被覆体及び電子部品
【課題】製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する被覆体を提供すること。
【解決手段】導体２０の上に設けられる被覆体１０であって、導体２０側からパラジウムを含む第１の層１２と、金を含む第２の層１４と、を備え、第１の層１２は導体２０側に第１の領域３１と、第１の領域３１よりも第２の層１４側に配置された第２の領域３２と、を有し、第２の領域３２は、第１の領域３１よりもリン濃度が高い被覆体１０である。
【解決手段】導体２０の上に設けられる被覆体１０であって、導体２０側からパラジウムを含む第１の層１２と、金を含む第２の層１４と、を備え、第１の層１２は導体２０側に第１の領域３１と、第１の領域３１よりも第２の層１４側に配置された第２の領域３２と、を有し、第２の領域３２は、第１の領域３１よりもリン濃度が高い被覆体１０である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体上に設けられる被覆体、及び該被覆体で被覆された導体を有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品は、外部機器と信号のやりとりを行う信号伝達部を有する。この信号伝達部において、外部機器と電気的な信号のやりとりを行う場合には、信号伝達部の電気伝導度を高くする必要があるため、信号伝達部の基材としては銅又は銅系合金が汎用されている。ところが、銅又は銅系合金は、空気中の酸素や腐食性ガスによって腐食されやすいという特性を有するため、防錆及び防食の目的で、基材の表面にニッケルめっき膜や金めっき膜を積層した被覆層を形成することが検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、接続端子部の基材上に、無電解ニッケル膜を下地層として形成し、その上に置換型無電解金めっき膜及び還元型無電解金めっき膜を順次形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３７６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された被覆層は、置換型無電解金めっき時において、めっき液中の金イオンを還元する電子を、ニッケルめっき膜の腐食反応によって生成させている。このため、ニッケルめっき膜が腐食して欠陥が生じ易くなってしまう。このような金めっき膜の欠陥の発生を防止するために、金めっき膜の厚みを十分に大きくして対応することが可能であるが、この場合、一般に金は高価であるため、被覆層のコストが上昇する傾向にある。
【０００６】
一方、金めっき膜の厚みを低減した場合、又は金めっき膜を形成しない場合には、最外層にニッケルめっき膜が露出することとなり、耐食性が損なわれることとなる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する被覆体を提供することを目的とする。また、当該被覆体を備えることによって、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する信号伝達部を有する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明では、導体の上に設けられる被覆体であって、導体側からパラジウムを含む第１の層と、金を含む第２の層と、を備え、第１の層は導体側に第１の領域と、第１の領域よりも第２の層側に配置された第２の領域と、を有し、第２の領域は、第１の領域よりもリン濃度が高い被覆体を提供する。
【０００９】
本発明の被覆体は、導体側にリン濃度が低いパラジウムを含む第１の領域を有し、第２の層側に第１の領域よりもリン濃度が高い第２の領域を有する第１の層を備える。この第１の層における第２の領域は第１の領域よりもリン濃度が高いために、耐食性に優れる。一方、第１の層における第１の領域は、第２の領域よりもリン濃度が低いために、導体との密着性に優れており、導体の上に容易に形成することができる。したがって、金を含む第２の層の厚みを大きくしなくても、導体の腐食を十分に抑制することができる。
【００１０】
本発明の被覆体における第１の層は、導体側から第１の領域を含む内側層と、第２の領域を含む外側層と、を有することが好ましい。このように第１の層が層状構造を有することによって、導体の腐食を一層十分に抑制することができる。
【００１１】
本発明の被覆体における第１の領域及び第２の領域の少なくとも一方は、導体に近接するにつれてリン濃度が低下する領域を有することが好ましい。これによって、導体上におけるパラジウムの析出性を良好にしつつ耐食性に十分に優れた被覆体とすることができる。
【００１２】
本発明の被覆体の第１の領域におけるリン濃度が０．０１質量％以下であり、第２の領域におけるリン濃度が０．０１質量％を超え且つ７質量％以下であることが好ましい。これによって、製造の容易性と耐食性とを一層高水準で両立可能な被覆体とすることができる。
【００１３】
本発明の被覆体における第１の層の厚みは０．１〜０．４μｍであることが好ましい。これによって、被覆体の製造コストを十分に低減しつつ十分に優れた耐食性を有する被覆体とすることができる。
【００１４】
本発明の被覆体は、導体と第１の層との間にニッケルを含む下地層を備えることが好ましい。これによって、優れた耐食性を維持しつつ第１の層の厚みを薄くすることが可能となり、製造コストを一層低減することができる。
【００１５】
本発明ではまた、上述の被覆体と、該被覆体で被覆された導体と、を有する信号伝達部を備える電子部品を提供する。このような信号伝達部は、導体が上記特徴を有する被覆体で被覆されていることから、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する被覆体を提供することができる。また、当該被覆体を備えることによって、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する信号伝達部を有する電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の被覆体を有する信号伝達部の好適な実施形態を示す模式断面図である。
【図２】本発明の被覆体を有する信号伝達部の別の実施形態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図面において、同一または同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１は、本実施形態の被覆体を有する信号伝達部を模式的に示す断面図である。図１における信号伝達部１００は、電子部品の信号伝達部を構成するものであり、導体２０と該導体２０を被覆する被覆体１０とを有する。本実施形態の被覆体１０は、導体２０の腐食を防止するために設けられる被覆層である。被覆体１０は、導体２０側から主成分としてパラジウムを含む第１の層１２と、主成分として金を含む第２の層１４とが順次積層された積層構造を有する。
【００２０】
第１の層１２は、好ましくはパラジウムめっきによって形成されるパラジウムめっき膜である。このようなパラジウムめっき膜は、置換パラジウムめっき処理や還元パラジウムめっき処理によって形成することができる。
【００２１】
本実施形態の被覆体１０における第１の層１２は、互いに組成の異なる２つの層が積層された２層構造を有する。すなわち、第１の層１２は、導体２０側に配置された内側層１６と、内側層１６とは異なる組成を有する層である、第２の層１４側に配置された外側層１８と、を有する。
【００２２】
内側層１６における第１の領域３１は、パラジウムを主成分とする領域であり、リン濃度が第２の領域３２よりも低くなっている。このようにリン濃度が低い第１の領域３１は、導体２０上への析出性に優れており、導体２０の表面上に安定的に且つ高い被覆性に優れた被覆体を形成することができる。一方、外側層１８における第２の領域３２は、パラジウムを主成分とする領域であり、リン濃度が第１の領域３１よりも高くなっている。このように、リン濃度を高くすることによって、腐食性に優れた被覆体を形成することができる。なお、内側層１６全体が第１の領域３１であり、外側層１８全体が第２の領域３２であってもよい。
【００２３】
第１の領域３１（内側層１６）のリン濃度は、好ましくは０．０１質量％以下である。このリン濃度が０．０１質量％を超えると、良好な被覆性が損なわれて、導体２０を覆う膜を形成することが困難になる傾向にある。
【００２４】
第２の領域３２（外側層１８）のリン濃度は、好ましくは０．０１質量％を超え、より好ましくは１質量％以上であり、さらに好ましくは３重量％以上である。このリン濃度が０．０１質量％以下であると、第１の層１２の耐食性が低下して、被覆体１０の十分に優れた耐食性が損なわれる場合がある。このリン濃度を１質量％以上とすれば、第１の層１２の耐食性を十分に高くすることができる。また、このリン濃度を３質量％以上とすれば、第１の層１２を厚みを薄くしても、優れた耐食性を十分に維持することができる。その結果、被覆体１０の厚みを薄くすることができる。
【００２５】
第２の領域３２（外側層１８）のリン濃度は、好ましくは７質量％以下であり、より好ましくは５質量％以下である。このリン濃度が７質量％を超えると、良好な被覆性が損なわれて、内側層１６を被覆することが困難になる傾向にある。このリン濃度を５質量％以下とすることによって、良好な被覆性を有する外側層１８を形成することができる。
【００２６】
第１の層１２の厚みの下限は、好ましくは０．１μｍである。当該厚みが０．１μｍ未満であると、第１の層１２による導体２０の被覆が不十分となり、十分に優れた耐食性が損なわれる傾向にある。第１の層１２の厚みの上限は、製造コストの観点から、好ましくは０．４μｍである。第１の層１２の厚みは、０．４μｍを超えて大きくしても、耐食性はあまり向上しない傾向にある。
【００２７】
