配線基板の製造方法
【課題】電気絶縁信頼性が高い配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多数個取り基板表面に絶縁層３を被着する工程と、絶縁層３の全表面に下地金属層を被着する工程と、下地金属層表面にめっき金属層を、配線導体４に対応する配線導体用パターン及び配線導体用パターンから切断領域Ｂまでを覆うダミーパターン２３ｂを有するように電解めっき法により被着させる工程と、配線導体用パターン及びダミーパターン２３ｂから露出する下地金属層を除去する工程と、ダミーパターン２３ｂ及びその下の下地金属層を除去する工程と、切断領域Ｂを切断して配線基板領域Ａを個別の配線基板に分割する。
【解決手段】多数個取り基板表面に絶縁層３を被着する工程と、絶縁層３の全表面に下地金属層を被着する工程と、下地金属層表面にめっき金属層を、配線導体４に対応する配線導体用パターン及び配線導体用パターンから切断領域Ｂまでを覆うダミーパターン２３ｂを有するように電解めっき法により被着させる工程と、配線導体用パターン及びダミーパターン２３ｂから露出する下地金属層を除去する工程と、ダミーパターン２３ｂ及びその下の下地金属層を除去する工程と、切断領域Ｂを切断して配線基板領域Ａを個別の配線基板に分割する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化が進む中、それらに使用される配線基板には、複雑な配線パターンが密に配設される高密度配線化が要求されている。
【０００３】
このような高密度な配線基板の配線導体の形成には、周知のセミアディティブ法が好適に用いられる。セミアディティブ法は、絶縁層表面に下地金属層を被着させた後に、下地金属層の表面に配線パターンに対応する開口部を有するめっきレジストを被着させ、開口部内の下地金属層上に選択的に電解めっき層を形成した後、めっきレジストを剥離するとともに電解めっき層から露出した下地金属層をエッチング除去することでめっき金属層から成る配線導体を形成するものである。なお、このようなセミアディティブ法により形成される配線基板においては、通常、絶縁層とめっき金属層とを交互に複数積層することにより多層化が図られる。また、最表層の絶縁層およびめっき金属層の上には、保護用のソルダーレジスト層が被着される。
【０００４】
ところで、このような配線基板を製造する場合は、量産性の観点から個別の配線基板となる複数の配線基板領域が間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板が用いられることが多く、例えば多数個取り基板に周知のビルドアップ法を用いて加工を進めた後、最後に切断領域をダイシングにより切断して分割することで個別の配線基板が同時に多数個製造される。
【０００５】
このとき、多数個取り基板の切断領域には、セミアディティブ法によるめっき金属層のパターン形成は行われない。これは、切断領域に電解めっき等の金属層があると、切断に用いるダイシングブレードの寿命が短くなる等の不具合が発生するためである。ところが、切断領域にめっき金属層のパターンを設けない状態で、配線基板領域に電解めっきを施すと、配線基板領域の外周部では、配線基板領域の中央部と比較して電解めっき層の厚みが厚くなる。これは、めっき金属層のパターンの無い切断領域に隣接する配線基板領域の外周部では、配線導体における切断領域側の縁端部に電解めっきのための電界が大きく集中しやすくなり、その部分にめっき金属が多く析出するためである。このように、配線導体に厚みの差があると、その上にさらに次層の絶縁層やソルダーレジスト層を被着させる場合に、配線導体が厚い部分に被覆される絶縁層やソルダーレジストの厚みが、配線導体が薄い部分に被覆される絶縁層やソルダーレジストの厚みに比べて薄くなってしまい、配線導体に対する電気的絶縁信頼性が部分的に低下する個所が生じるおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−８８２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、セミアディティブ法によるめっき金属層から成る配線導体の厚みが、配線基板の外周部と中央部とで大きく異なることがなく、配線導体上に被着される絶縁層やソルダーレジスト層が局所的に薄くなる個所を低減することで配線導体に対する電気的絶縁信頼性が高い配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明における配線基板の製造方法は、個別の配線基板となる複数の配線基板領域が間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板の配線基板領域の表面にセミアディティブ法により配線導体を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