金属錯体、有機電界発光素子用組成物および有機電界発光素子
【課題】耐久性が高く、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に有用な金属錯体であって、溶剤溶解性に優れ、湿式成膜法により、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供できる金属錯体を提供する。
【解決手段】有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする金属錯体。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【解決手段】有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする金属錯体。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用に用いられる金属錯体に関するものであり、詳しくは、耐久性、溶剤に対する溶解性が優れており、成膜性、湿式プロセス適性に優れた有機電界発光素子用の金属錯体に関する。本発明はまた、この金属錯体を含む有機電界発光素子用組成物と、この金属錯体を用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子、並びにこの有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、特に発光層には、赤、緑、青などの発光材料が含まれている。
【０００３】
このような有機電界発光素子は、実用化にむけて、効率および寿命の改良が求められており、特に発光層の材料として耐久性の高い燐光発光材料が求められている。
【０００４】
従来、燐光発光材料としては、Ｉｒなどの金属を中心金属として有する有機金属錯体が有望視され、以下に示すイリジウム錯体などが提案されているが（例えば特許文献１）、合成プロセスがいまだ未知の部分が多く、製造時の性能が安定しないなどの問題を抱えていた。
【０００５】
【化１】
【０００６】
一方、有機電界発光素子の各層の形成方法としては、蒸着成膜法や湿式成膜法がある。蒸着成膜法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適であるが、湿式成膜法で有機電界発光素子の各層を形成するためには、各層を形成する材料が溶剤に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子として高い性能を有する材料であることが必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００２／４４１８９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。
即ち、本発明は、耐久性が高く、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に有用な金属錯体であって、溶剤溶解性に優れ、湿式成膜法により、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供できる金属錯体および有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とする。
本発明は、また、この金属錯体を用いて、高効率、長寿命の有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らが鋭意検討した結果、レーザー脱離イオン化質量分析においてＲ値（％）が１２以下である金属錯体を用いることにより、安定的に長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
本発明（請求項１）の金属錯体は、有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【００１１】
請求項２の金属錯体は、請求項１において、該金属錯体に含まれる金属が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＡｕおよびＲｅからなる群より選ばれる金属であることを特徴とする。
【００１２】
請求項３の金属錯体は、請求項１または２において、該金属錯体が、分子内に、置換基を有していてもよいアルキル基を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明（請求項４）の有機電界発光素子用組成物は、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体および溶剤を含有することを特徴とする。
【００１４】
本発明（請求項５）の有機電界発光素子は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層が、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする。
【００１５】
本発明（請求項６）の有機ＥＬディスプレイおよび本発明（請求項７）の有機ＥＬ照明は、この有機電界発光素子を用いたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の金属錯体は、高耐久性であり、溶剤に対する溶解性が高く、また、湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に好適であり、この有機金属錯体を用いて、高効率、かつ長寿命な有機電界発光素子を提供することができる。
【００１７】
従って、本発明の金属錯体を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピューター用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や、面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す断面の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００２０】
［金属錯体］
本発明の金属錯体は、有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【００２１】
ここで、レーザー脱離イオン化質量分析（以下「ＬＤＩ−ＭＳ分析」と略記する。）とは、次のような方法で測定されるものである。
金属錯体サンプルを試料プレートに塗布し、ＭＡＬＤＩ−ＭＳ装置内にセットし、窒素レーザーなどのレーザーを照射して検出されるピークを観測する。
本方法によると金属錯体サンプルは、場合により一部配位子を脱離し、金属錯体そのものの分子イオンピーク（Ｍ＋）あるいはプロトン付加イオン（Ｍ＋Ｈ＋）ピークとともに、脱配位子イオンあるいはそのプロトン付加イオンピークを産出する。この際、別法（ＨＰＬＣ法等）により分析しても、脱配位子成分が検出されなかったことから、ここで検出された脱配位子イオンはレーザー照射により生じたイオン種と推測される。
すなわち、ＬＤＩ−ＭＳ分析によると、レーザー照射下で分子が励起し、その状態での安定性により、場合により一部分解し、脱配位子イオンを生成する。同レーザー強度下に産生した脱配位子イオンの生成率は、錯体の配位強度を反映しているもの、すなわち、錯体の安定性を表すものと考えられる。そこで、脱配位子イオン強度（Ｉｄｅｃｏｍｐ）／金属錯体イオン強度（ＩＤ）比（Ｒ値）を以下のように算出した。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
この値を用いて錯体の安定性を評価することができる。
【００２２】
Ｒ値（％）が大きい値をもつものほどレーザー照射での分解が起きやすく、不安定である。Ｒ値（％）は１２以下、さらに好ましくは１０以下、最も好ましくは８以下である。
【００２３】
なお、ＬＤＩ−ＭＳ分析は、具体的には次のようにして実施される。
【００２４】
＜ＬＤＩ−ＭＳ分析方法＞
材料Ａのトルエン（純正化学、特級）溶液をＬＤＩ−ＭＳ（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）専用試料プレート上に均一に塗布、風乾させて試料スポットを作製する。
なお、試料プレートには装置純正品のほか、試料濃縮やイオン化促進効果をもたせるため種々の表面処理がほどこされた市販プレートを用いることもできるし、ＥＬ素子を貼付したプレートを使用することもできる。また、試料溶液の乾燥は風乾のほか、減圧乾燥など様々な方法をとることができる。さらにイオン化促進の目的で、種々の芳香族化合物、脂肪族化合物、または無機塩類をマトリックス物質として用いることもできる。
このようにして得られた試料プレートを装置内にセットし、減圧下にＬＤＩ−ＭＳ分析する。レーザー強度はドーパントイオン（主ピーク）強度が検出器飽和しない程度（＜１０６シグナルカウント）になるように設定すればよいが、より具体的にはシグナルカウントが６×１０４未満となるように調整して測定を行う。６×１０４未満の、なるべく大きなシグナルカウントの方が高い精度で測定できる。そのような条件として、例えば、アプライドバイオシステムズ社製「Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ ＳＴＲ」（分析装置）のレーザー強度設定としては、２００〜１０００程度が好ましい。このレーザー強度の値は無単位である。なお、後掲の実施例における測定では、レーザー強度８００を用いて行った。
また、レーザー照射位置についてはスペクトルが均質となるよう、試料スポットの全領域をまんべんなく照射する。
【００２５】
ＬＤＩ−ＭＳ測定条件は、例えば以下の通りである。
・分析装置 ： アプライドバイオシステムズ社製、Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ ＳＴＲ
・レーザー ： 窒素レーザー（３３７ｎｍ）
・検出イオン： 正イオン検出
【００２６】
材料ＡのＬＤＩ−ＭＳ分析におけるおもな検出イオンは、材料Ａの分子イオン（Ｍ＋）あるいはプロトン付加イオン（Ｍ＋Ｈ＋）、ならびに脱配位子イオンあるいはそのプロトン付加イオン等である。
材料Ａを別法（ＨＰＬＣ法等）により分析すると、前述の如く、材料Ａ中に脱配位子成分が検出されないことから、ここで検出される脱配位子イオンはレーザー照射により生じたイオン種と推測される。
同レーザー強度下に産生した脱配位子イオンの生成率の違いは、材料Ａ錯体の配位強度を反映しているものと予想され、そこで、脱配位子イオン強度（Ｉｄｅｃｏｍｐ）／金属錯体イオン強度（ＩＤ）比（Ｒ値）を以下のように算出する。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
【００２７】
一般に、金属錯体には、フェイシャル体、メリジョナル体、Ｅ体、Ｚ体などの異性体が存在し、また置換基によっては更に様々な異性体を生じさせるため、これらを個々に分析することは極めて困難であるが、このような構造上のわずかな差異も、錯体としての安定性には大きく影響し、このような異性体が存在する錯体を有機電界発光素子に用いると、素子の寿命は短いものとなる。しかしながら、このような異性体の存在を分析して検出することは、錯体の構造が複雑になればなるほど難しくなる。
【００２８】
また、湿式成膜用途に用いる金属錯体にあっては、さらに状況は複雑である。
即ち、蒸着法に用いる錯体は、一般に、構造的にシンプルで結晶性がよく、例えば、Ｉｒ錯体では、製造工程において溶液中で加熱する際に、熱的に最も安定なフェイシャル構造に異性化し、その構造にて反応系内で結晶を生成するため、この構造のものを分取することにより、純度の高い安定構造の錯体を得やすい。
一方、湿式成膜用途に用いる金属錯体については、意図的に溶剤に対する溶解性の高い構造設計を施しているため、熱的に安定な構造へと異性化していくとは思われるものの、このようなものは結晶性が悪いために、結晶が生成したとしても、不純物が混入しやすい。また、溶剤溶解性の向上等を目的として長鎖のアルキル基を有している場合もあり、このアルキル基の一部が酸化されてケトンを形成したような配位子も混入しやすい。
【００２９】
本発明に係るＲ値（％）は、このような検出し難い金属錯体中の不純物の影響による性能劣化を反映するものであり、Ｒ値（％）１２以下の金属錯体であれば、それ自体耐久性、安定性に優れ、また、素子に適用した場合においても、高効率、かつ長寿命な有機電界発光素子を実現し得る。
【００３０】
Ｒ値（％）１２以下の金属錯体を得る方法としては特に制限は無いが、フラグメント量が増える、つまりＲ値が増大する要素、及びフラグメント量を抑える方法としては、以下が考えられる。これらを勘案し、もしくは調整することにより、Ｒ値を低減し、本発明の金属錯体を得ることができると考えられる。
【００３１】
例えば、分子量が同じであるにも関わらず、ＬＤＩ−ＭＳ分析において検出されるフラグメントの量に差が生じることに関する解釈としては、（１）中心金属と配位子の結合および錯体全体としての安定性が原因であるか、（２）錯体を不安定化させる不純物が混入していることが原因であるか、であると考えられる。
（２）の不純物については、化合物の精製度を上げることにより解消すると思われる。精製（不純物の除去）は、特に制限なく公知の方法やその組み合わせにて行うことができる。例えば従来から知られている再結晶法、再沈殿法、ゾーンメルティング法、カラムクロマトグラフィー法、吸着法、昇華精製法、およびこれらの組み合わせなどが好ましく用いられる。
（１）の中心金属に由来する錯体の安定性に関しては、中心金属の価数純度による影響が考えられる。例えばＩｒは、III価であれば３つの１価のアニオン性配位子と電気的に中性な錯体を形成するが、仮にII価あるいはIV価のＩｒであった場合、分子量はほぼ同じであるが、３つの１価のアニオン性配位子との錯体においては電気的に中性となっておらず、不安定になることが予想される。このような価数純度も影響するものと思われるため、このような不純物も含め、精製することが重要である。
【００３２】
さらに、配位子と金属との結合を強めることによっても、フラグメントの量を抑えることができる。すなわち、上記では、不純物によってフラグメントが増加している場合に、純度を１００％に近づけることにより真のフラグメント量に近づけて、フラグメント量を減じ、実使用上耐久性の高い材料とすることについて述べたが、化合物の構造上の工夫により、配位子と金属との結合を強め、真のフラグメント量自体を減じることができる。
具体的には、アリール−含窒素へテロ環からなる配位子とＩｒからなる錯体の場合、アリール側にＦやＣＦ３基などの電子吸引基を置換させ、含窒素へテロ環側に電子供与基を置換させることにより結合が強くなる。
【００３３】
本発明の金属錯体に含まれる金属については特に制限はないが、有機電界発光素子の発光材料として用いられることから、周期表７ないし１１族から選ばれる金属であることが好ましく、発光性の高いＩｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＡｕおよびＲｅからなる群より選ばれる金属であることがより好ましく、これらのうち、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、とりわけＩｒが好適である。
【００３４】
また、本発明の金属錯体は、湿式成膜法に用いることができることから、置換基として可溶化基を有することが好ましく、特に、炭素数３以上、例えば炭素数３〜１２の、置換基を有していてもよい長鎖アルキル基を芳香環や複素芳香環上に置換基として有する化合物が、本発明の目的に適合し得る金属錯体として挙げられる。
【００３５】
本発明に適用される金属錯体としては、好ましくは下記式（４）、（５）で表される化合物、或いは国際公開第２００５／０１１３７０号パンフレットや国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物が挙げられる。
【００３６】
Ｍ０Ｇ(q-j)Ｇ’j …（４）
（式（４）中、Ｍ０は金属を表し、ｑは金属Ｍ０の価数を表す。Ｇ及びＧ’は二座配位子を表す。ｊは０、１又は２を表す。）
【００３７】
【化２】
（式（５）中、Ｍ5は金属を表し、Ｔは炭素又は窒素を表す。Ｒ92〜Ｒ95は、それぞれ独立に置換基を表す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ94及びＲ95は無い。）
【００３８】
以下、まず、式（４）で表わされる化合物について説明する。
式（４）中、Ｍ０は任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、式（４）中の二座配位子Ｇ及びＧ’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【００３９】
【化３】
（上記式Ｇにおいて、環Ｑ１は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｑ２は置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４０】
【化４】
【００４１】
Ｇ’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、
【化５】
である。
【００４２】
上記Ｇ，Ｇ’の部分構造において、環Ｑ１は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していても良い。また、環Ｑ２は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していても良い。
なお、本発明において置換基を有していても良いとは、置換基を１以上有していても良いことを意味する。
