表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法
【課題】製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能な表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】画素毎に配置された第1電極と、第1電極上に配置された有機活性層と、複数の画素に共通に配置されるとともに有機活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、第1電極及び光活性層を形成済みの処理基板SUBに対向するように配置され、第2電極を形成するための材料を放射する蒸着源210と、蒸着源210から放射された材料を処理基板SUBに対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材250と、を備えたことを特徴とする。
【解決手段】画素毎に配置された第1電極と、第1電極上に配置された有機活性層と、複数の画素に共通に配置されるとともに有機活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、第1電極及び光活性層を形成済みの処理基板SUBに対向するように配置され、第2電極を形成するための材料を放射する蒸着源210と、蒸着源210から放射された材料を処理基板SUBに対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材250と、を備えたことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、自発光性の表示素子を備えた表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【0003】
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、第1電極(陽極)と第2電極(陰極)との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成されている。このような構成において、例えば、第1電極(陽極)及び有機活性層は、画素毎に配置されている。また、第2電極は、複数の画素に共通に配置されている。
【0004】
このような有機EL素子の製造工程において、低分子系の有機化合物からなる有機活性層を形成する工程においては、蒸着源から放射した材料を蒸着する蒸着法を適用可能である。このような蒸着法により有機活性層を成膜するのに先立って、第1電極表面に異物が付着することがある。異物の周辺では、有機活性層の膜厚が薄く、あるいは、有機活性層が存在せず、有機活性層上に第2電極を配置したときに、この異物周辺において第1電極と第2電極とがショートするおそれがある。このため、有機活性層を成膜した後に、加熱する工程を追加することにより、有機活性層を溶融し、異物周辺でのショートを抑制するよう有機活性層の膜厚を確保する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【特許文献1】米国特許第6,506,088号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に記載の方法によれば、有機活性層を成膜する工程の後に有機活性層を溶融するための加熱工程が必要となり、製造コストの増大を招くとともに、製造効率の低下を招くおそれがある。
【0006】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能な表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明の第1態様による表示装置は、
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上及び前記第1電極の表面に付着した異物上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置であって、
前記第2電極は、異物上に配置された部分と他の部分とが分離していることを特徴とする。
【0008】
この発明の第2態様による表示装置の製造装置は、
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対向するように配置され、前記第2電極を形成するための材料を放射する蒸着源と、
前記蒸着源から放射された材料を前記処理基板に対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材と、
を備えたことを特徴とする。
【0009】
この発明の第3態様による表示装置の製造方法は、
画素毎に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に光活性層を形成するための第1材料を蒸着により成膜する工程と、
各画素の前記光活性層を覆うように第2電極を形成するための第2材料を蒸着により成膜する工程と、を備え、
前記第2材料を成膜する工程は、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対して略垂直な方向から前記第2材料を蒸着するように成膜角度を規制して行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
この発明によれば、製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能な表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
【0012】
図1に示すように、有機EL表示装置1は、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100を備えている。表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている。図1では、カラー表示タイプの有機EL表示装置を例に図示しており、表示エリア102は、赤色に発光する赤色画素PXR、緑色に発光する緑色画素PXG、及び、青色に発光する青色画素PXBを含んでいる。
【0013】
また、アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する列方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。
【0014】
さらに、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107の少なくとも一部と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108の少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。
【0015】
各画素PX(R、G、B)は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを有している。これら画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
【0016】