、多数個取り基板の表面に配線基板領域および切断領域を覆うように絶縁層を被着する工程と、絶縁層の表面の全面に下地金属層を被着する工程と、下地金属層の表面にめっき金属層を、配線導体に対応する配線導体用パターンおよび配線導体用パターンから切断領域までを覆うダミーパターンを有するように電解めっき法により選択的に被着させる工程と、配線導体用パターンおよびダミーパターンから露出する下地金属層をエッチング除去する工程と、ダミーパターンおよびその下の下地金属層をエッチング除去する工程と、切断領域を切断することにより配線基板領域を個別の配線基板に分割する工程とを順次行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、個別の配線基板となる複数の配線基板領域が、間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板の絶縁層に被着させた下地金属層の表面に、めっき金属層を配線導体に対応する配線導体用パターンおよび配線導体用パターンから切断領域までを覆うダミーパターンを有するように電解めっき法により選択的に被着させることから、電解めっきのための電界がダミーパターンにも分散され、配線導体用パターンにおける切断領域側の縁端部に大きく集中することを防止することができる。したがって、配線導体の厚みのバラツキを小さいものとすることができ、配線導体上に被覆される絶縁層やソルダーレジストの厚みが局所的に薄くなることを低減して電気的絶縁信頼性が高い配線基板を提供することができる。さらに、ダミーパターンおよびその下の下地金属層をエッチング除去した後に切断領域を切断するので、切断に用いられるダイシングブレードの寿命を縮めることもない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明により製造される配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略平面図および概略断面図である。
【図３】図３（ｆ）〜（ｉ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略平面図および概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を図１、図２、図３を基にして詳細に説明する。
【００１２】
図１に本例により製造される配線基板１０の概略断面図を示す。配線基板１０は、コア用の配線導体２が被着されたコア用の絶縁板１の両主面にビルドアップ用の絶縁層３とビルドアップ用の配線導体４とが複数層ずつ積層されて成り、さらにその上下面にソルダーレジスト層５が被着されている。
【００１３】
コア用の絶縁板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、直径が１００〜３００μｍ程度のスルーホール７が複数形成されている。コア用の絶縁板１の厚みは４０〜３００μｍ程度である。
【００１４】
コア用の絶縁板１の上下面およびスルーホール７の内にはコア用の配線導体２が被着されている。コア用の配線導体２は、例えばコア用の絶縁板１の上下面では銅箔およびその上の銅めっき層から成り、スルーホール７の内部では、銅めっき層から成る。このようなコア用の絶縁板１およびコア用の配線導体２は、以下のようにして形成される。先ず、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板の上下両面に厚みが５〜３５μｍ程度の銅箔が被着された両面銅張板を準備する。次に、両面銅張板にドリル加工やレーザ加工によりスルーホール７を穿孔する。次に、スルーホール７内および上下の銅箔表面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させる。無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１μｍ程度、電解銅めっき層の厚みは５〜２５μｍ程度とする。次に、電解銅めっき層が施されたスルーホール７の内部に孔埋め樹脂を充填する。次に、孔埋め樹脂上および上下面の銅めっき層上に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着する。無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１μｍ程度、電解銅めっき層の厚みは５〜３０μｍ程度とする。最後に、銅箔およびその上の銅めっき層を周知のサブトラクティブ法によりパターン加工する。
【００１５】
ビルドアップ用の絶縁層３は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、その上面から下面にかけて貫通するビアホール８が複数形成されている。絶縁層３の厚みは１０〜５０μｍ程度である。また、ビアホール８の直径は、３０〜１００μｍ程度である。
