズルＮ０〜Ｎ７は、インク供給口３０３を挟んでノズル配列方向に沿って交互に２列で配置されている。電極端子３０６は、外部配線との接続のために設けられている。
【００５０】
図５（ｂ）に示すように、記録素子３０５及び温度検知素子３０４は、一対を成して設けられており、一対の記録素子３０５及び温度検知素子３０４は、インク供給口３０３を挟んでそれぞれ配置される。オリフィスプレート３０７には、記録素子に対応して、インク供給口３０３と連通した圧力室３０９と、ノズル３０８とが形成されている。
【００５１】
図６は、記録素子基板３０２の平面構成及び断面構成の一例を示す図である。ここでは、ノズルの図示については省略している。
【００５２】
シリコン基板４０１上には、ＳｉＯ２等のフィールド酸化膜４０２と、絶縁膜４０３とが積層されており、その上には、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｔａ等の薄膜抵抗体の温度検知素子４０５と、接続配線するアルミ等のＡＬ１配線４０４とが形成される。更にその上には、ＳｉＯ等の層間絶縁膜４０６が積層されており、ＴａＳｉＮ等の電気熱変換する記録素子４０７と、シリコン基板に形成された駆動回路を接続するアルミ等のＡＬ２配線４０８とが形成される。更にその上には、ＳｉＮ等の保護膜４０９と記録素子上の耐キャビテーション性を高めるＴａ等の耐キャビテーション膜４１０とが積層される。
【００５３】
図６上部に示す平面図には、記録素子４０７及び駆動回路と接続するＡＬ２配線４０８、太線枠で描かれた温度検知素子４０５、温度検知素子４０５の個別配線のＡＬ１配線４０４Ａ及び共通配線のＡＬ１配線４０４Ｂが示されている。ここでの温度検知素子４０５の形状は、蛇行形状となっている。これは、抵抗値を大きくして検出信号を大きくすることで温度情報を精度良く検出できるようにするためである。温度検知素子４０５は、ＡＬ１配線層において、成膜、パターニングすることで従来の記録素子基板の構造を変えることなく作製される。
【００５４】
図７は、記録素子基板３０２の構成の一例を示す図である。ここでは、４セグメントの２列の記録素子と温度検知素子とを配した構成を例に挙げて説明する。なお、回路とインク供給口との配置関係が分かるように、インク供給口５１５も図示している。
【００５５】
Ｓｅｇ０の記録素子５１３の一方の端子は、記録素子５１３へ駆動電圧を供給するＶＨ＿Ｅの配線に接続され、他方の端子は、駆動スイッチ５１４に接続されている。駆動スイッチ５１４の他方の端子は、ＶＨ＿Ｅのリターン先であるＧＮＤ＿Ｅ配線に接続されている。駆動スイッチ５１４は、記録素子選択回路（不図示）の選択信号Ｈ０に従ってオン／オフ制御される。以下、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６も、上記Ｓｅｇ０同様に結線されている。また、Ｓｅｇ０、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６とインク供給口５１５を挟んで対向する位置に設けられているＳｅｇ１〜Ｓｅｇ７も、上記同様に結線されている。
【００５６】
Ｓｅｇ０の温度検知素子５０１の一方の端子は、温度検知素子５０１に給電を行なう定電流ＩＳの配線で共通接続されている。他方の端子は、選択スイッチ５０２及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ５０３に接続されている。第２の読出スイッチ５０３の他方の端子は、第２の共通配線５１１に接続されている。
【００５７】
選択スイッチ５０２の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。温度検知素子５０１に設けられる端子のうち、定電流ＩＳの配線に接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ２の温度検知素子５０５を介して第１の読出スイッチ５０４に接続されている。第１の読出スイッチ５０４の他方の端子は、第１の共通配線５１０に接続されている。Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６の温度検知素子にも、上記Ｓｅｇ０同様に結線されている。
【００５８】
このように温度検知素子の端子のうち、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する温度検知素子を介して第１の読出スイッチに接続されている。なお、Ｓｅｇ６は、回路端部に設けられているため、定電流ＩＳの配線がそのまま読出スイッチ５０９に接続されている。これにより、Ｓｅｇ６の温度検知素子の一方の端子は、共通配線５１０に接続されることになる。
【００５９】
共通配線５１０及び５１１は、差動増幅器５１２に接続されている。Ｓｅｇ０〜Ｓｅｇ６の選択スイッチ及び読出スイッチは、温度検知素子選択回路（不図示）の選択信号Ｓ０〜Ｓ６に従ってオン／オフ制御される。また、インク供給口５１５を挟んで対向するＳｅｇ１〜Ｓｅｇ７においても、上記同様に結線されている。
【００６０】
なお、記録素子基板３０２には、記録素子選択回路や温度検知素子選択回路も設けられているが、これら回路は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７及び検知素子選択回路１１４と構成や動作が同様である。そのため、ここでは、図示や詳細な説明については省略している。
【００６１】
次に、上述した記録素子基板３０２における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ０を例に挙げて説明する。
【００６２】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ０をオンにし、選択スイッチ５０２、読出スイッチ５０３及び５０４をオンする。これにより、Ｓｅｇ０の温度検知素子５０１が選択状態になる。
【００６３】
選択スイッチ５０２がオンになり、温度検知素子５０１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子５０１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子５０１の選択スイッチ５０２側の端子電圧Ｖ２信号は、第２の読出スイッチ５０３を介して差動増幅器５１２に入力される。一方、温度検知素子５０１の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ２の温度検知素子５０５及び第１の読出スイッチ５０４を介して差動増幅器５１２に入力される。
【００６４】
差動増幅器５１２は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子５０１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。また、Ｓｅｇ１〜Ｓｅｇ７も同様の動作で温度情報が読み出される。なお、複数の駆動素子における時分割駆動は、Ｓｅｇ０、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６を単位としたグループと、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ３、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ７を単位としたグループとでそれぞれ行なわれる。
【００６５】
以上説明したように実施形態２によれば、温度検知素子５０１において、定電流ＩＳの配線で共通接続された端子は、隣接する温度検知素子を利用して第１の共通配線５１０に接続される。すなわち、温度検知素子に設けられる２つの端子の読出配線のうちの一方が不要になる。
【００６６】
これにより、温度検知素子自体を配線として利用するため、記録素子基板の構成が簡素化される。また、記録素子を含めた構造、機能及び性能に影響を与えない又は影響を軽減して、温度検知素子を設けることができる。
【００６７】
（実施形態３）
次に、実施形態３について説明する。実施形態３においては、特開２０１０−２０１９２１号公報で提案される流路構造を有する記録ヘッドに対して、上述した温度検知回路を記録素子基板として適用する場合について説明する。
【００６８】
ここで、特開２０１０−２０１９２１号公報には、吐出口に対してインク流路が対称的に配置されている。また、複数の独立供給口に挟まれたインク流路で吐出周波数を高め、更に吐出口間の圧力クロストークを軽減して安定吐出する構成について示されている。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【００６９】
ここで、まず、図８（ａ）〜図８（ｃ）を用いて、実施形態３に係わる記録ヘッドの構成の一例について説明する。図８（ａ）は、実施形態３に係わる記録ヘッドの斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図であり図８（ｃ）は、図８（ａ）に示すＢ−Ｂ’の断面構成の一例を示す図である。
【００７０】
記録ヘッド６０１の内部には、共通供給口６０３が形成されており、複数の独立供給口６０４は、この共通供給口６０３を介してインクの供給を受ける。複数の独立供給口６０４は、記録素子基板６０２上に形成されており、電気熱変換を行なう駆動素子である記録素子６０６と、検知素子である薄膜抵抗体で形成された温度検知素子６０５とが設けられている。電極端子６０７は、外部配線との接続のために設けられている。
【００７１】
図８（ｃ）に示すように、記録素子６０６及び温度検知素子６０５は、一対を成して独立供給口の間の梁部に配置されている。オリフィスプレート６０８には、記録素子に対応して、独立供給口６０４と連通した圧力室６１１と、ノズル６０９とが形成されている。
【００７２】
記録ヘッド６０１の内部には、記録素子基板６０２に形成された共通供給口６０３と、独立供給口６０４と、オリフィスプレート６０８の液室６１０とが連通したインク供給路が形成されている。
【００７３】
ここで、実施形態３に係わる温度検知回路の比較例として、従来の温度検知回路の構成の一例について説明する。
【００７４】
図９（ａ）には、記録素子と温度検知素子とを配した温度検知回路の構成の一例が示される。ここでは、回路と独立供給口との配置関係が分かるように、独立供給口８１１及び８１２も図示している。
【００７５】
記録素子８０９は、独立供給口８１１及び８１２の間の梁部に配置されている。記録素子８０９の一方の端子は、ＶＨの配線に接続され、他方の端子は、駆動スイッチ８１０に接続されている。駆動スイッチ８１０の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ配線に接続されている。駆動スイッチ８１０は、記録素子選択回路（不図示）の選択信号Ｈに従ってオン／オフ制御される。
【００７６】
温度検知素子８０１の一方の端子は、温度検知素子８０１に給電を行なう定電流ＩＳの配線に共通接続されるとともに、また、端子電圧を読み出す第１の読出スイッチ８０４に接続されている。温度検知素子８０１の他方の端子は、選択スイッチ８０２及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ８０３に接続されている。
【００７７】
読出スイッチ８０４の他方の端子は、独立供給口８１１及び８１２を跨ぐ配線８０５を介して第１の共通配線８０７に接続されている。読出スイッチ８０３の他方の端子は、第２の共通配線８０８に接続されている。
【００７８】
共通配線８０７及び８０８は、差動増幅器（不図示）に接続されている。なお、共通配線８０７及び８０８は、他配線との間での静電結合や誘導結合による同相雑音が重畳されても差動増幅器によりキャンセルされるように隣接して平行配線されている。温度検知素子をオン／オフ制御する選択信号Ｓの配線８０６は、選択スイッチ８０２、読出スイッチ８０３、及び読出スイッチ８０４に接続されている。
【００７９】
ここで、図９（ｂ）は、独立供給口８１１及び８１２の周りに配置された記録素子８０９及び温度検知素子８０１の回路構成の一例を示す図である。ここでは、ポリシリコン等のＰＯＬ配線、アルミ等のＡＬ１配線及びＡＬ２配線の３つの配線層が配置され、また、スイッチをＭＯＳトランジスタとした場合のレイアウトの一例を示す。
【００８０】
記録素子８０９は、一方の端子がＡＬ２配線でＶＨに接続されている。記録素子８０９の他方の端子は、ＡＬ２配線及びスルーホールＴＨを介して駆動スイッチ８１０のドレイン電極のＡＬ１配線に接続されている。駆動スイッチ８１０のソース電極のＡＬ１配線は、スルーホールＴＨを介してＡＬ２配線のＧＮＤ配線に接続され、ゲート電極のＰＯＬ配線は、選択信号Ｈに接続されている。
【００８１】
温度検知素子８０１の一方の端子は、定電流ＩＳのＡＬ１配線及び第１の読出スイッチ８０４のソース電極となるＡＬ１配線に接続されている。温度検知素子８０１の他方の端子は、ＡＬ１配線で選択スイッチ８０２のドレイン電極となるＡＬ１配線及び第２の読出スイッチ８０３のソース電極となるＡＬ１配線に接続されている。
【００８２】
選択スイッチ８０２のソース電極のＡＬ１配線は、ＡＬ１配線のＶＳＳと接続されている。第１の読出スイッチ８０４のドレイン電極は、ＡＬ１配線８０５で独立供給口間の梁部を跨いでコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第１の共通配線Ｖ１に接続されている。
【００８３】
第２の読出スイッチ８０３のドレイン電極は、ＡＬ１配線からコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第２の共通配線Ｖ２に接続されている。読出スイッチ８０３及び８０４のゲート電極のＰＯＬ配線は、独立供給口間の梁部を跨いで配線されている。この配線は、選択スイッチ８０２のゲート電極に接続されており、温度検知素子を選択するための選択信号Ｓが転送される。
【００８４】
図９（ｃ）は、図９（ｂ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図である。すなわち、供給口縁Ｅから記録素子８０９の中心Ｃにかけての記録素子基板の断面を示す図である。
【００８５】
シリコン基板８１３上に酸化膜が設けられている。その上には、第１配線層ＰＯＬのポリシリコン配線８０６、絶縁層、第２配線層ＡＬ１のアルミ配線８０５及び温度検知素子８０１が形成されている。更にその上には、絶縁層、記録素子８０９、絶縁層、耐キャビテーション層が形成されている。なお、耐キャビテーション層の上には、不図示ではあるが、ノズル材で流路が形成されている。記録素子８０９と独立供給口縁Ｅとの間には、配線領域Ｍが設けられており、この配線領域Ｍには、ＡＬ１配線８０５及びＰＯＬ配線８０６があり、独立供給口８１１及び８１２を跨いで配線される。