表示素子は、自発光素子である有機EL素子40(R、G、B)によって構成されている。すなわち、赤色画素PXRは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Rを備えている。緑色画素PXGは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Gを備えている。青色画素PXBは、主に青色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Bを備えている。
【0017】
各種有機EL素子40(R、G、B)の構成は、基本的に同一である。すなわち、図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120の主面側に配置された複数の有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
【0018】
有機EL素子40は、マトリクス状に配置され画素PX毎に独立島状に配置された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され複数の画素PXに共通に配置された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された光活性層として機能する有機活性層64と、によって構成されている。
【0019】
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置され、陽極として機能する。配線基板120側から光を取り出す下面発光方式を採用した構成では、この第1電極60は、例えば、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO2(酸化錫)、In2O3(酸化インジウム)などの光透過性を有する導電材料によって形成され、特にITO、IZOを用いて形成することが好ましい。
【0020】
有機活性層64は、少なくとも発光層64Aを含んでいる。この有機活性層64は、発光層64A以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この有機活性層64は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層64においては、発光層64Aが有機系材料であればよく、発光層64A以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層64において、発光層64A以外は共通層であっても良く、図2に示した例では、第1電極60側に配置されたホール側共通層64Hは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、第2電極66側に配置された電子側共通層64Eは、ブロッキング層及び電子輸送層を含み、発光層64Aは、これらのホール側共通層64Hと電子側共通層64Eとの間に配置されている。発光層64Aは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【0021】
第2電極66は、各色画素の有機活性層64上に共通に配置される。この第2電極66は、電子注入機能を有する金属材料によって形成され、陰極として機能する。下面発光方式を採用した構成では、この第2電極66は、光反射性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、カリウム(K)、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分あるいは3成分の合金系を用いて形成することが好ましい。合金系材料としては、例えばAg・Mg(Ag:1〜20at%)、Al・Li(Li:0.3〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・Ca(Ca:5〜20at%)等が好ましい。
【0022】
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、少なくとも隣接する色毎に画素PX(R、G、B)間を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、例えば各第1電極60の縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第1電極60を露出する隔壁70の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁70は、例えば樹脂材料によって形成される。
【0023】
この実施の形態においては、有機EL素子40を構成する有機活性層64は、低分子系材料を用いて蒸着法により形成される。また、第2電極66も蒸着法により形成される。ここで、第2電極66を形成するための製造装置すなわち蒸着装置について説明する。
【0024】
図3に示すように、蒸着装置200は、第2電極66を形成するための材料を放射する蒸着源210を備えている。蒸着対象である処理基板(例えば第1電極60及び有機活性層64を形成済みの配線基板120)SUBは、有機活性層64を形成した側の面が蒸着源210と対向するように配置される。また、蒸着装置200は、蒸着源210を移動する移動機構240を備えている。さらに、蒸着装置200は、蒸着源210から放射された材料を処理基板SUBに対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材250を備えている。
【0025】
ところで、各画素PX(R、G、B)に有機EL素子40(R、G、B)を形成する過程において、異物が混入することがある。すなわち、第1電極60を形成済みの配線基板120の表面つまり第1電極60の表面に異物が付着することがある。異物が付着した状態で、有機活性層64を形成した後、第2電極66を形成すると、異物の周辺で第1電極60と第2電極66とがショートするおそれがある。
【0026】
このため、この実施の形態においては、第2電極66を形成する工程では、第1電極60及び有機活性層64を形成済みの処理基板SUBに対して略垂直な方向から第2電極66を形成するための材料を蒸着するように成膜角度を規制している。すなわち、第1電極60の表面に異物が付着した状態で、有機活性層64を形成するための材料を蒸着したとき、異物の影となる部分に有機活性層64の材料が成膜されずに隙間が形成され、その後に第2電極66を形成するための材料を蒸着したときに有機活性層64の隙間に第2電極66の材料が成膜されることにより、第1電極60と第2電極66とのショートが発生する。つまり、第2電極66を形成する際、その材料が蒸着源210から広がりをもって放射されることにより、有機活性層64の隙間に材料が回り込み、第1電極60と第2電極66とのショートを引き起こす。
【0027】
このため、成膜角度を規制し、処理基板SUBに対して略垂直な方向すなわち処理基板SUBの法線方向から材料を蒸着することにより、材料の回り込みを抑制することができる。ここで、処理基板SUBに対して略垂直な方向とは、処理基板SUBの法線方向と略平行な方向に相当するが、この法線に対してわずかに傾いていても良い。すなわち、処理基板SUBの法線に対する傾き角度を成膜角度θとしたとき、第2電極66の材料を成膜するときの成膜角度は、第2電極66より先に成膜される有機活性層64の成膜角度より小さい角度であれば良い。このような成膜角度に設定することにより、有機活性層64の材料を成膜するときに影となった部分すなわち有機活性層64の隙間に第2電極66の材料が回り込みにくくなる。したがって、例え製造過程において異物が混入したとしても、異物の周辺での第1電極60と第2電極66とのショートの発生を抑制することが可能となる。発明者等によれば、第2電極66の材料を成膜するときの成膜角度に対して、異物が混入したが袖のショート発生率の関係を検証したところ、成膜角度θを10°以下に設定することによりショート発生率を著しく低減できることが確認された。