【００４３】
環Ｑ１，Ｑ２の好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００４４】
式（４）で表される化合物として、さらに好ましくは、下記式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【００４５】
【化６】
（式（４ａ）中、ＭaはＭ０と同様の金属を表し、ｑaは金属Ｍaの価数を表す。環Ｑ１は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｑ２は置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４６】
【化７】
（式（４ｂ）中、ＭbはＭ０と同様の金属を表し、ｑbは金属Ｍbの価数を表す。環Ｑ１は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｑ２は置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４７】
【化８】
（式（４ｃ）中、ＭcはＭ０と同様の金属を表し、ｑcは金属Ｍcの価数を表す。ｋは０、１又は２を表す。環Ｑ１及び環Ｑ１’は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。環Ｑ２及び環Ｑ２’は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４８】
上記式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）において、環Ｑ１及び環Ｑ１’としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
また、環Ｑ２、環Ｑ２’としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【００４９】
式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）で表される化合物が有していても良い置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【００５０】
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。上記置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。上記置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。上記置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。上記置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。上記置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。上記置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。上記置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。上記置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
これら置換基の中でも、化合物の溶解性が高く、湿式成膜に適することから、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、無置換のアルキル基がより好ましい。
【００５１】
尚、これら置換基は互いに連結して環を形成しても良い。具体例としては、環Ｑ１が有する置換基と環Ｑ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ｑ１’が有する置換基と環Ｑ２’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成しても良い。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ｑ１、環Ｑ１’、環Ｑ２及び環Ｑ２’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【００５２】
また、式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）におけるＭa，Ｍb，Ｍcとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。
【００５３】
上記式（４）、（４ａ）、（４ｂ）又は（４ｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定されるものではない。以下において、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００５４】
【化９】
【００５５】
【化１０】
【００５６】
【化１１】
【００５７】
【化１２】
【００５８】
【化１３】
【００５９】
【化１４】
【００６０】
【化１５】
【００６１】
【化１６】
【００６２】
【化１７】
【００６３】
【化１８】
【００６４】
【化１９】
【００６５】
【化２０】
【００６６】
【化２１】
【００６７】
【化２２】
【００６８】
さらに、上記式（４）、（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｇ及び／又はＧ’として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
【００６９】
次に、式（５）で表わされる化合物について説明する。
式（５）中、Ｍ5は金属を表し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【００７０】
また、式（５）において、Ｒ92及びＲ93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
【００７１】
さらに、Ｔが炭素の場合、Ｒ94及びＲ95は、それぞれ独立に、Ｒ92及びＲ93と同様の例示物で表わされる置換基を表す。また、Ｔが窒素の場合はＲ94及びＲ95は無い。
また、Ｒ92〜Ｒ95はさらに置換基を有していても良い。さらに有していても良い置換基に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、Ｒ92〜Ｒ95はそれぞれ隣接する基と互いに連結して環を形成しても良い。
【００７２】
式（５）で表わされる有機金属錯体の具体例（５−ａ〜５−ｇ）を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【００７３】
【化２３】
【００７４】
本発明に適用される有機金属錯体の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上である。分子量が１００未満であると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。分子量が１００００を超えると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。
【００７５】
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、好ましくは湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に用いられる組成物であって、前述の本発明の金属錯体の１種または２種以上を含有するものであり、通常、更に溶剤を含有する。
【００７６】
＜溶剤＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は溶剤を含むことが好ましい。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤としては、上述の本発明の金属錯体等の溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
【００７７】
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
【００７８】
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、蒸留や乾燥剤の使用などにより溶剤を予め脱水する、窒素ガスシール、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式成膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される有機電界発光素子用組成物は、例えば、２５℃における水の溶解度が１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下である溶剤を、組成物中１０重量％以上含有することが好ましい。
【００７９】
また、湿式成膜時における組成物からの溶剤蒸発による、成膜安定性の低下を低減するためには、有機電界発光素子用組成物の溶剤として、沸点が１００℃以上、好ましくは沸点が１５０℃以上、より好ましくは沸点が２００℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点８０℃以上、好ましくは沸点１００℃以上、より好ましくは沸点１２０℃以上で、通常沸点２７０℃未満、好ましくは沸点２５０℃未満、より好ましくは沸点２３０℃未満の溶剤を用いることが有効である。
【００８０】
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、２種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。
【００８１】
＜発光材料＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、好ましくは湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に用いられる組成物であって、前述の本発明の金属錯体を発光材料として含み、通常発光層形成用組成物として用いられる。
発光材料とは、本発明の有機電界発光素子用組成物において、主として発光する成分を指し、有機ＥＬデバイスにおけるドーパント成分に当たる。該有機電界発光素子用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ２）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
【００８２】
なお、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、有機電界発光素子に用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物特有の液性に合うため、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。
【００８３】
＜電荷輸送材料＞
本発明の有機電界発光素子用組成物には、更に電荷輸送材料が含まれていることが好ましく、この電荷輸送材料は、発光材料である本発明の金属錯体のホスト材料として機能するものであることが好ましい。電荷輸送材料としては、以下の正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物が挙げられる。
【００８４】
（正孔輸送性化合物）
正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、後述の正孔注入層３における正孔輸送性化合物として例示した各種の化合物のほか、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ， １９９７年， Ｖｏｌ．７２−７４， ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， １９９６年， ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．９１， ｐｐ．２０９）等が挙げられる。正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【００８５】
（電子輸送性化合物）
電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【００８６】
＜その他の成分＞
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤および発光材料としての金属錯体、電荷輸送材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【００８７】
また、２層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
【００８８】
＜有機電界発光素子用組成物中の材料濃度と配合比＞
本発明の有機電界発光素子用組成物中の発光材料である本発明の金属錯体、電荷輸送材料、および必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、最も好ましくは１重量％以上であり、通常８０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下、最も好ましくは２０重量％以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。
【００８９】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物において、発光材料／電荷輸送材料の重量混合比は、通常、０．１／９９．９以上であり、より好ましくは０．５／９９．５以上であり、さらに好ましくは１／９９以上であり、最も好ましくは２／９８以上で、通常、５０／５０以下であり、より好ましくは４０／６０以下であり、さらに好ましくは３０／７０以下であり、最も好ましくは２０／８０以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下するおそれがある。
【００９０】
＜有機電界発光素子用組成物の調製方法＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常、本発明の金属錯体、電荷輸送材料、および必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
【００９１】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極および該陽極と該陰極の間に、発光層を有し、前記本発明の金属錯体を含有する層を有することを特徴とする。この、本発明の金属錯体を含有する層としては、以下の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層などいずれでもよいが、本発明の金属錯体を含有する層は発光層であることが好ましい。
【００９２】
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照にして説明する。
【００９３】
図１は本発明の有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【００９４】
尚、本発明において湿式成膜法とは、前述の如く、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、有機電界発光素子に用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物特有の液性に合うため、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。
【００９５】
｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００９６】
｛陽極｝
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
【００９７】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【００９８】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００９９】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【０１００】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１０１】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【０１０２】
｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
【０１０３】
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１０４】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１０５】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１０６】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
【０１０７】