第２の層１４の厚みは、好ましくは０．１μｍ以下であり、より好ましくは０．０１〜０．０８μｍである。当該厚みが０．１μｍを超えると、被覆体１０の製造コストが上昇する傾向にある。一方、当該厚みが０．０１μｍ未満であると、十分に優れた耐食性が損なわれる場合がある。
【００２８】
導体２０としては、例えば銅、銀及びこれらの合金から選ばれる少なくとも一種を含むものが挙げられる。信号伝達部１００の製造コストを低減する観点から、導体２０は銅を含むことが好ましい。導体２０としては、信号伝達部として機能する、導電性を有する端子が挙げられる。例えば、電子部品に搭載される配線基板に設けられる銅端子や、アンテナ信号伝達部などが挙げられる。電子部品としては、例えば、トランジスタや集積回路等の能動部品や、コンデンサ、インダクタ、フィルタ等の受動部品等が挙げられる。
【００２９】
信号伝達部１００は、電子部品に設けられて、電子部品に電源電位や接地電位の供給を行う接続端子や、信号の入力又は出力などを行ったりする信号端子であってもよい。この信号伝達部１００は、電子部品において、接触やボンディングワイヤ、ハンダで他の部材に接続される接続端子、あるいは開放端子として電子部品を作動させるための電気信号の伝達経路又は電源の伝達経路を構成する。このように、信号伝達部１００は、耐食性が求められる様々な用途に適用することができる。
【００３０】
次に、本実施形態の被覆体１０の製造方法を説明する。被覆体１０の製造方法は、導体２０の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６を形成する第１パラジウムめっき工程と、内側層１６の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６の上に外側層１８を形成する第２パラジウムめっき工程と、外側層１８の表面上に金めっき処理を施して、外側層１８の上に金めっき膜を形成する金めっき工程と、を有する。以下、各工程の詳細を説明する。
【００３１】
第１パラジウムめっき工程では、エッチング処理を施した導体２０の表面に第１のパラジウムめっき膜を形成する。第１のパラジウムめっき膜の形成方法としては、置換パラジウムめっき処理や還元パラジウムめっき処理などの無電解パラジウムめっき処理が挙げられる。所望の被覆体を形成するために、双方のめっき処理のどちらかを適宜選択して行うことができる。
【００３２】
置換パラジウムめっき処理に用いるめっき液（置換反応液）としては、硫酸パラジウムを含む水溶液等を用いることができる。置換パラジウムめっき膜は、めっき液に含まれるパラジウムイオンが、導体２０の金属のイオン化によって生じる放出電子を受け取ることによって形成される。このため、めっき液中に還元剤を含有する必要がない。ただし、パラジウムのめっき液中における酸化還元電位が、導体２０からイオン化する金属の酸化還元電位よりも貴である必要がある。このような置換パラジウムめっき処理におって形成される置換パラジウムめっき膜は、導体２０が露出している部分において置換反応により生成する。このため、置換パラジウムめっき膜は、厚みが薄くても均一に析出することができる。したがって、厚みの薄い内側層１６を形成する場合には、置換パラジウムめっき処理によって置換パラジウムめっき膜を形成することが好ましい。
【００３３】
還元パラジウムめっき処理に用いるめっき液（還元反応液）としては、ジアンミン亜硝酸パラジウムを含む水溶液等を用いることができる。第１のパラジウムめっき膜の形成に用いるめっき液のリン濃度を変えることによって、第１の層１２における内側層１６のリン濃度を調整することができる。還元パラジウムめっき膜は、めっき液中のパラジウムイオンが、めっき液中の還元作用を持つ物質、すなわち還元剤の酸化反応に伴って放出される電子を得ることによって形成される。このため、めっき液は還元剤を含有する。このように、還元パラジウムめっき処理に用いられるめっき液は還元剤を含有するため、導体２０に含まれる金属成分の種類によらず、所望の厚みのパラジウムめっき膜を形成することができる。
【００３４】
めっき液に含まれる還元剤としては、例えば、次亜リン酸、亜リン酸及びこれらの塩(例えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩)などのリン化合物、ホルマリン、ギ酸及びその塩などの炭素化合物、ホウフッ化物及びジメチルアミンボランなどのホウ素化合物、並びに、チオ硫酸、ペルオキソ硫酸及びこれらの塩などの硫黄化合物などが挙げられる。また、還元剤は、例えば二価のスズイオン、二価のコバルトイオン、二価の鉄イオンなどの多価金属イオンであってもよい。
【００３５】
還元反応により得られる還元パラジウムめっき膜は、還元剤から放出される電子によって導体２０上に析出する。このため、還元剤に含まれる元素が還元パラジウムめっき膜中に共析する。したがって、リンを有する還元剤のめっき液における含有量を変えることによって、還元パラジウムめっき膜中におけるリン濃度を調整することができる。
【００３６】
このようにして、導体２０の上に、置換パラジウムめっき膜又は還元パラジウムめっき膜からなる内側層１６を形成することができる。次に、内側層１６の上に外側層１８を形成して第１の層１２を得る、第２のパラジウムめっき工程を行う。
【００３７】
第２のパラジウムめっき工程は、パラジウムめっき膜からなる内側層１６の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６の上にパラジウムめっき膜からなる外側層１８を形成する。第２パラジウムめっき工程では、第１のパラジウムめっき工程で説明した還元パラジウムめっき処理を内側層１６の表面に施す。これによって、外側層１８を形成することができる。ここで用いるめっき液は、第１のパラジウムめっき工程で用いた還元パラジウムめっき用のめっき液よりも、リン濃度が高いめっき液を用いる必要がある。めっき液におけるリン濃度は、リンを有する還元剤のめっき液中における含有量を変えることによって調整することができる。
【００３８】
このように、還元反応により得られるパラジウムめっき膜に、還元剤である化合物に含まれるリンを共析させることによって、パラジウムめっき膜の耐食性を向上することができる。パラジウムめっき膜は、共析可能な濃度を超えない範囲でリンを含有すれば、リン濃度が高くなるほど耐食性が向上する傾向にある。
【００３９】
一方、被めっき物に対するパラジウムめっき膜の被覆性は、リンが共析しない場合に比べて低くなる傾向にある。この傾向は、パラジウムめっき膜中のリン濃度が、共析可能な濃度を超えない範囲において、リン濃度が高くなるほど大きくなる。したがって、本実施形態のように、パラジウムめっき工程を複数回行って、リン濃度が互いに異なる複数のパラジウムめっき膜を形成することによって、所望の被覆性と耐食性とを有する第１の層１２及び被覆体１０を形成することができる。
【００４０】
金めっき工程では、置換金めっき処理又は還元金めっき処理などの無電解金めっき処理を施して、第１の層１２の表面上に金めっき膜からなる第２の層１４を形成する。金めっき膜は、市販の無電解金めっき液を用い公知の方法によって形成することができる。
【００４１】
以上の製造方法によって、導体２０の上に被覆体１０を製造することができる。通常、リンを含有するパラジウムめっき膜は、導体２０上に析出し難いため、導体２０の表面を均一に覆うパラジウムめっき膜を形成することは困難である。しかしながら、この製造方法では、リン濃度が低いパラジウムめっき膜を導体２０の表面上に形成し、その上に導体２０の表面上に直接析出させることが困難なリン濃度が高いパラジウムめっき膜を析出させている。そして、このようなパラジウムめっき膜の上に金めっき膜を形成することよって、製造コストを上げることなく高い耐食性を有する被覆体１０を形成している。このような被覆体１０で被覆された導体２０を備える信号伝達部１００は、十分に優れた耐食性を有する。
【００４２】
次に、本発明の別の実施形態である被覆体を説明する。
【００４３】
図２は、本実施形態の被覆体を有する信号伝達部を模式的に示す断面図である。図２における信号伝達部２００は、電子部品の信号伝達部を構成するものであり、導体２０と該導体２０を被覆する被覆体１１とを有する。本実施形態の被覆体１１は、導体２０の腐食を防止するために設けられる被覆層である。被覆体１１は、導体２０側から、主成分としてニッケルを含む下地層３０と、主成分としてパラジウムを含む第１の層１２と、主成分として金を含む第２の層１４とが順次積層された積層構造を有する。すなわち、本実施形態の被覆体１１は、導体２０と第１の層１２との間に下地層３０を有する点で、上記実施形態の被覆体１０と異なっている。被覆体１１の下地層３０以外の構成要素は、被覆体１０と同様のものとすることができる。
【００４４】
下地層３０は、好ましくは無電解ニッケルめっき処理によって形成されるニッケルめっき膜である。このような下地層３０を設けることによって、十分に優れた耐食性を維持しつつ第１の層１２の厚みを薄くすることができる。これによって、パラジウムの量が低減され、被覆体１１の製造コストを低減することができる。十分に製造コストを低減する観点から、下地層３０の厚みは、好ましくは２μｍ以上である。一方、信号伝達部２００が高周波電波による信号伝達の機能を有する場合、その信号は、導体２０の最表層において伝送される傾向にある。その場合、導体２０に電気伝導率が低いニッケルを主成分とする下地層３０が隣接していると、損失が大きくなる傾向にある。このような観点から、下地層３０の厚みは、好ましくは１０μｍ以下である。下地層３０の厚みは、導体２０の厚み及び信号周波数によって適宜調整することが好ましい。
【００４５】