【００１６】
ビルドアップ用の絶縁層３上およびビアホール８内には、ビルドアップ用の配線導体４が被着されている。ビルドアップ用の配線導体４は、例えば無電解銅めっき層およびその上の電解銅めっき層から成り、後述するセミアディティブ法で形成されている。配線基板１０の上面中央部には、半導体素子の電極と接続される半導体素子接続パッド９が形成されているとともに、配線基板１０の下面には外部回路基板の電極と接続される回路基板接続パッド１１が形成されている。
【００１７】
ソルダーレジスト層５はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る。配線基板１０の上面側に設けられたソルダーレジスト層５には、最表層の配線導体４の一部を半導体素子の電極と接続される半導体素子接続パッド９として露出させる開口部が形成されており、下面側に設けられたソルダーレジスト層５には、最表層の配線導体４の一部を外部回路基板の電極と接続される回路基板接続パッド１１として露出させる開口部が形成されている。
【００１８】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例について、図２（ａ）〜（ｅ）および図３（ｆ）〜（ｉ）を基にして詳細に説明する。なお、図１と同様の個所には同様の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示すように、複数の配線基板領域Ａが間に切断領域Ｂを介して縦横の並びに一体的に配列された加工途中の多数個取り基板２０を用意する。多数個取り基板２０は、両面銅張り板にスルーホール加工、めっき加工、エッチング加工等を施して、各配線基板領域Ａにコア用の絶縁板１および配線導体２を形成したものや、さらにその上に絶縁層３および配線導体４を形成したものである。なお、多数個取り基板２０は、通常数十〜数百個の配線基板領域Ａが配列されているが、本例においては簡略のため、２個の配線基板領域Ａのみを代表して示している。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示すように、多数個取り基板２０の表面に配線基板領域Ａと切断領域Ｂとを覆うようにビルドアップ用の絶縁層３を被着するとともにビアホール８（不図示）を形成する。多数個取り基板２０の表面に絶縁層３を被着するには、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含有する樹脂フィルムを真空プレス機を用いて多数個取り基板２０の表面に貼着した後、熱硬化させればよい。また、ビアホール８の形成は、レーザ加工により行なえばよい。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、ビルドアップ用の絶縁層３の表面に下地金属層２１を被着させる。下地金属層２１は、例えば厚みがおよそ１μｍの薄い無電解銅めっきにより形成される。
【００２２】
次に、図２（ｄ）に示すように、配線導体４に対応する下地金属層２１の部位２１ａおよび配線導体４から切断領域Ｂまでに対応する下地金属層２１の部位２１ｂを露出させるめっきレジスト２２を下地金属層２１表面に被覆する。このようなめっきレジスト２２は、感光性を有する樹脂フィルムを下地金属層２１の表面に真空プレス機を用いて貼着するとともに上記領域を露出させるように露光および現像処理することにより形成される。
【００２３】
次に、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト２２から露出した下地金属層２１上に、電解銅めっき層２３を被着させる。電解銅めっき層２３の厚みは５〜３０μｍ程度である。このとき、各配線基板領域Ａの配線導体４に対応する部位に電解銅めっき層２３から成る配線導体用パターン２３ａが被着されるとともに配線導体用パターン２３ａの外周部から切断領域Ｂにかけて電解銅めっき層２３から成るダミーパターン２３ｂが被着される。このように本例によれば、配線基板領域Ａから切断領域Ｂまでを覆うダミーパターン２３ｂを配線導体用パターン２３ａと連続して同時に形成するため、電解めっきのための電界がダミーパターン２３ｂにも分散され、配線導体用パターン２３ａにおける切断領域Ｂ側の縁端部に大きく集中することを防止することができる。したがって、配線導体４の厚みのバラツキを小さいものとすることができ、配線導体４上を被覆するビルドアップ用の絶縁層３やソルダーレジスト層５の厚みが局所的に薄くなることを低減することで、電気絶縁信頼性が高い配線基板１０を提供することができる。
【００２４】
次に、図３（ｆ）に示すように、めっきレジスト２２を剥離除去した後、電解銅めっき層２３の間から露出した下地金属層２１をエッチングにより除去する。