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【０１０８】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【０１０９】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのものおよび芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
【０１１０】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
【０１１１】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
【０１１２】
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１１３】
【化２４】
【０１１４】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【化２５】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。））
【０１１５】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【０１１６】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
【０１１７】
Ｒ１およびＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１１８】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
【０１１９】
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【０１２０】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１２１】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
【０１２２】
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１２３】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【０１２４】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
【０１２５】
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１２６】
（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１２７】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１２８】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
【０１２９】
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【０１３０】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
【０１３１】
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【０１３２】
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
【０１３３】
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
【０１３４】
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１３５】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１３６】
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。
【０１３７】
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
【０１３８】
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１３９】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１４０】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【０１４１】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１４２】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１４３】
｛正孔輸送層｝
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１４４】
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１４５】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１４６】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【０１４７】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体またはグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
【０１４８】
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（II）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（II）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ＡｒａまたはＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【０１４９】
【化２６】
【０１５０】
（式（II）中、ＡｒａおよびＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
【０１５１】
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１５２】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１５３】
溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【０１５４】
ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１５５】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（II）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III-1）および／または下記式（III-2）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１５６】
【化２７】
【０１５７】
（式（III-1）中、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、またはカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａまたはＲｂは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲａまたはＲｂどうしで環を形成していてもよい。）
【０１５８】
【化２８】
【０１５９】
（式（III-2）中、ＲｅおよびＲｆは、それぞれ独立に、上記式（III-1）におけるＲａ、Ｒｂ、ＲｃまたはＲｄと同義である。ｒおよびｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅおよびＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅまたはＲｆどうしで環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。）
【０１６０】
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。
【０１６１】
また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III-1）および／または下記式（III-2）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（III-3）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１６２】
【化２９】
【０１６３】
（式（III-3）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｘおよびｙは、それぞれ独立に０または１を表す。）
【０１６４】
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（II）における、ＡｒａおよびＡｒｂと同様である。
【０１６５】
上記式（III-1）〜（III-3）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
【０１６６】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
【０１６７】
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１６８】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１６９】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１７０】
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１７１】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
【０１７２】
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
【０１７３】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（II）や式（III-1）〜（III-3）に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１７４】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１７５】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
【０１７６】
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
【０１７７】
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１７８】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
【０１７９】
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１８０】
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１８１】
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１８２】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１８３】
｛発光層｝
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１８４】
＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）などの電荷輸送材料を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などの電荷輸送材料をホスト材料として使用してもよい。発光材料としては、前述の本発明の有機金属錯体の説明の項で例示したものを用いることができる。また、電荷輸送材料としては、前述の本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれていてもよいものとして記載したものを用いることができる。
【０１８５】
特に、本発明の有機電界発光素子は、その発光層が、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。
【０１８６】
更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、低分子量の材料（分子量通常１００００以下、好ましくは５０００以下）を使用することが好ましい。
【０１８７】
＜発光層の形成＞
湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、発光層に用いる材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物（例えば、本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
【０１８８】
発光層５を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、上記本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤として説明したものと同様である。
【０１８９】
また、発光層形成用組成物中の発光材料、電荷輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
【０１９０】
発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
【０１９１】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０１９２】
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０１９３】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
【０１９４】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
【０１９５】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９６】
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
【０１９７】
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１９８】
正孔阻止層にかえて、正孔緩和層を設けてもよい。
【０１９９】
｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
【０２００】
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２０１】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２０２】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２０３】
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２０４】
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２０５】
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ３）等が挙げられる（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；Ｉ有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明 Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０２０６】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０２０７】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２０８】
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２０９】
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
【０２１０】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２１１】
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１２】
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
【０２１３】
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１４】