本実施形態の被覆体１１の製造方法を説明する。被覆体１１の製造方法は、導体２０の表面上に無電解ニッケルめっき処理を施して、下地層３０となるニッケルめっき膜を形成するニッケルめっき工程と、下地層３０の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６を形成する第１パラジウムめっき工程と、内側層１６の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６の上に外側層１８を形成する第２パラジウムめっき工程と、外側層１８の表面上に金めっき処理を施して、外側層１８の上に金めっき膜を形成する金めっき工程と、を有する。この製造方法におけるニッケルめっき工程以外の工程は、上述の被覆体１０の製造方法と同様にして行うことができる。したがって、ここではニッケルめっき工程について説明する。
【００４６】
ニッケルめっき工程では、まず、導体２０の表面の前処理を行う。具体的には、市販のエッチング液を用いてエッチングを行った後、市販の活性化処理液を用いて活性化処理を行う。その後、無電解ニッケルめっき液に前処理を施した導体２０を浸漬して、導体２０の表面上に無電解ニッケルめっき膜を形成する。その後、被覆体１０の製造方法と同様にして、パラジウムめっき処理及び金めっき処理を施して第１の層１２及び第２の層１４を形成し、被覆体１１を製造することができる。
【００４７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、第１の層１２が、リン濃度が異なる２種類のパラジウムめっき膜が積層された積層構造を有していたが、第１の層１２は、導体２０に近接するにつれて、リン濃度が連続的に低下する層であってもよい。これによって、導体２０の表面上へのパラジウムめっきの析出性を良好にしつつ耐食性に優れた第１の層１２を形成することができる。このように、リン濃度が第２の層１４に向けて増加する第１の層１２は、例えば、めっき処理時にめっき液にリンを含有する成分を徐々に添加し、めっき液におけるリン濃度を徐々に増加させることによって形成することができる。
【００４８】
また、第１の層１２に含まれる第１の領域３１（内側層１６）及び第２の領域３２（外側層１８）の少なくとも一方が、導体２０に近接するにつれて、リン濃度が連続的に低下する領域（層）であってもよい。
【実施例】
【００４９】
本発明の内容を実施例と比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
［信号伝達部の作製］
（実施例１）
＜エッチング工程＞
市販のガラスエポキシ基板（縦×横×厚さ＝３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．５ｍｍ）に、接着剤を用いて市販の銅箔（厚さ１０μｍ）を貼り付けて銅箔付き基板（導体）を得た。また、これとは別に表１に示す組成を有するエッチング液（温度３０℃）を調製した。このエッチング液に、導体を１分間浸漬して、導体表面のエッチングを行った。エッチング後、導体の水洗を行った。
【００５１】
【表１】
【００５２】
＜置換パラジウムめっき工程＞
次に、表２に示す組成を有する置換反応液（３０℃）を調製した。上述の通りエッチングを行った導体を、硫酸（９８質量％）３０ｍｌを水１Ｌで希釈した水溶液（３０℃）に３０秒間浸漬した。その後、表２の置換反応液に導体を1分間浸漬して、置換反応によって導体の表面にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６が形成された導体の水洗を行った。
【００５３】
【表２】
【００５４】
＜還元パラジウムめっき工程＞
表３に示す組成を有する還元反応液（温度：５５℃、ｐＨ：６．０）を調製した。内側層１６が形成された導体を、表３の還元反応液に５分間浸漬し、還元反応によって内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００５５】
【表３】
【００５６】
＜置換金めっき工程＞
表４に示す組成を有する置換反応液（温度：８０℃、ｐＨ：５．０）を調製した。内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２が形成された導体を、表４の置換反応液に２０分間浸漬し、置換反応によって第１の層１２の上に金めっき膜（第２の層１４）を形成した。このようにして、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１の信号伝達部とした。
【００５７】
【表４】
【００５８】
（実施例２）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例２の信号伝達部とした。
【００５９】
（実施例３）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から２０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例３の信号伝達部とした。
【００６０】
（実施例４）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて、表５に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：７．５）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例４の信号伝達部とした。
【００６１】
【表５】
【００６２】
（実施例５）
還元パラジウムめっき工程において、表５の還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１０分間に変えたこと以外は、実施例４と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例５の信号伝達部とした。
【００６３】
（実施例６）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて表６に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：７．０）を用いたこと、及び当該還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例６の信号伝達部とした。
【００６４】
【表６】
【００６５】
（実施例７）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて表７に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：７．０）を用いたこと、及び当該還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１５分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例７の信号伝達部とした。
【００６６】
【表７】
【００６７】
（実施例８）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて表８に示す組成を有する還元反応液（温度：８０℃、ｐＨ：８．０）を用いたこと、及び当該還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から２０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例８の信号伝達部とした。
【００６８】
【表８】
【００６９】
（実施例９）
＜エッチング工程及び還元パラジウムめっき工程＞
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。また、表９に示す組成を有する還元反応液（温度：５５℃、ｐＨ：６．０）を調製した。表９の還元反応液に、導体を１分間浸漬して、還元反応によって、導体の上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６が形成された導体の水洗を行った。
【００７０】
【表９】
【００７１】
内側層１６が形成された導体を、表６の還元反応液に１０分間浸漬し、還元反応によって内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００７２】
＜置換金めっき工程＞
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例９の信号伝達部とした。
【００７３】
（実施例１０）
＜エッチング工程及び還元パラジウムめっき工程＞
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表９の還元反応液に、導体を１分間浸漬して、還元反応によって、導体の上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。導体を表９の還元反応液に浸漬させた状態で、当該還元反応液に亜リン酸水素ナトリウム水溶液（濃度：３０質量％）を7分間かけて滴下した。これによって、還元反応液中の亜リン酸水素ナトリウム濃度が０から１４ｇ／Ｌに連続的に上昇した。亜リン酸水素ナトリウム水溶液の滴下が終了した後、導体を継続して還元反応液に２分間浸漬した。これによって、内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００７４】
＜置換金めっき工程＞
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１０の信号伝達部とした。
【００７５】
（実施例１１）
＜エッチング工程及び活性化工程＞
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。この導体を、市販の活性化剤（上村工業株式会社製、商品名：ＡＴ−４５０、温度：３０℃）に、１分間浸漬して活性化処理を行った。その後、導体の水洗を行った。
【００７６】
＜ニッケルめっき工程＞