【0028】
また、この実施の形態においては、第2電極66を形成する工程において、有機活性層64の隙間に材料が入り込むことを防止できるため、有機活性層を成膜する工程の後に有機活性層を溶融して異物を有機活性層で包囲する必要がない。このため、有機活性層の加熱工程を削減することが可能となる。したがって、製造コストの低減が可能であるとともに、製造効率を改善することが可能である。
【0029】
なお、蒸着源210から放射される材料の広がりは、蒸着源210から離れるほど大きくなる。このため、蒸着源210を限りなく処理基板SUBに接近して配置することにより、放射される材料源の広がりはある程度規制できるが、蒸着源210は加熱されており、高温であるため、処理基板SUBに接近させると、既に形成済みの構成要素に悪影響を与えるおそれがある。これに対して、この実施の形態においては、蒸着源210に規制部材250を取り付けることにより、蒸着源210から放射される材料の広がりを規制しつつ、高温の蒸着源210を処理基板SUBから離間して配置することを可能とする。したがって、処理基板SUBに対する蒸着源210からの熱の影響を緩和することが可能となる。
【0030】
また、このような構成により蒸着源210から放射された材料の広がりは、規制部材250によって規制されるが、処理基板SUBと規制部材250との間隔が広がるほど、規制部材250による規制能力が低下するため、できるだけ処理基板SUBと規制部材250との間隔は小さいことが望ましい。
【0031】
次に、蒸着装置200に適用可能な規制部材250の構成例について説明する。
【0032】
(第1構成例)
図4A及び図4Bに示すように、蒸着源210は、処理基板SUBにおける第2電極66の成膜領域より小さいポイントソースであり、材料が放射可能な略四角形状の放射面210Aを有している。第1構成例に係る規制部材250は、蒸着源210と処理基板SUBとの間に配置され、蒸着源210に取り付けられており、略四角形状の放射面210Aに対応して、材料の四方への放射を規制するように処理基板SUBに向かって延在する鍔251によって構成されている。
【0033】
蒸着源210の放射面210Aにおける幅をWとし、鍔251の処理基板SUBに向かって延在する長さをLとし、処理基板SUBの法線Nに対する成膜角度θとしたとき、tanθ=W/Lで与えられる。鍔251の長さLは、法線Nと略平行な方向から材料を蒸着させるように設定され、望ましくは成膜角度θが10°以下となるように設定される。
【0034】
このような構成の蒸着源210は、規制部材250を伴って移動機構240により処理基板SUBの成膜領域の全体を走査する。これにより、処理基板SUBの成膜領域に第2電極66が成膜される。
【0035】
(第2構成例)
図5に示すように、蒸着源210は、処理基板SUBにおける第2電極66の略四角形状の成膜領域の長手方向またはこれに直交する方向に延在するラインソースであり、材料が放射可能な略長方形状の放射面210Aを有している。第2構成例に係る規制部材250は、蒸着源210と処理基板SUBとの間に配置され、蒸着源210に取り付けられており、略長方形状の放射面210Aに対応して、材料の長辺方向及び短辺方向への放射を規制するように処理基板SUBに向かって延在する鍔252によって構成されている。
【0036】
このような第2構成例においても第1構成例と同様に、蒸着源210の放射面210Aにおける幅(例えば短辺方向の幅)をWとし、鍔252の処理基板SUBに向かって延在する長さをLとし、処理基板SUBの法線Nに対する成膜角度θとしたとき、tanθ=W/Lで与えられる。鍔252の長さLは、法線Nと略平行な方向から材料を蒸着させるように設定され、望ましくは成膜角度θが10°以下となるように設定される。
【0037】
このような構成の蒸着源210は、規制部材250を伴って移動機構240により処理基板SUBの成膜領域の全体を走査する。つまり、ラインソースである蒸着源210は、その延在する方向に直交する方向に走査される。これにより、処理基板SUBの成膜領域に第2電極66が成膜される。
【0038】
(第3構成例)
図6に示すように、第3構成例に係る規制部材250は、蒸着源210と処理基板SUBとの間に配置されたスリット253によって構成されている。
【0039】
このような第3構成例においては、スリット253における各開口の幅をWとし、スリット253の厚みすなわち処理基板SUBに向かって延在する長さをLとし、処理基板SUBの法線Nに対する成膜角度θとしたとき、tanθ=W/Lで与えられる。スリット253の幅W及び長さLは、法線Nと略平行な方向から材料を蒸着させるように設定され、望ましくは成膜角度θが10°以下となるように設定される。
【0040】
(製造方法)
次に、この実施の形態に係る有機EL素子の製造方法について説明する。
【0041】
まず、図7Aに示すように、配線基板120上の表示エリア102において、複数種類の画素PX(R、G、B)毎に独立島状の第1電極60を形成する。すなわち、配線基板120の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第1電極60を形成する。この第1電極60については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、画素PX(R、G、B)に対応したパターンを有するマスクを介して金属材料を蒸着する蒸着法によって形成しても良い。
【0042】
続いて、各画素PX(R、G、B)を分離する隔壁70を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジストを第1電極60上を含む配線基板120の一主面側全体に成膜した後にフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、220℃で60分の焼成処理を行う。これにより、各色画素PX(R、G、B)を囲むように第1電極60の縁に沿って格子状の隔壁70を形成する。
【0043】
続いて、各画素PX(R、G、B)内における第1電極60上に有機活性層64を形成する。ここで、有機活性層64は、複数の薄膜、すなわちホール注入層、ホール輸送層、発光層64A、ブロッキング層、電子輸送層を積層して構成されており、これらは全て低分子系の薄膜材料を蒸着することによって形成される。
【0044】
まず、図7Bに示すように、蒸着法により複数種類の画素PX(R、G、B)に共通のホール側共通層64Hを形成する。ここでは、まず、ホール注入層として機能する材料として、CuPc(銅フタロシアニン)を100オングストロームの膜厚で成膜する。その後、ホール輸送層として機能する材料として、α−NPD(芳香族ジアミン)を成膜する。
【0045】
図7Bに示した例では、赤色画素PXRにおける第1電極60上に異物Fが付着している。このため、ホール側共通層64Hを形成するための材料は、第1電極60上に蒸着されるとともに、異物F上にも蒸着され、異物Fの陰となる第1電極60の表面には堆積しておらず、異物F上に堆積した材料と他の部分(第1電極60上など)に堆積した材料とは繋がらずに分離している。
【0046】