【００８６】
ここで、上述した従来の構成においては、ＡＬ１配線８０５及びＰＯＬ配線８０６は、独立供給口８１１及び８１２を跨ぐ必要がある。そのため、配線領域Ｍが必要となり、独立供給口縁Ｅから記録素子８０９の中心Ｃにかけての流路長Ｌがこの分長くなってしまう。
【００８７】
このように流路長が長くなってしまうと、特開２０１０−２０１９２１号公報で述べられている吐出周波数を高める効果が妨げられ、また、ノズル間の間隔も広がり、解像度アップに制約が生じてしまう。解像度を維持する場合は、ノズル列方向の供給口幅を小さく必要があるので、流抵抗を等価にするために供給口の長さ方向を増やさなければならず、記録素子基板が大きくなってしまう。
【００８８】
ここで、上述した従来構成の課題を解決するための構成について説明する。すなわち、実施形態３に係わる構成について説明する。まず、図１０を用いて、記録素子基板７０１の結線図の一例について説明する。ここでは、４セグメント分の記録素子と温度検知素子とを配した構成を例に挙げて説明する。なお、回路と独立供給口の配置関係が分かるように独立供給口７１８及び７１９も図示している。
【００８９】
Ｓｅｇ１の記録素子７１５は、独立供給口７１８及び７１９の間の梁部に配置されている。Ｓｅｇ１の記録素子７１５の一方の端子は、記録素子７１５に電圧を供給するＶＨの配線に接続されており、他方の端子は、駆動スイッチ７１６に接続されている。駆動スイッチ７１６の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ配線に接続されている。
【００９０】
駆動スイッチ７１６は、記録素子選択回路７１７の選択信号Ｈ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。記録素子選択回路７１７は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７と同様の機能を果たすため、ここではその詳細な説明については省略する。
【００９１】
Ｓｅｇ１の温度検知素子７０２の一方の端子は、温度検知素子７０２へ供給される定電流ＩＳの配線で共通接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子７０２の他方の端子は、選択スイッチ７０３及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ７０４に接続されている。第２の読出スイッチ７０４の他方の端子は、第２の共通配線７１２に接続されている。また、選択スイッチ７０３の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。温度検知素子７０２の定電流ＩＳの配線に接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ２の温度検知素子７０６を介して第１の読出スイッチ７０５に接続されている。第１の読出スイッチ７０５の他方の端子は、第１の共通配線７１１に接続されている。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。
【００９２】
このように温度検知素子のうち、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する温度検知素子を介して第１の読出スイッチに接続されている。なお、Ｓｅｇ４は、回路端部に設けられているため、定電流ＩＳの配線がそのまま読出スイッチ７１０に結線されている。これにより、Ｓｅｇ４の温度検知素子の一方の端子は、共通配線７１１に接続されることになる。
【００９３】
共通配線７１１及び７１２は、差動増幅器７１３に接続されている。Ｓｅｇ１〜Ｓｅｇ４の選択スイッチ及び読出スイッチは、温度検知素子選択回路７１４から出力される選択信号Ｓ１〜Ｓ４に従ってオン／オフ制御される。温度検知素子選択回路７１４は、実施形態１で説明した検知素子選択回路１１４と同様の機能を果たすため、ここではその詳細な説明については省略する。
【００９４】
図１１（ａ）は、図１０の領域Ａに示す回路のレイアウトの一例を示す図である。すなわち、独立供給口７１９の周りに配置された記録素子７１５及び温度検知素子７０２の回路構成のレイアウトの一例を示す。ここでは、ポリシリコン等のＰＯＬ配線、アルミ等のＡＬ１配線及びＡＬ２配線の３つの配線層が配置され、また、スイッチをＭＯＳトランジスタとした場合のレイアウトの一例を示す。
【００９５】
記録素子７１５は、一方の端子がＡＬ２配線でＶＨの配線に接続されている。記録素子７１５の他方の端子は、ＡＬ２配線及びスルーホールＴＨを介して駆動スイッチ７１６のドレイン電極のＡＬ１配線に接続されている。駆動スイッチ７１６のソース電極のＡＬ１配線は、スルーホールＴＨを介してＡＬ２配線のＧＮＤ配線と接続され、ゲート電極のＰＯＬ配線は、記録素子選択回路７１７の選択信号Ｈ１と接続されている。
【００９６】
温度検知素子７０２は、一方の端子が定電流ＩＳのＡＬ１配線で共通接続されている。温度検知素子７０２の他方は、ＡＬ１配線で選択スイッチ７０３のドレイン電極のＡＬ１配線と、第２の読出スイッチ７０４のソース電極となるＡＬ１配線とに接続されている。選択スイッチ７０３のソース電極のＡＬ１配線は、ＡＬ１配線のＶＳＳ配線と接続されている。第２の読出スイッチ７０４のドレイン電極は、ＡＬ１配線からコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第２の共通配線Ｖ２に接続されている。
【００９７】
温度検知素子７０２の端子のうち、定電流ＩＳのＡＬ１配線に接続された端子は、定電流ＩＳのＡＬ１配線及びＳｅｇ２の温度検知素子７０６を介したＡＬ１配線で、第１の読出スイッチ７０５のソース電極に接続されている。読出スイッチ７０５のドレイン電極は、ＡＬ１配線からコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第１の共通配線Ｖ１に接続されている。
【００９８】
図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図である。すなわち独立供給口縁Ｅから記録素子７１５の中心Ｃにかけての記録素子基板７０１の断面を示す図である。
【００９９】
上述した図９（ｃ）に示す従来構成と比べると、図１１（ｂ）に示す構成では、記録素子７１５と温度検知素子７０２とがレイアウトされるだけとなり、温度検知回路に関わる配線領域Ｍは不要となる。その結果、流路長Ｌを延長する必要がなくなる。
【０１００】
次に、図１０、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）で説明した実施形態３に係わる記録素子基板７０１における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１０１】
まず、温度検知素子選択回路７１４は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ７０３、読出スイッチ７０４及び７０５をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子７０２が選択状態になる。
【０１０２】
選択スイッチ７０３がオンになり、温度検知素子７０２に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子７０２は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子７０２の選択スイッチ７０３側の端子電圧Ｖ２信号は、読出スイッチ７０４を介して差動増幅器７１３に入力される。一方、温度検知素子７０２の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ２の温度検知素子７０６及び読出スイッチ７０５を介して差動増幅器７１３に入力される。
【０１０３】
差動増幅器７１３は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子７０２の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。なお、記録素子選択回路７１７及び温度検知素子選択回路７１４は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７及び検知素子選択回路１１４と同様の構成や動作を行なうため、ここでは、その説明については省略する。
【０１０４】
以上説明したように実施形態３によれば、温度検知素子において、定電流ＩＳの配線で共通接続された端子は、隣接する温度検知素子を配線として利用して第１の共通配線に接続される。そのため、独立供給口を跨ぐ配線がなくなる。その結果として、流路長や独立供給口の流路領域に影響を与えずに、温度検知回路を設けることができる。
【０１０５】
（実施形態４）
次に、実施形態４について説明する。上述した実施形態１〜３においては、隣接する温度検知素子を介して温度検知素子の結線を行なう場合について説明したが、これに限られない。例えば、２セグメント以上隔てた温度検知素子を介した結線も可能である。すなわち、選択スイッチにより選択された検知素子以外の検知素子であれば、いずれかの検知素子を介して温度検知素子の結線を行なっても良い。ここでは、その一例として、２つ隣の温度検知素子を介した結線構成の一例について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１０６】
図１２は、実施形態４に係わる記録素子基板の結線図の一例を示す。ここでは、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口９２０及び９２１も図示している。
【０１０７】
Ｓｅｇ１の温度検知素子９０１の一方の端子は、温度検知素子に給電する定電流ＩＳの配線で共通接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子９０１の他方の端子は、選択スイッチ９０２及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ９０３に接続され、読出スイッチ９０３の他方の端子は、第２の共通配線９１４に接続されている。選択スイッチ９０２の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。
【０１０８】
温度検知素子９０１の共通接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ３の温度検知素子９１０を介して第１の読出スイッチ９０８に接続され、第１の読出スイッチ９０８の他方の端子は、第１の共通配線９１３に接続されている。
【０１０９】
共通配線９１３及び９１４は、差動増幅器９１５に接続されている。温度検知素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｓ１は、選択スイッチ９０２、第２の読出スイッチ９０３、及び第１の読出スイッチ９０８に供給される。
【０１１０】
Ｓｅｇ２の温度検知素子９０５も、上記Ｓｅｇ１同様に、２つ隣りのＳｅｇ４の温度検知素子９１１を介して第１の読出スイッチ９０９に接続されている。Ｓｅｇ３の温度検知素子９１０においては、定電流ＩＳの配線がそのまま第１の読出スイッチ９１２に接続されている。これにより、Ｓｅｇ３の温度検知素子９１０の一方の端子は、第１の共通配線９１３に接続されている。Ｓｅｇ４の温度検知素子９１１においては、Ｓｅｇ２の温度検知素子９０５を介して第１の読出スイッチ９０４に接続されている。これにより、Ｓｅｇ４の温度検知素子９１１の一方の端子は、第１の共通配線９１３に接続されている。
【０１１１】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１１２】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ９０２、読出スイッチ９０３及び９０８をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子９０１が選択状態になる。
【０１１３】
選択スイッチ９０２がオンになり、温度検知素子９０１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子９０１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子９０１の選択スイッチ９０２側の端子電圧Ｖ２信号は、第２の読出スイッチ９０３を介して差動増幅器９１５に入力される。一方、温度検知素子９０１の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ３の温度検知素子９１０及び第１の読出スイッチ９０８を介して差動増幅器９１５に入力される。
【０１１４】
差動増幅器９１５は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子９０１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１１５】
以上説明したように実施形態４によれば、選択信号Ｓ１〜Ｓ４の読出スイッチへの結線を変えることにより、隔たった温度検知素子を介して選択された温度検知素子の温度情報を読み出すことができる。これにより、２セグメント以上隔てた温度検知素子を介して第１の共通配線に接続するような構成にした場合であっても、上述した実施形態１〜３同様の効果が得られる。
【０１１６】
（実施形態５）
次に、実施形態５について説明する。上述した実施形態１〜４においては、１つの温度検知素子を介して温度検知素子の結線を行なう場合について説明したが、これに限られない。ここでは、その構成の一例として、図１３に示す構成について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１１７】
図１３は、実施形態５に係わる記録素子基板の結線図の一例を示す。ここでは、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口１０１３及び１０１４も図示している。
【０１１８】