【００２５】
次に、図３（ｇ）に示すように、多数個取り基板２０の表面にダミーパターン２３ｂを選択的に露出させるエッチングレジスト２４を被着する。エッチングレジスト２４は、感光性を有する樹脂フィルムを多数個取り基板２０の表面に真空プレス機を用いて貼着するとともにダミーパターン２３ｂを露出させるように露光および現像処理することにより形成される。
【００２６】
次に、図３（ｈ）に示すように、エッチングレジスト２４から露出したダミーパターン２３ｂおよびその下の下地金属層２１をエッチングにより除去する。
【００２７】
最後に、図３（ｉ）に示すように、エッチングレジスト２４を剥離除去する。これにより、配線基板領域Ａ内に配線導体４が形成されるとともに、切断領域Ｂ内にはダイシング時に不要となる電解銅めっき層２３や下地金属層２１が被着されていない状態となる。
【００２８】
以後は、同様にしてビルドアップ用の絶縁層３、配線導体４を必要な層数だけ積層し、さらにその上に半導体素子接続パッド９が露出する開口部を有するソルダーレジスト５を被着し、最後に切断領域Ｂをダイシングにより切断して分割することで個別の配線基板１０が同時に複数個製造される。このとき、切断領域Ｂには下地金属層２１や電解銅めっき層２３等の金属層が無いことから、切断に用いられるダイシングブレードの寿命を縮めることはない。
【符号の説明】
【００２９】
３ 絶縁層
４ 配線導体
１０ 配線基板
２０ 多数個取り基板
２１ 下地金属層
２３ めっき金属層
２３ａ 配線導体用パターン
２３ｂ ダミーパターン
Ａ 配線基板領域
Ｂ 切断領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化が進む中、それらに使用される配線基板には、複雑な配線パターンが密に配設される高密度配線化が要求されている。
【０００３】
このような高密度な配線基板の配線導体の形成には、周知のセミアディティブ法が好適に用いられる。セミアディティブ法は、絶縁層表面に下地金属層を被着させた後に、下地金属層の表面に配線パターンに対応する開口部を有するめっきレジストを被着させ、開口部内の下地金属層上に選択的に電解めっき層を形成した後、めっきレジストを剥離するとともに電解めっき層から露出した下地金属層をエッチング除去することでめっき金属層から成る配線導体を形成するものである。なお、このようなセミアディティブ法により形成される配線基板においては、通常、絶縁層とめっき金属層とを交互に複数積層することにより多層化が図られる。また、最表層の絶縁層およびめっき金属層の上には、保護用のソルダーレジスト層が被着される。
【０００４】
ところで、このような配線基板を製造する場合は、量産性の観点から個別の配線基板となる複数の配線基板領域が間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板が用いられることが多く、例えば多数個取り基板に周知のビルドアップ法を用いて加工を進めた後、最後に切断領域をダイシングにより切断して分割することで個別の配線基板が同時に多数個製造される。
【０００５】
このとき、多数個取り基板の切断領域には、セミアディティブ法によるめっき金属層のパターン形成は行われない。これは、切断領域に電解めっき等の金属層があると、切断に用いるダイシングブレードの寿命が短くなる等の不具合が発生するためである。ところが、切断領域にめっき金属層のパターンを設けない状態で、配線基板領域に電解めっきを施すと、配線基板領域の外周部では、配線基板領域の中央部と比較して電解めっき層の厚みが厚くなる。これは、めっき金属層のパターンの無い切断領域に隣接する配線基板領域の外周部では、配線導体における切断領域側の縁端部に電解めっきのための電界が大きく集中しやすくなり、その部分にめっき金属が多く析出するためである。このように、配線導体に厚みの差があると、その上にさらに次層の絶縁層やソルダーレジスト層を被着させる場合に、配線導体が厚い部分に被覆される絶縁層やソルダーレジストの厚みが、配線導体が薄い部分に被覆される絶縁層やソルダーレジストの厚みに比べて薄くなってしまい、配線導体に対する電気的絶縁信頼性が部分的に低下する個所が生じるおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−８８２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、セミアディティブ法によるめっき金属層から成る配線導体の厚みが、配線基板の外周部と中央部とで大きく異なることがなく、配線導体上に被着される絶縁層やソルダーレジスト層が局所的に薄くなる個所を低減することで配線導体に対する電気的絶縁信頼性が高い配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明における配線基板の製造方法は、個別の配線基板となる