遊技球検出スイッチ、および遊技機
【課題】低周波近傍電磁界を適切に監視できるようにし、遊技球検出スイッチの機能障害を抑制できるようにする。
【解決手段】コイルＬ１２が、遊技球が通過する貫通口の回りに巻回される。コイルＬ１２を含み、貫通口内に遊技球が通過した場合、発振回路１１１は、発振状態を変化させる。コイルＬ１１は、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する。発振回路１０１は、コイルＬ１１を含み、電圧の誘起により発振状態を変化させる。コイルＬ１１は、コイルＬ１１の有する磁束発生方向と、コイルＬ１２の有する磁束発生方向が一致するよう配置される。比較器ＣＯＭ１，ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７，Ｖ８が、それぞれ遊技球２の通過の有無と、低周波近傍電磁界の到来を示す信号として出力される。本発明は、遊技機に適用することができる。
【解決手段】コイルＬ１２が、遊技球が通過する貫通口の回りに巻回される。コイルＬ１２を含み、貫通口内に遊技球が通過した場合、発振回路１１１は、発振状態を変化させる。コイルＬ１１は、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する。発振回路１０１は、コイルＬ１１を含み、電圧の誘起により発振状態を変化させる。コイルＬ１１は、コイルＬ１１の有する磁束発生方向と、コイルＬ１２の有する磁束発生方向が一致するよう配置される。比較器ＣＯＭ１，ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７，Ｖ８が、それぞれ遊技球２の通過の有無と、低周波近傍電磁界の到来を示す信号として出力される。本発明は、遊技機に適用することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遊技球検出スイッチ、および遊技機に関し、特に、遊技機における遊技球の通過の検出に誤動作を生じさせる低周波近傍電磁界を検出し、遊技球の通過検出の誤動作を低減できるようにした遊技球検出スイッチ、および遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
パチンコ遊技機では、遊技球の通過を検出する遊技球検出スイッチが複数搭載され、遊技球が主要な入賞口、ゲートを通過した場合、検出信号を制御装置に出力している。
【０００３】
主流は、直流２線式の近接スイッチであり、金属球を無接触で検出するため、耐久性に優れていること、２線式独特の開放、閉塞動作が、有接点スイッチと同じイメージなどメリットが多く、他原理を圧倒している。
【０００４】
しかしながら、電子回路ゆえに潜在するウイークポイントを衝いた、不正行為が認知されている。
【０００５】
過去においては、トランシーバや携帯電話を使用して、故意に電波を照射する事例があり、最近では、比較的低周波の交流ノイズ、所謂低周波近傍電磁界を発生させ、遊技球検出スイッチの発振回路の誤動作を誘発させる事例が知られている。
【０００６】
この対策として、近傍電磁界検出センサを遊技機毎に設置し、遊技球検出スイッチの発振回路が誤動作を生じる機能障害を起こす以前に、近傍電磁界の到来を検知する技術が提案されている。
【０００７】
この技術としては、例えば、遊技球検出スイッチと、略同構成、同回路、かつ定常発振停止の設定を施したものを、近傍電磁界検出センサとして使用したものがある（特許文献１参照）。
【０００８】
すなわち、この例で内蔵する発振回路は、LC共振周波数を一致させ、コイルシールド材の開口面積操作にて、併用する遊技球検出スイッチより電磁界検出感度を敏感に設定し、電磁波が照射されても遊技球検出スイッチが機能障害に陥る以前に、認知可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−２６８４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、特許文献１の遊技球検出スイッチと、近傍電磁界検出センサとを併用する場合、双方の設置位置の条件が厳しく、設置位置の制限が加わる。
【００１１】
例えば、遊技球検出スイッチと、近傍電磁界検出センサとが離れすぎた場合、比較的小型の不正コイル励磁で、近傍電磁界発生領域を絞って照射すれば、電磁界検出センサが非検知であるにもかかわらず、遊技球検出スイッチのみを機能障害に陥らせることがあり、結果として、誤動作が生じてしまうことがあった。
【００１２】
一方、遊技球検出スイッチと、近傍電磁界検出センサとが近づきすぎると、遊技球検出スイッチの発振波の影響で、検出センサが誤動作する恐れがある。特許文献１には、双方一体型の発明も開示されているが、やはり、同様の発振波の悪影響が少なからず発生し、遊技球検出スイッチの遊技球検出状態の変化に追従して、近傍電磁界検出感度が著しく変化したり、遊技球非検出時に常時誤動作を発生させるといった弊害が生じる。
【００１３】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、パチンコ遊技機内部に発生する低周波近傍電磁界によって、遊技球検出スイッチに機能障害が生じる前のタイミングで、低周波近傍電磁界を検出できるようにすることにより、低周波近傍電磁界を適切に監視できるようにし、遊技球検出スイッチの機能障害を抑制できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一側面の遊技球検出スイッチは、貫通口の回りに巻回した第１のコイルと、前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路と、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイルと、前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路とを含む遊技球検出スイッチであって、前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される。
【００１５】
前記第１のコイルの外周部を包括、かつ貫通口内壁部を開放したシールド部材をさらに含ませるようにすることができる。
【００１６】
前記第２のコイルは、磁性体の中心棒軸を有し、前記貫通口の端面と直交し、かつ前記中心棒軸の一方の端面が、略同一平面上に配置されるようにすることができる。
【００１７】
前記第１の発振回路の発振状況変化に応じて、第１の状態信号を出力する第１の出力回路と、前記第２の発振回路の発振状況変化に応じて、第２の状態信号を出力する第２の出力回路とをさらに含ませるようにすることができ、前記第１の出力回路、および第２の出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号、または、そのいずれかを直接制御装置に出力する、またはインターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００１８】
前記第１の出力回路、および、前記第２の出力回路の後段に、合成出力回路をさらに含ませるようにすることができ、前記合成出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号の合成出力信号を、直接前記制御装置に出力させるようにする、または、前記インターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００１９】
前記第１の状態信号には、前記貫通口内に遊技球が通過した状況を示す遊技球検出信号と、通過していない状況を示す遊技球非検出信号とを含ませるようにすることができ、前記第２の状態信号には、低周波近傍電磁界の到来を示す電磁界検出信号と、前記低周波近傍電磁界の到来がないことを示す電磁界非検出信号とを含ませるようにすることができ、前記合成出力信号には、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球検出状態を示す第１の出力信号、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球非検出状態を示す第２の出力信号、および前記低周波近傍電磁界が到来している環境下での前記低周波近傍電磁界の到来を示す第３の出力信号を含ませるようにすることができる。
【００２０】
前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止する発振抑制回路をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路には、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記発振抑制回路を作動させて、前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止させるようにすることができる。
【００２１】
前記合成出力回路には、前記第２の出力信号として最低電位を、前記第１の出力信号として最高電位を、前記第３の出力信号として中間電位を、それぞれ割り付けた３つの電圧値を切り替えて出力させるようにすることができる。
【００２２】
前記第１の出力回路は、直流２線式出力方式であり、かつ電流増加装置をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記電流増加装置を作動させて、前記遊技球検出スイッチが消費する電流を増加させるようにすることができる。
【００２３】
本発明の遊技球検出システムは、１個、もしくは複数の、請求項８または９に記載の遊技球検出スイッチを、前記インターフェイス回路に接続した遊技球検出システムであって、前記インターフェイス回路の低位反転電位と、接地電位の中間に、前記第２の出力信号が、前記インターフェイス回路の高位反転電位と電源電位の中間に、前記第１の出力信号が、前記低位反転電位と、前記高位反転電位の中間に、前記第３の出力信号が設定される。
【００２４】
本発明のパチンコ遊技機は、請求項１乃至９に記載の遊技球検出スイッチ、および請求項１０に記載の遊技球検出システムの少なくともいずれか、または、それらを複数に含む。
【００２５】
本発明の一側面の遊技球検出スイッチにおいては、第１のコイルが貫通口の回りに巻回され、前記第１のコイルを含む第１の発振回路により、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化し、第２のコイルにより、低周波近傍電磁界の到来が、電圧の誘起により検出され、前記第２のコイルを含む第２の発振回路により、前記電圧の誘起により発振状態が変化し、前記第２のコイルが、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される。
【００２６】
本発明の一側面の遊技球検出スイッチにおける、貫通口の回りに巻回した第１のコイルとは、例えば、遊技球検出部のコイルであり、前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路とは、例えば、遊技球検出部の発振回路であり、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイルとは、例えば、異常検出部のコイルであり、前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路とは、例えば、異常検出部の発振回路であり、前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される。
【００２７】
すなわち、前記第２のコイルが、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置されることにより、遊技球検出部を構成する第１のコイルが低周波近傍電磁界の到来により誤動作が発生するときには、異常検出部を構成する第２のコイルにより低周波近傍電磁界の到来が検出されることになるので、低周波近傍電磁界による遊技球検出部の誤動作を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、遊技球の通過を検出するに当たり、低周波近傍電磁界の接近により生じる誤動作を抑制することが可能となり、遊技機に対する不正を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明を適用した遊技球検出スイッチの構成例を説明する図である。
【図２】図１の遊技球検出スイッチの外観斜視図である。
【図３】図１の遊技球検出スイッチの分解図である。
【図４】図１の遊技球検出スイッチの基板の背面方向の斜視図である。
【図５】図１の遊技球検出スイッチにおける遊技球検出部および異常検出部のそれぞれのコイルの配置例を説明する図である。
【図６】従来の遊技球検出スイッチの動作を説明するタイムチャートである。
【図７】図１の遊技球検出スイッチの動作を説明するタイムチャートである。
【図８】図１の遊技球検出スイッチによる遊技球検出処理を説明するフローチャートである。
【図９】図１の遊技球検出スイッチを用いた遊技機の構成例を説明する図である。
【図１０】図９の遊技機における遊技球検出スイッチの出力信号と、インターフェイス回路の動作閾値との関係を説明する図である。
【図１１】図９の遊技機の遊技球検出スイッチおよびインターフェイス回路の動作を説明するタイムチャートである。
【図１２】他の遊技球検出スイッチを用いた遊技機の他の構成例を説明する図である。
【図１３】遊技球検出スイッチにおける遊技球検出部および異常検出部のそれぞれのコイルのその他の配置例を説明する図である。
【図１４】遊技球検出スイッチにおける遊技球検出部および異常検出部のそれぞれのコイルのさらにその他の配置例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、本発明の構成要件と、発明の詳細な説明に記載の実施の形態との対応関係を例示すると、次のようになる。この記載は、本発明をサポートする実施の形態が、発明の詳細な説明に記載されていることを確認するためのものである。従って、発明の詳細な説明中には記載されているが、本発明の構成要件に対応する実施の形態として、ここには記載されていない実施の形態があったとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、実施の形態が構成要件に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件以外の構成要件には対応しないものであることを意味するものでもない。
【００３１】
すなわち、本発明の一側面の遊技球検出スイッチ（例えば、図１の遊技球検出スイッチ１）は、貫通口の回りに巻回した第１のコイル（例えば、図１のコイルＬ１２）と、前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路（例えば、図１の発振回路１１１）と、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイル（例えば、図１のコイルＬ１１）と、前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路（例えば、図１の発振回路１０１）とを含む遊技球検出スイッチであって、前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される（例えば、図５で示されるようにコイルＬ１１，Ｌ１２が配置される）。
【００３２】
前記第１のコイルの外周部を包括、かつ貫通口内壁部を開放したシールド部材（例えば、図３のシールド部材１ｂ，１ｄ）をさらに含ませるようにすることができる。
【００３３】
前記第１の発振回路の発振状況変化に応じて、第１の状態信号を出力する第１の出力回路（例えば、図１の比較器ＣＯＭ２）と、前記第２の発振回路の発振状況変化に応じて、第２の状態信号を出力する第２の出力回路（例えば、図１の比較器ＣＯＭ１）とをさらに含ませるようにすることができ、前記第１の出力回路、および第２の出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号、または、そのいずれかを直接制御装置に出力する、またはインターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００３４】
前記第１の出力回路、および、前記第２の出力回路の後段に、合成出力回路（例えば、図１のダイオードＤ１，Ｄ２、および抵抗Ｒ３）をさらに含ませるようにすることができ、前記合成出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号の合成出力信号を、前記制御装置に出力させるようにする、または、前記インターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００３５】
前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止する発振抑制回路（例えば、図１のダイオードＤ１）をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路には、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記発振抑制回路を作動させて、前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止させるようにすることができる。
【００３６】
前記第１の出力回路は、直流２線式出力方式であり、かつ電流増加装置（例えば、図１の定電圧回路１１３、および抵抗Ｒ３）をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記電流増加装置を作動させて、前記遊技球検出スイッチが消費する電流を増加させるようにすることができる。
【００３７】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（２線式出力方式の例）
２．第２の実施の形態（４線式出力方式の例）
【００３８】
＜１．第１の実施の形態＞
［本発明を適用した遊技球検出スイッチの構成例］
図１は、本発明を適用した低周波近傍電磁界センサからなる異常検出部を内蔵する、遊技球の通過を検出する直流２線式の遊技球検出スイッチの構成例を示している。すなわち、パチンコ遊技機（以下、単に遊技機と称する）においては、遊技球が発射されると、例えば、いわゆるチューリップと称されているチャッカなどに投入されたり、払い出されるなどすることにより、計数が必要とされる。
【００３９】
図１の遊技球検出スイッチ１は、例えば、図２乃至図５で示されるような構成のものであり、遊技球２と略同径の貫通口Ｈが設けられている。ここで、図２は、遊技球検出スイッチ１の斜視図であり、図３は、分解図であり、図４は、遊技球検出スイッチ１の基板１ｃに、シールド部材１ｂ，１ｄが装着された状態であって、図２の状態における背面の構成を示している。図５は、シールド部材１ｂ、コイルスプール１ｇ、基板１ｃ、シールド部材１ｄを組み合わせた場合の側面図である。尚、図２においては、遊技球検出スイッチ１のカバー１ｅのみが分解されている状態のものとして描かれている。