表１０に示す組成を有する還元反応液（温度：４５℃、ｐＨ：４．５）を調製した。活性化処理を施した導体を、表１０の還元反応液に３０分間浸漬し、還元反応によって導体の上にニッケルめっき膜（下地層３０）を形成した。その後、下地層３０が形成された導体の水洗を行った。
【００７７】
【表１０】
【００７８】
＜還元パラジウムめっき工程＞
表１１に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：５．５）を調製した。下地層３０が形成された導体を、表１１の還元反応液に１分間浸漬し、還元反応によって下地層３０上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６を形成した導体を水洗した。
【００７９】
【表１１】
【００８０】
内側層１６が形成された導体を、表５の還元反応液に５分間浸漬し、還元反応によって内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００８１】
＜置換金めっき工程＞
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、銅箔側からニッケルを含む下地層３０、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１１の信号伝達部とした。
【００８２】
（実施例１２）
還元パラジウムめっき工程において、内側層１６が形成された導体を表５の還元反応液に浸漬したことに変えて、該導体を表８の還元反応液に２０分間浸漬したこと以外は、実施例１１と同様にして、銅箔側からニッケルを含む下地層３０と、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１２の信号伝達部とした。
【００８３】
（比較例１）
実施例１１と同様にして、エッチング工程、及び活性化工程を行った。そして、ニッケルめっき工程において、表１０に示す還元反応液に導体を４０分間浸漬し、還元反応によって導体の上にニッケルめっき膜（下地層３０）を形成した。このようにして、ニッケルを含む下地層３０からなる被覆体を有する導体を得た。これを比較例１の信号伝達部とした。
【００８４】
（比較例２）
比較例１と同様にして、導体の上にニッケルめっき膜（下地層３０）を形成した。その後、下地層３０を形成した導体を水洗し、実施例１と同様の置換金めっき工程を行って、下地層３０の上に金めっき膜（第２の層１４）を形成した。このようにして、ニッケルを含む下地層３０と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例２の信号伝達部とした。
【００８５】
（比較例３）
比較例２と同様にして、ニッケルめっき膜からなる下地層３０と、金めっき膜からなる層とが積層された被覆体を有する導体を得た。表１２に示す組成を有する還元反応液（温度：９０℃、ｐＨ：７．５）を調製した。下地層３０及び第２の層が形成された導体を、表１２の還元反応液に１０分間浸漬し、還元反応によって金めっき膜からなる別の層を形成した。このようにして、銅箔側から、ニッケルを含む下地層３０と、金を含む２つの層からなる第２の層とが順次積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例３の信号伝達部とした。
【００８６】
【表１２】
【００８７】
（比較例４）
表１２の還元反応液に浸漬する時間を１０分間から２０分間に変更したこと以外は、比較例３と同様にして、ニッケルを含む下地層３０と、金を含む２つの層からなる第２の層とが順次積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例４の信号伝達部とした。
【００８８】
（比較例５）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表９の還元反応液に、導体を１０分間浸漬して、還元反応によって、導体の上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６が形成された導体の水洗を行った。
【００８９】
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、パラジウムを含む内側層１６からなる第１の層と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例５の信号伝達部とした。
【００９０】
（比較例６）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表３の還元反応液に、導体を５分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９１】
（比較例７）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表５の還元反応液に、導体を５分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９２】
（比較例８）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表６の還元反応液に、導体を１０分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９３】
（比較例９）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表７の還元反応液に、導体を１５分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９４】
［信号伝達部の評価］
各実施例及び各比較例で得られた信号伝達部を、第１の層１２と第２の層１４の積層方向に沿って切断して、切断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察し、第１の層１２及び第２の層１４のそれぞれの厚みを求めた。また、同じ切断面において、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）による分析を行い、第１の層における内側層１６及び外側層１８のリン濃度を測定した。これらの結果を表１３に纏めて示す。
【００９５】
ＪＩＳ Ｃ ５４０２−１１−１４に準拠して、以下の手順で単一ガス流腐食試験を行い、各実施例及び各比較例で得られた信号伝達部の耐食性を評価した。まず、得られた信号伝達部を、ＳＯ２ガスを体積基準で１０ｐｐｍ含む汚染ガス雰囲気（温度：３０℃、相対湿度：７５％）に曝露した。曝露期間は４日間とした。曝露後の被覆体の表面を光学顕微鏡（倍率：５０倍）で観察し、視野（縦×横＝６．０ｍｍ×４．５ｍｍ）中に検出された孔食の数をカウントした。その結果を耐食性の評価結果として表１３に示す。
【００９６】
【表１３】
【００９７】
実施例１０の信号伝達部における第１の層の外側層１８のリン濃度は、導体２０側から第２の層１４側に向けて、連続的に増加していた。表１３に示す実施例１０の外側層１８のリン濃度は、第２の層１４側における外側層１８のリン濃度である。
【００９８】
表１３中、被覆体コストは、第１の層（パラジウムめっき膜）の厚みが０．２μｍ以下、且つ第２の層（金めっき膜）の厚みが０．１μｍ以下のものを「Ａ」、第１の層の厚みが０．２μｍを超え０．６μｍ以下、且つ第２の層の厚みが０．１μｍを超え０．４μｍ以下のものを「Ｂ」、第２の層の厚みが０．４μｍを超えるものを「Ｃ」と評価した。
【００９９】
実施例１〜１２における被覆体は、第１の層の厚みが０．１〜０．４μｍ、第２の層の厚みが０．０５μｍであることから、比較的薄い厚みを有していた。実施例１〜１２における被覆体は、このように比較的厚みが小さいにもかかわらず、十分に優れた耐食性を有することが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明によれば、耐食性に十分に優れ、低コストで形成可能な被覆体を提供することができる。また、当該被覆体を備えることによって、製造コストが低く且つ耐食性に十分に優れた信号伝達部を有する電子部品を提供することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１０，１１…被覆体、１２…第１の層、１４…第２の層、１６…内側層、１８…外側層、２０…導体、３０…下地層、３１…第１の領域、３２…第２の領域、１００，２００…信号伝達部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体上に設けられる被覆体、及び該被覆体で被覆された導体を有する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品は、外部機器と信号のやりとりを行う信号伝達部を有する。この信号伝達部において、外部機器と電気的な信号のやりとりを行う場合には、信号伝達部の電気伝導度を高くする必要があるため、信号伝達部の基材としては銅又は銅系合金が汎用されている。ところが、銅又は銅系合金は、空気中の酸素や腐食性ガスによって腐食されやすいという特性を有するため、防錆及び防食の目的で、基材の表面にニッケルめっき膜や金めっき膜を積層した被覆層を形成することが検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、接続端子部の基材上に、無電解ニッケル膜を下地層として形成し、その上に置換型無電解金めっき膜及び還元型無電解金めっき膜を順次形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３７６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された被覆層は、置換型無電解金めっき時において、めっき液中の金イオンを還元する電子を、ニッケルめっき膜の腐食反応によって生成させている。このため、ニッケルめっき膜が腐食して欠陥が生じ易くなってしまう。このような金めっき膜の欠陥の発生を防止するために、金めっき膜の厚みを十分に大きくして対応することが可能であるが、この場合、一般に金は高価であるため、被覆層のコストが上昇する傾向にある。