続いて、図7Cに示すように、蒸着法により画素PX(R、G、B)のそれぞれに個別の発光層64Aを形成する。さらに、蒸着法により複数種類の色画素PX(R、G、B)に共通のブロッキング層及び電子輸送層を連続して成膜し、電子側共通層64Eを形成する。ここでは、赤色画素PXRに配置される発光層64ARとして、ホスト材料にAlq3(アルミニウムキリノール錯体)、ドーパント材料にDCM色素を用いて400オングストロームの膜厚で成膜し、緑色画素PXGに配置される発光層64AGとして、ホスト材料にAlq3(アルミニウムキリノール錯体)、ドーパント材料にクマリン誘電体を用いて400オングストロームの膜厚で成膜し、青色画素PXBに配置される発光層64ABとして、ホスト材料にAlq3(アルミニウムキリノール錯体)、ドーパント材料にペリレンを用いて400オングストロームの膜厚で成膜した。また、ブロッキング層として、BCP(バソキョプロイン)を成膜し、さらに、電子輸送層として、Alq3(アルミニウムキリノール錯体)を成膜した。これにより、電子側共通層64Eが形成される。
【0047】
続いて、図7Dに示すように、有機活性層64上に複数種類の画素PX(R、G、B)に共通の第2電極66を形成する。すなわち、第2電極66は、有機活性層64を配置した配線基板120の一主面側に陰極として機能する金属材料を蒸着法によって形成する。ここでは、図5A及び図5Bに示したように、ラインソースタイプの蒸着源210を備えた蒸着装置200において、有機活性層64を配置した主面が蒸着源210と対向するように配線基板(すなわち処理基板SUB)を配置し、移動機構240により蒸着源210の長手方向と直交する方向に蒸着源210を走査した。このとき、蒸着源210と処理基板との間に配置した規制部材250により蒸着源210から放射される材料の広がりが制限され、処理基板SUBに対して略垂直な方向から材料を蒸着した。
【0048】
図7Dに示した例では、第2電極66のみならず、有機活性層64を構成する全ての層が、異物F上に堆積した材料と他の部分に堆積した材料とは繋がらずに分離しているが、少なくとも有機活性層64を構成する各層を形成する際には、蒸着源から放射された材料の広がりは規制しておらず、ある程度広がりをもって放射された材料によって少なくとも1層が異物F上と他の部分とで繋がることもある。例えば、図7Eに示した例では、有機活性層64を構成する電子輸送層64Eが異物F上と他の部分とで繋がっている。要するに、この実施の形態では、第2電極66を形成する際にその材料の広がりを規制しており、これにより、形成された第2電極66は、異物F上に配置された部分と他の部分とが分離することが多くなるのであるが、形成過程において材料の広がりを規制していない有機活性層64については、いずれかの層が異物F上に配置された部分と他の部分とで繋がることもありうる。
【0049】
このような工程により、有機EL素子40が形成される。
【0050】
このようにして形成した有機EL素子40によれば、異物Fが混入した赤色画素PXRにおいて、第2電極66は、異物F上に配置された部分と、他の部分とが分離しており、異物Fの周囲での第1電極60と第2電極66とのショートを抑制できていることが確認できた。
【0051】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】図2は、図1に示した有機EL表示装置の1画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図3】図3は、有機EL素子を製造するための製造装置(蒸着装置)の構成を概略的に示す図である。
【図4A】図4Aは、図3に示した製造装置における規制部材の第1構成例を説明するための図である。
【図4B】図4Bは、第1構成例に係る規制部材と成膜角度の関係を説明するための図である。
【図5】図5は、図3に示した製造装置における規制部材の第2構成例を説明するための図である。
【図6】図6は、図3に示した製造装置における規制部材の第3構成例を説明するための図である。
【図7A】図7Aは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第1電極及び隔壁を形成する工程を示す図である。
【図7B】図7Bは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層のホール側共通層を形成する工程を示す図である。
【図7C】図7Cは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層の発光層及び電子側共通層を形成する工程を示す図である。
【図7D】図7Dは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第2電極を形成する工程を示す図である。
【図7E】図7Eは、異物上に堆積した有機活性層及び第2電極の積層状態を説明するための図である。
【符号の説明】
【0053】
1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、64A…発光層、64H…ホール側共通層、64E…電子側共通層、66…第2電極、70…隔壁、100…アレイ基板、120…配線基板、PX…画素、F…異物、200…製造装置、210…蒸着源、250…規制部材、251…鍔、252…鍔、253…スリット
【技術分野】
【0001】
この発明は、自発光性の表示素子を備えた表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【0003】
これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、第1電極(陽極)と第2電極(陰極)との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機EL素子をマトリックス状に配置することにより構成されている。このような構成において、例えば、第1電極(陽極)及び有機活性層は、画素毎に配置されている。また、第2電極は、複数の画素に共通に配置されている。
【0004】
このような有機EL素子の製造工程において、低分子系の有機化合物からなる有機活性層を形成する工程においては、蒸着源から放射した材料を蒸着する蒸着法を適用可能である。このような蒸着法により有機活性層を成膜するのに先立って、第1電極表面に異物が付着することがある。異物の周辺では、有機活性層の膜厚が薄く、あるいは、有機活性層が存在せず、有機活性層上に第2電極を配置したときに、この異物周辺において第1電極と第2電極とがショートするおそれがある。このため、有機活性層を成膜した後に、加熱する工程を追加することにより、有機活性層を溶融し、異物周辺でのショートを抑制するよう有機活性層の膜厚を確保する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【特許文献1】米国特許第6,506,088号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に記載の方法によれば、有機活性層を成膜する工程の後に有機活性層を溶融するための加熱工程が必要となり、製造コストの増大を招くとともに、製造効率の低下を招くおそれがある。
【0006】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能な表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この発明の第1態様による表示装置は、
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上及び前記第1電極の表面に付着した異物上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置であって、