複数の配線基板領域が間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板の配線基板領域の表面にセミアディティブ法により配線導体を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、多数個取り基板の表面に配線基板領域および切断領域を覆うように絶縁層を被着する工程と、絶縁層の表面の全面に下地金属層を被着する工程と、下地金属層の表面にめっき金属層を、配線導体に対応する配線導体用パターンおよび配線導体用パターンから切断領域までを覆うダミーパターンを有するように電解めっき法により選択的に被着させる工程と、配線導体用パターンおよびダミーパターンから露出する下地金属層をエッチング除去する工程と、ダミーパターンおよびその下の下地金属層をエッチング除去する工程と、切断領域を切断することにより配線基板領域を個別の配線基板に分割する工程とを順次行なうことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板の製造方法によれば、個別の配線基板となる複数の配線基板領域が、間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板の絶縁層に被着させた下地金属層の表面に、めっき金属層を配線導体に対応する配線導体用パターンおよび配線導体用パターンから切断領域までを覆うダミーパターンを有するように電解めっき法により選択的に被着させることから、電解めっきのための電界がダミーパターンにも分散され、配線導体用パターンにおける切断領域側の縁端部に大きく集中することを防止することができる。したがって、配線導体の厚みのバラツキを小さいものとすることができ、配線導体上に被覆される絶縁層やソルダーレジストの厚みが局所的に薄くなることを低減して電気的絶縁信頼性が高い配線基板を提供することができる。さらに、ダミーパターンおよびその下の下地金属層をエッチング除去した後に切断領域を切断するので、切断に用いられるダイシングブレードの寿命を縮めることもない。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明により製造される配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｅ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略平面図および概略断面図である。
【図３】図３（ｆ）〜（ｉ）は、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を示す概略平面図および概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例を図１、図２、図３を基にして詳細に説明する。
【００１２】
図１に本例により製造される配線基板１０の概略断面図を示す。配線基板１０は、コア用の配線導体２が被着されたコア用の絶縁板１の両主面にビルドアップ用の絶縁層３とビルドアップ用の配線導体４とが複数層ずつ積層されて成り、さらにその上下面にソルダーレジスト層５が被着されている。
【００１３】
コア用の絶縁板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、直径が１００〜３００μｍ程度のスルーホール７が複数形成されている。コア用の絶縁板１の厚みは４０〜３００μｍ程度である。
【００１４】
コア用の絶縁板１の上下面およびスルーホール７の内にはコア用の配線導体２が被着されている。コア用の配線導体２は、例えばコア用の絶縁板１の上下面では銅箔およびその上の銅めっき層から成り、スルーホール７の内部では、銅めっき層から成る。このようなコア用の絶縁板１およびコア用の配線導体２は、以下のようにして形成される。先ず、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁板の上下両面に厚みが５〜３５μｍ程度の銅箔が被着された両面銅張板を準備する。次に、両面銅張板にドリル加工やレーザ加工によりスルーホール７を穿孔する。次に、スルーホール７内および上下の銅箔表面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させる。無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１μｍ程度、電解銅めっき層の厚みは５〜２５μｍ程度とする。次に、電解銅めっき層が施されたスルーホール７の内部に孔埋め樹脂を充填する。次に、孔埋め樹脂上および上下面の銅めっき層上に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着する。無電解銅めっき層の厚みは０．１〜１μｍ程度、電解銅めっき層の厚みは５〜３０μｍ程度とする。最後に、銅箔およびその上の銅めっき層を周知のサブトラクティブ法によりパターン加工する。