【００４０】
図３で示されるように、遊技球検出スイッチ１は、図中の下から、ケース１ａ、シールド部材１ｂ、樹脂製のコイルスプール１ｇを圧入した基板１ｃ、シールド部材１ｄ、およびカバー１ｅより構成されている。コイルスプール１ｇの外周部には遊技球２の通過を検出するためのコイルＬ１２が巻回されている。一方、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１は、基板１ｃ上に実装されている。図示の通り、磁性体の中心軸棒１ｘを軸として、コイル線材を巻回した構造を持つ。この場合、コイルＬ１１では、磁束が中心軸棒１ｘに集中する性能を有し、図５で示されるように、基板１ｃの垂直方向に発生することになる。一方、コイルＬ１２では、コイルスプール内周方向以外の略全部位がシールド部材１ｂ，１ｄで覆われているため、貫通部Ｈの垂直方向に磁束が発生する。結果として、２つのコイルＬ１１，Ｌ１２は共に、図５の矢印で示されるように、同一方向に磁束が発生することになる。
【００４１】
このような構成により、遊技球検出スイッチ１は、遊技球２が、貫通口Ｈを通過すると、コイルＬ１２により発生される磁束の変化により遊技球２の通過を検出する。また、遊技球検出スイッチ１は、低周波近傍電磁界が到来すると、コイルＬ１１により発生される磁束の変化により、これを検出する。したがって、遊技球検出スイッチ１は、低周波近傍電磁界の到来が検出されない限り、遊技球の通過の有無を検出し、対応する検出信号をＨｉレベル、またはＬｏｗレベルの出力信号として出力すると共に、低周波誘導電磁界の到来がある場合、その中間電位を出力する。
【００４２】
ここで、図１の説明に戻り、遊技球検出スイッチの詳細な構成について説明する。
【００４３】
遊技球検出スイッチ１は、異常検出部１１、および遊技球検出部１２により構成される。異常検出部１１は、コイルＬ１１により発生される磁束の変化に基づいて、低周波近傍電磁界の到来を検出し、対応する信号を出力する。遊技球検出部１２は、コイルＬ１２により発生される磁束の変化に基づいて、遊技球２の通過の有無を検出する。遊技球検出スイッチ１は、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力結果に基づいて、遊技球の通過の有無を示す信号、および低周波近傍電磁界の発生を示す信号を出力端子Ｖｏｕｔより出力する。尚、図１において、抵抗Ｒ３は、異常検出部１１に、ダイオードＤ１，Ｄ２は、遊技球検出部１２にそれぞれ属するような構成として記載されている。しかしながら、これらについては、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力信号を合成する合成回路を構成するものであり、いずれかに属するものではない。この点については、詳細を後述する。
【００４４】
異常検出部１１は、アンテナとして機能するコイルＬ１１、コンデンサＣ１１、発振回路１０１、検波積分回路１０２、および出力回路である比較器ＣＯＭ１より構成されており、コイルＬ１１の信号に基づいて、低周波近傍電磁界を検出し、検出結果を出力する。より詳細には、コンデンサＣ１１は、その両端がコイルＬ１１と並列接続され、共振回路４１を構成している。さらに、コイルＬ１１、およびコンデンサＣ１１の上端部は、発振回路１０１に接続され、低周波近傍電磁界到来時には、ＬＣ共振波からなる出力信号Ｖ２を発生する。尚、下端部は接地されている。また、発振回路１０１は、定電圧回路１１３により電力供給を受けると共に接地されており、さらに、感度調整抵抗Ｒ１を介して接地されており、出力信号Ｖ４を検波積分回路１０２に出力する。検波積分回路１０２は、定電圧回路１１３より電力供給を受けると共に接地されており、発振回路１０１より供給される発振出力を積分して、出力回路である比較器ＣＯＭ１に出力信号Ｖ６を供給する。この際、検波積分回路１０２の出力電圧は、コンデンサＣ１３により平滑化されて、比較器ＣＯＭ１に供給される。比較器ＣＯＭ１は、入力された検波積分回路１０２からの出力電圧と所定の閾値とを比較し、比較結果を、低周波近傍電磁界の検出結果である出力信号Ｖ８として出力する。
【００４５】
尚、発振回路１０１は、通常状態において発振停止状態に設定されており、低周波近傍電磁界にコイルＬ１１が晒されたときにのみ発振状態に移行するように設定されている。より詳細には、コイルＬ１１、およびコンデンサＣ１１からなる共振回路４１のコンダクタンスｇＬ１と、発振回路１０１のコンダクタンスｇｉ１とは、ナイキストの発振条件に基づいて、以下の式（１）の場合、発振回路１０１は発振停止状態となり、式（２）の場合、発振回路１０１は常時発振状態となる。
【００４６】
ｇＬ１＞ｇｉ１
・・・（１）
【００４７】
ｇＬ１＜ｇｉ１
・・・（２）
【００４８】
そこで、感度調整抵抗Ｒ１の抵抗値の調整により、発振回路１０１のコンダクタンスｇｉ１が、共振回路４１のコンダクタンスｇＬ１よりも小さくなるように、すなわち、感度調整抵抗Ｒ１を大きめに設定すれば、発振回路１０１のコンダクタンスｇｉ１は小さめの設定となる。この結果、上述した式（１）の関係が維持できるように構成されるので、低周波近傍電磁界にコイルＬ１１が晒されていない状態においては、発振回路１０１が発振停止状態となり、その出力信号Ｖ４は、検波積分回路１０２に入力され積分容量Ｃ１３により積分される。このとき、発振回路１０１は発振動作を行っていないため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６は、０Ｖ（Ｌｏｗレベル）となり、比較器ＣＯＭ１には、閾値Ｖｔｈ１よりも小さな値が供給されることになるので、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、発振動作がなされていないことを示す信号としてＨｉレベル（定電圧回路１１３の出力電圧Ｖｒｅｆ）の信号を出力する。
【００４９】
一方、コイルＬ１１は、低周波近傍電磁界に晒されることにより、正弦波電圧を誘起する。このとき、共振回路４１の共振点近傍においては、コンダクタンスｇＬ１が下降し、上述した式（１）の状態から式（２）の状態に移行するので、発振回路１０１は、定常発振を開始し、発振出力を検波積分回路１０２に出力する。このとき、発振回路１０１は発振動作を行っているため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６は、定電圧回路１１３の出力電圧であるＶｒｅｆ（Ｈｉレベル）となり、比較器ＣＯＭ１には、閾値Ｖｔｈ１よりも大きな値が供給されることになるので、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、発振動作がなされていることを示す信号としてＬｏｗレベルの信号を出力する。
【００５０】
また、遊技球検出部１２は、異常検出部１１と略同様に構成されており、コイルＬ１２、コンデンサＣ１２、発振回路１１１、検波積分回路１１２、および出力回路である比較器ＣＯＭ２、並びに、定電圧回路１１３、およびツェナーダイオードＺＤより構成されており、コイルＬ１２の信号に基づいて、遊技球２の通過を検出し、検出結果を出力する。より詳細には、コンデンサＣ１２は、その両端がコイルＬ１２と並列接続され、共振回路４２を構成する。さらに、コンデンサＣ１２、およびコイルＬ１２の上端部は、発振回路１１１に接続され、遊技球２が通過していない時には、ＬＣ共振波からなる出力信号Ｖ１を発生する。尚、下端部は接地されている。また、発振回路１１１は、定電圧回路１１３により電力供給を受けると共に接地されており、さらに、感度調整抵抗Ｒ２を介して接地されており、発振出力を出力信号Ｖ３として検波積分回路１１２に出力する。検波積分回路１１２は、定電圧回路１１３より電力供給を受けると共に接地されており、発振回路１１１より供給される発振出力を積分して出力回路である比較器ＣＯＭ２に出力信号Ｖ５として供給する。この際、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５は、コンデンサＣ１４により平滑化されて、比較器ＣＯＭ２に供給される。比較器ＣＯＭ２は、入力された検波積分回路１１２からの出力電圧と所定の閾値Ｖｔｈ２とを比較し、比較結果に基づいて、遊技球２の通過を検出し、検出結果を出力信号Ｖ７として出力する。
【００５１】
尚、発振回路１１１は、遊技球２が通過状態において発振停止状態に設定されており、遊技球２が通過していないときにのみ発振状態に移行するように設定されている。より詳細には、コイルＬ１２、およびコンデンサＣ１２とからなる共振回路４２のコンダクタンスｇＬ２と、発振回路１１１のコンダクタンスｇｉ２とは、ナイキストの発振条件に基づいて、以下の式（３）の場合、発振回路１１１は発振停止状態となり、式（４）の場合、発振回路１１１は常時発振状態となる。
【００５２】
ｇＬ２＞ｇｉ２
・・・（３）
【００５３】
ｇＬ２＜ｇｉ２
・・・（４）
【００５４】
そこで、感度調整抵抗Ｒ２の抵抗値の調整により、発振回路１１１のコンダクタンスｇｉ２が、共振回路４２のコンダクタンスｇＬ２よりも小さくなるように、すなわち、感度調整抵抗Ｒ２を小さめに設定すれば、発振回路１１１のコンダクタンスｇｉ２は大きめの設定となる。この結果、上述した式（４）の関係が維持できるように構成されるので、遊技球２が通過していない状態においては、発振回路１１１が常時発振状態となる。このとき、発振回路１１１は発振動作を行っているので、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５は、定電圧回路１１３の出力電圧Ｖｒｅｆ（Ｈｉレベル）となり、比較器ＣＯＭ２には、閾値Ｖｔｈ２よりも大きな値が供給されることになり、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、遊技球２が通過していないことを示す信号としてＬｏｗ信号を出力する。
【００５５】
一方、コイルＬ１２は、遊技球２が通過されることにより、コンダクタンスｇＬ２が上昇し、上述した式（４）の状態から式（３）の状態に移行するので、発振回路１１１は、発振を停止し、発振出力を検波積分回路１１２に出力する。このとき、発振回路１１１は発振動作を行っていないため、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５は、０Ｖ（Ｌｏｗレベル）となり、比較器ＣＯＭ２には、閾値Ｖｔｈ２よりも小さな値が供給されることになるので、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、遊技球が通過していることを示す信号としてＨｉレベルの信号を出力する。
【００５６】
ツェナーダイオードＺＤは、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７により開閉される。例えば、遊技球２の通過が検出されている場合、すなわち、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７がＨｉレベルの信号である場合、ツェナーダイオードZDは、開放状態となり、定電圧回路１１３を介して最小電流が流入する漏れ電流モードとなる。一方、遊技球２の通過が検出されていない場合、すなわち、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７がＬｏｗレベルの信号である場合、ツェナーダイオードＺＤは、閉塞状態となり、ツェナーダイオードＺＤの両端に発生する電圧による残電圧モードとなり、出力電圧ＶｏｕｔがツェナーダイオードＺＤの両端電位へと変化する。
【００５７】
ダイオードＤ１は、アノードが共振回路４２の上端部に接続され、カソードが比較器ＣＯＭ１の出力端子に接続されている。また、ダイオードＤ２は、アノードが検波積分回路１１２の出力端子に接続され、カソードが比較器ＣＯＭ１の出力端子に接続されている。抵抗Ｒ３は、一方の端部が定電圧回路１１３に接続され、他方の端部が比較器ＣＯＭ１の出力端子に接続されている。ダイオードＤ１，Ｄ２、および抵抗Ｒ３は、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力信号の信号合成回路として機能する。
【００５８】
すなわち、低周波近傍電磁界が到来していない場合、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６は、Ｌｏｗレベルの信号となり、このため比較器ＣＯＭ１においては、閾値Ｖｔｈ１よりも小さな値となるため、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８はＨｉレベル（Ｖｒｅｆ）となり、ダイオードＤ１，Ｄ２は、共に逆バイアス非導通となる。しかしながら、低周波近傍電磁界が到来することで、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８が０Ｖとなることに伴い、共振回路４２の発振振幅である出力信号Ｖ１、および検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が同時に強制シャントされ、かつ、抵抗Ｒ３の両端に定電圧出力Ｖｒｅｆが掛かり、漏れ電流値ＩＬ０に、この発生電流（Ｖｒｅｆ／Ｒ３）が加算される動作となる。
【００５９】
［図１の遊技球検出スイッチの動作説明］
次に、図６，図７のタイムチャートを参照して、図１の遊技球検出スイッチ１の動作について説明する。ここで、図６は、異常検出部１１が存在せず、併せて、ダイオードＤ１，Ｄ２および抵抗Ｒ３が存在しない場合、すなわち、従来の、低周波近傍電磁界検出機能の存在しない、遊技球検出スイッチの各出力信号の波形を示している。すなわち、図６は、上から、波形ＡがコイルＬ１２およびコンデンサＣ１２からなる共振回路４２の出力信号Ｖ１’を、波形Ｂが検波積分回路の出力信号Ｖ５’を、波形Ｃが比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’を、波形Ｄが出力端子Ｖｏｕｔの出力信号をそれぞれ示している。また、図７は、図１の遊技球検出スイッチ１の各出力信号の波形を示している。すなわち、図７は、上から波形Ａが、共振回路４２の出力信号Ｖ１を、波形Ｂが検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５を、波形ＣがコイルＬ１１、およびコンデンサＣ１１からなる共振回路４１の出力信号Ｖ２を、波形Ｄが比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８を、波形Ｅが出力端子Ｖｏｕｔの出力信号をそれぞれ示している。
【００６０】
また、図６，図７においては、時刻ｔ１乃至ｔ２，ｔ３乃至ｔ４，ｔ５乃至ｔ６，ｔ７乃至ｔ８において、遊技球２が、貫通口Ｈを通過して、遊技球２が検出される状態の場合の波形を示しており、時刻ｔ１１乃至ｔ１２において、低周波近傍電磁界が到来し、誘導波が照射されている状態の場合の波形を示している。
【００６１】
すなわち、時刻ｔ１乃至ｔ２および時刻ｔ７乃至ｔ８は正常通過検知で、共振回路４２の出力信号Ｖ１は時間軸を大きく取ったため、帯状に描かれているが、遊技球２の通過を検出したとき発振が停止しているので、出力信号Ｖ１は、０Ｖとなる。また、検波積分回路１１２は、共振回路４２の出力信号Ｖ１に伴う発振回路１１１の出力信号Ｖ３を直流化して出力するため、出力信号Ｖ５は図６，図７の波形Ｂで示されるような波形となる。
【００６２】
異常検出部１１が存在しない従来の遊技球検出スイッチの場合、図６で示されるように、時刻ｔ０乃至ｔ１において、遊技球２が通過せず、または、低周波近傍電磁界の到来もない場合、出力信号Ｖ１’，Ｖ５’，Ｖ７’は、それぞれＨｉレベル、Ｈｉレベル、Ｌｏｗレベルとなる。このため、ツェナーダイオードＺＤが閉塞されて、出力信号Ｖｏｕｔ’は、ツェナー電位Ｖｚｄとされる。
【００６３】
そして、時刻ｔ１を越えて遊技球２が通過すると、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅が低下し、この低下に伴って検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’が低下する。そして、時刻ｔ２１で示されるように、比較器ＣＯＭ２の閾値電位であるＶｔｈ２を下回ると、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’は、Ｈｉレベルに変化する。この結果、ツェナーダイオードＺＤが開放されて、最小の電流値である漏れ電流ＩＬ０が流れる漏れ電流モードとなる。このため、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、電源電圧Ｖｃｃから漏れ電流による電圧降下分ＲＬ・ＩＬ０だけ降下した電圧（Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）となる。尚、これは、時刻ｔ３乃至ｔ２３，ｔ７乃至２５においても同様の動作となる。
【００６４】
さらに、時刻ｔ２を越えて遊技球の通過が完了すると、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅が上昇し、この上昇に伴って検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’が上昇する。そして、時刻ｔ２２で示されるように、比較器ＣＯＭ２の閾値電位であるＶｔｈ２を上回ると、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’は、Ｌｏｗレベルに変化する。この結果、ツェナーダイオードＺＤが閉塞されて、残電圧モードとなる。このため、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、（Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）から、ツェナー電位ＶＺＤとなる。尚、これは、時刻ｔ８乃至ｔ２６においても同様の動作となる。
【００６５】
さらに、時刻ｔ２３において、時刻ｔ２１における場合と同様に、遊技球２の通過が検出された後、時刻ｔ１１において、低周波近傍電磁界が到来すると、共振回路４２により低周波近傍電磁界が検出されることにより、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅が上昇し、この上昇に伴って検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’が上昇する。そして、時刻ｔ２４で示されるように、比較器ＣＯＭ２の閾値電位であるＶｔｈ２を上回ると、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’は、Ｌｏｗレベルに変化する。この結果、ツェナーダイオードＺＤが閉塞されて、残電圧モードとなる。このため、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、（Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）から、ツェナー電位ＶＺＤとなる。この後、低周波近傍電磁界が時刻ｔ１２まで到来し続けることとなるが、この間に時刻ｔ４において、遊技球２の通過が完了しても、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅は、遊技球２が非検出である状態における振幅が重畳される状態となり、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’は、上昇したままの状態となるため、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’もＬｏｗレベルのままとなり、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、ツェナー電位ＶＺＤのままとなる。また、時刻ｔ５乃至ｔ６に再び遊技球２が通過しても、時刻ｔ１１乃至ｔ４における場合と同様であるので、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、ツェナー電位ＶＺＤのままとなる。