前記第2電極は、異物上に配置された部分と他の部分とが分離していることを特徴とする。
【0008】
この発明の第2態様による表示装置の製造装置は、
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対向するように配置され、前記第2電極を形成するための材料を放射する蒸着源と、
前記蒸着源から放射された材料を前記処理基板に対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材と、
を備えたことを特徴とする。
【0009】
この発明の第3態様による表示装置の製造方法は、
画素毎に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に光活性層を形成するための第1材料を蒸着により成膜する工程と、
各画素の前記光活性層を覆うように第2電極を形成するための第2材料を蒸着により成膜する工程と、を備え、
前記第2材料を成膜する工程は、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対して略垂直な方向から前記第2材料を蒸着するように成膜角度を規制して行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【0010】
この発明によれば、製造過程で異物が付着したとしてもショートの発生を抑制することが可能な表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置、表示装置の製造装置、及び、表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。
【0012】
図1に示すように、有機EL表示装置1は、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100を備えている。表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている。図1では、カラー表示タイプの有機EL表示装置を例に図示しており、表示エリア102は、赤色に発光する赤色画素PXR、緑色に発光する緑色画素PXG、及び、青色に発光する青色画素PXBを含んでいる。
【0013】
また、アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する列方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40の第1電極60側に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。
【0014】
さらに、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107の少なくとも一部と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108の少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。
【0015】
各画素PX(R、G、B)は、画素回路及び画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを有している。これら画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、半導体層にポリシリコンを用いている。
【0016】
表示素子は、自発光素子である有機EL素子40(R、G、B)によって構成されている。すなわち、赤色画素PXRは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Rを備えている。緑色画素PXGは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Gを備えている。青色画素PXBは、主に青色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Bを備えている。
【0017】
各種有機EL素子40(R、G、B)の構成は、基本的に同一である。すなわち、図2に示すように、アレイ基板100は、配線基板120の主面側に配置された複数の有機EL素子40を備えている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、走査線駆動回路107、信号線駆動回路108、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
【0018】
有機EL素子40は、マトリクス状に配置され画素PX毎に独立島状に配置された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され複数の画素PXに共通に配置された第2電極66と、これら第1電極60と第2電極66との間に保持された光活性層として機能する有機活性層64と、によって構成されている。
【0019】
有機EL素子40を構成する第1電極60は、配線基板120表面の絶縁膜上に配置され、陽極として機能する。配線基板120側から光を取り出す下面発光方式を採用した構成では、この第1電極60は、例えば、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO(亜鉛ドープ酸化インジウム)、ZnO(酸化亜鉛)、SnO2(酸化錫)、In2O3(酸化インジウム)などの光透過性を有する導電材料によって形成され、特にITO、IZOを用いて形成することが好ましい。
【0020】
有機活性層64は、少なくとも発光層64Aを含んでいる。この有機活性層64は、発光層64A以外の機能層を含むことができ、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などの機能層を含むことができる。この有機活性層64は、複数の機能層を複合した単層で構成されても良いし、各機能層を積層した多層構造であっても良い。有機活性層64においては、発光層64Aが有機系材料であればよく、発光層64A以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。有機活性層64において、発光層64A以外は共通層であっても良く、図2に示した例では、第1電極60側に配置されたホール側共通層64Hは、ホール注入層及びホール輸送層を含み、また、第2電極66側に配置された電子側共通層64Eは、ブロッキング層及び電子輸送層を含み、発光層64Aは、これらのホール側共通層64Hと電子側共通層64Eとの間に配置されている。発光層64Aは、赤、緑、または青に発光する発光機能を有した有機化合物によって形成される。
【0021】
第2電極66は、各色画素の有機活性層64上に共通に配置される。この第2電極66は、電子注入機能を有する金属材料によって形成され、陰極として機能する。下面発光方式を採用した構成では、この第2電極66は、光反射性を有する導電材料を用いて形成され、例えば、カリウム(K)、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、ジルコニウム(Zr)等の金属元素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む2成分あるいは3成分の合金系を用いて形成することが好ましい。合金系材料としては、例えばAg・Mg(Ag:1〜20at%)、Al・Li(Li:0.3〜14at%)、In・Mg(Mg:50〜80at%)、Al・Ca(Ca:5〜20at%)等が好ましい。