｛その他の層｝
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０２１５】
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０２１６】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０２１７】
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１８】
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２１９】
また、正孔阻止層６の代りに正孔緩和層を形成することもできる。
【０２２０】
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
【０２２１】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２２２】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２２３】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０２２４】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０２２５】
［有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明］
本発明の有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０２２６】
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２２７】
［合成例１：Ｉｒ錯体（Ｄ−２）の合成］
下記式で表される有機金属錯体を以下の方法で合成した。
【０２２８】
【化３０】
【０２２９】
【化３１】
【０２３０】
ｐ−ブロモヘキシルベンゼン７．３７ｇ(３０．７ｍｍｏｌ)に乾燥エーテル４４ｍｌを加え、−７８℃に冷却した。この溶液に１．６Ｍ ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液２３ｍｌ(３６．７ｍｍｏｌ)を滴下した後、約２時間かけて、徐々に室温まで昇温した。原料が消失したことを薄層クロマトグラフィーにより確認し、再度−７８℃に冷却した。その溶液に、１−クロロイソキノリン５．０ｇ(３０．７ｍｍｏｌ)の乾燥エーテル６５ｍｌ溶液を滴下した。反応液を徐々に室温まで昇温し、そのまま攪拌した（約４時間）。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、分液し、有機層を濃縮した。得られた薄黄色オイル状の粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／エタノール系で１回、塩化メチレン／酢酸エチル系で１回）にて精製し、薄黄色オイル状の中間体である１−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)イソキノリン６．８３ｇ(収率:７７％)を得た。
【０２３１】
この中間体３．６７ｇ(１２．７ｍｍｏｌ)とグリセリン３５ｍｌを仕込み、１２０℃で約３０分脱水、脱気を行った。放冷した後、Ｉｒ(ａｃａｃ)３（ａｃａｃ：アセチルアセトン）２．０８ｇ(４．２ｍｍｏｌ)を添加し、そのまま２００℃に昇温して１８時間反応した（アセチルアセトンの留出を確認）。約６０℃まで降温し、メタノールを加えて、晶出した結晶を濾取した。得られた粗結晶をメタノールにて懸洗し、ジメチルエーテルにて再結晶を行い、濃赤色結晶の目的物であるＩｒ錯体（Ｄ−２）１．１９ｇ(収率:２７％)を得た。
【０２３２】
[合成例２：本発明のＩｒ錯体(Ｄ−２−Ｉ)の合成]
合成例１で得られたＩｒ錯体（Ｄ−２）に対し、塩基性シリカゲルでカラムクロマトグラフィーを行った後、濃縮し、乾固した後、ジメトシエタンを用いて再結晶を行った。得られた結晶を昇華精製装置を用いて、高真空下（１×１０−５Ｐａ）、２２０℃で１．５時間加熱し、低沸点成分を除去することにより、Ｉｒ錯体(Ｄ−２−Ｉ)を得た。
【０２３３】
[合成例３：比較例のＩｒ錯体(Ｄ−２−Ｇ)の合成]
合成例１で得られたＩｒ錯体Ｄ−２に対し、塩基性シリカゲルでカラムクロマトグラフィーを行った後、濃縮し、乾固した後、昇華精製装置を用いて、高真空下（１×１０−５Ｐａ）、２２０℃で２時間加熱し、低沸点成分を除去することにより、Ｉｒ錯体(Ｄ−２−Ｇ)を得た。
【０２３４】
[合成例４：比較例のＩｒ錯体(Ｄ−２−Ｈ)の合成]
合成例１で得られたＩｒ錯体（Ｄ−２）に対し、塩基性シリカゲルでカラムクロマトグラフィーを行った後、濃縮し、乾固した後、酢酸エチルを用いて熱懸洗を行った。得られた結晶を昇華精製装置を用いて、高真空下（１×１０−５Ｐａ）、２２０℃で２時間加熱し、低沸点成分を除去することにより、Ｉｒ錯体(Ｄ−２−Ｈ)を得た。
【０２３５】
［合成例５：本発明のＩｒ錯体（Ｄ−３）の合成］
【０２３６】
４−ブロモ−１−フルオロ−２−ヨードベンゼン（３.１１ｇ、１７.５ｍｍｏｌ）、４-ブチルフェニルボロン酸（５.０ｇ、１６.６ｍｍｏｌ）、トルエン（１８０ｍｌ）、およびエタノール（９０ｍｌ）の混合物にリン酸カリウム（２１.２ｇ、１００ｍｍｏｌ）水溶液（Ｈ２Ｏ ４５ｍｌ）を加え、撹拌しながら３０分窒素バブリングを行った。そこにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０.５７６ｇ、０.５ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で３.５時間撹拌した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認後、１Ｎ塩酸水溶液を加えｐＨ＝７.０にした後、トルエンで２回抽出し、有機層を飽和食塩水で１回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体２（４.８２ｇ,収率９５％）を得た。
【０２３７】
この中間体２（４.８２ｇ、１５.６９ｍｍｏｌ）と無水ジエチルエーテル（２５ｍｌ）の混合物に窒素雰囲気下でｎ−ＢｕＬｉ（ｆ（ｎ−ＢｕＬｉ濃度（ｍｏｌ／ｌ））＝１.５４、１２.２２ｍｌ、１８.８２ｍｍｏｌ）を滴下し、２.５時間撹拌した。そこに１-クロロイソキノリン（２.１６ｇ、１３.１８ｍｍｏｌ）−無水ジエチルエーテル（５ｍｌ）溶液を滴下し、１５分撹拌後、ドライアイスバスを外して室温中４時間撹拌した。ここへ飽和塩化アンモニウム溶液を加えて撹拌後、酢酸エチルで抽出し、水で１回洗浄後、飽和食塩水で１回洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体３（２.７５ｇ、収率５９％）を得た。
【０２３８】
次に、中間体３（２.７５ｇ、７.７４
ｍｍｏｌ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）３（１.２６ｇ、２.５８ｍｍｏｌ）、およびグリセリン（１０ｍｌ）の混合物を、窒素雰囲気下、２１０℃で３６時間撹拌した。反応溶液を冷却し、メタノールを５０ｍｌ加え、生じた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、メタノールで再沈殿を行い、化合物Ｄ−３（３４１ｍｇ、収率７.６％）を得た。
【０２３９】
［合成例６：本発明のＩｒ錯体（Ｄ−４）の合成］
【０２４０】
酢酸カリウム（３２.２ｇ、０.３ｍｏｌ）、４−ブロモー２−クロロベンゾトリフルオライド（２５ｇ、９６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボラン（２９.４ｇ、１１６ｍｍｏｌ）、および乾燥ジメチルスルホキシド（２００ｍｌ）を仕込み、６０℃にて脱気し、［１,１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリドジクロロメタン錯体（１:１）（１.４５ｇ、１.８ｍｍｏｌ）を加え、８０℃にて３時間反応を行った。反応液に水を加え、塩化メチレンで抽出し、有機層を水洗し、セライト濾過した。濾液を減圧濃縮し、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体４（２５.７ｇ、収率８７％）を得た。
【０２４１】
得られた中間体４（２５.７ｇ、８４ｍｍｏｌ）、１−クロロイソキノリン（１２.３ｇ、７５ｍｍｏｌ）、トルエン（１６０ｍｌ）、およびエタノール（１６０ｍｌ）の混合物に、Ｎａ２ＣＯ３（１７.７ｇ、１６７ｍｍｏｌ）水溶液（Ｈ２Ｏ８０ｍｌ）を加え、撹拌しながら１時間窒素バブリングを行った。そこにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２.９ｇ、２.５ｍｍｏｌ）を加え、２.５時間加熱還流した。反応液に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を減圧濃縮し、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体５（２２.０ｇ、収率８５％）を得た。
【０２４２】
得られた中間体５（１０ｇ、３２ｍｍｏｌ）、４-ブチルフェニルボロン酸（６.３７ｇ、３６ｍｍｏｌ）、およびトルエン（１５０ｍｌ）の混合物に、リン酸カリウム（１０.３５ｇ、４９ｍｍｏｌ）と２−ジシクロヘキシルフォスフィノ−２,６−ジメトキシビフェニル（１.４６８ｇ、３.６ｍｍｏｌ）を加え、撹拌しながら１時間窒素バブリングを行った。そこに酢酸パラジウム（０.３６５ｇ、１.６ｍｍｏｌ）を加え、３.５時間加熱還流した。反応液に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を減圧濃縮し、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体６（１２.９ｇ、収率９８％）を得た。
【０２４３】
この中間体６（１２.９ｇ、３１.８ｍｍｏｌ）とグリセリン４０ｍｌを仕込み、１２０℃で約３０分脱水、脱気を行った。放冷した後、Ｉｒ（ａｃａｃ）３（５.２２ｇ、１０.６ｍｍｏｌ）を添加し、そのまま２００℃に昇温して反応（アセチルアセトンの留出を確認）、約６０℃まで降温し、メタノールと水を加えて、塩化メチレンで抽出した。塩化メチレン層を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ジメトキシエタン／メタノールにて再沈殿を行い、濃赤色結晶の目的物である化合物Ｄ−４（２.５ｇ）を得た。
【０２４４】
［ＬＤＩ−ＭＳ分析］
合成例２〜６で得られた各Ｉｒ錯体について、以下の方法でＬＤＩ−ＭＳ分析を行い、Ｒ（％）を算出し、結果を表１に示した。
【０２４５】
Ｉｒ錯体のトルエン（純正化学、特級）溶液をＬＤＩ−ＭＳ（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）専用試料プレート上に均一に塗布、風乾させて試料スポットを作製した。このようにして得られた試料プレートを装置内にセットし、減圧下にＬＤＩ−ＭＳ分析した。レーザー強度は金属錯体イオン（主ピーク）強度が検出器飽和しない程度（６×１０４シグナルカウント）になるように設定した。またレーザー照射位置についてはスペクトルが均質となるよう、試料スポットの全領域をまんべんなく照射した。
ＬＤＩ−ＭＳ測定条件は以下の通りである。
・分析装置 ： アプライドバイオシステムズ社製、Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ ＳＴＲ
・レーザー ： 窒素レーザー（３３７ｎｍ）
・検出イオン： 正イオン検出
脱配位子イオン強度（Ｉｄｅｃｏｍｐ）／金属錯体イオン強度（ＩＤ）比（Ｒ値）を以下のように算出した。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
【０２４６】
【表１】
【０２４７】
［実施例１：有機電界発光素子の作製］
図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０２４８】
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２４９】
まず、正孔輸送性化合物として構造式（Ｐ１）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物（重量平均分子量：２６５００，数平均分子量：１２０００）、電子受容性化合物として構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。この組成物中、正孔輸送性高分子化合物（Ｐ１）は２．０重量％、電子受容性化合物（Ａ１）は０．８重量％であった。この組成物をスピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、大気中にて陽極上にスピンコートにより成膜した。その後、大気中で２３０℃、３時間加熱乾燥することにより、膜厚３０ｎｍの正孔注入層３を得た。
【０２５０】
【化３２】
【０２５１】
引き続き、正孔輸送性化合物として以下の構造式に示す架橋性化合物（重合体）Ｈ１（重量平均分子量：９５０００）および溶剤としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。組成物中の架橋性化合物の固形分濃度は０．４重量％とした。この組成物を上記形成した正孔注入層３上に、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、窒素中でスピンコート法により成膜して、窒素中、２３０℃で１時間加熱により架橋させて膜厚２０ｎｍの架橋膜（正孔輸送層４）を形成した。
【０２５２】
【化３３】
【０２５３】
次に、発光層を形成するにあたり、以下の構造式に示す電荷輸送材料（Ｅ−１）、電荷輸送材料（Ｅ−２）、上記合成例２で合成した本発明のＩｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）および溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを含有する発光層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製した。組成物中、電荷輸送材料（Ｅ−１）は２．５重量％、電荷輸送材料（Ｅ−２）は２．５重量％、Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）は０．２５重量％とした。この組成物を上記形成された正孔輸送層４上に、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、窒素中で、スピンコート法により成膜した後、減圧下（０．１ＭＰａ）、１３０℃で、１時間乾燥させ、膜厚５０ｎｍで発光層５を得た。
【０２５４】
【化３４】
【０２５５】
ここで、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５を成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が５．１×１０−４Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、下記構造式（Ｃ−３）で表される化合物を真空蒸着法によって、発光層５の上に成膜し、膜厚５ｎｍの正孔阻止層６を得た。蒸着速度は０．７〜１．０Å／秒の範囲で制御し、蒸着時の真空度は１．９〜２．０×１０−４Ｐａであった。
【０２５６】
【化３５】
【０２５７】
続いて、以下の構造式に示すトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（ＨＢ−１）を加熱して、正孔阻止層６上に蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を成膜した。蒸着時の真空度は１．３×１０−４Ｐａ、蒸着速度は０．６〜１．０Å／秒の範囲で制御した。
【０２５８】
【化３６】
【０２５９】
ここで、電子輸送層７まで蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して上記電子輸送層７と同様にして装置内の真空度が２．１×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。電子注入層８として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０７〜０．１７Å／秒、真空度２．３〜２．４×１０−４Ｐａで制御し、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。
【０２６０】
次に、陰極９としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．７〜６．１Å／秒、真空度２．３〜２．７×１０−４Ｐａで制御して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。以上の２層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２６１】
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため封止処理を行った。以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
【０２６２】