Ｓｅｇ１の温度検知素子１００１の一方の端子（第１の端子）は、温度検知素子１００１に電流を供給する定電流ＩＳの配線に接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子１００１の他方の端子（第２の端子）は、選択スイッチ１００２及び端子電圧を読み出す読出スイッチ１００３に接続されている。読出スイッチ１００３の他方の端子は、第２の共通配線１００９に接続されている。選択スイッチ１００２の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。
【０１１９】
温度検知素子１００１の定電流ＩＳの配線に共通接続された端子は、定電流ＩＳの配線と配線１００７（すなわち、他の全ての温度検知素子）とを介して第１の共通配線１００８に接続されている。共通配線１００８及び１００９は、差動増幅器１０１０に接続されている。
【０１２０】
温度検知素子選択回路（不図示）から選択信号Ｓ１が出力されると、選択スイッチ１００２及び読出スイッチ１００３がオンされる。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子も、上記Ｓｅｇ１と同様にして結線される。
【０１２１】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１２２】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ１００２、読出スイッチ１００３をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子１００１が選択状態になる。
【０１２３】
選択スイッチ１００２がオンになり、温度検知素子１００１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子１００１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子１００１の選択スイッチ１００２側の端子電圧Ｖ２信号は、読出スイッチ１００３を介して差動増幅器１０１０に入力される。一方、温度検知素子１００１の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子を介して差動増幅器１０１０に入力される。差動増幅器１０１０は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子１００１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１２４】
以上説明したように実施形態５によれば、各温度検知素子の一方の端子を第１の共通配線１００８に直接接続する。これにより、温度検知素子に設けられる２つの端子の読出配線のうちの一方の個別配線が不要になる。
【０１２５】
（実施形態６）
次に、実施形態６について説明する。実施形態６においては、複数の温度検知素子を直列に接続する結線構成について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１２６】
図１４は、２列の独立供給口に挟まれる梁部に記録素子と温度検知素子とを配置した記録素子基板の結線図の一例を示す。ここでは、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口１１１４及び１１１５も図示している。
【０１２７】
Ｓｅｇ１の記録素子１１１２は、独立供給口１１１４及び１１１５の間の梁部に配置されている。Ｓｅｇ１の記録素子１１１２の一方の端子は、記録素子１１１２に電圧を供給するＶＨの配線に接続され、Ｓｅｇ１の記録素子１１１２の他方の端子は、駆動スイッチ１１１３に接続されている。駆動スイッチ１１１３の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ配線に接続されている。駆動スイッチ１１１３は、記録素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｈ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。
【０１２８】
Ｓｅｇ１の温度検知素子１１０１の一方の端子（第１の端子）は、温度検知素子１１０１に供給される定電流ＩＳの（上流側の）配線及び読出スイッチ１１０５に接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子１１０１の他方の端子（第２の端子）は、定電流ＩＳの（下流側の）配線に接続されるとともに、Ｓｅｇ１の選択スイッチ１１０３、Ｓｅｇ２の温度検知素子１１０６、及びＳｅｇ２の読出スイッチ１１０４に接続されている。選択スイッチ１１０３の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続され、読出スイッチ１１０５及び１１０４の他方の端子は、第１の共通配線１１０９に接続されている。
【０１２９】
Ｓｅｇ１〜Ｓｅｇ４の温度検知素子が直列に接続されており、終端となるＳｅｇ４の温度検知素子の一方の端子及び第１の共通配線１１０９は、差動増幅器１１１１に接続されている。また、Ｓｅｇ１及びＳｅｇ２の間には、分岐点１１０２が設けられており、これと同様に、Ｓｅｇ２及びＳｅｇ３、Ｓｅｇ３及びＳｅｇ４においても、分岐点が設けられている。読出スイッチ１１０４は、各分岐点からＶＳＳの配線までの経路上に設けられている。
【０１３０】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１３１】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ１１０３、読出スイッチ１１０５をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子１１０１が選択状態になる。
【０１３２】
選択スイッチ１１０３がオンになり、温度検知素子１１０１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子１１０１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子１１０１の読出スイッチ１１０５側の端子電圧Ｖ１信号は、読出スイッチ１１０５を介して差動増幅器１１１１に入力される。一方、温度検知素子１１０１における分岐点１１０２側の端子電圧Ｖ２信号は、直列接続されたＳｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子及び配線１１１０を介して差動増幅器１１１１に入力される。
【０１３３】
差動増幅器１１１１は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子１１０１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１３４】
以上説明したように実施形態６によれば、温度検知素子列の直接接続の分岐各々の端子電圧と、温度検知素子列の終端（最下流側）の端子電圧とを読み出す。これにより、選択された温度検知素子の温度情報を複数の他の温度検知素子を介して読み出すことができる。
【０１３５】
（実施形態７）
次に、実施形態７について説明する。上述した実施形態３〜６において、独立供給口の配列方向と平行した列方向の梁部に記録素子を配列するとともに、それに平行して回路を配置する場合について説明した。
【０１３６】
これに対して、実施形態７においては、独立供給口の配列方向と直交した行方向の梁部に記録素子を配列し、また、回路も直交した位置関係に配置する場合について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１３７】
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）を用いて、実施形態７に係わる記録ヘッドの構成の一例について説明する。図１５（ａ）は、実施形態７に係わる記録ヘッドの斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図であり図１５（ｃ）は、図１５（ａ）に示すＢ−Ｂ’の断面構成の一例を示す図である。
【０１３８】
記録ヘッド１２０１の内部には、共通供給口１２０３が形成されている。記録素子基板１２０２には、複数の独立供給口１２０４が共通供給口１２０３に連通されるように形成されている。
【０１３９】
記録素子基板１２０２には、一対を成して記録素子１２０６と温度検知素子１２０５とが設けられている。一対の記録素子１２０６及び温度検知素子１２０５は、独立供給口と独立供給口との間の梁部に配置されている。オリフィスプレート１２０８には、記録素子に対応するように、独立供給口１２０４と連通した圧力室１２１１と、ノズル１２０９が形成されている。この場合、オリフィスプレート１２０８には、Ｎ１〜Ｎ４及びＮ５〜Ｎ８の２行×４列のノズルが配列されている。電極端子１２０７は、外部配線に接続されている。
【０１４０】
図１５（ｂ）に示すように、記録素子基板１２０２には、共通供給口１２０３と、独立供給口１２０４と、オリフィスプレート１２０８の液室１２１０とが連通したインク供給路が形成される。
【０１４１】
ここで、図１６を用いて、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示す記録素子基板１２０２の結線図の一例について説明する。ここでは、８セグメント分の記録素子と温度検知素子とを配した構成を例を挙げて説明する。なお、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口１３１４及び１３１５も図示している。
【０１４２】
Ｓｅｇ１の記録素子１３１２は、独立供給口１３１４及び１３１５の間の梁部に配置されている。Ｓｅｇ１の記録素子１３１２の一方の端子は、記録素子１３１２へ駆動電圧を供給するＶＨの配線に接続され、Ｓｅｇ１の記録素子１３１２の他方の端子は、駆動スイッチ１３１３に接続されている。駆動スイッチ１３１３の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ１配線に接続されている。
【０１４３】
駆動スイッチ１３１３は、記録素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｈ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。Ｓｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８は、中央の独立供給口を挟んで対向に配置されている。これらセグメントも、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６側と同様に結線されている。なお、記録素子選択回路（不図示）は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７と同様の役割を果たし、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６側とＳｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８側とに個別にそれぞれ設けられる。
【０１４４】
Ｓｅｇ２の温度検知素子１３０５の一方の端子は、温度検知素子１３０５に供給される定電流ＩＳの配線で共通接続される。Ｓｅｇ２の温度検知素子１３０５の他方の端子は、選択スイッチ１３０６及び第２の読出スイッチ１３０７に接続され、読出スイッチ１３０７の他方の端子は、第２の共通配線１３１０に接続されている。
【０１４５】
第１の読出スイッチ１３０８の一方の端子は、Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１を介して定電流ＩＳの配線に接続され、第１の読出スイッチ１３０８の他方の端子は、第１の共通配線１３０９に接続されている。
【０１４６】
Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１は、一方の端子が温度検知素子に電流を供給する定電流ＩＳの配線に接続されるとともに、読出スイッチ１３０４に接続される。これにより、読出スイッチ１３０４を介して第１の共通配線１３０９に接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１の他方の端子は、選択スイッチ１３０２及び読出スイッチ１３０３に接続され、読出スイッチ１３０３の他方の端子は、第２の共通配線１３１０に接続されている。共通配線１３０９及び１３１０は、差動増幅器１３１１に接続されている。
【０１４７】
温度検知素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｓ２は、選択スイッチ１３０６、読出スイッチ１３０７及び１３０８に供給される。２行目のＳｅｇ５、Ｓｅｇ６も同様に結線されている。対向する位置に配置されたＳｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８も、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６と同様に結線されている。
【０１４８】
なお、温度検知素子選択回路（不図示）は、実施形態１で説明した検知素子選択回路１１４と同様の役割を果たし、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６側とＳｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８側とに個別にそれぞれ設けられる。
【０１４９】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ２を例に挙げて説明する。
【０１５０】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ２をオンにし、選択スイッチ１３０６、読出スイッチ１３０７及び１３０８をオンする。これにより、Ｓｅｇ２の温度検知素子１３０５が選択状態になる。
【０１５１】
選択スイッチ１３０６がオンになり、温度検知素子１３０５に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子１３０５は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子１３０５の選択スイッチ１３０６側の端子電圧Ｖ２信号は、読出スイッチ１３０７を介して差動増幅器１３１１に入力される。一方、温度検知素子１３０５の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１及び読出スイッチ１３０８を介して差動増幅器１３１１に入力される。