【0022】
また、アレイ基板100は、表示エリア102において、少なくとも隣接する色毎に画素PX(R、G、B)間を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、各画素を分離するよう形成することが望ましく、例えば各第1電極60の縁に沿って格子状またはストライプ状に配置され、第1電極60を露出する隔壁70の開口形状が矩形となるよう形成されている。この隔壁70は、例えば樹脂材料によって形成される。
【0023】
この実施の形態においては、有機EL素子40を構成する有機活性層64は、低分子系材料を用いて蒸着法により形成される。また、第2電極66も蒸着法により形成される。ここで、第2電極66を形成するための製造装置すなわち蒸着装置について説明する。
【0024】
図3に示すように、蒸着装置200は、第2電極66を形成するための材料を放射する蒸着源210を備えている。蒸着対象である処理基板(例えば第1電極60及び有機活性層64を形成済みの配線基板120)SUBは、有機活性層64を形成した側の面が蒸着源210と対向するように配置される。また、蒸着装置200は、蒸着源210を移動する移動機構240を備えている。さらに、蒸着装置200は、蒸着源210から放射された材料を処理基板SUBに対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材250を備えている。
【0025】
ところで、各画素PX(R、G、B)に有機EL素子40(R、G、B)を形成する過程において、異物が混入することがある。すなわち、第1電極60を形成済みの配線基板120の表面つまり第1電極60の表面に異物が付着することがある。異物が付着した状態で、有機活性層64を形成した後、第2電極66を形成すると、異物の周辺で第1電極60と第2電極66とがショートするおそれがある。
【0026】
このため、この実施の形態においては、第2電極66を形成する工程では、第1電極60及び有機活性層64を形成済みの処理基板SUBに対して略垂直な方向から第2電極66を形成するための材料を蒸着するように成膜角度を規制している。すなわち、第1電極60の表面に異物が付着した状態で、有機活性層64を形成するための材料を蒸着したとき、異物の影となる部分に有機活性層64の材料が成膜されずに隙間が形成され、その後に第2電極66を形成するための材料を蒸着したときに有機活性層64の隙間に第2電極66の材料が成膜されることにより、第1電極60と第2電極66とのショートが発生する。つまり、第2電極66を形成する際、その材料が蒸着源210から広がりをもって放射されることにより、有機活性層64の隙間に材料が回り込み、第1電極60と第2電極66とのショートを引き起こす。
【0027】
このため、成膜角度を規制し、処理基板SUBに対して略垂直な方向すなわち処理基板SUBの法線方向から材料を蒸着することにより、材料の回り込みを抑制することができる。ここで、処理基板SUBに対して略垂直な方向とは、処理基板SUBの法線方向と略平行な方向に相当するが、この法線に対してわずかに傾いていても良い。すなわち、処理基板SUBの法線に対する傾き角度を成膜角度θとしたとき、第2電極66の材料を成膜するときの成膜角度は、第2電極66より先に成膜される有機活性層64の成膜角度より小さい角度であれば良い。このような成膜角度に設定することにより、有機活性層64の材料を成膜するときに影となった部分すなわち有機活性層64の隙間に第2電極66の材料が回り込みにくくなる。したがって、例え製造過程において異物が混入したとしても、異物の周辺での第1電極60と第2電極66とのショートの発生を抑制することが可能となる。発明者等によれば、第2電極66の材料を成膜するときの成膜角度に対して、異物が混入したが袖のショート発生率の関係を検証したところ、成膜角度θを10°以下に設定することによりショート発生率を著しく低減できることが確認された。
【0028】
また、この実施の形態においては、第2電極66を形成する工程において、有機活性層64の隙間に材料が入り込むことを防止できるため、有機活性層を成膜する工程の後に有機活性層を溶融して異物を有機活性層で包囲する必要がない。このため、有機活性層の加熱工程を削減することが可能となる。したがって、製造コストの低減が可能であるとともに、製造効率を改善することが可能である。
【0029】
なお、蒸着源210から放射される材料の広がりは、蒸着源210から離れるほど大きくなる。このため、蒸着源210を限りなく処理基板SUBに接近して配置することにより、放射される材料源の広がりはある程度規制できるが、蒸着源210は加熱されており、高温であるため、処理基板SUBに接近させると、既に形成済みの構成要素に悪影響を与えるおそれがある。これに対して、この実施の形態においては、蒸着源210に規制部材250を取り付けることにより、蒸着源210から放射される材料の広がりを規制しつつ、高温の蒸着源210を処理基板SUBから離間して配置することを可能とする。したがって、処理基板SUBに対する蒸着源210からの熱の影響を緩和することが可能となる。
【0030】
また、このような構成により蒸着源210から放射された材料の広がりは、規制部材250によって規制されるが、処理基板SUBと規制部材250との間隔が広がるほど、規制部材250による規制能力が低下するため、できるだけ処理基板SUBと規制部材250との間隔は小さいことが望ましい。
【0031】
次に、蒸着装置200に適用可能な規制部材250の構成例について説明する。
【0032】
(第1構成例)
図4A及び図4Bに示すように、蒸着源210は、処理基板SUBにおける第2電極66の成膜領域より小さいポイントソースであり、材料が放射可能な略四角形状の放射面210Aを有している。第1構成例に係る規制部材250は、蒸着源210と処理基板SUBとの間に配置され、蒸着源210に取り付けられており、略四角形状の放射面210Aに対応して、材料の四方への放射を規制するように処理基板SUBに向かって延在する鍔251によって構成されている。
【0033】
蒸着源210の放射面210Aにおける幅をWとし、鍔251の処理基板SUBに向かって延在する長さをLとし、処理基板SUBの法線Nに対する成膜角度θとしたとき、tanθ=W/Lで与えられる。鍔251の長さLは、法線Nと略平行な方向から材料を蒸着させるように設定され、望ましくは成膜角度θが10°以下となるように設定される。
【0034】
このような構成の蒸着源210は、規制部材250を伴って移動機構240により処理基板SUBの成膜領域の全体を走査する。これにより、処理基板SUBの成膜領域に第2電極66が成膜される。
【0035】
(第2構成例)
図5に示すように、蒸着源210は、処理基板SUBにおける第2電極66の略四角形状の成膜領域の長手方向またはこれに直交する方向に延在するラインソースであり、材料が放射可能な略長方形状の放射面210Aを有している。第2構成例に係る規制部材250は、蒸着源210と処理基板SUBとの間に配置され、蒸着源210に取り付けられており、略長方形状の放射面210Aに対応して、材料の長辺方向及び短辺方向への放射を規制するように処理基板SUBに向かって延在する鍔252によって構成されている。
【0036】
このような第2構成例においても第1構成例と同様に、蒸着源210の放射面210Aにおける幅(例えば短辺方向の幅)をWとし、鍔252の処理基板SUBに向かって延在する長さをLとし、処理基板SUBの法線Nに対する成膜角度θとしたとき、tanθ=W/Lで与えられる。鍔252の長さLは、法線Nと略平行な方向から材料を蒸着させるように設定され、望ましくは成膜角度θが10°以下となるように設定される。