【００６６】
この結果、低周波近傍電磁界が到来している時刻ｔ１１乃至ｔ１２のうち、遊技球２が通過している時刻ｔ１１乃至ｔ４（厳密には、時刻ｔ２４乃至ｔ４）、および時刻ｔ５乃至ｔ６については、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’において検出もれが生じることになる。
【００６７】
これに対して、図１の遊技球検出スイッチ１においては、図７の波形Ｃ，Ｄで示されるように、時刻ｔ１１において低周波近傍電磁界が到来することにより、共振回路４１の出力信号Ｖ２の振幅が上昇し、これに伴って比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８はＬｏｗレベルとなる。尚、低周波近傍電磁界が到来しない時刻ｔ０乃至ｔ１１、および時刻ｔ１２以降においては、共振回路４１の出力信号Ｖ２の振幅が０となり、これに伴って比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８はＨｉレベルとなる。
【００６８】
このため、図７の波形Ｅで示されるように、低周波近傍電磁界が到来している時刻ｔ１１乃至ｔ１２においては、出力信号Ｖ８がＬｏｗレベル、すなわち、０Ｖとなることにより、共振回路４２の出力信号Ｖ１、および検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、ダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧０．６Ｖにクランプされ、閾値Ｖｔｈ２よりも低くなる。この結果、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｈｉレベルの信号を出力することになる。
【００６９】
一方、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、ダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧０．６Ｖにクランプされることにより、遊技球検出部１２においては、漏れ電流モードが確定することとなるが、抵抗Ｒ３には、定電圧回路１１３により印加される定格電圧Ｖｒｅｆにより、漏れ電流ＩＬ０に加えて、電流Ｖｒｅｆ／Ｒ３が加算して流れることになる。このため、低周波近傍電磁界が到来している時刻ｔ１１乃至ｔ１２において、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔは、電源電圧Ｖｃｃから負荷抵抗ＲＬによる降下電圧ＲＬ（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３）を減算したＶｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３）となる。
【００７０】
この結果、遊技球検出スイッチ１は、低周波近傍電磁界が到来していない場合、遊技球２の通過を検出しているとき、出力信号Ｖｏｕｔは、第１の出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）となり、遊技球２の通過を検出していないとき、出力信号Ｖｏｕｔは、第２の出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗ（＝Ｖｚｄ）となり、低周波近傍電磁界が到来している場合、遊技球２の通過の有無に関わらず、出力信号Ｖｏｕｔは、中間電位となる第３の出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））となる。
【００７１】
したがって、遊技球検出スイッチ１の後段に出力信号Ｖｏｕｔに応じて、遊技機の制御装置（ＣＰＵ）に適切な信号を出力するインターフェイス回路が設けられることにより、遊技球の通過の有無を適切に検出することが可能になると共に、低周波近傍電磁界の接近により生じる近接スイッチの誤動作を抑制することが可能となる。尚、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｈｉを高位出力電位、出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｍｄを中位出力電位、出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗを低位出力電位とも、それぞれ称するものとする。
【００７２】
［遊技球検出処理］
以上の処理をまとめると、図８のフローチャートで示されるような遊技球検出処理となる。尚、図８のフローチャートにおいては、図１の遊技球検出スイッチ１の各構成の動作状態を示すものであり、それぞれの構成が主体となる動作を示すものではない。
【００７３】
すなわち、ステップＳ１において、低周波近傍電磁界が到来しているか否かに基づいて、処理が切り替えられ、例えば、低周波近傍電磁界が到来している場合、処理は、ステップＳ２に進む。
【００７４】
ステップＳ２において、共振回路４１により共振が発生するため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６が閾値Ｖｔｈ１よりも高くなるため、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、Ｌｏｗレベルの信号（０Ｖ）となる。
【００７５】
ステップＳ３において、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８が０Ｖとなることに伴って、ダイオードＤ１，Ｄ２が有効とされ、出力信号Ｖ１，Ｖ５が強制的にダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧にクランプされる。
【００７６】
ステップＳ４において、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、比較器ＣＯＭ２の閾値Ｖｔｈ２より小さくなるので、ステップＳ５において、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｈｉレベルの信号となり漏れ電流モードとなる。
【００７７】
ステップＳ６において、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔは、負荷抵抗ＲＬを流れる漏れ電流ＩＬ０により発生する降下電圧ＩＬ０・ＲＬと、抵抗Ｒ３を流れる電流Ｖｒｅｆ／Ｒ３による降下電圧、ＲＬ・Ｖｒｅｆ／Ｒ３とを加算した電圧が電源電圧Ｖｃｃから降下した中位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））となる。
【００７８】
一方、ステップＳ１において、低周波近傍電磁界が到来していない場合、処理は、ステップＳ７に進む。
【００７９】
ステップＳ７において、共振回路４１により共振が発生しないため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６が閾値Ｖｔｈ１よりも低くなるため、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、Ｈｉレベルの信号となる。
【００８０】
ステップＳ８において、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８がＨｉレベルとなることに伴って、ダイオードＤ１，Ｄ２が非導通状態、すなわち、無効の状態となる。
【００８１】
ステップＳ９において、遊技球２の通過があるか否かに処理が切り替えられ、例えば、遊技球２の通過がある場合、処理は、ステップＳ１０に進む。
【００８２】
ステップＳ１０において、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、比較器ＣＯＭ２の閾値Ｖｔｈ２より小さくなるので、ステップＳ１１において、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｈｉレベルの信号となり漏れ電流モードとなる。
【００８３】
ステップＳ１２において、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔは、漏れ電流ＩＬ０により負荷抵抗ＲＬで発生する降下電圧ＩＬ０・ＲＬが電源電圧Ｖｃｃから降下した高位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）となる。
【００８４】
さらに、ステップＳ９において、遊技球２の通過がない場合、ステップＳ１３において、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、比較器ＣＯＭ２の閾値Ｖｔｈ２より大きくなるので、ステップＳ１４において、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｌｏｗレベルの信号となり残電圧モードとなる。
【００８５】
ステップＳ１５において、出力電圧Ｖｏｕｔは、ツェナーダイオードＺＤの両端電位である低位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗ（＝ＶＺＤ）となる。
【００８６】
以上の処理によれば、低周波近傍電磁界が到来すると、遊技球２の通過の有無に関わらず、中位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｍｄが出力され、低周波近傍電磁界が到来していない状態で、かつ、遊技球２が通過したとき、高位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｈｉが出力され、さらに、低周波近傍電磁界が到来していない状態で、かつ、遊技球２が通過していないとき、低位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗが出力される。結果として、低周波近傍電磁界の到来と、遊技球の通過の有無とを同時に、そして、正確に監視することが可能となる。
【００８７】
［図１の遊技球検出スイッチを備えた遊技機の構成例］
次に、図９を参照して、上述した遊技球検出スイッチ１の後段に適切なインターフェイス回路を設けて、制御装置（ＣＰＵ）に検出結果を出力するようにした遊技機の構成例のついて説明する。
【００８８】
遊技機２００は、遊技球検出スイッチ１、インターフェイス回路２０１、電源部２０２、２０３、および遊技機２００の全体の動作を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）２０４より構成されている。遊技球検出スイッチ１は、遊技球２の通過の有無を検出すると共に、低周波近傍電磁界の到来を検出し、検出結果をインターフェイス回路２０１に供給する。インターフェイス回路２０１は、遊技球検出スイッチ１の検出結果に基づいて、遊技球２の通過についての検出結果に対応する信号を発生し、出力端子ＶｅｎｄよりＣＰＵ２０４に供給する。ＣＰＵ２０４は、インターフェイス回路２０１からの信号に基づいて、遊技球２の通過を認識し、各種の処理を実行する。
【００８９】
インターフェイス回路２０１は、比較器２１４、トライステートバッファ２１５、抵抗Ｒ２４、分圧回路２１１、切替回路２１２、およびリミッタ回路２１３により構成されている。
【００９０】
電源部２０２は、遊技球検出スイッチ１と比較器２１４の他に、分圧回路２１１と切替回路２１２にも接続され、電圧Ｖｃｃを供給する。
【００９１】
分圧回路２１１は、定電圧素子として機能するダイオードＤ１１およびＤ１２、ツェナーダイオードＺＤ１１、並びに、定電流源Ｉ１１および抵抗Ｒ２１により構成されている。また、切替回路２１２は、抵抗Ｒ２２とＰＮＰ形のトランジスタＴｒ１により構成されている。さらに、リミッタ回路２１３は、抵抗Ｒ２３とツェナーダイオードＺＤ２１により構成されている。
【００９２】
分圧回路２１１の定電流源Ｉ１１の一端は、電源部２０２と接続され、他の一端は、ダイオードＤ１２のカソード、比較器２１４の閾値電圧ＶTを入力する入力部（以下、適宜、閾値電圧ＶT入力部という）、および抵抗Ｒ２１の一端と接続されている。
【００９３】
直列に接続されたダイオードＤ１１およびＤ１２の、ダイオードＤ１１のアノードは、切替回路２１２のトランジスタＴｒ１のコレクタに接続され、ダイオードＤ１２のカソードは、上述したように、定電流源Ｉ１１の他の一端、抵抗Ｒ２１、および比較器２１４の閾値電圧ＶT入力部に接続されている。
【００９４】
抵抗Ｒ２１の他の一端は、ツェナーダイオードＺＤ１１のカソードと接続され、ツェナーダイオードＺＤ１１のアノードは、接地されている。
【００９５】
また、切替回路２１２のトランジスタＴｒ１のエミッタは、電源部２０２に接続されている。
【００９６】
さらに、比較器２１４の出力部は、切替回路２１２の抵抗Ｒ２２を介して、トランジスタＴｒ１のベースと、リミッタ回路２１３の抵抗Ｒ２３を介して、ツェナーダイオードＺＤ２１のカソードおよびトライステートバッファ２１５の入力部に接続されている。また、ツェナーダイオードＺＤ２１のアノードは、接地されている。
【００９７】
インターフェイス回路２０１の動作について説明する。
【００９８】
分圧回路２１１は、後述する切替回路２１２のトランジスタＴｒ１がオンまたはオフすることにより、それぞれ、ダイオードＤ１１およびＤ１２を有効もしくは無効にする。
【００９９】
切替回路２１２は、比較器２１４から供給される比較出力信号のＨｉまたはＬｏｗレベルの信号によって、トランジスタＴｒ１をオンまたはオフさせ、分圧回路２１１の第１または第２の状態を切り替える。なお、比較器２１４から供給される比較出力信号がＬｏｗレベルの信号である場合（遊技球の通過なしの場合）が、分圧回路２１１の第１の状態であり、比較器２１４から供給される比較出力信号がＨｉレベルの信号である場合（遊技球の通過ありの場合）が、分圧回路２１１の第２の状態である。
【０１００】
切替回路２１２のトランジスタＴｒ１は、ＰＮＰ形であるので、比較器２１４から供給される比較出力信号がＬｏｗレベルの信号である場合（パチンコ球なしの場合）に、トランジスタＴｒ１はオンし、切替回路２１２は、分圧回路２１１を第１の状態にする。また、比較器２１４から供給される比較出力信号がＨｉレベルの信号である場合（パチンコ球ありの場合）に、トランジスタＴｒ１はオフし、切替回路２１２は、分圧回路２１１を第２の状態にする。
【０１０１】
分圧回路２１１の第１の状態では、ダイオードＤ１１およびＤ１２が有効となり、電源部２０２の電圧Ｖｃｃから、ダイオードＤ１１およびＤ１２にかかる電圧を引いた残電圧値（＝Ｖｃｃ−２Ｖｄ）が、高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉとなって、比較器２１４の閾値電圧ＶT入力部に供給される。
【０１０２】
また、分圧回路２１１の第２の状態では、ダイオードＤ１１およびＤ１２が無効となり、ツェナーダイオードＺＤ１１の電圧と、定電流源Ｉ１１の電流値により抵抗Ｒ２１で発生する電圧を加算した電圧値（ＶＺＤ１１＋Ｉ１１・Ｒ２１）が、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗとなって、比較器２１４の閾値電圧ＶT入力部に供給される。
【０１０３】
リミッタ回路２１３は、ツェナーダイオードＺＤ２１のツェナー電位ＺＤ２１以上の過大な電圧が、トライステートバッファ２１５に入力されることを防止する。
【０１０４】
すなわち、図９のインターフェイス回路２０１では、図１０で示されるように、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗは、ツェナーダイオードＺＤ１１のツェナー電位に依存する特性を有している。即ち、電源部２０２の電圧Ｖｃｃが、範囲ＶM内で高くなっても、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗは、ツェナーダイオードＺＤ１１のツェナー電位ＶＺＤ１１に、抵抗Ｒ２１と、定電流源Ｉ１１により生じる電圧が加算された電圧（＝ＶＺＤ１１＋Ｒ２１・Ｉ１１）となる。
【０１０５】
遊技球検出スイッチ１の出力である低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗは、図１０で示されるように、電源部２０２の電圧Ｖｃｃに依存しない一定の特性を有しており、図１におけるツェナーダイオードＺＤと、図９におけるツェナーダイオードＺＤ１１を同じ特性のツェナーダイオードを使用し、さらに、抵抗Ｒ２１と定電流源Ｉ１１とを適当に操作すれば、図１０のような電位関係を範囲ＶＭ全域で維持することができる。
【０１０６】
遊技球検出スイッチ１の出力である高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ、および中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄは、図１０で示されるように、電源部２０２の電圧Ｖｃｃに依存する特性を有している。そこで、電源部２０２の電圧Ｖｃｃが、使用範囲ＶM内において、遊技球検出スイッチ１の負荷抵抗ＲＬ、および抵抗Ｒ３、並びに、インターフェイス回路２０１における抵抗Ｒ２１の調整により、高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉを、高位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）よりも低く、中位反転電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））よりも高く設定し、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗを、低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗ（＝Ｖｚｄ）よりも高く、中位反転電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））よりも低く設定することで、遊技球検出スイッチ１からの出力信号Ｖｏｕｔにより、遊技球２の通過の有無と、低周波近傍電磁界の到来の有無とを適切に検出することが可能となる。