【０００６】
一方、金めっき膜の厚みを低減した場合、又は金めっき膜を形成しない場合には、最外層にニッケルめっき膜が露出することとなり、耐食性が損なわれることとなる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する被覆体を提供することを目的とする。また、当該被覆体を備えることによって、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する信号伝達部を有する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明では、導体の上に設けられる被覆体であって、導体側からパラジウムを含む第１の層と、金を含む第２の層と、を備え、第１の層は導体側に第１の領域と、第１の領域よりも第２の層側に配置された第２の領域と、を有し、第２の領域は、第１の領域よりもリン濃度が高い被覆体を提供する。
【０００９】
本発明の被覆体は、導体側にリン濃度が低いパラジウムを含む第１の領域を有し、第２の層側に第１の領域よりもリン濃度が高い第２の領域を有する第１の層を備える。この第１の層における第２の領域は第１の領域よりもリン濃度が高いために、耐食性に優れる。一方、第１の層における第１の領域は、第２の領域よりもリン濃度が低いために、導体との密着性に優れており、導体の上に容易に形成することができる。したがって、金を含む第２の層の厚みを大きくしなくても、導体の腐食を十分に抑制することができる。
【００１０】
本発明の被覆体における第１の層は、導体側から第１の領域を含む内側層と、第２の領域を含む外側層と、を有することが好ましい。このように第１の層が層状構造を有することによって、導体の腐食を一層十分に抑制することができる。
【００１１】
本発明の被覆体における第１の領域及び第２の領域の少なくとも一方は、導体に近接するにつれてリン濃度が低下する領域を有することが好ましい。これによって、導体上におけるパラジウムの析出性を良好にしつつ耐食性に十分に優れた被覆体とすることができる。
【００１２】
本発明の被覆体の第１の領域におけるリン濃度が０．０１質量％以下であり、第２の領域におけるリン濃度が０．０１質量％を超え且つ７質量％以下であることが好ましい。これによって、製造の容易性と耐食性とを一層高水準で両立可能な被覆体とすることができる。
【００１３】
本発明の被覆体における第１の層の厚みは０．１〜０．４μｍであることが好ましい。これによって、被覆体の製造コストを十分に低減しつつ十分に優れた耐食性を有する被覆体とすることができる。
【００１４】
本発明の被覆体は、導体と第１の層との間にニッケルを含む下地層を備えることが好ましい。これによって、優れた耐食性を維持しつつ第１の層の厚みを薄くすることが可能となり、製造コストを一層低減することができる。
【００１５】
本発明ではまた、上述の被覆体と、該被覆体で被覆された導体と、を有する信号伝達部を備える電子部品を提供する。このような信号伝達部は、導体が上記特徴を有する被覆体で被覆されていることから、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する被覆体を提供することができる。また、当該被覆体を備えることによって、製造コストが低く且つ十分に優れた耐食性を有する信号伝達部を有する電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の被覆体を有する信号伝達部の好適な実施形態を示す模式断面図である。
【図２】本発明の被覆体を有する信号伝達部の別の実施形態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図面において、同一または同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【００１９】
図１は、本実施形態の被覆体を有する信号伝達部を模式的に示す断面図である。図１における信号伝達部１００は、電子部品の信号伝達部を構成するものであり、導体２０と該導体２０を被覆する被覆体１０とを有する。本実施形態の被覆体１０は、導体２０の腐食を防止するために設けられる被覆層である。被覆体１０は、導体２０側から主成分としてパラジウムを含む第１の層１２と、主成分として金を含む第２の層１４とが順次積層された積層構造を有する。
【００２０】
第１の層１２は、好ましくはパラジウムめっきによって形成されるパラジウムめっき膜である。このようなパラジウムめっき膜は、置換パラジウムめっき処理や還元パラジウムめっき処理によって形成することができる。
【００２１】
本実施形態の被覆体１０における第１の層１２は、互いに組成の異なる２つの層が積層された２層構造を有する。すなわち、第１の層１２は、導体２０側に配置された内側層１６と、内側層１６とは異なる組成を有する層である、第２の層１４側に配置された外側層１８と、を有する。
【００２２】
内側層１６における第１の領域３１は、パラジウムを主成分とする領域であり、リン濃度が第２の領域３２よりも低くなっている。このようにリン濃度が低い第１の領域３１は、導体２０上への析出性に優れており、導体２０の表面上に安定的に且つ高い被覆性に優れた被覆体を形成することができる。一方、外側層１８における第２の領域３２は、パラジウムを主成分とする領域であり、リン濃度が第１の領域３１よりも高くなっている。このように、リン濃度を高くすることによって、腐食性に優れた被覆体を形成することができる。なお、内側層１６全体が第１の領域３１であり、外側層１８全体が第２の領域３２であってもよい。
【００２３】
第１の領域３１（内側層１６）のリン濃度は、好ましくは０．０１質量％以下である。このリン濃度が０．０１質量％を超えると、良好な被覆性が損なわれて、導体２０を覆う膜を形成することが困難になる傾向にある。
【００２４】
第２の領域３２（外側層１８）のリン濃度は、好ましくは０．０１質量％を超え、より好ましくは１質量％以上であり、さらに好ましくは３重量％以上である。このリン濃度が０．０１質量％以下であると、第１の層１２の耐食性が低下して、被覆体１０の十分に優れた耐食性が損なわれる場合がある。このリン濃度を１質量％以上とすれば、第１の層１２の耐食性を十分に高くすることができる。また、このリン濃度を３質量％以上とすれば、第１の層１２を厚みを薄くしても、優れた耐食性を十分に維持することができる。その結果、被覆体１０の厚みを薄くすることができる。
【００２５】
第２の領域３２（外側層１８）のリン濃度は、好ましくは７質量％以下であり、より好ましくは５質量％以下である。このリン濃度が７質量％を超えると、良好な被覆性が損なわれて、内側層１６を被覆することが困難になる傾向にある。このリン濃度を５質量％以下とすることによって、良好な被覆性を有する外側層１８を形成することができる。
【００２６】
第１の層１２の厚みの下限は、好ましくは０．１μｍである。当該厚みが０．１μｍ未満であると、第１の層１２による導体２０の被覆が不十分となり、十分に優れた耐食性が損なわれる傾向にある。第１の層１２の厚みの上限は、製造コストの観点から、好ましくは０．４μｍである。第１の層１２の厚みは、０．４μｍを超えて大きくしても、耐食性はあまり向上しない傾向にある。
【００２７】
第２の層１４の厚みは、好ましくは０．１μｍ以下であり、より好ましくは０．０１〜０．０８μｍである。当該厚みが０．１μｍを超えると、被覆体１０の製造コストが上昇する傾向にある。一方、当該厚みが０．０１μｍ未満であると、十分に優れた耐食性が損なわれる場合がある。
【００２８】
導体２０としては、例えば銅、銀及びこれらの合金から選ばれる少なくとも一種を含むものが挙げられる。信号伝達部１００の製造コストを低減する観点から、導体２０は銅を含むことが好ましい。導体２０としては、信号伝達部として機能する、導電性を有する端子が挙げられる。例えば、電子部品に搭載される配線基板に設けられる銅端子や、アンテナ信号伝達部などが挙げられる。電子部品としては、例えば、トランジスタや集積回路等の能動部品や、コンデンサ、インダクタ、フィルタ等の受動部品等が挙げられる。
【００２９】
信号伝達部１００は、電子部品に設けられて、電子部品に電源電位や接地電位の供給を行う接続端子や、信号の入力又は出力などを行ったりする信号端子であってもよい。この信号伝達部１００は、電子部品において、接触やボンディングワイヤ、ハンダで他の部材に接続される接続端子、あるいは開放端子として電子部品を作動させるための電気信号の伝達経路又は電源の伝達経路を構成する。このように、信号伝達部１００は、耐食性が求められる様々な用途に適用することができる。
【００３０】
次に、本実施形態の被覆体１０の製造方法を説明する。被覆体１０の製造方法は、導体２０の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６を形成する第１パラジウムめっき工程と、内側層１６の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６の上に外側層１８を形成する第２パラジウムめっき工程と、外側層１８の表面上に金めっき処理を施して、外側層１８の上に金めっき膜を形成する金めっき工程と、を有する。以下、各工程の詳細を説明する。
【００３１】
第１パラジウムめっき工程では、エッチング処理を施した導体２０の表面に第１のパラジウムめっき膜を形成する。第１のパラジウムめっき膜の形成方法としては、置換パラジウムめっき処理や還元パラジウムめっき処理などの無電解パラジウムめっき処理が挙げられる。所望の被覆体を形成するために、双方のめっき処理のどちらかを適宜選択して行うことができる。
【００３２】