【０１５２】
差動増幅器１３１１は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子１３０５の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、他のセグメントも順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１５３】
以上説明したように実施形態７によれば、独立供給口の配列方向と直交した行方向の梁部に記録素子を配列するとともに、回路を直交した位置関係に配置した場合であっても、選択された温度検知素子の温度情報を他の温度検知素子を介して読み出すことができる。
【０１５４】
以上が本発明の代表的な実施形態の一例であるが、本発明は、上記及び図面に示す実施形態に限定することなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施できるものである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子基板、記録ヘッド及び記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
熱、機械的、磁気又は光（電磁波）エネルギーを発生する駆動素子を複数備えた素子基板（駆動ヘッド）が知られている。素子基板においては、駆動によって生じた現象を直接的又は間接的に検査して駆動制御にフィードバックすることが必要とされる場合がある。
【０００３】
ここで、一例として、このような素子基板が、インクジェット記録ヘッド（以下、記録ヘッドと呼ぶ）に適用された場合について考えてみる。記録ヘッドにおいては、異物によるノズルの目詰まり、インク供給経路内に混入した気泡やノズル表面の濡れ性の変化等により、全体又は一部のノズルで吐出不良が発生する場合がある。このような場合、駆動によって生じた現象として吐出不良の発生したノズルを特定し、画像補完や記録ヘッドの回復作業に反映させる必要がある。
【０００４】
このような技術を実現するため、特許文献１には、電気熱変換する記録素子の各々に絶縁膜を介して薄膜抵抗体で形成される温度検知素子を設け、ノズル毎の温度情報を検出し、その温度変化に基づいて吐出不良のノズルを検査する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−０２３９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
検知素子とそれに付帯する回路とを各々の駆動素子近傍に設ける場合、駆動素子を含めた構造、機能及び性能に影響を与えないようにする必要がある。また、その配置場所には制約もある。例えば、特許文献１に記載された記録ヘッドに温度検知回路を設ける場合には、記録素子とその配線、インク供給路及びノズル構造を変えないようにする必要がある。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、検知素子を配置する際の駆動素子を含めた構造、機能及び性能へ与える影響を抑制できるようにした技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一つの側面は素子基板にかかり、前記素子基板は、それぞれが第１端子および第２端子を有し、互いに並列に配置された第１抵抗素子および第２抵抗素子と、前記第１抵抗素子が通電され、かつ、前記第２抵抗素子が通電されていない状態において、前記第１抵抗素子の第１端子の電圧と、前記第２抵抗素子の第１端子の電圧を検出する検出手段と、を含み、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第１端子は、これらに電流を流す第１ラインに選択的に接続され、前記第１抵抗素子及び第２抵抗素子の第２端子は、これらに電流を流す第２ラインに共通に接続されている、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、検知素子を配置する際の駆動素子を含めた構造、機能及び性能へ与える影響を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】素子基板１０１を配して構成した装置の一例を示す図。
【図２】図１に示す素子基板１０１の結線図。
【図３】各種信号のタイミングの一例を示す図。
【図４】記録装置１０の制御系の構成の一例を示す図。
【図５】実施形態２に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図６】実施形態２に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図７】実施形態２に係わる記録素子基板の結線図。
【図８】実施形態３に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図９】従来構成の一例を示す図。
【図１０】実施形態３に係わる記録素子基板の結線図。
【図１１】実施形態３に係わる記録素子基板の構成の一例を示す図。
【図１２】実施形態４に係わる記録素子基板の結線図。
【図１３】実施形態５に係わる記録素子基板の結線図。
【図１４】実施形態６に係わる記録素子基板の結線図。
【図１５】実施形態７に係わる記録ヘッドの構成の一例を示す図。
【図１６】実施形態７に係わる記録素子基板の結線図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、「記録」とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わない。更に人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かも問わず、広く記録媒体上に画像、模様、パターン、構造物等を形成する、又は媒体の加工を行なう場合も表す。
【００１２】
また、「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、皮革等、インクを受容可能なものも表す。
【００１３】
更に、「インク」とは、上記「記録」の定義と同様広く解釈されるべきものである。従って、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成又は記録媒体の加工、或いはインクの処理（例えば、記録媒体に付与されるインク中の色剤の凝固または不溶化）に供され得る液体を表す。
【００１４】
また更に、「記録素子」（「ノズル」という場合もある）とは、特に断らない限りインク吐出口乃至これに連通する液路及びインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括していうものとする。
【００１５】
図１は、本発明の一実施の形態に係わる素子基板１０１を配して構成した装置の一例を示す図である。
【００１６】
ここで、コントローラ８０は、素子基板（検知回路）１０１に対して各種信号を送信し、素子基板１０１の動作を統括制御する。コントローラ８０から素子基板１０１に対して送られる信号としては、例えば、イネーブル信号（ＥＮ）、ラッチ信号（ＬＴ）、シリアルデータ信号（Ｄ＿Ｄ、Ｄ＿Ｓ）、クロック信号（ＣＬＫ＿Ｄ、ＣＬＫ＿Ｓ）等が挙げられる。
【００１７】
ここで、図２を用いて、図１に示す素子基板１０１の構成の一例について説明する。ここでは、４セグメント分の駆動素子と検知素子とを配した構成を例に挙げて説明する。なお、検知素子は、例えば、上述した特許文献１のように、測温抵抗体を用いた温度検知回路、サーミスタを用いた温度検知回路、熱電対を用いた温度検知回路、Ｃｄｓ（光電効果）を用いた光検知回路などに適用される。検知素子は、上記例示に限られず、２端子素子であり、非選択時に定電流源で生成された定電流が導通された（通電された）としても、直流電圧を通す（すなわち、電圧降下を生じない）構成であれば何でも良い。
【００１８】
素子基板１０１には、複数の検知素子（第１抵抗素子、第２抵抗素子などの抵抗素子）が設けられている。複数の検知素子は、複数の駆動素子（第１駆動素子、第２駆動素子など）それぞれの近傍に対応して設けられている。ここで、Ｓｅｇ１の駆動素子１１５の一方の端子は、駆動素子１１５へ駆動電圧を供給するＶＤの配線（第１ライン）に（並列に）共通接続され、他方の端子は、駆動スイッチ１１６に接続されている。駆動スイッチ１１６の他方の端子は、ＶＤのリターン（回収）先となるＧＮＤ配線（第２ライン）に接続されている。
【００１９】
駆動スイッチ１１６は、駆動素子選択回路１１７に接続されており、当該回路１１７からの選択信号（検知素子の選択を指示する信号）Ｄ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の駆動素子１１５においても、上述したＳｅｇ１と同様の構成が設けられている。
【００２０】
Ｓｅｇ１の検知素子１０２は、一方の端子（第１の端子／第１端子）が定電流源から供給される定電流ＩＳの配線（定電流共通配線）に共通接続されている。他方の端子（第２の端子／第２端子：抵抗体を介して第１の端子の反対側に設けられる端子）は、選択スイッチ１０３及び第２の読出スイッチ１０４に接続されている。選択スイッチ１０３は、検知素子１０２を選択し、検知素子１０２（の抵抗体）に定電流源からの電流を選択的に導通させて検知動作を行なわせる選択ユニットとしての役割を果たす。第２の読出スイッチ１０４は、端子電圧を読み出し、第２の共通配線１１２に入力する役割を果たす。第２の読出スイッチ１０４の他方の端子は、第２の共通配線１１２に接続され、選択スイッチ１０３の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先となるＶＳＳの配線に接続されている。すなわち、選択スイッチ１０３のオン／オフにより検知素子（の抵抗体）へ定電流ＩＳが導通されることになる。なお、定電流源（定電流を生成する生成手段）は、例えば、記録ヘッド制御部２５に設けられている。
【００２１】
検知素子１０２の端子のうち定電流ＩＳの配線に接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ２の検知素子１０６を介して第１の読出スイッチ１０５に接続されている。第１の読出スイッチ１０５の他方の端子は、第１の共通配線１１１に接続されている。第１の読出スイッチ１０５は、端子電圧を読み出し、第１の共通配線１１１に入力する役割を果たす。
【００２２】
Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の検知素子においても、上述したＳｅｇ１と同様に結線されており、検知素子の端子のうち、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する検知素子を介して第１の読出スイッチ１０５に接続されている。なお、Ｓｅｇ４は、回路端部に設けられているため、定電流ＩＳの配線がそのまま第１の読出スイッチ１１０に接続されている。これらＳｅｇ１〜Ｓｅｇ４の選択スイッチ及び読出スイッチは、検知素子選択回路１１４の選択信号Ｓ１〜Ｓ４に従ってオン／オフ制御される。
【００２３】
差動増幅器１１３には、選択された検知素子の端子電圧となるＶ１信号及びＶ２信号が共通配線１１１及び１１２を介して入力される。差動増幅器１１３は、Ｖ１信号及びＶ２信号（２つの端子電圧）を受けて、その電圧差に従った差動信号ＶＳを発生する。この差動信号ＶＳが検知素子の端子間電圧を示す検知情報となる。なお、差動増幅器１１３は、検知素子へ供給される電流が読出スイッチと共通配線１１１及び１１２との経路に流れ込まないように十分に高い入力抵抗としている。つまり、差動増幅器１１３のＶ１、Ｖ２信号の入力部は、ハイインピーダンスに設定されている。
【００２４】
駆動素子選択回路１１７は、４ビットシフトレジスタと２ラインデコーダとを含んで構成されており、２ｘ２時分割駆動する。駆動素子選択回路１１７は、駆動素子をオン／オフする行データとブロックを指定する列データとを受けて選択信号Ｄ１〜Ｄ４を発生する。一方、検知素子選択回路１１４は、４ビットシフトレジスタを含んで構成され、シフトクロックとスタートパルスとを受けて選択信号Ｓ１〜Ｓ４を発生する。
【００２５】
ここで、上述した素子基板１０１における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１の検知素子１０２が選択される場合を例に挙げて説明する。
【００２６】
まず、検知素子選択回路１１４からの選択信号Ｓ１に従って選択スイッチ１０３及び読出スイッチ（１０４、１０５）がオンする。Ｓｅｇ１の検知素子１０２には、選択スイッチ１０３がオンされることにより定電流ＩＳが供給される。このとき、選択スイッチ１０７はオフされている。Ｓｅｇ２の検知素子１０６には、定電流ＩＳは供給されていない。これにより、Ｓｅｇ１の検知素子１０２は、選択状態となり、検知量に応じた端子電圧を発生する。
【００２７】
検知素子１０２の選択スイッチ１０３側の端子電圧Ｖ２信号は、第２の読出スイッチ１０４を介して差動増幅器１１３に入力される。また、検知素子１０２の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号（厳密には、Ｓｅｇ２の検知素子１０６の定電流ＩＳの配線側の端子電圧）は、Ｓｅｇ２の検知素子１０６及び第１の読出スイッチ１０５を介して差動増幅器１１３に入力される。選択スイッチ１０３がオンされることにより、定電流ＩＳがＩＳの端子→ａ→ｂ→ｃ→ＶＳＳの端子と流れた状態である。一方、選択スイッチ１０７がオフされることにより、ａｄ間やｄｅ間には電流は流れていない状態である。それゆえ、位置ａの電圧は、位置ｄの電圧や位置ｅの電圧と等しい。従って、位置ｅの電圧が読出スイッチ１０５を介してＶ１信号として差動増幅器１１３に入力されることは、位置ａの電圧をＶ１信号として差動増幅器１１３に入力されることと等しい。なお、位置ｂの電圧が読出スイッチ１０４を介してＶ２信号として差動増幅器１１３に入力される。
【００２８】
差動増幅器１１３は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて検知素子１０２の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４においても、同様の動作で検知素子が順次選択されて各セグメントの温度情報が読み出される。