【０１０７】
すなわち、図１０の関係が満たされるときの遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔ、およびインターフェイス回路２０１の出力信号Ｖｅｎｄのそれぞれの出力波形は、図１１で示されるようなものとなる。
【０１０８】
すなわち、図１１の上段、および下段においては、図１０で示されるように、高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉ、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗ、高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ、中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ、および低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗが設定される場合の遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔ、およびインターフェイス回路２０１の出力信号Ｖｅｎｄの出力波形がそれぞれ示されている。
【０１０９】
図１１の上段、および下段の波形は、時刻ｔ１０１乃至ｔ１０２，ｔ１０３乃至ｔ１０４、およびｔ１０５乃至１０６において遊技球２の通過があり、時刻ｔ１１１乃至ｔ１１２、およびｔ１１３乃至ｔ１１４において低周波近傍電磁界の到来がある場合の波形である。
【０１１０】
すなわち、時刻ｔ０乃至ｔ１０１においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過がないので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗとなる。低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗは低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗよりも低いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号となる。このとき、反転電位は、高位反転電位Ｖ＿ＩＮＨｉとなるため、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔが、高位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとならない限り、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。
【０１１１】
時刻ｔ１０１乃至ｔ１１１においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過があるので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとなる。高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉは高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉよりも高いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベル（電源部２０３の出力電圧値電圧ＶＤＤ）の信号となる。このとき、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＬｏｗとなるため、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔが、低位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗとならない限り、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。
【０１１２】
時刻ｔ１１１乃至ｔ１１２においては、低周波近傍電磁界の到来があり、時刻ｔ１１１乃至ｔ１０２、およびｔ１０３乃至ｔ１１２においては、遊技球２の通過があるが、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、遊技球２の通過とは無関係に中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄとなる。中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄは低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗよりも高いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。すなわち、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＬｏｗのままであるため、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。
【０１１３】
時刻ｔ１１２乃至ｔ１０４においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過があるので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとなる。高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉは高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉよりも高いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号となる。すなわち、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＬｏｗのままであるため、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。
【０１１４】
時刻ｔ１０４乃至ｔ１１３においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過がないので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗとなる。低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗは低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗよりも低いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号となる。このとき、反転電位は、高位反転電位Ｖ＿ＩＮＨｉとなるため、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔが、高位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとならない限り、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。結果として、図９の遊技機２００においては、低周波近傍電磁界の検出直前の出力信号Ｖｅｎｄの状態が保持されるホールド機能を設けるようにさせることが可能となる。
【０１１５】
時刻ｔ１１３乃至ｔ１１４においては、低周波近傍電磁界の到来があり、時刻１０５乃至ｔ１０６においては、遊技球２の通過があるが、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、遊技球２の通過とは無関係に中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄとなる。中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄは高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉよりも低いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。すなわち、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＨｉのままであるため、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。
【０１１６】
このように、遊技球検出スイッチ１、およびインターフェイス回路２０１を組み合わせて、遊技機２００の動作を制御するＣＰＵ２０４に遊技球２の通過と低周波近傍電磁界の到来とを出力信号Ｖｅｎｄとして供給することにより、低周波近傍電磁界の到来がない限り遊技球２の通過があれば、Ｈｉレベルの信号を出力し、通過がなければＬｏｗレベルの信号を出力するので、ＣＰＵ２０４は、出力信号ＶｅｎｄがＨｉレベルで維持される時間が所定の長さの範囲であれば、遊技球２が通過したことを適切に監視することが可能となる。また、低周波近傍電磁界が到来する場合、到来している期間は、直前に出力されていた出力信号Ｖｅｎｄのレベルが維持されることになるため、ＣＰＵ２０４は、出力信号ＶｅｎｄがＨｉレベルの信号である場合、その期間が所定の長さの時間を越えれば、低周波近傍電磁界の到来を検出したものとみなすことができ、また、Ｌｏｗレベルの場合、遊技球２の通過が検出されていないものとみなすことができる。
【０１１７】
いずれにおいても、遊技球２の通過が誤検出されてしまうといった誤動作を抑制することが可能となる。
【０１１８】
＜２．第２の実施の形態＞
［本発明を適用した他の遊技球検出スイッチの構成例］
以上においては、２線式出力方式の遊技球検出スイッチに、インターフェイス回路を設けて、遊技機のＣＰＵに検出結果を出力する構成例について説明してきたが、４線式出力方式の遊技球検出スイッチを用い、インターフェイス回路を省略して、遊技機のＣＰＵに直接検出結果を出力できる構成としてもよい。
【０１１９】
図１２は、４線式出力方式の遊技球検出スイッチを用い、インターフェイス回路を省略して、遊技機のＣＰＵに直接検出結果を出力できる構成とした遊技機の構成例を示している。
図１２の遊技機３００の遊技球検出スイッチ３０１においては、基本的に、図１の遊技球検出スイッチ１における構成と同様の構成については、同一の名称、および同一の符号を付しており、その説明は、適宜省略するものとする。
【０１２０】
すなわち、図１２の遊技機３００における遊技球検出スイッチ３０１において、図１の遊技球検出スイッチ１と異なる点は、ダイオードＤ１，Ｄ２、ツェナーダイオードＺＤ、抵抗Ｒ３，ＲＬ、およびコンデンサＣ１５に代えて、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２出力端子を設け、さらに、その前段にベース抵抗を含むトランジスタＴｒ１０１，Ｔｒ１０２、および抵抗ＲＬ１，ＲＬ２をそれぞれ設けた点である。
【０１２１】
すなわち、比較器ＣＯＭ１の出力端子Ｖ８には、ベース抵抗を介して、トランジスタＴｒ１０１のベースが接続され、コレクタが出力端子Ｖｏｕｔ２に接続され、エミッタが接地されている。また、比較器ＣＯＭ２の出力端子には、ベース抵抗を介して、トランジスタＴｒ１０１のベースが接続され、コレクタが出力端子Ｖｏｕｔ１に接続され、エミッタが接地されている。
【０１２２】
すなわち、異常検出部１１は、低周波近傍電磁界が到来しないとき出力信号Ｖ８がＬｏｗレベルとなり、低周波近傍電磁界が到来したとき、出力信号Ｖ８がＨｉレベルとなる。このため、低周波近傍電磁界の到来と共にトランジスタＴｒ１０１がオンとなり、それ以外のときオフとされ、出力信号Ｖｏｕｔ２としてＣＰＵ３０２に供給される。
【０１２３】
同様に、遊技球検出部１２は、遊技球が通過すると出力信号Ｖ７がＨｉレベルとなり、遊技球が通過しないとき、出力信号Ｖ７がＬｏｗレベルとなる。このため、遊技球が通過するとトランジスタＴｒ１０２がオンとなり、出力信号Ｖｏｕｔ１としてＣＰＵ３０２に供給され、それ以外のときオフとされる。
【０１２４】
ＣＰＵ３０２は、出力信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に基づいて、遊技球２の通過の有無、および低周波近傍電磁界の到来の有無を検出する。尚、比較器ＣＯＭ１への検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６と閾値Ｖｔｈとの極性を入れ替えるようにしてもよい。このようにすることで、出力信号Ｖｏｕｔ２の極性が反転する。すなわち、低周波近傍電磁界が到来するとき、出力信号Ｖｏｕｔ２としてＣＰＵ３０２に供給される。すなわち、通常複数の遊技球検出スイッチ３０１が１台の遊技機３００に搭載されるが、いずれかの遊技球検出スイッチ３０１により低周波近傍電磁界が検出された場合には、全ての遊技球検出スイッチ３０１での遊技球２の通過を誤検出させないようにする必要があると考えられる。そこで、このようにいわゆるノーマルオープンの構成とすることで、全ての遊技球検出スイッチ３０１の出力信号Ｖｏｕｔ２を１本に集約して、ＣＰＵ３０２に供給させることで、いずれかから低周波近傍電磁界が検出された場合、全ての遊技球２の通過を検出しない構成とすることができ、製造コストを低減させることが可能となる。
【０１２５】
［低周波近傍電磁界を検出するためのコイルのその他の構成例］
以上においては、図５で示されるように、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１を、遊技球２の通過を検出するためのコイルＬ１２とコネクタ１ｆとの間に設ける例について説明してきたが、別の位置に設けるようにしてもよい。すなわち、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１は、例えば、図１３で示されるように、遊技球２の通過を検出するコイルＬ１２から見て、コネクタ１ｆとは反対側の位置に設けるようにしてもよい。
【０１２６】
また、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１は、例えば、図１４で示されるように、遊技球２の通過を検出するコイルＬ１２の外周側に設けるようにしてもよい。尚、図１５においては、コイルＬ１２の外周側に設けられるべきシールド部材が記述されていないが、コイルＬ１１側に対して完全に遮蔽するようにシールド部材が設けられている。
【０１２７】
以上、本発明によれば、遊技球検出スイッチにおいて、遊技球の検出するためのコイルの近傍に、遊技球の通過を誤検出させるような誤動作を誘発させる低周波近傍電磁界の到来を検出し、誤動作を抑制することが可能となる。
【符号の説明】
【０１２８】
１ 遊技球検出スイッチ
２ 遊技球
１１ 異常検出部
１２ 遊技球検出部
４１，４２ 共振回路
１０１ 発振回路
１０２ 検波積分回路
１１１ 発振回路
１１２ 検波積分回路
１１３ 定電圧回路
Ｌ１１，Ｌ１２ コイル
Ｃ１１，Ｃ１２ コンデンサ
Ｒ１，Ｒ２ 感度調整抵抗
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遊技球検出スイッチ、および遊技機に関し、特に、遊技機における遊技球の通過の検出に誤動作を生じさせる低周波近傍電磁界を検出し、遊技球の通過検出の誤動作を低減できるようにした遊技球検出スイッチ、および遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
パチンコ遊技機では、遊技球の通過を検出する遊技球検出スイッチが複数搭載され、遊技球が主要な入賞口、ゲートを通過した場合、検出信号を制御装置に出力している。
【０００３】
主流は、直流２線式の近接スイッチであり、金属球を無接触で検出するため、耐久性に優れていること、２線式独特の開放、閉塞動作が、有接点スイッチと同じイメージなどメリットが多く、他原理を圧倒している。
【０００４】
しかしながら、電子回路ゆえに潜在するウイークポイントを衝いた、不正行為が認知されている。
【０００５】
過去においては、トランシーバや携帯電話を使用して、故意に電波を照射する事例があり、最近では、比較的低周波の交流ノイズ、所謂低周波近傍電磁界を発生させ、遊技球検出スイッチの発振回路の誤動作を誘発させる事例が知られている。
【０００６】
この対策として、近傍電磁界検出センサを遊技機毎に設置し、遊技球検出スイッチの発振回路が誤動作を生じる機能障害を起こす以前に、近傍電磁界の到来を検知する技術が提案されている。
【０００７】
この技術としては、例えば、遊技球検出スイッチと、略同構成、同回路、かつ定常発振停止の設定を施したものを、近傍電磁界検出センサとして使用したものがある（特許文献１参照）。
【０００８】
すなわち、この例で内蔵する発振回路は、LC共振周波数を一致させ、コイルシールド材の開口面積操作にて、併用する遊技球検出スイッチより電磁界検出感度を敏感に設定し、電磁波が照射されても遊技球検出スイッチが機能障害に陥る以前に、認知可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−２６８４１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、特許文献１の遊技球検出スイッチと、近傍電磁界検出センサとを併用する場合、双方の設置位置の条件が厳しく、設置位置の制限が加わる。
【００１１】
例えば、遊技球検出スイッチと、近傍電磁界検出センサとが離れすぎた場合、比較的小型の不正コイル励磁で、近傍電磁界発生領域を絞って照射すれば、電磁界検出センサが非検知であるにもかかわらず、遊技球検出スイッチのみを機能障害に陥らせることがあり、結果として、誤動作が生じてしまうことがあった。
【００１２】
一方、遊技球検出スイッチと、近傍電磁界検出センサとが近づきすぎると、遊技球検出スイッチの発振波の影響で、検出センサが誤動作する恐れがある。特許文献１には、双方一体型の発明も開示されているが、やはり、同様の発振波の悪影響が少なからず発生し、遊技球検出スイッチの遊技球検出状態の変化に追従して、近傍電磁界検出感度が著しく変化したり、遊技球非検出時に常時誤動作を発生させるといった弊害が生じる。
【００１３】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、パチンコ遊技機内部に発生する低周波近傍電磁界によって、遊技球検出スイッチに機能障害が生じる前のタイミングで、低周波近傍電磁界を検出できるようにすることにより、低周波近傍電磁界を適切に監視できるようにし、遊技球検出スイッチの機能障害を抑制できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一側面の遊技球検出スイッチは、貫通口の回りに巻回した第１のコイルと、前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路と、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイルと、前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路とを含む遊技球検出スイッチであって、前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される。