置換パラジウムめっき処理に用いるめっき液（置換反応液）としては、硫酸パラジウムを含む水溶液等を用いることができる。置換パラジウムめっき膜は、めっき液に含まれるパラジウムイオンが、導体２０の金属のイオン化によって生じる放出電子を受け取ることによって形成される。このため、めっき液中に還元剤を含有する必要がない。ただし、パラジウムのめっき液中における酸化還元電位が、導体２０からイオン化する金属の酸化還元電位よりも貴である必要がある。このような置換パラジウムめっき処理におって形成される置換パラジウムめっき膜は、導体２０が露出している部分において置換反応により生成する。このため、置換パラジウムめっき膜は、厚みが薄くても均一に析出することができる。したがって、厚みの薄い内側層１６を形成する場合には、置換パラジウムめっき処理によって置換パラジウムめっき膜を形成することが好ましい。
【００３３】
還元パラジウムめっき処理に用いるめっき液（還元反応液）としては、ジアンミン亜硝酸パラジウムを含む水溶液等を用いることができる。第１のパラジウムめっき膜の形成に用いるめっき液のリン濃度を変えることによって、第１の層１２における内側層１６のリン濃度を調整することができる。還元パラジウムめっき膜は、めっき液中のパラジウムイオンが、めっき液中の還元作用を持つ物質、すなわち還元剤の酸化反応に伴って放出される電子を得ることによって形成される。このため、めっき液は還元剤を含有する。このように、還元パラジウムめっき処理に用いられるめっき液は還元剤を含有するため、導体２０に含まれる金属成分の種類によらず、所望の厚みのパラジウムめっき膜を形成することができる。
【００３４】
めっき液に含まれる還元剤としては、例えば、次亜リン酸、亜リン酸及びこれらの塩(例えばナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩)などのリン化合物、ホルマリン、ギ酸及びその塩などの炭素化合物、ホウフッ化物及びジメチルアミンボランなどのホウ素化合物、並びに、チオ硫酸、ペルオキソ硫酸及びこれらの塩などの硫黄化合物などが挙げられる。また、還元剤は、例えば二価のスズイオン、二価のコバルトイオン、二価の鉄イオンなどの多価金属イオンであってもよい。
【００３５】
還元反応により得られる還元パラジウムめっき膜は、還元剤から放出される電子によって導体２０上に析出する。このため、還元剤に含まれる元素が還元パラジウムめっき膜中に共析する。したがって、リンを有する還元剤のめっき液における含有量を変えることによって、還元パラジウムめっき膜中におけるリン濃度を調整することができる。
【００３６】
このようにして、導体２０の上に、置換パラジウムめっき膜又は還元パラジウムめっき膜からなる内側層１６を形成することができる。次に、内側層１６の上に外側層１８を形成して第１の層１２を得る、第２のパラジウムめっき工程を行う。
【００３７】
第２のパラジウムめっき工程は、パラジウムめっき膜からなる内側層１６の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６の上にパラジウムめっき膜からなる外側層１８を形成する。第２パラジウムめっき工程では、第１のパラジウムめっき工程で説明した還元パラジウムめっき処理を内側層１６の表面に施す。これによって、外側層１８を形成することができる。ここで用いるめっき液は、第１のパラジウムめっき工程で用いた還元パラジウムめっき用のめっき液よりも、リン濃度が高いめっき液を用いる必要がある。めっき液におけるリン濃度は、リンを有する還元剤のめっき液中における含有量を変えることによって調整することができる。
【００３８】
このように、還元反応により得られるパラジウムめっき膜に、還元剤である化合物に含まれるリンを共析させることによって、パラジウムめっき膜の耐食性を向上することができる。パラジウムめっき膜は、共析可能な濃度を超えない範囲でリンを含有すれば、リン濃度が高くなるほど耐食性が向上する傾向にある。
【００３９】
一方、被めっき物に対するパラジウムめっき膜の被覆性は、リンが共析しない場合に比べて低くなる傾向にある。この傾向は、パラジウムめっき膜中のリン濃度が、共析可能な濃度を超えない範囲において、リン濃度が高くなるほど大きくなる。したがって、本実施形態のように、パラジウムめっき工程を複数回行って、リン濃度が互いに異なる複数のパラジウムめっき膜を形成することによって、所望の被覆性と耐食性とを有する第１の層１２及び被覆体１０を形成することができる。
【００４０】
金めっき工程では、置換金めっき処理又は還元金めっき処理などの無電解金めっき処理を施して、第１の層１２の表面上に金めっき膜からなる第２の層１４を形成する。金めっき膜は、市販の無電解金めっき液を用い公知の方法によって形成することができる。
【００４１】
以上の製造方法によって、導体２０の上に被覆体１０を製造することができる。通常、リンを含有するパラジウムめっき膜は、導体２０上に析出し難いため、導体２０の表面を均一に覆うパラジウムめっき膜を形成することは困難である。しかしながら、この製造方法では、リン濃度が低いパラジウムめっき膜を導体２０の表面上に形成し、その上に導体２０の表面上に直接析出させることが困難なリン濃度が高いパラジウムめっき膜を析出させている。そして、このようなパラジウムめっき膜の上に金めっき膜を形成することよって、製造コストを上げることなく高い耐食性を有する被覆体１０を形成している。このような被覆体１０で被覆された導体２０を備える信号伝達部１００は、十分に優れた耐食性を有する。
【００４２】
次に、本発明の別の実施形態である被覆体を説明する。
【００４３】
図２は、本実施形態の被覆体を有する信号伝達部を模式的に示す断面図である。図２における信号伝達部２００は、電子部品の信号伝達部を構成するものであり、導体２０と該導体２０を被覆する被覆体１１とを有する。本実施形態の被覆体１１は、導体２０の腐食を防止するために設けられる被覆層である。被覆体１１は、導体２０側から、主成分としてニッケルを含む下地層３０と、主成分としてパラジウムを含む第１の層１２と、主成分として金を含む第２の層１４とが順次積層された積層構造を有する。すなわち、本実施形態の被覆体１１は、導体２０と第１の層１２との間に下地層３０を有する点で、上記実施形態の被覆体１０と異なっている。被覆体１１の下地層３０以外の構成要素は、被覆体１０と同様のものとすることができる。
【００４４】
下地層３０は、好ましくは無電解ニッケルめっき処理によって形成されるニッケルめっき膜である。このような下地層３０を設けることによって、十分に優れた耐食性を維持しつつ第１の層１２の厚みを薄くすることができる。これによって、パラジウムの量が低減され、被覆体１１の製造コストを低減することができる。十分に製造コストを低減する観点から、下地層３０の厚みは、好ましくは２μｍ以上である。一方、信号伝達部２００が高周波電波による信号伝達の機能を有する場合、その信号は、導体２０の最表層において伝送される傾向にある。その場合、導体２０に電気伝導率が低いニッケルを主成分とする下地層３０が隣接していると、損失が大きくなる傾向にある。このような観点から、下地層３０の厚みは、好ましくは１０μｍ以下である。下地層３０の厚みは、導体２０の厚み及び信号周波数によって適宜調整することが好ましい。
【００４５】
本実施形態の被覆体１１の製造方法を説明する。被覆体１１の製造方法は、導体２０の表面上に無電解ニッケルめっき処理を施して、下地層３０となるニッケルめっき膜を形成するニッケルめっき工程と、下地層３０の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６を形成する第１パラジウムめっき工程と、内側層１６の表面上にパラジウムめっき処理を施して、内側層１６の上に外側層１８を形成する第２パラジウムめっき工程と、外側層１８の表面上に金めっき処理を施して、外側層１８の上に金めっき膜を形成する金めっき工程と、を有する。この製造方法におけるニッケルめっき工程以外の工程は、上述の被覆体１０の製造方法と同様にして行うことができる。したがって、ここではニッケルめっき工程について説明する。
【００４６】
ニッケルめっき工程では、まず、導体２０の表面の前処理を行う。具体的には、市販のエッチング液を用いてエッチングを行った後、市販の活性化処理液を用いて活性化処理を行う。その後、無電解ニッケルめっき液に前処理を施した導体２０を浸漬して、導体２０の表面上に無電解ニッケルめっき膜を形成する。その後、被覆体１０の製造方法と同様にして、パラジウムめっき処理及び金めっき処理を施して第１の層１２及び第２の層１４を形成し、被覆体１１を製造することができる。
【００４７】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、第１の層１２が、リン濃度が異なる２種類のパラジウムめっき膜が積層された積層構造を有していたが、第１の層１２は、導体２０に近接するにつれて、リン濃度が連続的に低下する層であってもよい。これによって、導体２０の表面上へのパラジウムめっきの析出性を良好にしつつ耐食性に優れた第１の層１２を形成することができる。このように、リン濃度が第２の層１４に向けて増加する第１の層１２は、例えば、めっき処理時にめっき液にリンを含有する成分を徐々に添加し、めっき液におけるリン濃度を徐々に増加させることによって形成することができる。
【００４８】
また、第１の層１２に含まれる第１の領域３１（内側層１６）及び第２の領域３２（外側層１８）の少なくとも一方が、導体２０に近接するにつれて、リン濃度が連続的に低下する領域（層）であってもよい。
【実施例】
【００４９】
本発明の内容を実施例と比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
［信号伝達部の作製］
（実施例１）
＜エッチング工程＞
市販のガラスエポキシ基板（縦×横×厚さ＝３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．５ｍｍ）に、接着剤を用いて市販の銅箔（厚さ１０μｍ）を貼り付けて銅箔付き基板（導体）を得た。また、これとは別に表１に示す組成を有するエッチング液（温度３０℃）を調製した。このエッチング液に、導体を１分間浸漬して、導体表面のエッチングを行った。エッチング後、導体の水洗を行った。