【００２９】
次に、図３（ａ）を用いて、コントローラ８０から駆動素子選択回路１１７へ供給される各種信号と、駆動素子選択回路１１７から出力される各種信号とについて説明する。ここでは、Ｓｅｇ１の駆動素子１１５に対応する選択信号Ｄ１を選択した場合について例を挙げて説明する。
【００３０】
コントローラ８０においては、転送クロック信号ＣＬＫ＿Ｄに同期して、２ｂｉｔの行データＤ０及びＤ１と、ブロックデータＢ０及びＢ１とをシリアルデータ信号Ｄ＿Ｄに含めて素子基板１０１側に転送する。素子基板１０１においては、コントローラ８０からラッチ信号ＬＴが転送されてきたタイミングでシリアルデータ信号をラッチに保持する。その直後に、コントローラ８０は、イネーブル信号ＥＮを素子基板１０１側に転送する。これにより、駆動素子１１５へ印加パルスが供給される。
【００３１】
次に、図３（ｂ）を用いて、こうしたデータ転送タイミングのもと、駆動素子を１つずつ順次選択するとともに、それに同期して検知素子を選択するタイミングについて説明する。
【００３２】
まず、コントローラ８０は、タイミングｔ１において、シフトクロック信号ＣＬＫ＿Ｓにシフトクロックと、シリアルデータ信号Ｄ＿Ｓにスタートパルスとを与える。これにより、検知素子選択回路１１４から出力される選択信号Ｓ１をオンする。その結果、Ｓｅｇ１の検知素子１０２が選択状態になる。
【００３３】
タイミングｔ２において、駆動素子選択回路１１７は、選択信号Ｄ１をオンし、Ｓｅｇ１の駆動素子１１５を駆動させる。検知素子１０２は、駆動オン／オフの前後に渡る選択期間で端子電圧Ｖ１信号及びＶ２信号を出力する。これにより、差動増幅器１１３から差動信号ＶＳが出力される。
【００３４】
タイミングｔ３においては、上記同様にして、Ｓｅｇ２の検知素子１０６が選択される。そして、タイミングｔ４において、Ｓｅｇ２の駆動素子が駆動する。これにより、Ｓｅｇ２の検知情報が出力される。以下同様に、Ｓｅｇ３及びＳｅｇ４が順次選択され、全セグメントの検知情報が読み出される。
【００３５】
なお、ここでのＶ１信号及びＶ２信号の波形は、駆動素子を発熱体とし、検知素子を温度検知素子とした場合の波形の一例を示している。この波形は、あくまでも一例であり、駆動素子や検知素子に応じて変化する。
【００３６】
以上説明したように実施形態１によれば、検知素子において、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する検知素子の配線を利用して第１の共通配線１１１に接続される。すなわち、検知素子に設けられる２つの端子の読出配線のうちの一方が不要になる。
【００３７】
これにより、検知素子自体を配線として利用するため、素子基板（検知回路）の構成が簡素化される。また、駆動素子を含めた構造、機能及び性能に影響を与えない又は影響を軽減して、検知素子を基板上に設けることができる。
【００３８】
（実施形態２）
次に、実施形態２について説明する。実施形態２においては、特許文献１で提案されるインクジェット記録ヘッド（以下、単に記録ヘッドと呼ぶ）に対して、上述した素子基板を記録素子基板として適用する場合について説明する。
【００３９】
ここで、まず、図４を用いて、記録装置１０の制御系の構成の一例について説明する。
【００４０】
記録装置１０は、ホスト装置４０と接続されている。ホスト装置４０は、画像データの供給源となるコンピュータ（或いは、画像読取用のリーダやデジタルカメラなど）で実現される。ホスト装置４０と記録装置１０との間では、インタフェース（以下、Ｉ／Ｆと呼ぶ）１１を介して画像データ、コマンド等の授受が行なわれる。
【００４１】
記録装置１０は、インクジェット方式に従ってインクを吐出して記録を行なうインクジェット記録ヘッド（以下、記録ヘッドと呼ぶ）３０１をキャリッジ（不図示）に搭載し、キャリッジを所定方向に往復移動させて記録を行なう。すなわち、記録ヘッドを記録媒体に対して相対移動させながら、記録媒体上に画像を記録する。
【００４２】
ここで、コントローラ部２０は、ＣＰＵ２１と、ＲＯＭ２２と、ＲＡＭ２３と、画像処理部２４と、記録ヘッド制御部２５とを具備して構成される。
【００４３】
ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１は、コントローラ部２０における処理を統括制御する。ＲＯＭ（Read Only Memory）２２は、プログラムや各種データを記憶する。ＲＡＭ（RandomAccess Memory）２３は、ＣＰＵ２１によるプログラムの実行時にワークエリアとして使用され、各種演算結果等を一時的に記憶する。
【００４４】
画像処理部２４は、ホスト装置４０からＩ／Ｆ１１を介して受信した画像データに対して各種画像処理を行なう。
【００４５】
記録ヘッド制御部２５は、記録ヘッド３０１を制御する。記録ヘッド制御部２５は、各種信号を生成し、当該生成した信号を記録ヘッド３０１へ向けて転送する。この信号により、記録ヘッド３０１による時分割駆動を制御する。記録ヘッド３０１へ転送される信号としては、例えば、ヒートイネーブル信号（ＨＥ）、ラッチ信号（ＬＴ）、シリアルデータ信号（Ｄ＿Ｈ、Ｄ＿Ｓ）、クロック信号（ＣＬＫ＿Ｈ、ＣＬＫ＿Ｓ）等が挙げられる。
【００４６】
記録ヘッド３０１は、記録ヘッド制御部２５から転送されてきた信号に基づいて記録ヘッド３０１内の各吐出口からインクを吐出させる。記録ヘッド３０１には、記録素子基板（以下、基板と略す場合もある）３０２が設けられており、当該基板上には、複数のノズル列が配列される。記録ヘッド３０１は、例えば、熱エネルギーを利用してインクを吐出するインクジェット方式により構成される。そのため、記録ヘッド３０１には、ヒータ等で構成される記録素子や、ヒータの駆動制御を行なう制御回路が設けられる。ヒータは、各ノズル（吐出口）に対応して設けられ、記録信号に応じて対応するヒータにパルス電圧が印加される。
【００４７】
次に、図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて、実施形態２に係わる記録ヘッドの構成の一例について説明する。図５（ａ）は、実施形態２に係わる記録ヘッドの斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図である。
【００４８】
記録素子基板３０２には、記録ヘッド３０１の裏面から表面に貫通してインクを供給するインク供給口３０３が形成されている。記録素子基板３０２には、駆動素子として電気熱変換（熱エネルギーを発生）を行なう記録素子３０５と、検知素子として薄膜抵抗体で形成された温度検知素子３０４とが設けられている。
【００４９】
オリフィスプレート３０７上には、記録素子３０５に対応してノズル３０８が設けられている。ノズルＮ０〜Ｎ７は、インク供給口３０３を挟んでノズル配列方向に沿って交互に２列で配置されている。電極端子３０６は、外部配線との接続のために設けられている。
【００５０】
図５（ｂ）に示すように、記録素子３０５及び温度検知素子３０４は、一対を成して設けられており、一対の記録素子３０５及び温度検知素子３０４は、インク供給口３０３を挟んでそれぞれ配置される。オリフィスプレート３０７には、記録素子に対応して、インク供給口３０３と連通した圧力室３０９と、ノズル３０８とが形成されている。
【００５１】
図６は、記録素子基板３０２の平面構成及び断面構成の一例を示す図である。ここでは、ノズルの図示については省略している。
【００５２】
シリコン基板４０１上には、ＳｉＯ２等のフィールド酸化膜４０２と、絶縁膜４０３とが積層されており、その上には、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｔａ等の薄膜抵抗体の温度検知素子４０５と、接続配線するアルミ等のＡＬ１配線４０４とが形成される。更にその上には、ＳｉＯ等の層間絶縁膜４０６が積層されており、ＴａＳｉＮ等の電気熱変換する記録素子４０７と、シリコン基板に形成された駆動回路を接続するアルミ等のＡＬ２配線４０８とが形成される。更にその上には、ＳｉＮ等の保護膜４０９と記録素子上の耐キャビテーション性を高めるＴａ等の耐キャビテーション膜４１０とが積層される。
【００５３】
図６上部に示す平面図には、記録素子４０７及び駆動回路と接続するＡＬ２配線４０８、太線枠で描かれた温度検知素子４０５、温度検知素子４０５の個別配線のＡＬ１配線４０４Ａ及び共通配線のＡＬ１配線４０４Ｂが示されている。ここでの温度検知素子４０５の形状は、蛇行形状となっている。これは、抵抗値を大きくして検出信号を大きくすることで温度情報を精度良く検出できるようにするためである。温度検知素子４０５は、ＡＬ１配線層において、成膜、パターニングすることで従来の記録素子基板の構造を変えることなく作製される。
【００５４】
図７は、記録素子基板３０２の構成の一例を示す図である。ここでは、４セグメントの２列の記録素子と温度検知素子とを配した構成を例に挙げて説明する。なお、回路とインク供給口との配置関係が分かるように、インク供給口５１５も図示している。
【００５５】
Ｓｅｇ０の記録素子５１３の一方の端子は、記録素子５１３へ駆動電圧を供給するＶＨ＿Ｅの配線に接続され、他方の端子は、駆動スイッチ５１４に接続されている。駆動スイッチ５１４の他方の端子は、ＶＨ＿Ｅのリターン先であるＧＮＤ＿Ｅ配線に接続されている。駆動スイッチ５１４は、記録素子選択回路（不図示）の選択信号Ｈ０に従ってオン／オフ制御される。以下、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６も、上記Ｓｅｇ０同様に結線されている。また、Ｓｅｇ０、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６とインク供給口５１５を挟んで対向する位置に設けられているＳｅｇ１〜Ｓｅｇ７も、上記同様に結線されている。
【００５６】
Ｓｅｇ０の温度検知素子５０１の一方の端子は、温度検知素子５０１に給電を行なう定電流ＩＳの配線で共通接続されている。他方の端子は、選択スイッチ５０２及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ５０３に接続されている。第２の読出スイッチ５０３の他方の端子は、第２の共通配線５１１に接続されている。
【００５７】
選択スイッチ５０２の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。温度検知素子５０１に設けられる端子のうち、定電流ＩＳの配線に接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ２の温度検知素子５０５を介して第１の読出スイッチ５０４に接続されている。第１の読出スイッチ５０４の他方の端子は、第１の共通配線５１０に接続されている。Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６の温度検知素子にも、上記Ｓｅｇ０同様に結線されている。
【００５８】
このように温度検知素子の端子のうち、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する温度検知素子を介して第１の読出スイッチに接続されている。なお、Ｓｅｇ６は、回路端部に設けられているため、定電流ＩＳの配線がそのまま読出スイッチ５０９に接続されている。これにより、Ｓｅｇ６の温度検知素子の一方の端子は、共通配線５１０に接続されることになる。
【００５９】
共通配線５１０及び５１１は、差動増幅器５１２に接続されている。Ｓｅｇ０〜Ｓｅｇ６の選択スイッチ及び読出スイッチは、温度検知素子選択回路（不図示）の選択信号Ｓ０〜Ｓ６に従ってオン／オフ制御される。また、インク供給口５１５を挟んで対向するＳｅｇ１〜Ｓｅｇ７においても、上記同様に結線されている。
【００６０】
なお、記録素子基板３０２には、記録素子選択回路や温度検知素子選択回路も設けられているが、これら回路は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７及び検知素子選択回路１１４と構成や動作が同様である。そのため、ここでは、図示や詳細な説明については省略している。
【００６１】
次に、上述した記録素子基板３０２における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ０を例に挙げて説明する。
【００６２】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ０をオンにし、選択スイッチ５０２、読出スイッチ５０３及び５０４をオンする。これにより、Ｓｅｇ０の温度検知素子５０１が選択状態になる。
【００６３】
選択スイッチ５０２がオンになり、温度検知素子５０１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子５０１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子５０１の選択スイッチ５０２側の端子電圧Ｖ２信号は、第２の読出スイッチ５０３を介して差動増幅器５１２に入力される。一方、温度検知素子５０１の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ２の温度検知素子５０５及び第１の読出スイッチ５０４を介して差動増幅器５１２に入力される。
【００６４】
差動増幅器５１２は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子５０１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。また、Ｓｅｇ１〜Ｓｅｇ７も同様の動作で温度情報が読み出される。なお、複数の駆動素子における時分割駆動は、Ｓｅｇ０、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ６を単位としたグループと、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ３、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ７を単位としたグループとでそれぞれ行なわれる。
【００６５】
以上説明したように実施形態２によれば、温度検知素子５０１において、定電流ＩＳの配線で共通接続された端子は、隣接する温度検知素子を利用して第１の共通配線５１０に接続される。すなわち、温度検知素子に設けられる２つの端子の読出配線のうちの一方が不要になる。
【００６６】