【0037】
このような構成の蒸着源210は、規制部材250を伴って移動機構240により処理基板SUBの成膜領域の全体を走査する。つまり、ラインソースである蒸着源210は、その延在する方向に直交する方向に走査される。これにより、処理基板SUBの成膜領域に第2電極66が成膜される。
【0038】
(第3構成例)
図6に示すように、第3構成例に係る規制部材250は、蒸着源210と処理基板SUBとの間に配置されたスリット253によって構成されている。
【0039】
このような第3構成例においては、スリット253における各開口の幅をWとし、スリット253の厚みすなわち処理基板SUBに向かって延在する長さをLとし、処理基板SUBの法線Nに対する成膜角度θとしたとき、tanθ=W/Lで与えられる。スリット253の幅W及び長さLは、法線Nと略平行な方向から材料を蒸着させるように設定され、望ましくは成膜角度θが10°以下となるように設定される。
【0040】
(製造方法)
次に、この実施の形態に係る有機EL素子の製造方法について説明する。
【0041】
まず、図7Aに示すように、配線基板120上の表示エリア102において、複数種類の画素PX(R、G、B)毎に独立島状の第1電極60を形成する。すなわち、配線基板120の一主面側において陽極として機能する金属膜をパターン化し、第1電極60を形成する。この第1電極60については、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、画素PX(R、G、B)に対応したパターンを有するマスクを介して金属材料を蒸着する蒸着法によって形成しても良い。
【0042】
続いて、各画素PX(R、G、B)を分離する隔壁70を形成する。すなわち、感光性樹脂材料例えばアクリルタイプのポジティブトーンのレジストを第1電極60上を含む配線基板120の一主面側全体に成膜した後にフォトリソグラフィプロセスなどでパターニングした後に、220℃で60分の焼成処理を行う。これにより、各色画素PX(R、G、B)を囲むように第1電極60の縁に沿って格子状の隔壁70を形成する。
【0043】
続いて、各画素PX(R、G、B)内における第1電極60上に有機活性層64を形成する。ここで、有機活性層64は、複数の薄膜、すなわちホール注入層、ホール輸送層、発光層64A、ブロッキング層、電子輸送層を積層して構成されており、これらは全て低分子系の薄膜材料を蒸着することによって形成される。
【0044】
まず、図7Bに示すように、蒸着法により複数種類の画素PX(R、G、B)に共通のホール側共通層64Hを形成する。ここでは、まず、ホール注入層として機能する材料として、CuPc(銅フタロシアニン)を100オングストロームの膜厚で成膜する。その後、ホール輸送層として機能する材料として、α−NPD(芳香族ジアミン)を成膜する。
【0045】
図7Bに示した例では、赤色画素PXRにおける第1電極60上に異物Fが付着している。このため、ホール側共通層64Hを形成するための材料は、第1電極60上に蒸着されるとともに、異物F上にも蒸着され、異物Fの陰となる第1電極60の表面には堆積しておらず、異物F上に堆積した材料と他の部分(第1電極60上など)に堆積した材料とは繋がらずに分離している。
【0046】
続いて、図7Cに示すように、蒸着法により画素PX(R、G、B)のそれぞれに個別の発光層64Aを形成する。さらに、蒸着法により複数種類の色画素PX(R、G、B)に共通のブロッキング層及び電子輸送層を連続して成膜し、電子側共通層64Eを形成する。ここでは、赤色画素PXRに配置される発光層64ARとして、ホスト材料にAlq3(アルミニウムキリノール錯体)、ドーパント材料にDCM色素を用いて400オングストロームの膜厚で成膜し、緑色画素PXGに配置される発光層64AGとして、ホスト材料にAlq3(アルミニウムキリノール錯体)、ドーパント材料にクマリン誘電体を用いて400オングストロームの膜厚で成膜し、青色画素PXBに配置される発光層64ABとして、ホスト材料にAlq3(アルミニウムキリノール錯体)、ドーパント材料にペリレンを用いて400オングストロームの膜厚で成膜した。また、ブロッキング層として、BCP(バソキョプロイン)を成膜し、さらに、電子輸送層として、Alq3(アルミニウムキリノール錯体)を成膜した。これにより、電子側共通層64Eが形成される。
【0047】
続いて、図7Dに示すように、有機活性層64上に複数種類の画素PX(R、G、B)に共通の第2電極66を形成する。すなわち、第2電極66は、有機活性層64を配置した配線基板120の一主面側に陰極として機能する金属材料を蒸着法によって形成する。ここでは、図5A及び図5Bに示したように、ラインソースタイプの蒸着源210を備えた蒸着装置200において、有機活性層64を配置した主面が蒸着源210と対向するように配線基板(すなわち処理基板SUB)を配置し、移動機構240により蒸着源210の長手方向と直交する方向に蒸着源210を走査した。このとき、蒸着源210と処理基板との間に配置した規制部材250により蒸着源210から放射される材料の広がりが制限され、処理基板SUBに対して略垂直な方向から材料を蒸着した。
【0048】
図7Dに示した例では、第2電極66のみならず、有機活性層64を構成する全ての層が、異物F上に堆積した材料と他の部分に堆積した材料とは繋がらずに分離しているが、少なくとも有機活性層64を構成する各層を形成する際には、蒸着源から放射された材料の広がりは規制しておらず、ある程度広がりをもって放射された材料によって少なくとも1層が異物F上と他の部分とで繋がることもある。例えば、図7Eに示した例では、有機活性層64を構成する電子輸送層64Eが異物F上と他の部分とで繋がっている。要するに、この実施の形態では、第2電極66を形成する際にその材料の広がりを規制しており、これにより、形成された第2電極66は、異物F上に配置された部分と他の部分とが分離することが多くなるのであるが、形成過程において材料の広がりを規制していない有機活性層64については、いずれかの層が異物F上に配置された部分と他の部分とで繋がることもありうる。
【0049】
このような工程により、有機EL素子40が形成される。
【0050】
このようにして形成した有機EL素子40によれば、異物Fが混入した赤色画素PXRにおいて、第2電極66は、異物F上に配置された部分と、他の部分とが分離しており、異物Fの周囲での第1電極60と第2電極66とのショートを抑制できていることが確認できた。
【0051】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【0052】
【図1】図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図2】図2は、図1に示した有機EL表示装置の1画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図3】図3は、有機EL素子を製造するための製造装置(蒸着装置)の構成を概略的に示す図である。
【図4A】図4Aは、図3に示した製造装置における規制部材の第1構成例を説明するための図である。
【図4B】図4Bは、第1構成例に係る規制部材と成膜角度の関係を説明するための図である。
【図5】図5は、図3に示した製造装置における規制部材の第2構成例を説明するための図である。
【図6】図6は、図3に示した製造装置における規制部材の第3構成例を説明するための図である。