【００５１】
【表１】
【００５２】
＜置換パラジウムめっき工程＞
次に、表２に示す組成を有する置換反応液（３０℃）を調製した。上述の通りエッチングを行った導体を、硫酸（９８質量％）３０ｍｌを水１Ｌで希釈した水溶液（３０℃）に３０秒間浸漬した。その後、表２の置換反応液に導体を1分間浸漬して、置換反応によって導体の表面にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６が形成された導体の水洗を行った。
【００５３】
【表２】
【００５４】
＜還元パラジウムめっき工程＞
表３に示す組成を有する還元反応液（温度：５５℃、ｐＨ：６．０）を調製した。内側層１６が形成された導体を、表３の還元反応液に５分間浸漬し、還元反応によって内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００５５】
【表３】
【００５６】
＜置換金めっき工程＞
表４に示す組成を有する置換反応液（温度：８０℃、ｐＨ：５．０）を調製した。内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２が形成された導体を、表４の置換反応液に２０分間浸漬し、置換反応によって第１の層１２の上に金めっき膜（第２の層１４）を形成した。このようにして、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１の信号伝達部とした。
【００５７】
【表４】
【００５８】
（実施例２）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例２の信号伝達部とした。
【００５９】
（実施例３）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から２０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例３の信号伝達部とした。
【００６０】
（実施例４）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて、表５に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：７．５）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例４の信号伝達部とした。
【００６１】
【表５】
【００６２】
（実施例５）
還元パラジウムめっき工程において、表５の還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１０分間に変えたこと以外は、実施例４と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例５の信号伝達部とした。
【００６３】
（実施例６）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて表６に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：７．０）を用いたこと、及び当該還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例６の信号伝達部とした。
【００６４】
【表６】
【００６５】
（実施例７）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて表７に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：７．０）を用いたこと、及び当該還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から１５分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例７の信号伝達部とした。
【００６６】
【表７】
【００６７】
（実施例８）
還元パラジウムめっき工程において、表３の還元反応液に変えて表８に示す組成を有する還元反応液（温度：８０℃、ｐＨ：８．０）を用いたこと、及び当該還元反応液に導体を浸漬する時間を５分間から２０分間に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、被覆体を有する導体を得た。これを実施例８の信号伝達部とした。
【００６８】
【表８】
【００６９】
（実施例９）
＜エッチング工程及び還元パラジウムめっき工程＞
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。また、表９に示す組成を有する還元反応液（温度：５５℃、ｐＨ：６．０）を調製した。表９の還元反応液に、導体を１分間浸漬して、還元反応によって、導体の上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６が形成された導体の水洗を行った。
【００７０】
【表９】
【００７１】
内側層１６が形成された導体を、表６の還元反応液に１０分間浸漬し、還元反応によって内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００７２】
＜置換金めっき工程＞
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例９の信号伝達部とした。
【００７３】
（実施例１０）
＜エッチング工程及び還元パラジウムめっき工程＞
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表９の還元反応液に、導体を１分間浸漬して、還元反応によって、導体の上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。導体を表９の還元反応液に浸漬させた状態で、当該還元反応液に亜リン酸水素ナトリウム水溶液（濃度：３０質量％）を7分間かけて滴下した。これによって、還元反応液中の亜リン酸水素ナトリウム濃度が０から１４ｇ／Ｌに連続的に上昇した。亜リン酸水素ナトリウム水溶液の滴下が終了した後、導体を継続して還元反応液に２分間浸漬した。これによって、内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００７４】
＜置換金めっき工程＞
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１０の信号伝達部とした。
【００７５】
（実施例１１）
＜エッチング工程及び活性化工程＞
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。この導体を、市販の活性化剤（上村工業株式会社製、商品名：ＡＴ−４５０、温度：３０℃）に、１分間浸漬して活性化処理を行った。その後、導体の水洗を行った。
【００７６】
＜ニッケルめっき工程＞
表１０に示す組成を有する還元反応液（温度：４５℃、ｐＨ：４．５）を調製した。活性化処理を施した導体を、表１０の還元反応液に３０分間浸漬し、還元反応によって導体の上にニッケルめっき膜（下地層３０）を形成した。その後、下地層３０が形成された導体の水洗を行った。
【００７７】
【表１０】
【００７８】
＜還元パラジウムめっき工程＞
表１１に示す組成を有する還元反応液（温度：６０℃、ｐＨ：５．５）を調製した。下地層３０が形成された導体を、表１１の還元反応液に１分間浸漬し、還元反応によって下地層３０上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６を形成した導体を水洗した。
【００７９】
【表１１】
【００８０】
内側層１６が形成された導体を、表５の還元反応液に５分間浸漬し、還元反応によって内側層１６の上に別のパラジウムめっき膜（外側層１８）を形成した。その後、外側層１８が形成された導体の水洗を行った。
【００８１】
＜置換金めっき工程＞
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、銅箔側からニッケルを含む下地層３０、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１１の信号伝達部とした。
【００８２】
（実施例１２）
還元パラジウムめっき工程において、内側層１６が形成された導体を表５の還元反応液に浸漬したことに変えて、該導体を表８の還元反応液に２０分間浸漬したこと以外は、実施例１１と同様にして、銅箔側からニッケルを含む下地層３０と、パラジウムを含む内側層１６及び外側層１８からなる第１の層１２と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを実施例１２の信号伝達部とした。
【００８３】
（比較例１）
実施例１１と同様にして、エッチング工程、及び活性化工程を行った。そして、ニッケルめっき工程において、表１０に示す還元反応液に導体を４０分間浸漬し、還元反応によって導体の上にニッケルめっき膜（下地層３０）を形成した。このようにして、ニッケルを含む下地層３０からなる被覆体を有する導体を得た。これを比較例１の信号伝達部とした。
【００８４】
（比較例２）
比較例１と同様にして、導体の上にニッケルめっき膜（下地層３０）を形成した。その後、下地層３０を形成した導体を水洗し、実施例１と同様の置換金めっき工程を行って、下地層３０の上に金めっき膜（第２の層１４）を形成した。このようにして、ニッケルを含む下地層３０と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例２の信号伝達部とした。
【００８５】
（比較例３）