【００１５】
ビルドアップ用の絶縁層３は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、その上面から下面にかけて貫通するビアホール８が複数形成されている。絶縁層３の厚みは１０〜５０μｍ程度である。また、ビアホール８の直径は、３０〜１００μｍ程度である。
【００１６】
ビルドアップ用の絶縁層３上およびビアホール８内には、ビルドアップ用の配線導体４が被着されている。ビルドアップ用の配線導体４は、例えば無電解銅めっき層およびその上の電解銅めっき層から成り、後述するセミアディティブ法で形成されている。配線基板１０の上面中央部には、半導体素子の電極と接続される半導体素子接続パッド９が形成されているとともに、配線基板１０の下面には外部回路基板の電極と接続される回路基板接続パッド１１が形成されている。
【００１７】
ソルダーレジスト層５はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る。配線基板１０の上面側に設けられたソルダーレジスト層５には、最表層の配線導体４の一部を半導体素子の電極と接続される半導体素子接続パッド９として露出させる開口部が形成されており、下面側に設けられたソルダーレジスト層５には、最表層の配線導体４の一部を外部回路基板の電極と接続される回路基板接続パッド１１として露出させる開口部が形成されている。
【００１８】
次に、本発明の配線基板の製造方法の実施形態の一例について、図２（ａ）〜（ｅ）および図３（ｆ）〜（ｉ）を基にして詳細に説明する。なお、図１と同様の個所には同様の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示すように、複数の配線基板領域Ａが間に切断領域Ｂを介して縦横の並びに一体的に配列された加工途中の多数個取り基板２０を用意する。多数個取り基板２０は、両面銅張り板にスルーホール加工、めっき加工、エッチング加工等を施して、各配線基板領域Ａにコア用の絶縁板１および配線導体２を形成したものや、さらにその上に絶縁層３および配線導体４を形成したものである。なお、多数個取り基板２０は、通常数十〜数百個の配線基板領域Ａが配列されているが、本例においては簡略のため、２個の配線基板領域Ａのみを代表して示している。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示すように、多数個取り基板２０の表面に配線基板領域Ａと切断領域Ｂとを覆うようにビルドアップ用の絶縁層３を被着するとともにビアホール８（不図示）を形成する。多数個取り基板２０の表面に絶縁層３を被着するには、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含有する樹脂フィルムを真空プレス機を用いて多数個取り基板２０の表面に貼着した後、熱硬化させればよい。また、ビアホール８の形成は、レーザ加工により行なえばよい。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、ビルドアップ用の絶縁層３の表面に下地金属層２１を被着させる。下地金属層２１は、例えば厚みがおよそ１μｍの薄い無電解銅めっきにより形成される。
【００２２】
次に、図２（ｄ）に示すように、配線導体４に対応する下地金属層２１の部位２１ａおよび配線導体４から切断領域Ｂまでに対応する下地金属層２１の部位２１ｂを露出させるめっきレジスト２２を下地金属層２１表面に被覆する。このようなめっきレジスト２２は、感光性を有する樹脂フィルムを下地金属層２１の表面に真空プレス機を用いて貼着するとともに上記領域を露出させるように露光および現像処理することにより形成される。
【００２３】
次に、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト２２から露出した下地金属層２１上に、電解銅めっき層２３を被着させる。電解銅めっき層２３の厚みは５〜３０μｍ程度である。このとき、各配線基板領域Ａの配線導体４に対応する部位に電解銅めっき層２３から成る配線導体用パターン２３ａが被着されるとともに配線導体用パターン２３ａの外周部から切断領域Ｂにかけて電解銅めっき層２３から成るダミーパターン２３ｂが被着される。このように本例によれば、配線基板領域Ａから切断領域Ｂまでを覆うダミーパターン２３ｂを配線導体用パターン２３ａと連続して同時に形成するため、電解めっきのための電界がダミーパターン２３ｂにも分散され、配線導体用パターン２３ａにおける切断領域Ｂ側の縁端部に大きく集中することを防止することができる。したがって、配線導体４の厚みのバラツキを小さいものとすることができ、配線導体４上を被覆するビルドアップ用の絶縁層３やソルダーレジスト層５の厚みが局所的に薄くなることを低減することで、電気絶縁信頼性が高い配線基板１０を提供することができる。