【００１５】
前記第１のコイルの外周部を包括、かつ貫通口内壁部を開放したシールド部材をさらに含ませるようにすることができる。
【００１６】
前記第２のコイルは、磁性体の中心棒軸を有し、前記貫通口の端面と直交し、かつ前記中心棒軸の一方の端面が、略同一平面上に配置されるようにすることができる。
【００１７】
前記第１の発振回路の発振状況変化に応じて、第１の状態信号を出力する第１の出力回路と、前記第２の発振回路の発振状況変化に応じて、第２の状態信号を出力する第２の出力回路とをさらに含ませるようにすることができ、前記第１の出力回路、および第２の出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号、または、そのいずれかを直接制御装置に出力する、またはインターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００１８】
前記第１の出力回路、および、前記第２の出力回路の後段に、合成出力回路をさらに含ませるようにすることができ、前記合成出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号の合成出力信号を、直接前記制御装置に出力させるようにする、または、前記インターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００１９】
前記第１の状態信号には、前記貫通口内に遊技球が通過した状況を示す遊技球検出信号と、通過していない状況を示す遊技球非検出信号とを含ませるようにすることができ、前記第２の状態信号には、低周波近傍電磁界の到来を示す電磁界検出信号と、前記低周波近傍電磁界の到来がないことを示す電磁界非検出信号とを含ませるようにすることができ、前記合成出力信号には、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球検出状態を示す第１の出力信号、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球非検出状態を示す第２の出力信号、および前記低周波近傍電磁界が到来している環境下での前記低周波近傍電磁界の到来を示す第３の出力信号を含ませるようにすることができる。
【００２０】
前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止する発振抑制回路をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路には、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記発振抑制回路を作動させて、前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止させるようにすることができる。
【００２１】
前記合成出力回路には、前記第２の出力信号として最低電位を、前記第１の出力信号として最高電位を、前記第３の出力信号として中間電位を、それぞれ割り付けた３つの電圧値を切り替えて出力させるようにすることができる。
【００２２】
前記第１の出力回路は、直流２線式出力方式であり、かつ電流増加装置をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記電流増加装置を作動させて、前記遊技球検出スイッチが消費する電流を増加させるようにすることができる。
【００２３】
本発明の遊技球検出システムは、１個、もしくは複数の、請求項８または９に記載の遊技球検出スイッチを、前記インターフェイス回路に接続した遊技球検出システムであって、前記インターフェイス回路の低位反転電位と、接地電位の中間に、前記第２の出力信号が、前記インターフェイス回路の高位反転電位と電源電位の中間に、前記第１の出力信号が、前記低位反転電位と、前記高位反転電位の中間に、前記第３の出力信号が設定される。
【００２４】
本発明のパチンコ遊技機は、請求項１乃至９に記載の遊技球検出スイッチ、および請求項１０に記載の遊技球検出システムの少なくともいずれか、または、それらを複数に含む。
【００２５】
本発明の一側面の遊技球検出スイッチにおいては、第１のコイルが貫通口の回りに巻回され、前記第１のコイルを含む第１の発振回路により、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化し、第２のコイルにより、低周波近傍電磁界の到来が、電圧の誘起により検出され、前記第２のコイルを含む第２の発振回路により、前記電圧の誘起により発振状態が変化し、前記第２のコイルが、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される。
【００２６】
本発明の一側面の遊技球検出スイッチにおける、貫通口の回りに巻回した第１のコイルとは、例えば、遊技球検出部のコイルであり、前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路とは、例えば、遊技球検出部の発振回路であり、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイルとは、例えば、異常検出部のコイルであり、前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路とは、例えば、異常検出部の発振回路であり、前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される。
【００２７】
すなわち、前記第２のコイルが、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置されることにより、遊技球検出部を構成する第１のコイルが低周波近傍電磁界の到来により誤動作が発生するときには、異常検出部を構成する第２のコイルにより低周波近傍電磁界の到来が検出されることになるので、低周波近傍電磁界による遊技球検出部の誤動作を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、遊技球の通過を検出するに当たり、低周波近傍電磁界の接近により生じる誤動作を抑制することが可能となり、遊技機に対する不正を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明を適用した遊技球検出スイッチの構成例を説明する図である。
【図２】図１の遊技球検出スイッチの外観斜視図である。
【図３】図１の遊技球検出スイッチの分解図である。
【図４】図１の遊技球検出スイッチの基板の背面方向の斜視図である。
【図５】図１の遊技球検出スイッチにおける遊技球検出部および異常検出部のそれぞれのコイルの配置例を説明する図である。
【図６】従来の遊技球検出スイッチの動作を説明するタイムチャートである。
【図７】図１の遊技球検出スイッチの動作を説明するタイムチャートである。
【図８】図１の遊技球検出スイッチによる遊技球検出処理を説明するフローチャートである。
【図９】図１の遊技球検出スイッチを用いた遊技機の構成例を説明する図である。
【図１０】図９の遊技機における遊技球検出スイッチの出力信号と、インターフェイス回路の動作閾値との関係を説明する図である。
【図１１】図９の遊技機の遊技球検出スイッチおよびインターフェイス回路の動作を説明するタイムチャートである。
【図１２】他の遊技球検出スイッチを用いた遊技機の他の構成例を説明する図である。
【図１３】遊技球検出スイッチにおける遊技球検出部および異常検出部のそれぞれのコイルのその他の配置例を説明する図である。
【図１４】遊技球検出スイッチにおける遊技球検出部および異常検出部のそれぞれのコイルのさらにその他の配置例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、本発明の構成要件と、発明の詳細な説明に記載の実施の形態との対応関係を例示すると、次のようになる。この記載は、本発明をサポートする実施の形態が、発明の詳細な説明に記載されていることを確認するためのものである。従って、発明の詳細な説明中には記載されているが、本発明の構成要件に対応する実施の形態として、ここには記載されていない実施の形態があったとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、実施の形態が構成要件に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件以外の構成要件には対応しないものであることを意味するものでもない。
【００３１】
すなわち、本発明の一側面の遊技球検出スイッチ（例えば、図１の遊技球検出スイッチ１）は、貫通口の回りに巻回した第１のコイル（例えば、図１のコイルＬ１２）と、前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路（例えば、図１の発振回路１１１）と、低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイル（例えば、図１のコイルＬ１１）と、前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路（例えば、図１の発振回路１０１）とを含む遊技球検出スイッチであって、前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される（例えば、図５で示されるようにコイルＬ１１，Ｌ１２が配置される）。
【００３２】
前記第１のコイルの外周部を包括、かつ貫通口内壁部を開放したシールド部材（例えば、図３のシールド部材１ｂ，１ｄ）をさらに含ませるようにすることができる。
【００３３】
前記第１の発振回路の発振状況変化に応じて、第１の状態信号を出力する第１の出力回路（例えば、図１の比較器ＣＯＭ２）と、前記第２の発振回路の発振状況変化に応じて、第２の状態信号を出力する第２の出力回路（例えば、図１の比較器ＣＯＭ１）とをさらに含ませるようにすることができ、前記第１の出力回路、および第２の出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号、または、そのいずれかを直接制御装置に出力する、またはインターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００３４】
前記第１の出力回路、および、前記第２の出力回路の後段に、合成出力回路（例えば、図１のダイオードＤ１，Ｄ２、および抵抗Ｒ３）をさらに含ませるようにすることができ、前記合成出力回路には、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号の合成出力信号を、前記制御装置に出力させるようにする、または、前記インターフェイス回路を介して前記制御装置に出力させるようにすることができる。
【００３５】
前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止する発振抑制回路（例えば、図１のダイオードＤ１）をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路には、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記発振抑制回路を作動させて、前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止させるようにすることができる。
【００３６】
前記第１の出力回路は、直流２線式出力方式であり、かつ電流増加装置（例えば、図１の定電圧回路１１３、および抵抗Ｒ３）をさらに含ませるようにすることができ、前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記電流増加装置を作動させて、前記遊技球検出スイッチが消費する電流を増加させるようにすることができる。
【００３７】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（２線式出力方式の例）
２．第２の実施の形態（４線式出力方式の例）
【００３８】
＜１．第１の実施の形態＞
［本発明を適用した遊技球検出スイッチの構成例］
図１は、本発明を適用した低周波近傍電磁界センサからなる異常検出部を内蔵する、遊技球の通過を検出する直流２線式の遊技球検出スイッチの構成例を示している。すなわち、パチンコ遊技機（以下、単に遊技機と称する）においては、遊技球が発射されると、例えば、いわゆるチューリップと称されているチャッカなどに投入されたり、払い出されるなどすることにより、計数が必要とされる。
【００３９】
図１の遊技球検出スイッチ１は、例えば、図２乃至図５で示されるような構成のものであり、遊技球２と略同径の貫通口Ｈが設けられている。ここで、図２は、遊技球検出スイッチ１の斜視図であり、図３は、分解図であり、図４は、遊技球検出スイッチ１の基板１ｃに、シールド部材１ｂ，１ｄが装着された状態であって、図２の状態における背面の構成を示している。図５は、シールド部材１ｂ、コイルスプール１ｇ、基板１ｃ、シールド部材１ｄを組み合わせた場合の側面図である。尚、図２においては、遊技球検出スイッチ１のカバー１ｅのみが分解されている状態のものとして描かれている。
【００４０】
図３で示されるように、遊技球検出スイッチ１は、図中の下から、ケース１ａ、シールド部材１ｂ、樹脂製のコイルスプール１ｇを圧入した基板１ｃ、シールド部材１ｄ、およびカバー１ｅより構成されている。コイルスプール１ｇの外周部には遊技球２の通過を検出するためのコイルＬ１２が巻回されている。一方、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１は、基板１ｃ上に実装されている。図示の通り、磁性体の中心軸棒１ｘを軸として、コイル線材を巻回した構造を持つ。この場合、コイルＬ１１では、磁束が中心軸棒１ｘに集中する性能を有し、図５で示されるように、基板１ｃの垂直方向に発生することになる。一方、コイルＬ１２では、コイルスプール内周方向以外の略全部位がシールド部材１ｂ，１ｄで覆われているため、貫通部Ｈの垂直方向に磁束が発生する。結果として、２つのコイルＬ１１，Ｌ１２は共に、図５の矢印で示されるように、同一方向に磁束が発生することになる。
【００４１】
このような構成により、遊技球検出スイッチ１は、遊技球２が、貫通口Ｈを通過すると、コイルＬ１２により発生される磁束の変化により遊技球２の通過を検出する。また、遊技球検出スイッチ１は、低周波近傍電磁界が到来すると、コイルＬ１１により発生される磁束の変化により、これを検出する。したがって、遊技球検出スイッチ１は、低周波近傍電磁界の到来が検出されない限り、遊技球の通過の有無を検出し、対応する検出信号をＨｉレベル、またはＬｏｗレベルの出力信号として出力すると共に、低周波誘導電磁界の到来がある場合、その中間電位を出力する。
【００４２】
ここで、図１の説明に戻り、遊技球検出スイッチの詳細な構成について説明する。
【００４３】
遊技球検出スイッチ１は、異常検出部１１、および遊技球検出部１２により構成される。異常検出部１１は、コイルＬ１１により発生される磁束の変化に基づいて、低周波近傍電磁界の到来を検出し、対応する信号を出力する。遊技球検出部１２は、コイルＬ１２により発生される磁束の変化に基づいて、遊技球２の通過の有無を検出する。遊技球検出スイッチ１は、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力結果に基づいて、遊技球の通過の有無を示す信号、および低周波近傍電磁界の発生を示す信号を出力端子Ｖｏｕｔより出力する。尚、図１において、抵抗Ｒ３は、異常検出部１１に、ダイオードＤ１，Ｄ２は、遊技球検出部１２にそれぞれ属するような構成として記載されている。しかしながら、これらについては、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力信号を合成する合成回路を構成するものであり、いずれかに属するものではない。この点については、詳細を後述する。
【００４４】
異常検出部１１は、アンテナとして機能するコイルＬ１１、コンデンサＣ１１、発振回路１０１、検波積分回路１０２、および出力回路である比較器ＣＯＭ１より構成されており、コイルＬ１１の信号に基づいて、低周波近傍電磁界を検出し、検出結果を出力する。より詳細には、コンデンサＣ１１は、その両端がコイルＬ１１と並列接続され、共振回路４１を構成している。さらに、コイルＬ１１、およびコンデンサＣ１１の上端部は、発振回路１０１に接続され、低周波近傍電磁界到来時には、ＬＣ共振波からなる出力信号Ｖ２を発生する。尚、下端部は接地されている。また、発振回路１０１は、定電圧回路１１３により電力供給を受けると共に接地されており、さらに、感度調整抵抗Ｒ１を介して接地されており、出力信号Ｖ４を検波積分回路１０２に出力する。検波積分回路１０２は、定電圧回路１１３より電力供給を受けると共に接地されており、発振回路１０１より供給される発振出力を積分して、出力回路である比較器ＣＯＭ１に出力信号Ｖ６を供給する。この際、検波積分回路１０２の出力電圧は、コンデンサＣ１３により平滑化されて、比較器ＣＯＭ１に供給される。比較器ＣＯＭ１は、入力された検波積分回路１０２からの出力電圧と所定の閾値とを比較し、比較結果を、低周波近傍電磁界の検出結果である出力信号Ｖ８として出力する。
【００４５】
尚、発振回路１０１は、通常状態において発振停止状態に設定されており、低周波近傍電磁界にコイルＬ１１が晒されたときにのみ発振状態に移行するように設定されている。より詳細には、コイルＬ１１、およびコンデンサＣ１１からなる共振回路４１のコンダクタンスｇＬ１と、発振回路１０１のコンダクタンスｇｉ１とは、ナイキストの発振条件に基づいて、以下の式（１）の場合、発振回路１０１は発振停止状態となり、式（２）の場合、発振回路１０１は常時発振状態となる。
【００４６】
ｇＬ１＞ｇｉ１
・・・（１）
【００４７】
ｇＬ１＜ｇｉ１
・・・（２）
【００４８】
そこで、感度調整抵抗Ｒ１の抵抗値の調整により、発振回路１０１のコンダクタンスｇｉ１が、共振回路４１のコンダクタンスｇＬ１よりも小さくなるように、すなわち、感度調整抵抗Ｒ１を大きめに設定すれば、発振回路１０１のコンダクタンスｇｉ１は小さめの設定となる。この結果、上述した式（１）の関係が維持できるように構成されるので、低周波近傍電磁界にコイルＬ１１が晒されていない状態においては、発振回路１０１が発振停止状態となり、その出力信号Ｖ４は、検波積分回路１０２に入力され積分容量Ｃ１３により積分される。このとき、発振回路１０１は発振動作を行っていないため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６は、０Ｖ（Ｌｏｗレベル）となり、比較器ＣＯＭ１には、閾値Ｖｔｈ１よりも小さな値が供給されることになるので、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、発振動作がなされていないことを示す信号としてＨｉレベル（定電圧回路１１３の出力電圧Ｖｒｅｆ）の信号を出力する。