素子の発光スペクトルの極大波長は５２０ｎｍであり、Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。
この素子を２０００ｃｄ／ｍ２で駆動した場合の、初期輝度が５０％に減少するまでの時間（半減寿命）を測定した。
【０２６３】
［比較例１］
Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）の代りに、合成例３で得られた比較例のＩｒ錯体（Ｄ−２−Ｇ）を用いる以外、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製し、同様に半減寿命の測定を行った。
【０２６４】
［比較例２］
Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）の代りに、合成例４で得られた比較例のＩｒ錯体（Ｄ−２−Ｈ）を用いる以外、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製し、同様に半減寿命の測定を行った。
【０２６５】
［実施例２：有機電界発光素子の作製］
図１に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
【０２６６】
ガラス基板１の上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍの厚さに堆積したもの（スパッタ成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２６７】
次いで、正孔注入層を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層の材料として、下記式（ＰＢ−１）の芳香族アミノ基を有する高分子化合物（重量平均分子量：５２０００，数平均分子量：３２５００））と、電子受容性化合物として、実施例１で用いた前記構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートとを用い、下記の条件でスピンコートした。
【０２６８】
【化３７】
【０２６９】
＜正孔注入層形成用組成物＞
溶剤 安息香酸エチル
組成物中濃度 ＰＢ−１ ２．０重量％
Ａ１ ０．４重量％
＜成膜条件＞
スピナ回転数 ２２５０ｒｐｍ
スピナ回転時間 ３０秒
スピンコート雰囲気 大気下 ２５℃
乾燥条件 ２３０℃×６０分
上記のスピンコートにより、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜よりなる正孔注入層３が形成された。
【０２７０】
続いて、正孔輸送層４を以下のように湿式成膜法によって形成した。
正孔輸送層４の材料として、下記に示す構造式の電荷輸送材料（ＰＢ−２）を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを用いた正孔輸送層形成用組成物を調製し、この正孔輸送層形成用組成物を用いて下記の条件でスピンコートした。
【０２７１】
【化３８】
【０２７２】
＜正孔輸送層形成用組成物＞
溶剤 シクロヘキシルベンゼン
組成物中濃度 ＰＢ−２ １．４重量％
＜成膜条件＞
スピナ回転数 １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間 １２０秒
スピンコート雰囲気 乾燥窒素中 ２５℃
乾燥条件 ２３０℃×６０分
（乾燥窒素下）
上記のスピンコートにより、膜厚２０ｎｍの均一な薄膜よりなる正孔輸送層４が形成された。
【０２７３】
次に、発光層５を形成するにあたり、電荷輸送材料として、以下に示す、化合物（ＨＯ−１）、及び化合物（ＨＯ−２）、並びに、発光材料として、以下に示す、化合物（Ｄ−５）と、前記合成例５で合成した本発明のＩｒ錯体（Ｄ−３）を用いて、以下に示す発光層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層４上にスピンコートして、膜厚６０ｎｍの発光層５を得た。
【０２７４】
【化３９】
【０２７５】
＜発光層形成用組成物＞
溶剤 シクロヘキシルベンゼン
組成物中濃度 ＨＯ−１： １．２５重量％
ＨＯ−２： ３．７５重量％
Ｄ−５： ０．２５重量％
Ｄ−３： ０．３５重量％
＜スピンコート条件＞
スピナ回転数 ２０００ｒｐｍ
スピナ回転時間 １２０秒
乾燥条件 １３０℃×６０分（減圧下）
【０２７６】
ここで、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５を成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が５．１×１０−４Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、実施例１で用いた前記構造式（Ｃ−３）で表される化合物を真空蒸着法によって、発光層５の上に成膜し、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層６を得た。化合物（Ｃ−３）のるつぼ温度は２５１〜２５２℃、蒸着速度は０．０８〜０．１２ｎｍ／秒の範囲で制御し、蒸着時の真空度は２．１〜２．４×１０−４Ｐａ（約１．６〜１．８×１０−６Ｔｏｒｒ）であった。
【０２７７】
続いて、実施例１で用いた前記トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（ＥＴ−１）を加熱して、正孔阻止層６上に蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を成膜した。この時のトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（ＥＴ−１）のるつぼ温度は２２２〜２３９℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は１．７〜２．０×１０−４Ｐａ（約１．３〜１．５×１０−６Ｔｏｒｒ）、蒸着速度は０．１ｎｍ／秒とした。
【０２７８】
上記の正孔阻止層６および電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０２７９】
ここで、電子輸送層７まで蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して上記電子輸送層７と同様にして装置内の真空度が２．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．０×１０−４Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０２８０】
次に、電子輸送層７の上に、電子注入層８として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０１５ｎｍ／秒、真空度２．５×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．３×１０−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で成膜した。
【０２８１】
次に、電子注入層８の上に、陰極９として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．５〜３．０ｎｍ／秒、真空度３．３〜７．５×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．４〜１０．０×１０−４Ｐａ）で成膜して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極９を完成させた。
【０２８２】
以上の電子注入層８、陰極９の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２８３】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
素子の発光スペクトルの極大波長は６０３ｎｍであり、Ｉｒ錯体（Ｄ−３）からのものと同定された。
この素子について、実施例１と同様にして半減寿命を測定した。
【０２８４】
［実施例３］
実施例１において、発光層を形成する際に用いた化合物（Ｄ−３）を、前記合成例６で合成した本発明のＩｒ錯体（Ｄ−４）に変更した以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製し、同様に半減寿命の測定を行った。
【０２８５】
表２に各有機電界発光素子の半減寿命を、比較例１の有機電界発光素子の半減寿命とした場合の相対値で示した。
表２には、用いたＩｒ錯体のＲ値を併記した。
【０２８６】
【表２】
【０２８７】
表２より、本発明の金属錯体を用いて、長寿命の有機電界発光素子を得ることができることが分かる。
【符号の説明】
【０２８８】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０ 有機電界発光素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子用に用いられる金属錯体に関するものであり、詳しくは、耐久性、溶剤に対する溶解性が優れており、成膜性、湿式プロセス適性に優れた有機電界発光素子用の金属錯体に関する。本発明はまた、この金属錯体を含む有機電界発光素子用組成物と、この金属錯体を用いた高効率、長寿命な有機電界発光素子、並びにこの有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、特に発光層には、赤、緑、青などの発光材料が含まれている。
【０００３】
このような有機電界発光素子は、実用化にむけて、効率および寿命の改良が求められており、特に発光層の材料として耐久性の高い燐光発光材料が求められている。
【０００４】
従来、燐光発光材料としては、Ｉｒなどの金属を中心金属として有する有機金属錯体が有望視され、以下に示すイリジウム錯体などが提案されているが（例えば特許文献１）、合成プロセスがいまだ未知の部分が多く、製造時の性能が安定しないなどの問題を抱えていた。
【０００５】
【化１】
【０００６】
一方、有機電界発光素子の各層の形成方法としては、蒸着成膜法や湿式成膜法がある。蒸着成膜法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適であるが、湿式成膜法で有機電界発光素子の各層を形成するためには、各層を形成する材料が溶剤に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子として高い性能を有する材料であることが必要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００２／４４１８９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。
即ち、本発明は、耐久性が高く、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に有用な金属錯体であって、溶剤溶解性に優れ、湿式成膜法により、高効率、長寿命な有機電界発光素子を提供できる金属錯体および有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とする。
本発明は、また、この金属錯体を用いて、高効率、長寿命の有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らが鋭意検討した結果、レーザー脱離イオン化質量分析においてＲ値（％）が１２以下である金属錯体を用いることにより、安定的に長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
本発明（請求項１）の金属錯体は、有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【００１１】
請求項２の金属錯体は、請求項１において、該金属錯体に含まれる金属が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＡｕおよびＲｅからなる群より選ばれる金属であることを特徴とする。
【００１２】
請求項３の金属錯体は、請求項１または２において、該金属錯体が、分子内に、置換基を有していてもよいアルキル基を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明（請求項４）の有機電界発光素子用組成物は、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体および溶剤を含有することを特徴とする。
【００１４】
本発明（請求項５）の有機電界発光素子は、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層が、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする。
【００１５】
本発明（請求項６）の有機ＥＬディスプレイおよび本発明（請求項７）の有機ＥＬ照明は、この有機電界発光素子を用いたものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の金属錯体は、高耐久性であり、溶剤に対する溶解性が高く、また、湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に好適であり、この有機金属錯体を用いて、高効率、かつ長寿命な有機電界発光素子を提供することができる。
【００１７】
従って、本発明の金属錯体を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピューター用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や、面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施の形態を示す断面の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００２０】
［金属錯体］
本発明の金属錯体は、有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【００２１】
ここで、レーザー脱離イオン化質量分析（以下「ＬＤＩ−ＭＳ分析」と略記する。）とは、次のような方法で測定されるものである。
金属錯体サンプルを試料プレートに塗布し、ＭＡＬＤＩ−ＭＳ装置内にセットし、窒素レーザーなどのレーザーを照射して検出されるピークを観測する。
本方法によると金属錯体サンプルは、場合により一部配位子を脱離し、金属錯体そのものの分子イオンピーク（Ｍ＋）あるいはプロトン付加イオン（Ｍ＋Ｈ＋）ピークとともに、脱配位子イオンあるいはそのプロトン付加イオンピークを産出する。この際、別法（ＨＰＬＣ法等）により分析しても、脱配位子成分が検出されなかったことから、ここで検出された脱配位子イオンはレーザー照射により生じたイオン種と推測される。
すなわち、ＬＤＩ−ＭＳ分析によると、レーザー照射下で分子が励起し、その状態での安定性により、場合により一部分解し、脱配位子イオンを生成する。同レーザー強度下に産生した脱配位子イオンの生成率は、錯体の配位強度を反映しているもの、すなわち、錯体の安定性を表すものと考えられる。そこで、脱配位子イオン強度（Ｉｄｅｃｏｍｐ）／金属錯体イオン強度（ＩＤ）比（Ｒ値）を以下のように算出した。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
この値を用いて錯体の安定性を評価することができる。
【００２２】
Ｒ値（％）が大きい値をもつものほどレーザー照射での分解が起きやすく、不安定である。Ｒ値（％）は１２以下、さらに好ましくは１０以下、最も好ましくは８以下である。
【００２３】
なお、ＬＤＩ−ＭＳ分析は、具体的には次のようにして実施される。
【００２４】
＜ＬＤＩ−ＭＳ分析方法＞
材料Ａのトルエン（純正化学、特級）溶液をＬＤＩ−ＭＳ（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）専用試料プレート上に均一に塗布、風乾させて試料スポットを作製する。
なお、試料プレートには装置純正品のほか、試料濃縮やイオン化促進効果をもたせるため種々の表面処理がほどこされた市販プレートを用いることもできるし、ＥＬ素子を貼付したプレートを使用することもできる。また、試料溶液の乾燥は風乾のほか、減圧乾燥など様々な方法をとることができる。さらにイオン化促進の目的で、種々の芳香族化合物、脂肪族化合物、または無機塩類をマトリックス物質として用いることもできる。
このようにして得られた試料プレートを装置内にセットし、減圧下にＬＤＩ−ＭＳ分析する。レーザー強度はドーパントイオン（主ピーク）強度が検出器飽和しない程度（＜１０６シグナルカウント）になるように設定すればよいが、より具体的にはシグナルカウントが６×１０４未満となるように調整して測定を行う。６×１０４未満の、なるべく大きなシグナルカウントの方が高い精度で測定できる。そのような条件として、例えば、アプライドバイオシステムズ社製「Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ ＳＴＲ」（分析装置）のレーザー強度設定としては、２００〜１０００程度が好ましい。このレーザー強度の値は無単位である。なお、後掲の実施例における測定では、レーザー強度８００を用いて行った。
また、レーザー照射位置についてはスペクトルが均質となるよう、試料スポットの全領域をまんべんなく照射する。
【００２５】
ＬＤＩ−ＭＳ測定条件は、例えば以下の通りである。
・分析装置 ： アプライドバイオシステムズ社製、Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ ＳＴＲ