これにより、温度検知素子自体を配線として利用するため、記録素子基板の構成が簡素化される。また、記録素子を含めた構造、機能及び性能に影響を与えない又は影響を軽減して、温度検知素子を設けることができる。
【００６７】
（実施形態３）
次に、実施形態３について説明する。実施形態３においては、特開２０１０−２０１９２１号公報で提案される流路構造を有する記録ヘッドに対して、上述した温度検知回路を記録素子基板として適用する場合について説明する。
【００６８】
ここで、特開２０１０−２０１９２１号公報には、吐出口に対してインク流路が対称的に配置されている。また、複数の独立供給口に挟まれたインク流路で吐出周波数を高め、更に吐出口間の圧力クロストークを軽減して安定吐出する構成について示されている。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【００６９】
ここで、まず、図８（ａ）〜図８（ｃ）を用いて、実施形態３に係わる記録ヘッドの構成の一例について説明する。図８（ａ）は、実施形態３に係わる記録ヘッドの斜視図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図であり図８（ｃ）は、図８（ａ）に示すＢ−Ｂ’の断面構成の一例を示す図である。
【００７０】
記録ヘッド６０１の内部には、共通供給口６０３が形成されており、複数の独立供給口６０４は、この共通供給口６０３を介してインクの供給を受ける。複数の独立供給口６０４は、記録素子基板６０２上に形成されており、電気熱変換を行なう駆動素子である記録素子６０６と、検知素子である薄膜抵抗体で形成された温度検知素子６０５とが設けられている。電極端子６０７は、外部配線との接続のために設けられている。
【００７１】
図８（ｃ）に示すように、記録素子６０６及び温度検知素子６０５は、一対を成して独立供給口の間の梁部に配置されている。オリフィスプレート６０８には、記録素子に対応して、独立供給口６０４と連通した圧力室６１１と、ノズル６０９とが形成されている。
【００７２】
記録ヘッド６０１の内部には、記録素子基板６０２に形成された共通供給口６０３と、独立供給口６０４と、オリフィスプレート６０８の液室６１０とが連通したインク供給路が形成されている。
【００７３】
ここで、実施形態３に係わる温度検知回路の比較例として、従来の温度検知回路の構成の一例について説明する。
【００７４】
図９（ａ）には、記録素子と温度検知素子とを配した温度検知回路の構成の一例が示される。ここでは、回路と独立供給口との配置関係が分かるように、独立供給口８１１及び８１２も図示している。
【００７５】
記録素子８０９は、独立供給口８１１及び８１２の間の梁部に配置されている。記録素子８０９の一方の端子は、ＶＨの配線に接続され、他方の端子は、駆動スイッチ８１０に接続されている。駆動スイッチ８１０の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ配線に接続されている。駆動スイッチ８１０は、記録素子選択回路（不図示）の選択信号Ｈに従ってオン／オフ制御される。
【００７６】
温度検知素子８０１の一方の端子は、温度検知素子８０１に給電を行なう定電流ＩＳの配線に共通接続されるとともに、また、端子電圧を読み出す第１の読出スイッチ８０４に接続されている。温度検知素子８０１の他方の端子は、選択スイッチ８０２及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ８０３に接続されている。
【００７７】
読出スイッチ８０４の他方の端子は、独立供給口８１１及び８１２を跨ぐ配線８０５を介して第１の共通配線８０７に接続されている。読出スイッチ８０３の他方の端子は、第２の共通配線８０８に接続されている。
【００７８】
共通配線８０７及び８０８は、差動増幅器（不図示）に接続されている。なお、共通配線８０７及び８０８は、他配線との間での静電結合や誘導結合による同相雑音が重畳されても差動増幅器によりキャンセルされるように隣接して平行配線されている。温度検知素子をオン／オフ制御する選択信号Ｓの配線８０６は、選択スイッチ８０２、読出スイッチ８０３、及び読出スイッチ８０４に接続されている。
【００７９】
ここで、図９（ｂ）は、独立供給口８１１及び８１２の周りに配置された記録素子８０９及び温度検知素子８０１の回路構成の一例を示す図である。ここでは、ポリシリコン等のＰＯＬ配線、アルミ等のＡＬ１配線及びＡＬ２配線の３つの配線層が配置され、また、スイッチをＭＯＳトランジスタとした場合のレイアウトの一例を示す。
【００８０】
記録素子８０９は、一方の端子がＡＬ２配線でＶＨに接続されている。記録素子８０９の他方の端子は、ＡＬ２配線及びスルーホールＴＨを介して駆動スイッチ８１０のドレイン電極のＡＬ１配線に接続されている。駆動スイッチ８１０のソース電極のＡＬ１配線は、スルーホールＴＨを介してＡＬ２配線のＧＮＤ配線に接続され、ゲート電極のＰＯＬ配線は、選択信号Ｈに接続されている。
【００８１】
温度検知素子８０１の一方の端子は、定電流ＩＳのＡＬ１配線及び第１の読出スイッチ８０４のソース電極となるＡＬ１配線に接続されている。温度検知素子８０１の他方の端子は、ＡＬ１配線で選択スイッチ８０２のドレイン電極となるＡＬ１配線及び第２の読出スイッチ８０３のソース電極となるＡＬ１配線に接続されている。
【００８２】
選択スイッチ８０２のソース電極のＡＬ１配線は、ＡＬ１配線のＶＳＳと接続されている。第１の読出スイッチ８０４のドレイン電極は、ＡＬ１配線８０５で独立供給口間の梁部を跨いでコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第１の共通配線Ｖ１に接続されている。
【００８３】
第２の読出スイッチ８０３のドレイン電極は、ＡＬ１配線からコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第２の共通配線Ｖ２に接続されている。読出スイッチ８０３及び８０４のゲート電極のＰＯＬ配線は、独立供給口間の梁部を跨いで配線されている。この配線は、選択スイッチ８０２のゲート電極に接続されており、温度検知素子を選択するための選択信号Ｓが転送される。
【００８４】
図９（ｃ）は、図９（ｂ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図である。すなわち、供給口縁Ｅから記録素子８０９の中心Ｃにかけての記録素子基板の断面を示す図である。
【００８５】
シリコン基板８１３上に酸化膜が設けられている。その上には、第１配線層ＰＯＬのポリシリコン配線８０６、絶縁層、第２配線層ＡＬ１のアルミ配線８０５及び温度検知素子８０１が形成されている。更にその上には、絶縁層、記録素子８０９、絶縁層、耐キャビテーション層が形成されている。なお、耐キャビテーション層の上には、不図示ではあるが、ノズル材で流路が形成されている。記録素子８０９と独立供給口縁Ｅとの間には、配線領域Ｍが設けられており、この配線領域Ｍには、ＡＬ１配線８０５及びＰＯＬ配線８０６があり、独立供給口８１１及び８１２を跨いで配線される。
【００８６】
ここで、上述した従来の構成においては、ＡＬ１配線８０５及びＰＯＬ配線８０６は、独立供給口８１１及び８１２を跨ぐ必要がある。そのため、配線領域Ｍが必要となり、独立供給口縁Ｅから記録素子８０９の中心Ｃにかけての流路長Ｌがこの分長くなってしまう。
【００８７】
このように流路長が長くなってしまうと、特開２０１０−２０１９２１号公報で述べられている吐出周波数を高める効果が妨げられ、また、ノズル間の間隔も広がり、解像度アップに制約が生じてしまう。解像度を維持する場合は、ノズル列方向の供給口幅を小さく必要があるので、流抵抗を等価にするために供給口の長さ方向を増やさなければならず、記録素子基板が大きくなってしまう。
【００８８】
ここで、上述した従来構成の課題を解決するための構成について説明する。すなわち、実施形態３に係わる構成について説明する。まず、図１０を用いて、記録素子基板７０１の結線図の一例について説明する。ここでは、４セグメント分の記録素子と温度検知素子とを配した構成を例に挙げて説明する。なお、回路と独立供給口の配置関係が分かるように独立供給口７１８及び７１９も図示している。
【００８９】
Ｓｅｇ１の記録素子７１５は、独立供給口７１８及び７１９の間の梁部に配置されている。Ｓｅｇ１の記録素子７１５の一方の端子は、記録素子７１５に電圧を供給するＶＨの配線に接続されており、他方の端子は、駆動スイッチ７１６に接続されている。駆動スイッチ７１６の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ配線に接続されている。
【００９０】
駆動スイッチ７１６は、記録素子選択回路７１７の選択信号Ｈ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。記録素子選択回路７１７は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７と同様の機能を果たすため、ここではその詳細な説明については省略する。
【００９１】
Ｓｅｇ１の温度検知素子７０２の一方の端子は、温度検知素子７０２へ供給される定電流ＩＳの配線で共通接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子７０２の他方の端子は、選択スイッチ７０３及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ７０４に接続されている。第２の読出スイッチ７０４の他方の端子は、第２の共通配線７１２に接続されている。また、選択スイッチ７０３の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。温度検知素子７０２の定電流ＩＳの配線に接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ２の温度検知素子７０６を介して第１の読出スイッチ７０５に接続されている。第１の読出スイッチ７０５の他方の端子は、第１の共通配線７１１に接続されている。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。
【００９２】
このように温度検知素子のうち、定電流ＩＳの配線で共通接続されている端子は、隣接する温度検知素子を介して第１の読出スイッチに接続されている。なお、Ｓｅｇ４は、回路端部に設けられているため、定電流ＩＳの配線がそのまま読出スイッチ７１０に結線されている。これにより、Ｓｅｇ４の温度検知素子の一方の端子は、共通配線７１１に接続されることになる。
【００９３】
共通配線７１１及び７１２は、差動増幅器７１３に接続されている。Ｓｅｇ１〜Ｓｅｇ４の選択スイッチ及び読出スイッチは、温度検知素子選択回路７１４から出力される選択信号Ｓ１〜Ｓ４に従ってオン／オフ制御される。温度検知素子選択回路７１４は、実施形態１で説明した検知素子選択回路１１４と同様の機能を果たすため、ここではその詳細な説明については省略する。
【００９４】
図１１（ａ）は、図１０の領域Ａに示す回路のレイアウトの一例を示す図である。すなわち、独立供給口７１９の周りに配置された記録素子７１５及び温度検知素子７０２の回路構成のレイアウトの一例を示す。ここでは、ポリシリコン等のＰＯＬ配線、アルミ等のＡＬ１配線及びＡＬ２配線の３つの配線層が配置され、また、スイッチをＭＯＳトランジスタとした場合のレイアウトの一例を示す。
【００９５】
記録素子７１５は、一方の端子がＡＬ２配線でＶＨの配線に接続されている。記録素子７１５の他方の端子は、ＡＬ２配線及びスルーホールＴＨを介して駆動スイッチ７１６のドレイン電極のＡＬ１配線に接続されている。駆動スイッチ７１６のソース電極のＡＬ１配線は、スルーホールＴＨを介してＡＬ２配線のＧＮＤ配線と接続され、ゲート電極のＰＯＬ配線は、記録素子選択回路７１７の選択信号Ｈ１と接続されている。
【００９６】
温度検知素子７０２は、一方の端子が定電流ＩＳのＡＬ１配線で共通接続されている。温度検知素子７０２の他方は、ＡＬ１配線で選択スイッチ７０３のドレイン電極のＡＬ１配線と、第２の読出スイッチ７０４のソース電極となるＡＬ１配線とに接続されている。選択スイッチ７０３のソース電極のＡＬ１配線は、ＡＬ１配線のＶＳＳ配線と接続されている。第２の読出スイッチ７０４のドレイン電極は、ＡＬ１配線からコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第２の共通配線Ｖ２に接続されている。
【００９７】
温度検知素子７０２の端子のうち、定電流ＩＳのＡＬ１配線に接続された端子は、定電流ＩＳのＡＬ１配線及びＳｅｇ２の温度検知素子７０６を介したＡＬ１配線で、第１の読出スイッチ７０５のソース電極に接続されている。読出スイッチ７０５のドレイン電極は、ＡＬ１配線からコンタクトＣＮＴを介してＰＯＬ配線に接続されている。また、コンタクトＣＮＴを介してＡＬ１配線の第１の共通配線Ｖ１に接続されている。
【００９８】
図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図である。すなわち独立供給口縁Ｅから記録素子７１５の中心Ｃにかけての記録素子基板７０１の断面を示す図である。
【００９９】
上述した図９（ｃ）に示す従来構成と比べると、図１１（ｂ）に示す構成では、記録素子７１５と温度検知素子７０２とがレイアウトされるだけとなり、温度検知回路に関わる配線領域Ｍは不要となる。その結果、流路長Ｌを延長する必要がなくなる。
【０１００】
次に、図１０、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）で説明した実施形態３に係わる記録素子基板７０１における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１０１】
まず、温度検知素子選択回路７１４は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ７０３、読出スイッチ７０４及び７０５をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子７０２が選択状態になる。
【０１０２】
選択スイッチ７０３がオンになり、温度検知素子７０２に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子７０２は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子７０２の選択スイッチ７０３側の端子電圧Ｖ２信号は、読出スイッチ７０４を介して差動増幅器７１３に入力される。一方、温度検知素子７０２の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ２の温度検知素子７０６及び読出スイッチ７０５を介して差動増幅器７１３に入力される。