比較例２と同様にして、ニッケルめっき膜からなる下地層３０と、金めっき膜からなる層とが積層された被覆体を有する導体を得た。表１２に示す組成を有する還元反応液（温度：９０℃、ｐＨ：７．５）を調製した。下地層３０及び第２の層が形成された導体を、表１２の還元反応液に１０分間浸漬し、還元反応によって金めっき膜からなる別の層を形成した。このようにして、銅箔側から、ニッケルを含む下地層３０と、金を含む２つの層からなる第２の層とが順次積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例３の信号伝達部とした。
【００８６】
【表１２】
【００８７】
（比較例４）
表１２の還元反応液に浸漬する時間を１０分間から２０分間に変更したこと以外は、比較例３と同様にして、ニッケルを含む下地層３０と、金を含む２つの層からなる第２の層とが順次積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例４の信号伝達部とした。
【００８８】
（比較例５）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表９の還元反応液に、導体を１０分間浸漬して、還元反応によって、導体の上にパラジウムめっき膜（内側層１６）を形成した。その後、内側層１６が形成された導体の水洗を行った。
【００８９】
実施例１と同様にして、置換金めっき工程を行って、パラジウムを含む内側層１６からなる第１の層と、金を含む第２の層１４とが積層された被覆体を有する導体を得た。これを比較例５の信号伝達部とした。
【００９０】
（比較例６）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表３の還元反応液に、導体を５分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９１】
（比較例７）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表５の還元反応液に、導体を５分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９２】
（比較例８）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表６の還元反応液に、導体を１０分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９３】
（比較例９）
実施例１と同様にして、エッチングを施した導体を得た。表７の還元反応液に、導体を１５分間浸漬した。浸漬後、還元反応液から導体を取り出して導体表面を観察したところ、導体表面にはパラジウムめっきが斑状に形成されていた。このように、導体表面には銅箔が露出しており、パラジウムを含む層を形成することができなかった。
【００９４】
［信号伝達部の評価］
各実施例及び各比較例で得られた信号伝達部を、第１の層１２と第２の層１４の積層方向に沿って切断して、切断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察し、第１の層１２及び第２の層１４のそれぞれの厚みを求めた。また、同じ切断面において、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）による分析を行い、第１の層における内側層１６及び外側層１８のリン濃度を測定した。これらの結果を表１３に纏めて示す。
【００９５】
ＪＩＳ Ｃ ５４０２−１１−１４に準拠して、以下の手順で単一ガス流腐食試験を行い、各実施例及び各比較例で得られた信号伝達部の耐食性を評価した。まず、得られた信号伝達部を、ＳＯ２ガスを体積基準で１０ｐｐｍ含む汚染ガス雰囲気（温度：３０℃、相対湿度：７５％）に曝露した。曝露期間は４日間とした。曝露後の被覆体の表面を光学顕微鏡（倍率：５０倍）で観察し、視野（縦×横＝６．０ｍｍ×４．５ｍｍ）中に検出された孔食の数をカウントした。その結果を耐食性の評価結果として表１３に示す。
【００９６】
【表１３】
【００９７】
実施例１０の信号伝達部における第１の層の外側層１８のリン濃度は、導体２０側から第２の層１４側に向けて、連続的に増加していた。表１３に示す実施例１０の外側層１８のリン濃度は、第２の層１４側における外側層１８のリン濃度である。
【００９８】
表１３中、被覆体コストは、第１の層（パラジウムめっき膜）の厚みが０．２μｍ以下、且つ第２の層（金めっき膜）の厚みが０．１μｍ以下のものを「Ａ」、第１の層の厚みが０．２μｍを超え０．６μｍ以下、且つ第２の層の厚みが０．１μｍを超え０．４μｍ以下のものを「Ｂ」、第２の層の厚みが０．４μｍを超えるものを「Ｃ」と評価した。
【００９９】
実施例１〜１２における被覆体は、第１の層の厚みが０．１〜０．４μｍ、第２の層の厚みが０．０５μｍであることから、比較的薄い厚みを有していた。実施例１〜１２における被覆体は、このように比較的厚みが小さいにもかかわらず、十分に優れた耐食性を有することが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明によれば、耐食性に十分に優れ、低コストで形成可能な被覆体を提供することができる。また、当該被覆体を備えることによって、製造コストが低く且つ耐食性に十分に優れた信号伝達部を有する電子部品を提供することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１０，１１…被覆体、１２…第１の層、１４…第２の層、１６…内側層、１８…外側層、２０…導体、３０…下地層、３１…第１の領域、３２…第２の領域、１００，２００…信号伝達部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体の上に設けられる被覆体であって、
前記導体側からパラジウムを含む第１の層と、金を含む第２の層と、を備え、
前記第１の層は第１の領域と、前記第１の領域よりも前記第２の層側に配置された第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもリン濃度が高い被覆体。
【請求項２】
前記第１の層は、前記導体側から前記第１の領域を含む内側層と、前記第２の領域を含む外側層と、を有する、請求項１に記載の被覆体。
【請求項３】
前記第１の領域及び前記第２の領域の少なくとも一方は、前記導体に近接するにつれてリン濃度が低下する、請求項１又は２に記載の被覆体。
【請求項４】
前記第１の領域におけるリン濃度が０．０１質量％以下であり、前記第２の領域におけるリン濃度が０．０１質量％を超え且つ７質量％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆体。
【請求項５】
前記第１の層の厚みが０．１〜０．４μｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆体。
【請求項６】
前記導体と前記第１の層との間にニッケルを含む下地層を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の被覆体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の被覆体と、該被覆体で被覆された前記導体と、を有する信号伝達部を備える電子部品。
【請求項１】
導体の上に設けられる被覆体であって、
前記導体側からパラジウムを含む第１の層と、金を含む第２の層と、を備え、
前記第１の層は第１の領域と、前記第１の領域よりも前記第２の層側に配置された第２の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりもリン濃度が高い被覆体。
【請求項２】
前記第１の層は、前記導体側から前記第１の領域を含む内側層と、前記第２の領域を含む外側層と、を有する、請求項１に記載の被覆体。
【請求項３】
前記第１の領域及び前記第２の領域の少なくとも一方は、前記導体に近接するにつれてリン濃度が低下する、請求項１又は２に記載の被覆体。
【請求項４】
前記第１の領域におけるリン濃度が０．０１質量％以下であり、前記第２の領域におけるリン濃度が０．０１質量％を超え且つ７質量％以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の被覆体。
【請求項５】
前記第１の層の厚みが０．１〜０．４μｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の被覆体。
【請求項６】
前記導体と前記第１の層との間にニッケルを含む下地層を備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の被覆体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の被覆体と、該被覆体で被覆された前記導体と、を有する信号伝達部を備える電子部品。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−２５９７９（Ｐ２０１２−２５９７９Ａ）
【公開日】平成２４年２月９日（２０１２．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１６３１２８（Ｐ２０１０−１６３１２８）
【出願日】平成２２年７月２０日（２０１０．７．２０）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年２月９日（２０１２．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月２０日（２０１０．７．２０）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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