【００４９】
一方、コイルＬ１１は、低周波近傍電磁界に晒されることにより、正弦波電圧を誘起する。このとき、共振回路４１の共振点近傍においては、コンダクタンスｇＬ１が下降し、上述した式（１）の状態から式（２）の状態に移行するので、発振回路１０１は、定常発振を開始し、発振出力を検波積分回路１０２に出力する。このとき、発振回路１０１は発振動作を行っているため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６は、定電圧回路１１３の出力電圧であるＶｒｅｆ（Ｈｉレベル）となり、比較器ＣＯＭ１には、閾値Ｖｔｈ１よりも大きな値が供給されることになるので、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、発振動作がなされていることを示す信号としてＬｏｗレベルの信号を出力する。
【００５０】
また、遊技球検出部１２は、異常検出部１１と略同様に構成されており、コイルＬ１２、コンデンサＣ１２、発振回路１１１、検波積分回路１１２、および出力回路である比較器ＣＯＭ２、並びに、定電圧回路１１３、およびツェナーダイオードＺＤより構成されており、コイルＬ１２の信号に基づいて、遊技球２の通過を検出し、検出結果を出力する。より詳細には、コンデンサＣ１２は、その両端がコイルＬ１２と並列接続され、共振回路４２を構成する。さらに、コンデンサＣ１２、およびコイルＬ１２の上端部は、発振回路１１１に接続され、遊技球２が通過していない時には、ＬＣ共振波からなる出力信号Ｖ１を発生する。尚、下端部は接地されている。また、発振回路１１１は、定電圧回路１１３により電力供給を受けると共に接地されており、さらに、感度調整抵抗Ｒ２を介して接地されており、発振出力を出力信号Ｖ３として検波積分回路１１２に出力する。検波積分回路１１２は、定電圧回路１１３より電力供給を受けると共に接地されており、発振回路１１１より供給される発振出力を積分して出力回路である比較器ＣＯＭ２に出力信号Ｖ５として供給する。この際、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５は、コンデンサＣ１４により平滑化されて、比較器ＣＯＭ２に供給される。比較器ＣＯＭ２は、入力された検波積分回路１１２からの出力電圧と所定の閾値Ｖｔｈ２とを比較し、比較結果に基づいて、遊技球２の通過を検出し、検出結果を出力信号Ｖ７として出力する。
【００５１】
尚、発振回路１１１は、遊技球２が通過状態において発振停止状態に設定されており、遊技球２が通過していないときにのみ発振状態に移行するように設定されている。より詳細には、コイルＬ１２、およびコンデンサＣ１２とからなる共振回路４２のコンダクタンスｇＬ２と、発振回路１１１のコンダクタンスｇｉ２とは、ナイキストの発振条件に基づいて、以下の式（３）の場合、発振回路１１１は発振停止状態となり、式（４）の場合、発振回路１１１は常時発振状態となる。
【００５２】
ｇＬ２＞ｇｉ２
・・・（３）
【００５３】
ｇＬ２＜ｇｉ２
・・・（４）
【００５４】
そこで、感度調整抵抗Ｒ２の抵抗値の調整により、発振回路１１１のコンダクタンスｇｉ２が、共振回路４２のコンダクタンスｇＬ２よりも小さくなるように、すなわち、感度調整抵抗Ｒ２を小さめに設定すれば、発振回路１１１のコンダクタンスｇｉ２は大きめの設定となる。この結果、上述した式（４）の関係が維持できるように構成されるので、遊技球２が通過していない状態においては、発振回路１１１が常時発振状態となる。このとき、発振回路１１１は発振動作を行っているので、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５は、定電圧回路１１３の出力電圧Ｖｒｅｆ（Ｈｉレベル）となり、比較器ＣＯＭ２には、閾値Ｖｔｈ２よりも大きな値が供給されることになり、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、遊技球２が通過していないことを示す信号としてＬｏｗ信号を出力する。
【００５５】
一方、コイルＬ１２は、遊技球２が通過されることにより、コンダクタンスｇＬ２が上昇し、上述した式（４）の状態から式（３）の状態に移行するので、発振回路１１１は、発振を停止し、発振出力を検波積分回路１１２に出力する。このとき、発振回路１１１は発振動作を行っていないため、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５は、０Ｖ（Ｌｏｗレベル）となり、比較器ＣＯＭ２には、閾値Ｖｔｈ２よりも小さな値が供給されることになるので、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、遊技球が通過していることを示す信号としてＨｉレベルの信号を出力する。
【００５６】
ツェナーダイオードＺＤは、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７により開閉される。例えば、遊技球２の通過が検出されている場合、すなわち、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７がＨｉレベルの信号である場合、ツェナーダイオードZDは、開放状態となり、定電圧回路１１３を介して最小電流が流入する漏れ電流モードとなる。一方、遊技球２の通過が検出されていない場合、すなわち、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７がＬｏｗレベルの信号である場合、ツェナーダイオードＺＤは、閉塞状態となり、ツェナーダイオードＺＤの両端に発生する電圧による残電圧モードとなり、出力電圧ＶｏｕｔがツェナーダイオードＺＤの両端電位へと変化する。
【００５７】
ダイオードＤ１は、アノードが共振回路４２の上端部に接続され、カソードが比較器ＣＯＭ１の出力端子に接続されている。また、ダイオードＤ２は、アノードが検波積分回路１１２の出力端子に接続され、カソードが比較器ＣＯＭ１の出力端子に接続されている。抵抗Ｒ３は、一方の端部が定電圧回路１１３に接続され、他方の端部が比較器ＣＯＭ１の出力端子に接続されている。ダイオードＤ１，Ｄ２、および抵抗Ｒ３は、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力信号の信号合成回路として機能する。
【００５８】
すなわち、低周波近傍電磁界が到来していない場合、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６は、Ｌｏｗレベルの信号となり、このため比較器ＣＯＭ１においては、閾値Ｖｔｈ１よりも小さな値となるため、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８はＨｉレベル（Ｖｒｅｆ）となり、ダイオードＤ１，Ｄ２は、共に逆バイアス非導通となる。しかしながら、低周波近傍電磁界が到来することで、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８が０Ｖとなることに伴い、共振回路４２の発振振幅である出力信号Ｖ１、および検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が同時に強制シャントされ、かつ、抵抗Ｒ３の両端に定電圧出力Ｖｒｅｆが掛かり、漏れ電流値ＩＬ０に、この発生電流（Ｖｒｅｆ／Ｒ３）が加算される動作となる。
【００５９】
［図１の遊技球検出スイッチの動作説明］
次に、図６，図７のタイムチャートを参照して、図１の遊技球検出スイッチ１の動作について説明する。ここで、図６は、異常検出部１１が存在せず、併せて、ダイオードＤ１，Ｄ２および抵抗Ｒ３が存在しない場合、すなわち、従来の、低周波近傍電磁界検出機能の存在しない、遊技球検出スイッチの各出力信号の波形を示している。すなわち、図６は、上から、波形ＡがコイルＬ１２およびコンデンサＣ１２からなる共振回路４２の出力信号Ｖ１’を、波形Ｂが検波積分回路の出力信号Ｖ５’を、波形Ｃが比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’を、波形Ｄが出力端子Ｖｏｕｔの出力信号をそれぞれ示している。また、図７は、図１の遊技球検出スイッチ１の各出力信号の波形を示している。すなわち、図７は、上から波形Ａが、共振回路４２の出力信号Ｖ１を、波形Ｂが検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５を、波形ＣがコイルＬ１１、およびコンデンサＣ１１からなる共振回路４１の出力信号Ｖ２を、波形Ｄが比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８を、波形Ｅが出力端子Ｖｏｕｔの出力信号をそれぞれ示している。
【００６０】
また、図６，図７においては、時刻ｔ１乃至ｔ２，ｔ３乃至ｔ４，ｔ５乃至ｔ６，ｔ７乃至ｔ８において、遊技球２が、貫通口Ｈを通過して、遊技球２が検出される状態の場合の波形を示しており、時刻ｔ１１乃至ｔ１２において、低周波近傍電磁界が到来し、誘導波が照射されている状態の場合の波形を示している。
【００６１】
すなわち、時刻ｔ１乃至ｔ２および時刻ｔ７乃至ｔ８は正常通過検知で、共振回路４２の出力信号Ｖ１は時間軸を大きく取ったため、帯状に描かれているが、遊技球２の通過を検出したとき発振が停止しているので、出力信号Ｖ１は、０Ｖとなる。また、検波積分回路１１２は、共振回路４２の出力信号Ｖ１に伴う発振回路１１１の出力信号Ｖ３を直流化して出力するため、出力信号Ｖ５は図６，図７の波形Ｂで示されるような波形となる。
【００６２】
異常検出部１１が存在しない従来の遊技球検出スイッチの場合、図６で示されるように、時刻ｔ０乃至ｔ１において、遊技球２が通過せず、または、低周波近傍電磁界の到来もない場合、出力信号Ｖ１’，Ｖ５’，Ｖ７’は、それぞれＨｉレベル、Ｈｉレベル、Ｌｏｗレベルとなる。このため、ツェナーダイオードＺＤが閉塞されて、出力信号Ｖｏｕｔ’は、ツェナー電位Ｖｚｄとされる。
【００６３】
そして、時刻ｔ１を越えて遊技球２が通過すると、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅が低下し、この低下に伴って検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’が低下する。そして、時刻ｔ２１で示されるように、比較器ＣＯＭ２の閾値電位であるＶｔｈ２を下回ると、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’は、Ｈｉレベルに変化する。この結果、ツェナーダイオードＺＤが開放されて、最小の電流値である漏れ電流ＩＬ０が流れる漏れ電流モードとなる。このため、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、電源電圧Ｖｃｃから漏れ電流による電圧降下分ＲＬ・ＩＬ０だけ降下した電圧（Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）となる。尚、これは、時刻ｔ３乃至ｔ２３，ｔ７乃至２５においても同様の動作となる。
【００６４】
さらに、時刻ｔ２を越えて遊技球の通過が完了すると、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅が上昇し、この上昇に伴って検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’が上昇する。そして、時刻ｔ２２で示されるように、比較器ＣＯＭ２の閾値電位であるＶｔｈ２を上回ると、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’は、Ｌｏｗレベルに変化する。この結果、ツェナーダイオードＺＤが閉塞されて、残電圧モードとなる。このため、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、（Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）から、ツェナー電位ＶＺＤとなる。尚、これは、時刻ｔ８乃至ｔ２６においても同様の動作となる。
【００６５】
さらに、時刻ｔ２３において、時刻ｔ２１における場合と同様に、遊技球２の通過が検出された後、時刻ｔ１１において、低周波近傍電磁界が到来すると、共振回路４２により低周波近傍電磁界が検出されることにより、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅が上昇し、この上昇に伴って検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’が上昇する。そして、時刻ｔ２４で示されるように、比較器ＣＯＭ２の閾値電位であるＶｔｈ２を上回ると、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’は、Ｌｏｗレベルに変化する。この結果、ツェナーダイオードＺＤが閉塞されて、残電圧モードとなる。このため、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、（Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）から、ツェナー電位ＶＺＤとなる。この後、低周波近傍電磁界が時刻ｔ１２まで到来し続けることとなるが、この間に時刻ｔ４において、遊技球２の通過が完了しても、共振回路４２の出力信号Ｖ１’の振幅は、遊技球２が非検出である状態における振幅が重畳される状態となり、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５’は、上昇したままの状態となるため、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’もＬｏｗレベルのままとなり、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、ツェナー電位ＶＺＤのままとなる。また、時刻ｔ５乃至ｔ６に再び遊技球２が通過しても、時刻ｔ１１乃至ｔ４における場合と同様であるので、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔ’は、ツェナー電位ＶＺＤのままとなる。
【００６６】
この結果、低周波近傍電磁界が到来している時刻ｔ１１乃至ｔ１２のうち、遊技球２が通過している時刻ｔ１１乃至ｔ４（厳密には、時刻ｔ２４乃至ｔ４）、および時刻ｔ５乃至ｔ６については、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７’において検出もれが生じることになる。
【００６７】
これに対して、図１の遊技球検出スイッチ１においては、図７の波形Ｃ，Ｄで示されるように、時刻ｔ１１において低周波近傍電磁界が到来することにより、共振回路４１の出力信号Ｖ２の振幅が上昇し、これに伴って比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８はＬｏｗレベルとなる。尚、低周波近傍電磁界が到来しない時刻ｔ０乃至ｔ１１、および時刻ｔ１２以降においては、共振回路４１の出力信号Ｖ２の振幅が０となり、これに伴って比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８はＨｉレベルとなる。
【００６８】
このため、図７の波形Ｅで示されるように、低周波近傍電磁界が到来している時刻ｔ１１乃至ｔ１２においては、出力信号Ｖ８がＬｏｗレベル、すなわち、０Ｖとなることにより、共振回路４２の出力信号Ｖ１、および検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、ダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧０．６Ｖにクランプされ、閾値Ｖｔｈ２よりも低くなる。この結果、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｈｉレベルの信号を出力することになる。
【００６９】
一方、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、ダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧０．６Ｖにクランプされることにより、遊技球検出部１２においては、漏れ電流モードが確定することとなるが、抵抗Ｒ３には、定電圧回路１１３により印加される定格電圧Ｖｒｅｆにより、漏れ電流ＩＬ０に加えて、電流Ｖｒｅｆ／Ｒ３が加算して流れることになる。このため、低周波近傍電磁界が到来している時刻ｔ１１乃至ｔ１２において、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔは、電源電圧Ｖｃｃから負荷抵抗ＲＬによる降下電圧ＲＬ（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３）を減算したＶｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３）となる。
【００７０】
この結果、遊技球検出スイッチ１は、低周波近傍電磁界が到来していない場合、遊技球２の通過を検出しているとき、出力信号Ｖｏｕｔは、第１の出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）となり、遊技球２の通過を検出していないとき、出力信号Ｖｏｕｔは、第２の出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗ（＝Ｖｚｄ）となり、低周波近傍電磁界が到来している場合、遊技球２の通過の有無に関わらず、出力信号Ｖｏｕｔは、中間電位となる第３の出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））となる。
【００７１】
したがって、遊技球検出スイッチ１の後段に出力信号Ｖｏｕｔに応じて、遊技機の制御装置（ＣＰＵ）に適切な信号を出力するインターフェイス回路が設けられることにより、遊技球の通過の有無を適切に検出することが可能になると共に、低周波近傍電磁界の接近により生じる近接スイッチの誤動作を抑制することが可能となる。尚、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｈｉを高位出力電位、出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｍｄを中位出力電位、出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗを低位出力電位とも、それぞれ称するものとする。
【００７２】
［遊技球検出処理］
以上の処理をまとめると、図８のフローチャートで示されるような遊技球検出処理となる。尚、図８のフローチャートにおいては、図１の遊技球検出スイッチ１の各構成の動作状態を示すものであり、それぞれの構成が主体となる動作を示すものではない。
【００７３】