・レーザー ： 窒素レーザー（３３７ｎｍ）
・検出イオン： 正イオン検出
【００２６】
材料ＡのＬＤＩ−ＭＳ分析におけるおもな検出イオンは、材料Ａの分子イオン（Ｍ＋）あるいはプロトン付加イオン（Ｍ＋Ｈ＋）、ならびに脱配位子イオンあるいはそのプロトン付加イオン等である。
材料Ａを別法（ＨＰＬＣ法等）により分析すると、前述の如く、材料Ａ中に脱配位子成分が検出されないことから、ここで検出される脱配位子イオンはレーザー照射により生じたイオン種と推測される。
同レーザー強度下に産生した脱配位子イオンの生成率の違いは、材料Ａ錯体の配位強度を反映しているものと予想され、そこで、脱配位子イオン強度（Ｉｄｅｃｏｍｐ）／金属錯体イオン強度（ＩＤ）比（Ｒ値）を以下のように算出する。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
【００２７】
一般に、金属錯体には、フェイシャル体、メリジョナル体、Ｅ体、Ｚ体などの異性体が存在し、また置換基によっては更に様々な異性体を生じさせるため、これらを個々に分析することは極めて困難であるが、このような構造上のわずかな差異も、錯体としての安定性には大きく影響し、このような異性体が存在する錯体を有機電界発光素子に用いると、素子の寿命は短いものとなる。しかしながら、このような異性体の存在を分析して検出することは、錯体の構造が複雑になればなるほど難しくなる。
【００２８】
また、湿式成膜用途に用いる金属錯体にあっては、さらに状況は複雑である。
即ち、蒸着法に用いる錯体は、一般に、構造的にシンプルで結晶性がよく、例えば、Ｉｒ錯体では、製造工程において溶液中で加熱する際に、熱的に最も安定なフェイシャル構造に異性化し、その構造にて反応系内で結晶を生成するため、この構造のものを分取することにより、純度の高い安定構造の錯体を得やすい。
一方、湿式成膜用途に用いる金属錯体については、意図的に溶剤に対する溶解性の高い構造設計を施しているため、熱的に安定な構造へと異性化していくとは思われるものの、このようなものは結晶性が悪いために、結晶が生成したとしても、不純物が混入しやすい。また、溶剤溶解性の向上等を目的として長鎖のアルキル基を有している場合もあり、このアルキル基の一部が酸化されてケトンを形成したような配位子も混入しやすい。
【００２９】
本発明に係るＲ値（％）は、このような検出し難い金属錯体中の不純物の影響による性能劣化を反映するものであり、Ｒ値（％）１２以下の金属錯体であれば、それ自体耐久性、安定性に優れ、また、素子に適用した場合においても、高効率、かつ長寿命な有機電界発光素子を実現し得る。
【００３０】
Ｒ値（％）１２以下の金属錯体を得る方法としては特に制限は無いが、フラグメント量が増える、つまりＲ値が増大する要素、及びフラグメント量を抑える方法としては、以下が考えられる。これらを勘案し、もしくは調整することにより、Ｒ値を低減し、本発明の金属錯体を得ることができると考えられる。
【００３１】
例えば、分子量が同じであるにも関わらず、ＬＤＩ−ＭＳ分析において検出されるフラグメントの量に差が生じることに関する解釈としては、（１）中心金属と配位子の結合および錯体全体としての安定性が原因であるか、（２）錯体を不安定化させる不純物が混入していることが原因であるか、であると考えられる。
（２）の不純物については、化合物の精製度を上げることにより解消すると思われる。精製（不純物の除去）は、特に制限なく公知の方法やその組み合わせにて行うことができる。例えば従来から知られている再結晶法、再沈殿法、ゾーンメルティング法、カラムクロマトグラフィー法、吸着法、昇華精製法、およびこれらの組み合わせなどが好ましく用いられる。
（１）の中心金属に由来する錯体の安定性に関しては、中心金属の価数純度による影響が考えられる。例えばＩｒは、III価であれば３つの１価のアニオン性配位子と電気的に中性な錯体を形成するが、仮にII価あるいはIV価のＩｒであった場合、分子量はほぼ同じであるが、３つの１価のアニオン性配位子との錯体においては電気的に中性となっておらず、不安定になることが予想される。このような価数純度も影響するものと思われるため、このような不純物も含め、精製することが重要である。
【００３２】
さらに、配位子と金属との結合を強めることによっても、フラグメントの量を抑えることができる。すなわち、上記では、不純物によってフラグメントが増加している場合に、純度を１００％に近づけることにより真のフラグメント量に近づけて、フラグメント量を減じ、実使用上耐久性の高い材料とすることについて述べたが、化合物の構造上の工夫により、配位子と金属との結合を強め、真のフラグメント量自体を減じることができる。
具体的には、アリール−含窒素へテロ環からなる配位子とＩｒからなる錯体の場合、アリール側にＦやＣＦ３基などの電子吸引基を置換させ、含窒素へテロ環側に電子供与基を置換させることにより結合が強くなる。
【００３３】
本発明の金属錯体に含まれる金属については特に制限はないが、有機電界発光素子の発光材料として用いられることから、周期表７ないし１１族から選ばれる金属であることが好ましく、発光性の高いＩｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＡｕおよびＲｅからなる群より選ばれる金属であることがより好ましく、これらのうち、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、とりわけＩｒが好適である。
【００３４】
また、本発明の金属錯体は、湿式成膜法に用いることができることから、置換基として可溶化基を有することが好ましく、特に、炭素数３以上、例えば炭素数３〜１２の、置換基を有していてもよい長鎖アルキル基を芳香環や複素芳香環上に置換基として有する化合物が、本発明の目的に適合し得る金属錯体として挙げられる。
【００３５】
本発明に適用される金属錯体としては、好ましくは下記式（４）、（５）で表される化合物、或いは国際公開第２００５／０１１３７０号パンフレットや国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物が挙げられる。
【００３６】
Ｍ０Ｇ(q-j)Ｇ’j …（４）
（式（４）中、Ｍ０は金属を表し、ｑは金属Ｍ０の価数を表す。Ｇ及びＧ’は二座配位子を表す。ｊは０、１又は２を表す。）
【００３７】
【化２】
（式（５）中、Ｍ5は金属を表し、Ｔは炭素又は窒素を表す。Ｒ92〜Ｒ95は、それぞれ独立に置換基を表す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ94及びＲ95は無い。）
【００３８】
以下、まず、式（４）で表わされる化合物について説明する。
式（４）中、Ｍ０は任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、式（４）中の二座配位子Ｇ及びＧ’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【００３９】
【化３】
（上記式Ｇにおいて、環Ｑ１は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｑ２は置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４０】
【化４】
【００４１】
Ｇ’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、
【化５】
である。
【００４２】
上記Ｇ，Ｇ’の部分構造において、環Ｑ１は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していても良い。また、環Ｑ２は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していても良い。
なお、本発明において置換基を有していても良いとは、置換基を１以上有していても良いことを意味する。
【００４３】
環Ｑ１，Ｑ２の好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００４４】
式（４）で表される化合物として、さらに好ましくは、下記式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【００４５】
【化６】
（式（４ａ）中、ＭaはＭ０と同様の金属を表し、ｑaは金属Ｍaの価数を表す。環Ｑ１は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｑ２は置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４６】
【化７】
（式（４ｂ）中、ＭbはＭ０と同様の金属を表し、ｑbは金属Ｍbの価数を表す。環Ｑ１は置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｑ２は置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４７】
【化８】
（式（４ｃ）中、ＭcはＭ０と同様の金属を表し、ｑcは金属Ｍcの価数を表す。ｋは０、１又は２を表す。環Ｑ１及び環Ｑ１’は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。環Ｑ２及び環Ｑ２’は、それぞれ独立に、置換基を有していても良い含窒素芳香族複素環基を表す。）
【００４８】
上記式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）において、環Ｑ１及び環Ｑ１’としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
また、環Ｑ２、環Ｑ２’としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【００４９】
式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）で表される化合物が有していても良い置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【００５０】
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。上記置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。上記置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。上記置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。上記置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。上記置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。上記置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。上記置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。上記置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
これら置換基の中でも、化合物の溶解性が高く、湿式成膜に適することから、置換基を有していてもよいアルキル基が好ましく、無置換のアルキル基がより好ましい。
【００５１】
尚、これら置換基は互いに連結して環を形成しても良い。具体例としては、環Ｑ１が有する置換基と環Ｑ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ｑ１’が有する置換基と環Ｑ２’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成しても良い。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ｑ１、環Ｑ１’、環Ｑ２及び環Ｑ２’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【００５２】
また、式（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）におけるＭa，Ｍb，Ｍcとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。
【００５３】
上記式（４）、（４ａ）、（４ｂ）又は（４ｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、何ら下記の化合物に限定されるものではない。以下において、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００５４】
【化９】
【００５５】
【化１０】
【００５６】
【化１１】
【００５７】
【化１２】
【００５８】
【化１３】
【００５９】
【化１４】
【００６０】
【化１５】
【００６１】
【化１６】
【００６２】
【化１７】
【００６３】
【化１８】
【００６４】
【化１９】
【００６５】
【化２０】
【００６６】
【化２１】
【００６７】
【化２２】
【００６８】
さらに、上記式（４）、（４ａ）、（４ｂ）、（４ｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｇ及び／又はＧ’として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
【００６９】
次に、式（５）で表わされる化合物について説明する。
式（５）中、Ｍ5は金属を表し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【００７０】
また、式（５）において、Ｒ92及びＲ93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
【００７１】
さらに、Ｔが炭素の場合、Ｒ94及びＲ95は、それぞれ独立に、Ｒ92及びＲ93と同様の例示物で表わされる置換基を表す。また、Ｔが窒素の場合はＲ94及びＲ95は無い。
また、Ｒ92〜Ｒ95はさらに置換基を有していても良い。さらに有していても良い置換基に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、Ｒ92〜Ｒ95はそれぞれ隣接する基と互いに連結して環を形成しても良い。
【００７２】
式（５）で表わされる有機金属錯体の具体例（５−ａ〜５−ｇ）を以下に示すが、下記の例示物に限定されるものではない。以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。
【００７３】
【化２３】
【００７４】
本発明に適用される有機金属錯体の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上である。分子量が１００未満であると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、あるいはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりするため、好ましくない。分子量が１００００を超えると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要する可能性が高いため、好ましくない。
【００７５】
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、好ましくは湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に用いられる組成物であって、前述の本発明の金属錯体の１種または２種以上を含有するものであり、通常、更に溶剤を含有する。
【００７６】
＜溶剤＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は溶剤を含むことが好ましい。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤としては、上述の本発明の金属錯体等の溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されず、例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環を有するケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；メチルエチルケトン、シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環を有するアルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
【００７７】
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
【００７８】
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、蒸留や乾燥剤の使用などにより溶剤を予め脱水する、窒素ガスシール、水の溶解度が低い溶剤を使用する等が挙げられる。なかでも、水の溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式成膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本実施の形態が適用される有機電界発光素子用組成物は、例えば、２５℃における水の溶解度が１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下である溶剤を、組成物中１０重量％以上含有することが好ましい。