【００２４】
次に、図３（ｆ）に示すように、めっきレジスト２２を剥離除去した後、電解銅めっき層２３の間から露出した下地金属層２１をエッチングにより除去する。
【００２５】
次に、図３（ｇ）に示すように、多数個取り基板２０の表面にダミーパターン２３ｂを選択的に露出させるエッチングレジスト２４を被着する。エッチングレジスト２４は、感光性を有する樹脂フィルムを多数個取り基板２０の表面に真空プレス機を用いて貼着するとともにダミーパターン２３ｂを露出させるように露光および現像処理することにより形成される。
【００２６】
次に、図３（ｈ）に示すように、エッチングレジスト２４から露出したダミーパターン２３ｂおよびその下の下地金属層２１をエッチングにより除去する。
【００２７】
最後に、図３（ｉ）に示すように、エッチングレジスト２４を剥離除去する。これにより、配線基板領域Ａ内に配線導体４が形成されるとともに、切断領域Ｂ内にはダイシング時に不要となる電解銅めっき層２３や下地金属層２１が被着されていない状態となる。
【００２８】
以後は、同様にしてビルドアップ用の絶縁層３、配線導体４を必要な層数だけ積層し、さらにその上に半導体素子接続パッド９が露出する開口部を有するソルダーレジスト５を被着し、最後に切断領域Ｂをダイシングにより切断して分割することで個別の配線基板１０が同時に複数個製造される。このとき、切断領域Ｂには下地金属層２１や電解銅めっき層２３等の金属層が無いことから、切断に用いられるダイシングブレードの寿命を縮めることはない。
【符号の説明】
【００２９】
３ 絶縁層
４ 配線導体
１０ 配線基板
２０ 多数個取り基板
２１ 下地金属層
２３ めっき金属層
２３ａ 配線導体用パターン
２３ｂ ダミーパターン
Ａ 配線基板領域
Ｂ 切断領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個別の配線基板となる複数の配線基板領域が間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板の前記配線基板領域の表面にセミアディティブ法により配線導体を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、前記多数個取り基板の表面に前記配線基板領域および前記切断領域を覆うように絶縁層を被着する工程と、前記絶縁層の表面の全面に下地金属層を被着する工程と、前記下地金属層の表面にめっき金属層を、前記配線導体に対応する配線導体用パターンおよび該配線導体用パターンから前記切断領域までを覆うダミーパターンを有するように電解めっき法により選択的に被着させる工程と、前記配線導体用パターンおよび前記ダミーパターンから露出する前記下地金属層をエッチング除去する工程と、前記ダミーパターンおよびその下の前記下地金属層をエッチング除去する工程と、前記切断領域を切断することにより前記配線基板領域を個別の前記配線基板に分割する工程とを順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１】
個別の配線基板となる複数の配線基板領域が間に切断領域を介して縦横の並びに一体的に配列された多数個取り基板の前記配線基板領域の表面にセミアディティブ法により配線導体を形成する工程を含む配線基板の製造方法であって、前記多数個取り基板の表面に前記配線基板領域および前記切断領域を覆うように絶縁層を被着する工程と、前記絶縁層の表面の全面に下地金属層を被着する工程と、前記下地金属層の表面にめっき金属層を、前記配線導体に対応する配線導体用パターンおよび該配線導体用パターンから前記切断領域までを覆うダミーパターンを有するように電解めっき法により選択的に被着させる工程と、前記配線導体用パターンおよび前記ダミーパターンから露出する前記下地金属層をエッチング除去する工程と、前記ダミーパターンおよびその下の前記下地金属層をエッチング除去する工程と、前記切断領域を切断することにより前記配線基板領域を個別の前記配線基板に分割する工程とを順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−４５９５９（Ｐ２０１３−４５９５９Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８３８２２（Ｐ２０１１−１８３８２２）
【出願日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２５日（２０１１．８．２５）
【出願人】（３０４０２４８９８）京セラＳＬＣテクノロジー株式会社 (213)
【Ｆターム（参考）】
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