すなわち、ステップＳ１において、低周波近傍電磁界が到来しているか否かに基づいて、処理が切り替えられ、例えば、低周波近傍電磁界が到来している場合、処理は、ステップＳ２に進む。
【００７４】
ステップＳ２において、共振回路４１により共振が発生するため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６が閾値Ｖｔｈ１よりも高くなるため、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、Ｌｏｗレベルの信号（０Ｖ）となる。
【００７５】
ステップＳ３において、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８が０Ｖとなることに伴って、ダイオードＤ１，Ｄ２が有効とされ、出力信号Ｖ１，Ｖ５が強制的にダイオードＤ１，Ｄ２の順方向電圧にクランプされる。
【００７６】
ステップＳ４において、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、比較器ＣＯＭ２の閾値Ｖｔｈ２より小さくなるので、ステップＳ５において、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｈｉレベルの信号となり漏れ電流モードとなる。
【００７７】
ステップＳ６において、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔは、負荷抵抗ＲＬを流れる漏れ電流ＩＬ０により発生する降下電圧ＩＬ０・ＲＬと、抵抗Ｒ３を流れる電流Ｖｒｅｆ／Ｒ３による降下電圧、ＲＬ・Ｖｒｅｆ／Ｒ３とを加算した電圧が電源電圧Ｖｃｃから降下した中位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））となる。
【００７８】
一方、ステップＳ１において、低周波近傍電磁界が到来していない場合、処理は、ステップＳ７に進む。
【００７９】
ステップＳ７において、共振回路４１により共振が発生しないため、検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６が閾値Ｖｔｈ１よりも低くなるため、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８は、Ｈｉレベルの信号となる。
【００８０】
ステップＳ８において、比較器ＣＯＭ１の出力信号Ｖ８がＨｉレベルとなることに伴って、ダイオードＤ１，Ｄ２が非導通状態、すなわち、無効の状態となる。
【００８１】
ステップＳ９において、遊技球２の通過があるか否かに処理が切り替えられ、例えば、遊技球２の通過がある場合、処理は、ステップＳ１０に進む。
【００８２】
ステップＳ１０において、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、比較器ＣＯＭ２の閾値Ｖｔｈ２より小さくなるので、ステップＳ１１において、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｈｉレベルの信号となり漏れ電流モードとなる。
【００８３】
ステップＳ１２において、出力端子Ｖｏｕｔの出力信号Ｖｏｕｔは、漏れ電流ＩＬ０により負荷抵抗ＲＬで発生する降下電圧ＩＬ０・ＲＬが電源電圧Ｖｃｃから降下した高位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）となる。
【００８４】
さらに、ステップＳ９において、遊技球２の通過がない場合、ステップＳ１３において、検波積分回路１１２の出力信号Ｖ５が、比較器ＣＯＭ２の閾値Ｖｔｈ２より大きくなるので、ステップＳ１４において、比較器ＣＯＭ２の出力信号Ｖ７は、Ｌｏｗレベルの信号となり残電圧モードとなる。
【００８５】
ステップＳ１５において、出力電圧Ｖｏｕｔは、ツェナーダイオードＺＤの両端電位である低位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗ（＝ＶＺＤ）となる。
【００８６】
以上の処理によれば、低周波近傍電磁界が到来すると、遊技球２の通過の有無に関わらず、中位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｍｄが出力され、低周波近傍電磁界が到来していない状態で、かつ、遊技球２が通過したとき、高位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｈｉが出力され、さらに、低周波近傍電磁界が到来していない状態で、かつ、遊技球２が通過していないとき、低位出力信号Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗが出力される。結果として、低周波近傍電磁界の到来と、遊技球の通過の有無とを同時に、そして、正確に監視することが可能となる。
【００８７】
［図１の遊技球検出スイッチを備えた遊技機の構成例］
次に、図９を参照して、上述した遊技球検出スイッチ１の後段に適切なインターフェイス回路を設けて、制御装置（ＣＰＵ）に検出結果を出力するようにした遊技機の構成例のついて説明する。
【００８８】
遊技機２００は、遊技球検出スイッチ１、インターフェイス回路２０１、電源部２０２、２０３、および遊技機２００の全体の動作を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）２０４より構成されている。遊技球検出スイッチ１は、遊技球２の通過の有無を検出すると共に、低周波近傍電磁界の到来を検出し、検出結果をインターフェイス回路２０１に供給する。インターフェイス回路２０１は、遊技球検出スイッチ１の検出結果に基づいて、遊技球２の通過についての検出結果に対応する信号を発生し、出力端子ＶｅｎｄよりＣＰＵ２０４に供給する。ＣＰＵ２０４は、インターフェイス回路２０１からの信号に基づいて、遊技球２の通過を認識し、各種の処理を実行する。
【００８９】
インターフェイス回路２０１は、比較器２１４、トライステートバッファ２１５、抵抗Ｒ２４、分圧回路２１１、切替回路２１２、およびリミッタ回路２１３により構成されている。
【００９０】
電源部２０２は、遊技球検出スイッチ１と比較器２１４の他に、分圧回路２１１と切替回路２１２にも接続され、電圧Ｖｃｃを供給する。
【００９１】
分圧回路２１１は、定電圧素子として機能するダイオードＤ１１およびＤ１２、ツェナーダイオードＺＤ１１、並びに、定電流源Ｉ１１および抵抗Ｒ２１により構成されている。また、切替回路２１２は、抵抗Ｒ２２とＰＮＰ形のトランジスタＴｒ１により構成されている。さらに、リミッタ回路２１３は、抵抗Ｒ２３とツェナーダイオードＺＤ２１により構成されている。
【００９２】
分圧回路２１１の定電流源Ｉ１１の一端は、電源部２０２と接続され、他の一端は、ダイオードＤ１２のカソード、比較器２１４の閾値電圧ＶTを入力する入力部（以下、適宜、閾値電圧ＶT入力部という）、および抵抗Ｒ２１の一端と接続されている。
【００９３】
直列に接続されたダイオードＤ１１およびＤ１２の、ダイオードＤ１１のアノードは、切替回路２１２のトランジスタＴｒ１のコレクタに接続され、ダイオードＤ１２のカソードは、上述したように、定電流源Ｉ１１の他の一端、抵抗Ｒ２１、および比較器２１４の閾値電圧ＶT入力部に接続されている。
【００９４】
抵抗Ｒ２１の他の一端は、ツェナーダイオードＺＤ１１のカソードと接続され、ツェナーダイオードＺＤ１１のアノードは、接地されている。
【００９５】
また、切替回路２１２のトランジスタＴｒ１のエミッタは、電源部２０２に接続されている。
【００９６】
さらに、比較器２１４の出力部は、切替回路２１２の抵抗Ｒ２２を介して、トランジスタＴｒ１のベースと、リミッタ回路２１３の抵抗Ｒ２３を介して、ツェナーダイオードＺＤ２１のカソードおよびトライステートバッファ２１５の入力部に接続されている。また、ツェナーダイオードＺＤ２１のアノードは、接地されている。
【００９７】
インターフェイス回路２０１の動作について説明する。
【００９８】
分圧回路２１１は、後述する切替回路２１２のトランジスタＴｒ１がオンまたはオフすることにより、それぞれ、ダイオードＤ１１およびＤ１２を有効もしくは無効にする。
【００９９】
切替回路２１２は、比較器２１４から供給される比較出力信号のＨｉまたはＬｏｗレベルの信号によって、トランジスタＴｒ１をオンまたはオフさせ、分圧回路２１１の第１または第２の状態を切り替える。なお、比較器２１４から供給される比較出力信号がＬｏｗレベルの信号である場合（遊技球の通過なしの場合）が、分圧回路２１１の第１の状態であり、比較器２１４から供給される比較出力信号がＨｉレベルの信号である場合（遊技球の通過ありの場合）が、分圧回路２１１の第２の状態である。
【０１００】
切替回路２１２のトランジスタＴｒ１は、ＰＮＰ形であるので、比較器２１４から供給される比較出力信号がＬｏｗレベルの信号である場合（パチンコ球なしの場合）に、トランジスタＴｒ１はオンし、切替回路２１２は、分圧回路２１１を第１の状態にする。また、比較器２１４から供給される比較出力信号がＨｉレベルの信号である場合（パチンコ球ありの場合）に、トランジスタＴｒ１はオフし、切替回路２１２は、分圧回路２１１を第２の状態にする。
【０１０１】
分圧回路２１１の第１の状態では、ダイオードＤ１１およびＤ１２が有効となり、電源部２０２の電圧Ｖｃｃから、ダイオードＤ１１およびＤ１２にかかる電圧を引いた残電圧値（＝Ｖｃｃ−２Ｖｄ）が、高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉとなって、比較器２１４の閾値電圧ＶT入力部に供給される。
【０１０２】
また、分圧回路２１１の第２の状態では、ダイオードＤ１１およびＤ１２が無効となり、ツェナーダイオードＺＤ１１の電圧と、定電流源Ｉ１１の電流値により抵抗Ｒ２１で発生する電圧を加算した電圧値（ＶＺＤ１１＋Ｉ１１・Ｒ２１）が、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗとなって、比較器２１４の閾値電圧ＶT入力部に供給される。
【０１０３】
リミッタ回路２１３は、ツェナーダイオードＺＤ２１のツェナー電位ＺＤ２１以上の過大な電圧が、トライステートバッファ２１５に入力されることを防止する。
【０１０４】
すなわち、図９のインターフェイス回路２０１では、図１０で示されるように、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗは、ツェナーダイオードＺＤ１１のツェナー電位に依存する特性を有している。即ち、電源部２０２の電圧Ｖｃｃが、範囲ＶM内で高くなっても、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗは、ツェナーダイオードＺＤ１１のツェナー電位ＶＺＤ１１に、抵抗Ｒ２１と、定電流源Ｉ１１により生じる電圧が加算された電圧（＝ＶＺＤ１１＋Ｒ２１・Ｉ１１）となる。
【０１０５】
遊技球検出スイッチ１の出力である低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗは、図１０で示されるように、電源部２０２の電圧Ｖｃｃに依存しない一定の特性を有しており、図１におけるツェナーダイオードＺＤと、図９におけるツェナーダイオードＺＤ１１を同じ特性のツェナーダイオードを使用し、さらに、抵抗Ｒ２１と定電流源Ｉ１１とを適当に操作すれば、図１０のような電位関係を範囲ＶＭ全域で維持することができる。
【０１０６】
遊技球検出スイッチ１の出力である高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ、および中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄは、図１０で示されるように、電源部２０２の電圧Ｖｃｃに依存する特性を有している。そこで、電源部２０２の電圧Ｖｃｃが、使用範囲ＶM内において、遊技球検出スイッチ１の負荷抵抗ＲＬ、および抵抗Ｒ３、並びに、インターフェイス回路２０１における抵抗Ｒ２１の調整により、高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉを、高位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・ＩＬ０）よりも低く、中位反転電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））よりも高く設定し、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗを、低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗ（＝Ｖｚｄ）よりも高く、中位反転電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ（＝Ｖｃｃ−ＲＬ・（ＩＬ０＋Ｖｒｅｆ／Ｒ３））よりも低く設定することで、遊技球検出スイッチ１からの出力信号Ｖｏｕｔにより、遊技球２の通過の有無と、低周波近傍電磁界の到来の有無とを適切に検出することが可能となる。
【０１０７】
すなわち、図１０の関係が満たされるときの遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔ、およびインターフェイス回路２０１の出力信号Ｖｅｎｄのそれぞれの出力波形は、図１１で示されるようなものとなる。
【０１０８】
すなわち、図１１の上段、および下段においては、図１０で示されるように、高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉ、低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗ、高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉ、中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄ、および低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗが設定される場合の遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔ、およびインターフェイス回路２０１の出力信号Ｖｅｎｄの出力波形がそれぞれ示されている。
【０１０９】
図１１の上段、および下段の波形は、時刻ｔ１０１乃至ｔ１０２，ｔ１０３乃至ｔ１０４、およびｔ１０５乃至１０６において遊技球２の通過があり、時刻ｔ１１１乃至ｔ１１２、およびｔ１１３乃至ｔ１１４において低周波近傍電磁界の到来がある場合の波形である。
【０１１０】
すなわち、時刻ｔ０乃至ｔ１０１においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過がないので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗとなる。低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗは低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗよりも低いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号となる。このとき、反転電位は、高位反転電位Ｖ＿ＩＮＨｉとなるため、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔが、高位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとならない限り、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。
【０１１１】
時刻ｔ１０１乃至ｔ１１１においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過があるので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとなる。高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉは高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉよりも高いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベル（電源部２０３の出力電圧値電圧ＶＤＤ）の信号となる。このとき、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＬｏｗとなるため、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔが、低位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗとならない限り、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。
【０１１２】
時刻ｔ１１１乃至ｔ１１２においては、低周波近傍電磁界の到来があり、時刻ｔ１１１乃至ｔ１０２、およびｔ１０３乃至ｔ１１２においては、遊技球２の通過があるが、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、遊技球２の通過とは無関係に中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄとなる。中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄは低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗよりも高いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。すなわち、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＬｏｗのままであるため、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。
【０１１３】
時刻ｔ１１２乃至ｔ１０４においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過があるので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとなる。高位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｈｉは高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉよりも高いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号となる。すなわち、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＬｏｗのままであるため、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｈｉレベルの信号が維持される。