【００７９】
また、湿式成膜時における組成物からの溶剤蒸発による、成膜安定性の低下を低減するためには、有機電界発光素子用組成物の溶剤として、沸点が１００℃以上、好ましくは沸点が１５０℃以上、より好ましくは沸点が２００℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要で、このためには通常沸点８０℃以上、好ましくは沸点１００℃以上、より好ましくは沸点１２０℃以上で、通常沸点２７０℃未満、好ましくは沸点２５０℃未満、より好ましくは沸点２３０℃未満の溶剤を用いることが有効である。
【００８０】
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、２種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。
【００８１】
＜発光材料＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、好ましくは湿式成膜法で形成される有機電界発光素子の有機層に用いられる組成物であって、前述の本発明の金属錯体を発光材料として含み、通常発光層形成用組成物として用いられる。
発光材料とは、本発明の有機電界発光素子用組成物において、主として発光する成分を指し、有機ＥＬデバイスにおけるドーパント成分に当たる。該有機電界発光素子用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ２）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
【００８２】
なお、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、有機電界発光素子に用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物特有の液性に合うため、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。
【００８３】
＜電荷輸送材料＞
本発明の有機電界発光素子用組成物には、更に電荷輸送材料が含まれていることが好ましく、この電荷輸送材料は、発光材料である本発明の金属錯体のホスト材料として機能するものであることが好ましい。電荷輸送材料としては、以下の正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物が挙げられる。
【００８４】
（正孔輸送性化合物）
正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、後述の正孔注入層３における正孔輸送性化合物として例示した各種の化合物のほか、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ， １９９７年， Ｖｏｌ．７２−７４， ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ， １９９６年， ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．９１， ｐｐ．２０９）等が挙げられる。正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【００８５】
（電子輸送性化合物）
電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【００８６】
＜その他の成分＞
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤および発光材料としての金属錯体、電荷輸送材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【００８７】
また、２層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
【００８８】
＜有機電界発光素子用組成物中の材料濃度と配合比＞
本発明の有機電界発光素子用組成物中の発光材料である本発明の金属錯体、電荷輸送材料、および必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、最も好ましくは１重量％以上であり、通常８０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下、最も好ましくは２０重量％以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。
【００８９】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物において、発光材料／電荷輸送材料の重量混合比は、通常、０．１／９９．９以上であり、より好ましくは０．５／９９．５以上であり、さらに好ましくは１／９９以上であり、最も好ましくは２／９８以上で、通常、５０／５０以下であり、より好ましくは４０／６０以下であり、さらに好ましくは３０／７０以下であり、最も好ましくは２０／８０以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下するおそれがある。
【００９０】
＜有機電界発光素子用組成物の調製方法＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常、本発明の金属錯体、電荷輸送材料、および必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、および組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を経由してもよい。
【００９１】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極および該陽極と該陰極の間に、発光層を有し、前記本発明の金属錯体を含有する層を有することを特徴とする。この、本発明の金属錯体を含有する層としては、以下の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層などいずれでもよいが、本発明の金属錯体を含有する層は発光層であることが好ましい。
【００９２】
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照にして説明する。
【００９３】
図１は本発明の有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【００９４】
尚、本発明において湿式成膜法とは、前述の如く、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、有機電界発光素子に用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物特有の液性に合うため、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。
【００９５】
｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００９６】
｛陽極｝
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
【００９７】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【００９８】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００９９】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【０１００】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１０１】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【０１０２】
｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
【０１０３】
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１０４】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１０５】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１０６】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
【０１０７】
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【０１０８】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【０１０９】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのものおよび芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
【０１１０】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
【０１１１】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
【０１１２】
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１１３】
【化２４】
【０１１４】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【化２５】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。））
【０１１５】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【０１１６】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
【０１１７】
Ｒ１およびＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１１８】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
【０１１９】
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【０１２０】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１２１】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
【０１２２】
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１２３】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【０１２４】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
【０１２５】
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１２６】
（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１２７】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１２８】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
【０１２９】
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【０１３０】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
【０１３１】
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【０１３２】
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
【０１３３】
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
【０１３４】
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１３５】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１３６】
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。
【０１３７】
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
【０１３８】
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１３９】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１４０】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【０１４１】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１４２】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１４３】
｛正孔輸送層｝
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１４４】
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１４５】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１４６】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【０１４７】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体またはグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
【０１４８】
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（II）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（II）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ＡｒａまたはＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【０１４９】
【化２６】
【０１５０】
（式（II）中、ＡｒａおよびＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
【０１５１】
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１５２】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１５３】
溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【０１５４】
ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１５５】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（II）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III-1）および／または下記式（III-2）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１５６】
【化２７】
【０１５７】
（式（III-1）中、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、またはカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａまたはＲｂは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲａまたはＲｂどうしで環を形成していてもよい。）
【０１５８】
【化２８】
【０１５９】
（式（III-2）中、ＲｅおよびＲｆは、それぞれ独立に、上記式（III-1）におけるＲａ、Ｒｂ、ＲｃまたはＲｄと同義である。ｒおよびｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅおよびＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅまたはＲｆどうしで環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。）
【０１６０】
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基である。
【０１６１】
また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式（III-1）および／または下記式（III-2）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（III-3）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１６２】