【０１０３】
差動増幅器７１３は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子７０２の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。なお、記録素子選択回路７１７及び温度検知素子選択回路７１４は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７及び検知素子選択回路１１４と同様の構成や動作を行なうため、ここでは、その説明については省略する。
【０１０４】
以上説明したように実施形態３によれば、温度検知素子において、定電流ＩＳの配線で共通接続された端子は、隣接する温度検知素子を配線として利用して第１の共通配線に接続される。そのため、独立供給口を跨ぐ配線がなくなる。その結果として、流路長や独立供給口の流路領域に影響を与えずに、温度検知回路を設けることができる。
【０１０５】
（実施形態４）
次に、実施形態４について説明する。上述した実施形態１〜３においては、隣接する温度検知素子を介して温度検知素子の結線を行なう場合について説明したが、これに限られない。例えば、２セグメント以上隔てた温度検知素子を介した結線も可能である。すなわち、選択スイッチにより選択された検知素子以外の検知素子であれば、いずれかの検知素子を介して温度検知素子の結線を行なっても良い。ここでは、その一例として、２つ隣の温度検知素子を介した結線構成の一例について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１０６】
図１２は、実施形態４に係わる記録素子基板の結線図の一例を示す。ここでは、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口９２０及び９２１も図示している。
【０１０７】
Ｓｅｇ１の温度検知素子９０１の一方の端子は、温度検知素子に給電する定電流ＩＳの配線で共通接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子９０１の他方の端子は、選択スイッチ９０２及び端子電圧を読み出す第２の読出スイッチ９０３に接続され、読出スイッチ９０３の他方の端子は、第２の共通配線９１４に接続されている。選択スイッチ９０２の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。
【０１０８】
温度検知素子９０１の共通接続された端子は、定電流ＩＳの配線及びＳｅｇ３の温度検知素子９１０を介して第１の読出スイッチ９０８に接続され、第１の読出スイッチ９０８の他方の端子は、第１の共通配線９１３に接続されている。
【０１０９】
共通配線９１３及び９１４は、差動増幅器９１５に接続されている。温度検知素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｓ１は、選択スイッチ９０２、第２の読出スイッチ９０３、及び第１の読出スイッチ９０８に供給される。
【０１１０】
Ｓｅｇ２の温度検知素子９０５も、上記Ｓｅｇ１同様に、２つ隣りのＳｅｇ４の温度検知素子９１１を介して第１の読出スイッチ９０９に接続されている。Ｓｅｇ３の温度検知素子９１０においては、定電流ＩＳの配線がそのまま第１の読出スイッチ９１２に接続されている。これにより、Ｓｅｇ３の温度検知素子９１０の一方の端子は、第１の共通配線９１３に接続されている。Ｓｅｇ４の温度検知素子９１１においては、Ｓｅｇ２の温度検知素子９０５を介して第１の読出スイッチ９０４に接続されている。これにより、Ｓｅｇ４の温度検知素子９１１の一方の端子は、第１の共通配線９１３に接続されている。
【０１１１】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１１２】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ９０２、読出スイッチ９０３及び９０８をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子９０１が選択状態になる。
【０１１３】
選択スイッチ９０２がオンになり、温度検知素子９０１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子９０１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子９０１の選択スイッチ９０２側の端子電圧Ｖ２信号は、第２の読出スイッチ９０３を介して差動増幅器９１５に入力される。一方、温度検知素子９０１の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ３の温度検知素子９１０及び第１の読出スイッチ９０８を介して差動増幅器９１５に入力される。
【０１１４】
差動増幅器９１５は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子９０１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１１５】
以上説明したように実施形態４によれば、選択信号Ｓ１〜Ｓ４の読出スイッチへの結線を変えることにより、隔たった温度検知素子を介して選択された温度検知素子の温度情報を読み出すことができる。これにより、２セグメント以上隔てた温度検知素子を介して第１の共通配線に接続するような構成にした場合であっても、上述した実施形態１〜３同様の効果が得られる。
【０１１６】
（実施形態５）
次に、実施形態５について説明する。上述した実施形態１〜４においては、１つの温度検知素子を介して温度検知素子の結線を行なう場合について説明したが、これに限られない。ここでは、その構成の一例として、図１３に示す構成について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１１７】
図１３は、実施形態５に係わる記録素子基板の結線図の一例を示す。ここでは、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口１０１３及び１０１４も図示している。
【０１１８】
Ｓｅｇ１の温度検知素子１００１の一方の端子（第１の端子）は、温度検知素子１００１に電流を供給する定電流ＩＳの配線に接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子１００１の他方の端子（第２の端子）は、選択スイッチ１００２及び端子電圧を読み出す読出スイッチ１００３に接続されている。読出スイッチ１００３の他方の端子は、第２の共通配線１００９に接続されている。選択スイッチ１００２の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続されている。
【０１１９】
温度検知素子１００１の定電流ＩＳの配線に共通接続された端子は、定電流ＩＳの配線と配線１００７（すなわち、他の全ての温度検知素子）とを介して第１の共通配線１００８に接続されている。共通配線１００８及び１００９は、差動増幅器１０１０に接続されている。
【０１２０】
温度検知素子選択回路（不図示）から選択信号Ｓ１が出力されると、選択スイッチ１００２及び読出スイッチ１００３がオンされる。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子も、上記Ｓｅｇ１と同様にして結線される。
【０１２１】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１２２】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ１００２、読出スイッチ１００３をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子１００１が選択状態になる。
【０１２３】
選択スイッチ１００２がオンになり、温度検知素子１００１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子１００１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子１００１の選択スイッチ１００２側の端子電圧Ｖ２信号は、読出スイッチ１００３を介して差動増幅器１０１０に入力される。一方、温度検知素子１００１の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子を介して差動増幅器１０１０に入力される。差動増幅器１０１０は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子１００１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１２４】
以上説明したように実施形態５によれば、各温度検知素子の一方の端子を第１の共通配線１００８に直接接続する。これにより、温度検知素子に設けられる２つの端子の読出配線のうちの一方の個別配線が不要になる。
【０１２５】
（実施形態６）
次に、実施形態６について説明する。実施形態６においては、複数の温度検知素子を直列に接続する結線構成について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１２６】
図１４は、２列の独立供給口に挟まれる梁部に記録素子と温度検知素子とを配置した記録素子基板の結線図の一例を示す。ここでは、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口１１１４及び１１１５も図示している。
【０１２７】
Ｓｅｇ１の記録素子１１１２は、独立供給口１１１４及び１１１５の間の梁部に配置されている。Ｓｅｇ１の記録素子１１１２の一方の端子は、記録素子１１１２に電圧を供給するＶＨの配線に接続され、Ｓｅｇ１の記録素子１１１２の他方の端子は、駆動スイッチ１１１３に接続されている。駆動スイッチ１１１３の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ配線に接続されている。駆動スイッチ１１１３は、記録素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｈ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。
【０１２８】
Ｓｅｇ１の温度検知素子１１０１の一方の端子（第１の端子）は、温度検知素子１１０１に供給される定電流ＩＳの（上流側の）配線及び読出スイッチ１１０５に接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子１１０１の他方の端子（第２の端子）は、定電流ＩＳの（下流側の）配線に接続されるとともに、Ｓｅｇ１の選択スイッチ１１０３、Ｓｅｇ２の温度検知素子１１０６、及びＳｅｇ２の読出スイッチ１１０４に接続されている。選択スイッチ１１０３の他方の端子は、定電流ＩＳのリターン先であるＶＳＳの配線に接続され、読出スイッチ１１０５及び１１０４の他方の端子は、第１の共通配線１１０９に接続されている。
【０１２９】
Ｓｅｇ１〜Ｓｅｇ４の温度検知素子が直列に接続されており、終端となるＳｅｇ４の温度検知素子の一方の端子及び第１の共通配線１１０９は、差動増幅器１１１１に接続されている。また、Ｓｅｇ１及びＳｅｇ２の間には、分岐点１１０２が設けられており、これと同様に、Ｓｅｇ２及びＳｅｇ３、Ｓｅｇ３及びＳｅｇ４においても、分岐点が設けられている。読出スイッチ１１０４は、各分岐点からＶＳＳの配線までの経路上に設けられている。
【０１３０】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ１を例に挙げて説明する。
【０１３１】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ１をオンにし、選択スイッチ１１０３、読出スイッチ１１０５をオンする。これにより、Ｓｅｇ１の温度検知素子１１０１が選択状態になる。
【０１３２】
選択スイッチ１１０３がオンになり、温度検知素子１１０１に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子１１０１は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子１１０１の読出スイッチ１１０５側の端子電圧Ｖ１信号は、読出スイッチ１１０５を介して差動増幅器１１１１に入力される。一方、温度検知素子１１０１における分岐点１１０２側の端子電圧Ｖ２信号は、直列接続されたＳｅｇ２〜Ｓｅｇ４の温度検知素子及び配線１１１０を介して差動増幅器１１１１に入力される。
【０１３３】
差動増幅器１１１１は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子１１０１の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下、Ｓｅｇ２〜Ｓｅｇ４も順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１３４】
以上説明したように実施形態６によれば、温度検知素子列の直接接続の分岐各々の端子電圧と、温度検知素子列の終端（最下流側）の端子電圧とを読み出す。これにより、選択された温度検知素子の温度情報を複数の他の温度検知素子を介して読み出すことができる。
【０１３５】
（実施形態７）
次に、実施形態７について説明する。上述した実施形態３〜６において、独立供給口の配列方向と平行した列方向の梁部に記録素子を配列するとともに、それに平行して回路を配置する場合について説明した。
【０１３６】
これに対して、実施形態７においては、独立供給口の配列方向と直交した行方向の梁部に記録素子を配列し、また、回路も直交した位置関係に配置する場合について説明する。なお、記録装置１０の制御系の構成は、実施形態２で説明した図４と同様となるため、その説明については省略する。
【０１３７】
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）を用いて、実施形態７に係わる記録ヘッドの構成の一例について説明する。図１５（ａ）は、実施形態７に係わる記録ヘッドの斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示すＡ−Ａ’の断面構成の一例を示す図であり図１５（ｃ）は、図１５（ａ）に示すＢ−Ｂ’の断面構成の一例を示す図である。