【図7A】図7Aは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第1電極及び隔壁を形成する工程を示す図である。
【図7B】図7Bは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層のホール側共通層を形成する工程を示す図である。
【図7C】図7Cは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、有機活性層の発光層及び電子側共通層を形成する工程を示す図である。
【図7D】図7Dは、有機EL表示装置を形成するための製造工程を説明するための図であり、第2電極を形成する工程を示す図である。
【図7E】図7Eは、異物上に堆積した有機活性層及び第2電極の積層状態を説明するための図である。
【符号の説明】
【0053】
1…有機EL表示装置、10…画素スイッチ、20…駆動トランジスタ、30…蓄積容量素子、40…有機EL素子、60…第1電極、64…有機活性層、64A…発光層、64H…ホール側共通層、64E…電子側共通層、66…第2電極、70…隔壁、100…アレイ基板、120…配線基板、PX…画素、F…異物、200…製造装置、210…蒸着源、250…規制部材、251…鍔、252…鍔、253…スリット
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上及び前記第1電極の表面に付着した異物上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置であって、
前記第2電極は、異物上に配置された部分と他の部分とが分離していることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対向するように配置され、前記第2電極を形成するための材料を放射する蒸着源と、
前記蒸着源から放射された材料を前記処理基板に対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項3】
前記規制部材は、前記処理基板の法線に対する成膜角度を10度以下とするように、前記処理基板に向かって延在する鍔であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置の製造装置。
【請求項4】
前記規制部材は、前記処理基板の法線に対する成膜角度を10度以下とするように、前記蒸着源と前記処理基板との間に配置されたスリットであることを特徴とする請求項2に記載の表示装置の製造装置。
【請求項5】
画素毎に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に光活性層を形成するための第1材料を蒸着により成膜する工程と、
各画素の前記光活性層を覆うように第2電極を形成するための第2材料を蒸着により成膜する工程と、を備え、
前記第2材料を成膜する工程は、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対して略垂直な方向から前記第2材料を蒸着するように成膜角度を規制して行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第2材料を成膜する工程は、前記処理基板の法線に対する成膜角度を10度以下に規制して行うことを特徴とする請求項5に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記第2材料を成膜する工程は、前記第1材料を成膜する工程よりも前記処理基板の法線に対する成膜角度を小さくして行うことを特徴とする請求項5に記載の表示装置の製造方法。
【請求項1】
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上及び前記第1電極の表面に付着した異物上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置であって、
前記第2電極は、異物上に配置された部分と他の部分とが分離していることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
画素毎に配置された第1電極と、
前記第1電極上に配置された光活性層と、
複数の画素に共通に配置されるとともに、前記光活性層上に配置された第2電極と、を備えた表示素子を備えた表示装置の製造装置であって、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対向するように配置され、前記第2電極を形成するための材料を放射する蒸着源と、
前記蒸着源から放射された材料を前記処理基板に対して略垂直な方向から蒸着させるように成膜角度を規制する規制部材と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造装置。
【請求項3】
前記規制部材は、前記処理基板の法線に対する成膜角度を10度以下とするように、前記処理基板に向かって延在する鍔であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置の製造装置。
【請求項4】
前記規制部材は、前記処理基板の法線に対する成膜角度を10度以下とするように、前記蒸着源と前記処理基板との間に配置されたスリットであることを特徴とする請求項2に記載の表示装置の製造装置。
【請求項5】
画素毎に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極上に光活性層を形成するための第1材料を蒸着により成膜する工程と、
各画素の前記光活性層を覆うように第2電極を形成するための第2材料を蒸着により成膜する工程と、を備え、
前記第2材料を成膜する工程は、
前記第1電極及び前記光活性層を形成済みの処理基板に対して略垂直な方向から前記第2材料を蒸着するように成膜角度を規制して行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項6】
前記第2材料を成膜する工程は、前記処理基板の法線に対する成膜角度を10度以下に規制して行うことを特徴とする請求項5に記載の表示装置の製造方法。
【請求項7】
前記第2材料を成膜する工程は、前記第1材料を成膜する工程よりも前記処理基板の法線に対する成膜角度を小さくして行うことを特徴とする請求項5に記載の表示装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図7E】
【公開番号】特開2007−103827(P2007−103827A)
【公開日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−294624(P2005−294624)
【出願日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【出願人】(302020207)東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年4月19日(2007.4.19)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【出願人】(302020207)東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Fターム(参考)】
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