【０１１４】
時刻ｔ１０４乃至ｔ１１３においては、低周波近傍電磁界の到来がなく、遊技球２の通過がないので、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗとなる。低位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｌｏｗは低位反転電圧Ｖ＿ＩＮＬｏｗよりも低いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号となる。このとき、反転電位は、高位反転電位Ｖ＿ＩＮＨｉとなるため、以降においては、出力信号Ｖｏｕｔが、高位出力電位Ｖｏｕｔ＿Ｈｉとならない限り、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。結果として、図９の遊技機２００においては、低周波近傍電磁界の検出直前の出力信号Ｖｅｎｄの状態が保持されるホールド機能を設けるようにさせることが可能となる。
【０１１５】
時刻ｔ１１３乃至ｔ１１４においては、低周波近傍電磁界の到来があり、時刻１０５乃至ｔ１０６においては、遊技球２の通過があるが、図１１の上段で示されるように、遊技球検出スイッチ１の出力信号Ｖｏｕｔは、遊技球２の通過とは無関係に中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄとなる。中位出力電圧Ｖｏｕｔ＿Ｍｄは高位反転電圧Ｖ＿ＩＮＨｉよりも低いので、図１１の下段で示されるように、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。すなわち、反転電位は、低位反転電位Ｖ＿ＩＮＨｉのままであるため、インターフェイス回路２０１からの出力信号Ｖｅｎｄは、Ｌｏｗレベルの信号が維持される。
【０１１６】
このように、遊技球検出スイッチ１、およびインターフェイス回路２０１を組み合わせて、遊技機２００の動作を制御するＣＰＵ２０４に遊技球２の通過と低周波近傍電磁界の到来とを出力信号Ｖｅｎｄとして供給することにより、低周波近傍電磁界の到来がない限り遊技球２の通過があれば、Ｈｉレベルの信号を出力し、通過がなければＬｏｗレベルの信号を出力するので、ＣＰＵ２０４は、出力信号ＶｅｎｄがＨｉレベルで維持される時間が所定の長さの範囲であれば、遊技球２が通過したことを適切に監視することが可能となる。また、低周波近傍電磁界が到来する場合、到来している期間は、直前に出力されていた出力信号Ｖｅｎｄのレベルが維持されることになるため、ＣＰＵ２０４は、出力信号ＶｅｎｄがＨｉレベルの信号である場合、その期間が所定の長さの時間を越えれば、低周波近傍電磁界の到来を検出したものとみなすことができ、また、Ｌｏｗレベルの場合、遊技球２の通過が検出されていないものとみなすことができる。
【０１１７】
いずれにおいても、遊技球２の通過が誤検出されてしまうといった誤動作を抑制することが可能となる。
【０１１８】
＜２．第２の実施の形態＞
［本発明を適用した他の遊技球検出スイッチの構成例］
以上においては、２線式出力方式の遊技球検出スイッチに、インターフェイス回路を設けて、遊技機のＣＰＵに検出結果を出力する構成例について説明してきたが、４線式出力方式の遊技球検出スイッチを用い、インターフェイス回路を省略して、遊技機のＣＰＵに直接検出結果を出力できる構成としてもよい。
【０１１９】
図１２は、４線式出力方式の遊技球検出スイッチを用い、インターフェイス回路を省略して、遊技機のＣＰＵに直接検出結果を出力できる構成とした遊技機の構成例を示している。
図１２の遊技機３００の遊技球検出スイッチ３０１においては、基本的に、図１の遊技球検出スイッチ１における構成と同様の構成については、同一の名称、および同一の符号を付しており、その説明は、適宜省略するものとする。
【０１２０】
すなわち、図１２の遊技機３００における遊技球検出スイッチ３０１において、図１の遊技球検出スイッチ１と異なる点は、ダイオードＤ１，Ｄ２、ツェナーダイオードＺＤ、抵抗Ｒ３，ＲＬ、およびコンデンサＣ１５に代えて、異常検出部１１、および遊技球検出部１２の出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２出力端子を設け、さらに、その前段にベース抵抗を含むトランジスタＴｒ１０１，Ｔｒ１０２、および抵抗ＲＬ１，ＲＬ２をそれぞれ設けた点である。
【０１２１】
すなわち、比較器ＣＯＭ１の出力端子Ｖ８には、ベース抵抗を介して、トランジスタＴｒ１０１のベースが接続され、コレクタが出力端子Ｖｏｕｔ２に接続され、エミッタが接地されている。また、比較器ＣＯＭ２の出力端子には、ベース抵抗を介して、トランジスタＴｒ１０１のベースが接続され、コレクタが出力端子Ｖｏｕｔ１に接続され、エミッタが接地されている。
【０１２２】
すなわち、異常検出部１１は、低周波近傍電磁界が到来しないとき出力信号Ｖ８がＬｏｗレベルとなり、低周波近傍電磁界が到来したとき、出力信号Ｖ８がＨｉレベルとなる。このため、低周波近傍電磁界の到来と共にトランジスタＴｒ１０１がオンとなり、それ以外のときオフとされ、出力信号Ｖｏｕｔ２としてＣＰＵ３０２に供給される。
【０１２３】
同様に、遊技球検出部１２は、遊技球が通過すると出力信号Ｖ７がＨｉレベルとなり、遊技球が通過しないとき、出力信号Ｖ７がＬｏｗレベルとなる。このため、遊技球が通過するとトランジスタＴｒ１０２がオンとなり、出力信号Ｖｏｕｔ１としてＣＰＵ３０２に供給され、それ以外のときオフとされる。
【０１２４】
ＣＰＵ３０２は、出力信号Ｖｏｕｔ１，Ｖｏｕｔ２に基づいて、遊技球２の通過の有無、および低周波近傍電磁界の到来の有無を検出する。尚、比較器ＣＯＭ１への検波積分回路１０２の出力信号Ｖ６と閾値Ｖｔｈとの極性を入れ替えるようにしてもよい。このようにすることで、出力信号Ｖｏｕｔ２の極性が反転する。すなわち、低周波近傍電磁界が到来するとき、出力信号Ｖｏｕｔ２としてＣＰＵ３０２に供給される。すなわち、通常複数の遊技球検出スイッチ３０１が１台の遊技機３００に搭載されるが、いずれかの遊技球検出スイッチ３０１により低周波近傍電磁界が検出された場合には、全ての遊技球検出スイッチ３０１での遊技球２の通過を誤検出させないようにする必要があると考えられる。そこで、このようにいわゆるノーマルオープンの構成とすることで、全ての遊技球検出スイッチ３０１の出力信号Ｖｏｕｔ２を１本に集約して、ＣＰＵ３０２に供給させることで、いずれかから低周波近傍電磁界が検出された場合、全ての遊技球２の通過を検出しない構成とすることができ、製造コストを低減させることが可能となる。
【０１２５】
［低周波近傍電磁界を検出するためのコイルのその他の構成例］
以上においては、図５で示されるように、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１を、遊技球２の通過を検出するためのコイルＬ１２とコネクタ１ｆとの間に設ける例について説明してきたが、別の位置に設けるようにしてもよい。すなわち、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１は、例えば、図１３で示されるように、遊技球２の通過を検出するコイルＬ１２から見て、コネクタ１ｆとは反対側の位置に設けるようにしてもよい。
【０１２６】
また、低周波近傍電磁界を検出するためのコイルＬ１１は、例えば、図１４で示されるように、遊技球２の通過を検出するコイルＬ１２の外周側に設けるようにしてもよい。尚、図１５においては、コイルＬ１２の外周側に設けられるべきシールド部材が記述されていないが、コイルＬ１１側に対して完全に遮蔽するようにシールド部材が設けられている。
【０１２７】
以上、本発明によれば、遊技球検出スイッチにおいて、遊技球の検出するためのコイルの近傍に、遊技球の通過を誤検出させるような誤動作を誘発させる低周波近傍電磁界の到来を検出し、誤動作を抑制することが可能となる。
【符号の説明】
【０１２８】
１ 遊技球検出スイッチ
２ 遊技球
１１ 異常検出部
１２ 遊技球検出部
４１，４２ 共振回路
１０１ 発振回路
１０２ 検波積分回路
１１１ 発振回路
１１２ 検波積分回路
１１３ 定電圧回路
Ｌ１１，Ｌ１２ コイル
Ｃ１１，Ｃ１２ コンデンサ
Ｒ１，Ｒ２ 感度調整抵抗
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通口の回りに巻回した第１のコイルと、
前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路と、
低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイルと、
前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路と
を含む遊技球検出スイッチであって、
前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される
遊技球検出スイッチ。
【請求項２】
前記第１のコイルの外周部を包括、かつ貫通口内壁部を開放したシールド部材をさらに含む
請求項１に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項３】
前記第２のコイルは、磁性体の中心棒軸を有し、前記貫通口の端面と直交し、かつ前記中心棒軸の一方の端面が、略同一平面上に配置される
請求項１または２に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項４】
前記第１の発振回路の発振状況変化に応じて、第１の状態信号を出力する第１の出力回路と、
前記第２の発振回路の発振状況変化に応じて、第２の状態信号を出力する第２の出力回路とをさらに含み、
前記第１の出力回路、および第２の出力回路は、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号、または、そのいずれかを直接制御装置に出力する、またはインターフェイス回路を介して前記制御装置に出力する
請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項５】
前記第１の出力回路、および、前記第２の出力回路の後段に、合成出力回路をさらに含み、
前記合成出力回路は、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号の合成出力信号を、直接前記制御装置に出力する、または、前記インターフェイス回路を介して前記制御装置に出力する
請求項４に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項６】
前記第１の状態信号は、前記貫通口内に遊技球が通過した状況を示す遊技球検出信号と、通過していない状況を示す遊技球非検出信号とを含み、
前記第２の状態信号は、前記低周波近傍電磁界の到来を示す電磁界検出信号と、前記低周波近傍電磁界の到来がないことを示す電磁界非検出信号を含み、
前記合成出力信号は、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球検出状態を示す第１の出力信号と、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球非検出状態を示す第２の出力信号と、前記低周波近傍電磁界が到来している環境下での前記低周波近傍電磁界の到来を示す第３の出力信号を含む
請求項１乃至５のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項７】
前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止する発振抑制回路をさらに含み、
前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記発振抑制回路を作動させて、前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止させる
請求項１乃至６のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項８】
前記合成出力回路は、前記第２の出力信号として最低電位を、前記第１の出力信号として最高電位を、前記第３の出力信号として中間電位を、それぞれ割り付けた３つの電圧値を切り替えて出力する
請求項５乃至７のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項９】
前記第１の出力回路は、直流２線式出力方式であり、かつ電流増加装置をさらに含み、
前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記電流増加装置を作動させて、前記遊技球検出スイッチが消費する電流を増加させる
請求項８に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項１０】
１個、もしくは複数の、請求項８または９に記載の遊技球検出スイッチを、前記インターフェイス回路に接続した遊技球検出システムであって、
前記インターフェイス回路の低位反転電位と、接地電位の中間に、前記第２の出力信号が、前記インターフェイス回路の高位反転電位と電源電位の中間に、前記第１の出力信号が、前記低位反転電位と、前記高位反転電位の中間に、前記第３の出力信号が設定される
遊技球検出システム
【請求項１１】
請求項１乃至９に記載の遊技球検出スイッチ、および請求項１０に記載の遊技球検出システムの少なくともいずれか、または、それらを複数に含むパチンコ遊技機。
【請求項１】
貫通口の回りに巻回した第１のコイルと、
前記第１のコイルを含み、前記貫通口内に遊技球が通過した場合、発振状態が変化する第１の発振回路と、
低周波近傍電磁界の到来を、電圧の誘起により検出する第２のコイルと、
前記第２のコイルを含み、前記電圧の誘起により発振状態が変化する第２の発振回路と
を含む遊技球検出スイッチであって、
前記第２のコイルは、前記第２のコイルの有する磁束発生方向と、前記第１のコイルの有する磁束発生方向が一致するよう配置される
遊技球検出スイッチ。
【請求項２】
前記第１のコイルの外周部を包括、かつ貫通口内壁部を開放したシールド部材をさらに含む
請求項１に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項３】
前記第２のコイルは、磁性体の中心棒軸を有し、前記貫通口の端面と直交し、かつ前記中心棒軸の一方の端面が、略同一平面上に配置される
請求項１または２に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項４】
前記第１の発振回路の発振状況変化に応じて、第１の状態信号を出力する第１の出力回路と、
前記第２の発振回路の発振状況変化に応じて、第２の状態信号を出力する第２の出力回路とをさらに含み、
前記第１の出力回路、および第２の出力回路は、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号、または、そのいずれかを直接制御装置に出力する、またはインターフェイス回路を介して前記制御装置に出力する
請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項５】
前記第１の出力回路、および、前記第２の出力回路の後段に、合成出力回路をさらに含み、
前記合成出力回路は、前記第１の状態信号、および前記第２の状態信号の合成出力信号を、直接前記制御装置に出力する、または、前記インターフェイス回路を介して前記制御装置に出力する
請求項４に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項６】
前記第１の状態信号は、前記貫通口内に遊技球が通過した状況を示す遊技球検出信号と、通過していない状況を示す遊技球非検出信号とを含み、
前記第２の状態信号は、前記低周波近傍電磁界の到来を示す電磁界検出信号と、前記低周波近傍電磁界の到来がないことを示す電磁界非検出信号を含み、
前記合成出力信号は、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球検出状態を示す第１の出力信号と、前記低周波近傍電磁界が到来していない環境下での遊技球非検出状態を示す第２の出力信号と、前記低周波近傍電磁界が到来している環境下での前記低周波近傍電磁界の到来を示す第３の出力信号を含む
請求項１乃至５のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項７】
前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止する発振抑制回路をさらに含み、
前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記発振抑制回路を作動させて、前記第１の発振回路の発振状態を抑制、または停止させる
請求項１乃至６のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項８】
前記合成出力回路は、前記第２の出力信号として最低電位を、前記第１の出力信号として最高電位を、前記第３の出力信号として中間電位を、それぞれ割り付けた３つの電圧値を切り替えて出力する
請求項５乃至７のいずれかに記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項９】
前記第１の出力回路は、直流２線式出力方式であり、かつ電流増加装置をさらに含み、
前記第２の出力回路は、前記電磁界検出信号を出力する場合、前記電流増加装置を作動させて、前記遊技球検出スイッチが消費する電流を増加させる
請求項８に記載の遊技球検出スイッチ。
【請求項１０】
１個、もしくは複数の、請求項８または９に記載の遊技球検出スイッチを、前記インターフェイス回路に接続した遊技球検出システムであって、
前記インターフェイス回路の低位反転電位と、接地電位の中間に、前記第２の出力信号が、前記インターフェイス回路の高位反転電位と電源電位の中間に、前記第１の出力信号が、前記低位反転電位と、前記高位反転電位の中間に、前記第３の出力信号が設定される
遊技球検出システム
【請求項１１】
請求項１乃至９に記載の遊技球検出スイッチ、および請求項１０に記載の遊技球検出システムの少なくともいずれか、または、それらを複数に含むパチンコ遊技機。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−１５２５１２（Ｐ２０１２−１５２５１２Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６６９３（Ｐ２０１１−１６６９３）
【出願日】平成２３年１月２８日（２０１１．１．２８）
【出願人】（０００００２９４５）オムロン株式会社 (3,542)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２８日（２０１１．１．２８）
【出願人】（０００００２９４５）オムロン株式会社 (3,542)
【Ｆターム（参考）】
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