【０１３８】
記録ヘッド１２０１の内部には、共通供給口１２０３が形成されている。記録素子基板１２０２には、複数の独立供給口１２０４が共通供給口１２０３に連通されるように形成されている。
【０１３９】
記録素子基板１２０２には、一対を成して記録素子１２０６と温度検知素子１２０５とが設けられている。一対の記録素子１２０６及び温度検知素子１２０５は、独立供給口と独立供給口との間の梁部に配置されている。オリフィスプレート１２０８には、記録素子に対応するように、独立供給口１２０４と連通した圧力室１２１１と、ノズル１２０９が形成されている。この場合、オリフィスプレート１２０８には、Ｎ１〜Ｎ４及びＮ５〜Ｎ８の２行×４列のノズルが配列されている。電極端子１２０７は、外部配線に接続されている。
【０１４０】
図１５（ｂ）に示すように、記録素子基板１２０２には、共通供給口１２０３と、独立供給口１２０４と、オリフィスプレート１２０８の液室１２１０とが連通したインク供給路が形成される。
【０１４１】
ここで、図１６を用いて、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示す記録素子基板１２０２の結線図の一例について説明する。ここでは、８セグメント分の記録素子と温度検知素子とを配した構成を例を挙げて説明する。なお、回路と独立供給口の配置関係が分かるように、独立供給口１３１４及び１３１５も図示している。
【０１４２】
Ｓｅｇ１の記録素子１３１２は、独立供給口１３１４及び１３１５の間の梁部に配置されている。Ｓｅｇ１の記録素子１３１２の一方の端子は、記録素子１３１２へ駆動電圧を供給するＶＨの配線に接続され、Ｓｅｇ１の記録素子１３１２の他方の端子は、駆動スイッチ１３１３に接続されている。駆動スイッチ１３１３の他方の端子は、ＶＨのリターン先であるＧＮＤ１配線に接続されている。
【０１４３】
駆動スイッチ１３１３は、記録素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｈ１に従ってオン／オフ制御される。Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６も、上記Ｓｅｇ１同様に結線されている。Ｓｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８は、中央の独立供給口を挟んで対向に配置されている。これらセグメントも、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６側と同様に結線されている。なお、記録素子選択回路（不図示）は、実施形態１で説明した駆動素子選択回路１１７と同様の役割を果たし、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６側とＳｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８側とに個別にそれぞれ設けられる。
【０１４４】
Ｓｅｇ２の温度検知素子１３０５の一方の端子は、温度検知素子１３０５に供給される定電流ＩＳの配線で共通接続される。Ｓｅｇ２の温度検知素子１３０５の他方の端子は、選択スイッチ１３０６及び第２の読出スイッチ１３０７に接続され、読出スイッチ１３０７の他方の端子は、第２の共通配線１３１０に接続されている。
【０１４５】
第１の読出スイッチ１３０８の一方の端子は、Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１を介して定電流ＩＳの配線に接続され、第１の読出スイッチ１３０８の他方の端子は、第１の共通配線１３０９に接続されている。
【０１４６】
Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１は、一方の端子が温度検知素子に電流を供給する定電流ＩＳの配線に接続されるとともに、読出スイッチ１３０４に接続される。これにより、読出スイッチ１３０４を介して第１の共通配線１３０９に接続されている。Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１の他方の端子は、選択スイッチ１３０２及び読出スイッチ１３０３に接続され、読出スイッチ１３０３の他方の端子は、第２の共通配線１３１０に接続されている。共通配線１３０９及び１３１０は、差動増幅器１３１１に接続されている。
【０１４７】
温度検知素子選択回路（不図示）から出力される選択信号Ｓ２は、選択スイッチ１３０６、読出スイッチ１３０７及び１３０８に供給される。２行目のＳｅｇ５、Ｓｅｇ６も同様に結線されている。対向する位置に配置されたＳｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８も、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６と同様に結線されている。
【０１４８】
なお、温度検知素子選択回路（不図示）は、実施形態１で説明した検知素子選択回路１１４と同様の役割を果たし、Ｓｅｇ１、Ｓｅｇ２、Ｓｅｇ５、Ｓｅｇ６側とＳｅｇ３、Ｓｅｇ４、Ｓｅｇ７、Ｓｅｇ８側とに個別にそれぞれ設けられる。
【０１４９】
次に、上述した記録素子基板における動作について説明する。ここでは、Ｓｅｇ２を例に挙げて説明する。
【０１５０】
まず、温度検知素子選択回路（不図示）は、選択信号Ｓ２をオンにし、選択スイッチ１３０６、読出スイッチ１３０７及び１３０８をオンする。これにより、Ｓｅｇ２の温度検知素子１３０５が選択状態になる。
【０１５１】
選択スイッチ１３０６がオンになり、温度検知素子１３０５に定電流ＩＳが供給されると、温度検知素子１３０５は、温度に応じた端子電圧を出力する。温度検知素子１３０５の選択スイッチ１３０６側の端子電圧Ｖ２信号は、読出スイッチ１３０７を介して差動増幅器１３１１に入力される。一方、温度検知素子１３０５の定電流ＩＳの配線側の端子電圧Ｖ１信号は、Ｓｅｇ１の温度検知素子１３０１及び読出スイッチ１３０８を介して差動増幅器１３１１に入力される。
【０１５２】
差動増幅器１３１１は、Ｖ１信号及びＶ２信号を受けて温度検知素子１３０５の端子間電圧となる差動信号ＶＳを出力する。以下同様に、他のセグメントも順次選択され、各セグメントの検知情報（温度情報）が読み出される。
【０１５３】
以上説明したように実施形態７によれば、独立供給口の配列方向と直交した行方向の梁部に記録素子を配列するとともに、回路を直交した位置関係に配置した場合であっても、選択された温度検知素子の温度情報を他の温度検知素子を介して読み出すことができる。
【０１５４】
以上が本発明の代表的な実施形態の一例であるが、本発明は、上記及び図面に示す実施形態に限定することなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施できるものである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが第１端子および第２端子を有し、互いに並列に配置された第１抵抗素子および第２抵抗素子と、
前記第１抵抗素子が通電され、かつ、前記第２抵抗素子が通電されていない状態において、前記第１抵抗素子の前記第１端子の電圧および前記第２抵抗素子の前記第１端子の電圧を検出する検出手段と、
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子に電流を流すための第１ラインおよび第２ラインと、を含み、
前記第１抵抗素子の前記第１端子および前記第２抵抗素子の前記第１端子は、前記第１ラインに選択的に接続され、前記第１抵抗素子の前記第２端子および前記第２抵抗素子の前記第２端子は、前記第２ラインに共通に接続されている、
ことを特徴とする素子基板。
【請求項２】
前記第２抵抗素子に通電するための電流の経路の長さは、前記第１抵抗素子に通電するための電流の経路の長さよりも長い、
ことを特徴とする請求項１に記載の素子基板。
【請求項３】
前記第２抵抗素子に通電するための前記第１ラインの長さおよび前記第２ラインの長さの和は、前記第１抵抗素子に通電するための前記第１ラインの長さおよび前記第２ラインの長さの和よりも長い、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の素子基板。
【請求項４】
前記第１抵抗素子に対応して設けられた第１駆動素子と、前記第２抵抗素子に対応して設けられた第２駆動素子と、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項５】
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子は定電流が供給されて通電される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項６】
前記定電流を供給する抵抗素子として、前記第１抵抗素子および第２抵抗素子のいずれか１つを選択する選択ユニットを、さらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項７】
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子に対応して設けられ、前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子の通電された状態と通電されていない状態とを切り替えるためのスイッチを、さらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項８】
前記検出手段は、前記第１端子の電圧を入力するための入力部を有し、前記入力部の入力抵抗は、前記入力部に電流が流れ込まないように設定されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の素子基板と、
インクを吐出するノズルと、を有する、
ことを特徴とする記録ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の記録ヘッドと、
前記記録ヘッドに供給する定電流を生成する生成手段と、
前記素子基板の動作を制御する制御手段と、を具備する、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項１】
それぞれが第１端子および第２端子を有し、互いに並列に配置された第１抵抗素子および第２抵抗素子と、
前記第１抵抗素子が通電され、かつ、前記第２抵抗素子が通電されていない状態において、前記第１抵抗素子の前記第１端子の電圧および前記第２抵抗素子の前記第１端子の電圧を検出する検出手段と、
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子に電流を流すための第１ラインおよび第２ラインと、を含み、
前記第１抵抗素子の前記第１端子および前記第２抵抗素子の前記第１端子は、前記第１ラインに選択的に接続され、前記第１抵抗素子の前記第２端子および前記第２抵抗素子の前記第２端子は、前記第２ラインに共通に接続されている、
ことを特徴とする素子基板。
【請求項２】
前記第２抵抗素子に通電するための電流の経路の長さは、前記第１抵抗素子に通電するための電流の経路の長さよりも長い、
ことを特徴とする請求項１に記載の素子基板。
【請求項３】
前記第２抵抗素子に通電するための前記第１ラインの長さおよび前記第２ラインの長さの和は、前記第１抵抗素子に通電するための前記第１ラインの長さおよび前記第２ラインの長さの和よりも長い、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の素子基板。
【請求項４】
前記第１抵抗素子に対応して設けられた第１駆動素子と、前記第２抵抗素子に対応して設けられた第２駆動素子と、をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項５】
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子は定電流が供給されて通電される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項６】
前記定電流を供給する抵抗素子として、前記第１抵抗素子および第２抵抗素子のいずれか１つを選択する選択ユニットを、さらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項７】
前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子に対応して設けられ、前記第１抵抗素子および前記第２抵抗素子の通電された状態と通電されていない状態とを切り替えるためのスイッチを、さらに含む、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項８】
前記検出手段は、前記第１端子の電圧を入力するための入力部を有し、前記入力部の入力抵抗は、前記入力部に電流が流れ込まないように設定されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の素子基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の素子基板と、
インクを吐出するノズルと、を有する、
ことを特徴とする記録ヘッド。
【請求項１０】
請求項９に記載の記録ヘッドと、
前記記録ヘッドに供給する定電流を生成する生成手段と、
前記素子基板の動作を制御する制御手段と、を具備する、
ことを特徴とする記録装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１３−９９９３８（Ｐ２０１３−９９９３８Ａ）
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２２６３３２（Ｐ２０１２−２２６３３２）
【出願日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２３日（２０１３．５．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１０月１１日（２０１２．１０．１１）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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