【化２９】
【０１６３】
（式（III-3）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｘおよびｙは、それぞれ独立に０または１を表す。）
【０１６４】
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（II）における、ＡｒａおよびＡｒｂと同様である。
【０１６５】
上記式（III-1）〜（III-3）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
【０１６６】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
【０１６７】
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１６８】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１６９】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１７０】
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１７１】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
【０１７２】
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
【０１７３】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（II）や式（III-1）〜（III-3）に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１７４】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１７５】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
【０１７６】
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
【０１７７】
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１７８】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
【０１７９】
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１８０】
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１８１】
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１８２】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１８３】
｛発光層｝
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１８４】
＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）などの電荷輸送材料を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などの電荷輸送材料をホスト材料として使用してもよい。発光材料としては、前述の本発明の有機金属錯体の説明の項で例示したものを用いることができる。また、電荷輸送材料としては、前述の本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれていてもよいものとして記載したものを用いることができる。
【０１８５】
特に、本発明の有機電界発光素子は、その発光層が、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。
【０１８６】
更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、低分子量の材料（分子量通常１００００以下、好ましくは５０００以下）を使用することが好ましい。
【０１８７】
＜発光層の形成＞
湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、発光層に用いる材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物（例えば、本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
【０１８８】
発光層５を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、上記本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶剤として説明したものと同様である。
【０１８９】
また、発光層形成用組成物中の発光材料、電荷輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
【０１９０】
発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
【０１９１】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０１９２】
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０１９３】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
【０１９４】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
【０１９５】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９６】
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
【０１９７】
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１９８】
正孔阻止層にかえて、正孔緩和層を設けてもよい。
【０１９９】
｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
【０２００】
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２０１】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２０２】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２０３】
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２０４】
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２０５】
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行うには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ３）等が挙げられる（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；Ｉ有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明 Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０２０６】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０２０７】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２０８】
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２０９】
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
【０２１０】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行うには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２１１】
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１２】
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
【０２１３】
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１４】
｛その他の層｝
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０２１５】
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０２１６】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０２１７】
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１８】
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２１９】
また、正孔阻止層６の代りに正孔緩和層を形成することもできる。
【０２２０】
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
【０２２１】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２２２】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２２３】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０２２４】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０２２５】
［有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明］
本発明の有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０２２６】
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２２７】
［合成例１：Ｉｒ錯体（Ｄ−２）の合成］
下記式で表される有機金属錯体を以下の方法で合成した。
【０２２８】
【化３０】
【０２２９】
【化３１】
【０２３０】
ｐ−ブロモヘキシルベンゼン７．３７ｇ(３０．７ｍｍｏｌ)に乾燥エーテル４４ｍｌを加え、−７８℃に冷却した。この溶液に１．６Ｍ ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液２３ｍｌ(３６．７ｍｍｏｌ)を滴下した後、約２時間かけて、徐々に室温まで昇温した。原料が消失したことを薄層クロマトグラフィーにより確認し、再度−７８℃に冷却した。その溶液に、１−クロロイソキノリン５．０ｇ(３０．７ｍｍｏｌ)の乾燥エーテル６５ｍｌ溶液を滴下した。反応液を徐々に室温まで昇温し、そのまま攪拌した（約４時間）。反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、分液し、有機層を濃縮した。得られた薄黄色オイル状の粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／エタノール系で１回、塩化メチレン／酢酸エチル系で１回）にて精製し、薄黄色オイル状の中間体である１−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)イソキノリン６．８３ｇ(収率:７７％)を得た。
【０２３１】
この中間体３．６７ｇ(１２．７ｍｍｏｌ)とグリセリン３５ｍｌを仕込み、１２０℃で約３０分脱水、脱気を行った。放冷した後、Ｉｒ(ａｃａｃ)３（ａｃａｃ：アセチルアセトン）２．０８ｇ(４．２ｍｍｏｌ)を添加し、そのまま２００℃に昇温して１８時間反応した（アセチルアセトンの留出を確認）。約６０℃まで降温し、メタノールを加えて、晶出した結晶を濾取した。得られた粗結晶をメタノールにて懸洗し、ジメチルエーテルにて再結晶を行い、濃赤色結晶の目的物であるＩｒ錯体（Ｄ−２）１．１９ｇ(収率:２７％)を得た。
【０２３２】
[合成例２：本発明のＩｒ錯体(Ｄ−２−Ｉ)の合成]
合成例１で得られたＩｒ錯体（Ｄ−２）に対し、塩基性シリカゲルでカラムクロマトグラフィーを行った後、濃縮し、乾固した後、ジメトシエタンを用いて再結晶を行った。得られた結晶を昇華精製装置を用いて、高真空下（１×１０−５Ｐａ）、２２０℃で１．５時間加熱し、低沸点成分を除去することにより、Ｉｒ錯体(Ｄ−２−Ｉ)を得た。
【０２３３】
[合成例３：比較例のＩｒ錯体(Ｄ−２−Ｇ)の合成]
合成例１で得られたＩｒ錯体Ｄ−２に対し、塩基性シリカゲルでカラムクロマトグラフィーを行った後、濃縮し、乾固した後、昇華精製装置を用いて、高真空下（１×１０−５Ｐａ）、２２０℃で２時間加熱し、低沸点成分を除去することにより、Ｉｒ錯体(Ｄ−２−Ｇ)を得た。
【０２３４】
[合成例４：比較例のＩｒ錯体(Ｄ−２−Ｈ)の合成]
合成例１で得られたＩｒ錯体（Ｄ−２）に対し、塩基性シリカゲルでカラムクロマトグラフィーを行った後、濃縮し、乾固した後、酢酸エチルを用いて熱懸洗を行った。得られた結晶を昇華精製装置を用いて、高真空下（１×１０−５Ｐａ）、２２０℃で２時間加熱し、低沸点成分を除去することにより、Ｉｒ錯体(Ｄ−２−Ｈ)を得た。
【０２３５】
［合成例５：本発明のＩｒ錯体（Ｄ−３）の合成］
【０２３６】
４−ブロモ−１−フルオロ−２−ヨードベンゼン（３.１１ｇ、１７.５ｍｍｏｌ）、４-ブチルフェニルボロン酸（５.０ｇ、１６.６ｍｍｏｌ）、トルエン（１８０ｍｌ）、およびエタノール（９０ｍｌ）の混合物にリン酸カリウム（２１.２ｇ、１００ｍｍｏｌ）水溶液（Ｈ２Ｏ ４５ｍｌ）を加え、撹拌しながら３０分窒素バブリングを行った。そこにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０.５７６ｇ、０.５ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で３.５時間撹拌した。薄層クロマトグラフィーで原料の消失を確認後、１Ｎ塩酸水溶液を加えｐＨ＝７.０にした後、トルエンで２回抽出し、有機層を飽和食塩水で１回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体２（４.８２ｇ,収率９５％）を得た。
【０２３７】
この中間体２（４.８２ｇ、１５.６９ｍｍｏｌ）と無水ジエチルエーテル（２５ｍｌ）の混合物に窒素雰囲気下でｎ−ＢｕＬｉ（ｆ（ｎ−ＢｕＬｉ濃度（ｍｏｌ／ｌ））＝１.５４、１２.２２ｍｌ、１８.８２ｍｍｏｌ）を滴下し、２.５時間撹拌した。そこに１-クロロイソキノリン（２.１６ｇ、１３.１８ｍｍｏｌ）−無水ジエチルエーテル（５ｍｌ）溶液を滴下し、１５分撹拌後、ドライアイスバスを外して室温中４時間撹拌した。ここへ飽和塩化アンモニウム溶液を加えて撹拌後、酢酸エチルで抽出し、水で１回洗浄後、飽和食塩水で１回洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧濃縮を行った。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体３（２.７５ｇ、収率５９％）を得た。
【０２３８】
次に、中間体３（２.７５ｇ、７.７４
ｍｍｏｌ）、Ｉｒ（ａｃａｃ）３（１.２６ｇ、２.５８ｍｍｏｌ）、およびグリセリン（１０ｍｌ）の混合物を、窒素雰囲気下、２１０℃で３６時間撹拌した。反応溶液を冷却し、メタノールを５０ｍｌ加え、生じた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、メタノールで再沈殿を行い、化合物Ｄ−３（３４１ｍｇ、収率７.６％）を得た。
【０２３９】
［合成例６：本発明のＩｒ錯体（Ｄ−４）の合成］
【０２４０】
酢酸カリウム（３２.２ｇ、０.３ｍｏｌ）、４−ブロモー２−クロロベンゾトリフルオライド（２５ｇ、９６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボラン（２９.４ｇ、１１６ｍｍｏｌ）、および乾燥ジメチルスルホキシド（２００ｍｌ）を仕込み、６０℃にて脱気し、［１,１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロリドジクロロメタン錯体（１:１）（１.４５ｇ、１.８ｍｍｏｌ）を加え、８０℃にて３時間反応を行った。反応液に水を加え、塩化メチレンで抽出し、有機層を水洗し、セライト濾過した。濾液を減圧濃縮し、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体４（２５.７ｇ、収率８７％）を得た。
【０２４１】
得られた中間体４（２５.７ｇ、８４ｍｍｏｌ）、１−クロロイソキノリン（１２.３ｇ、７５ｍｍｏｌ）、トルエン（１６０ｍｌ）、およびエタノール（１６０ｍｌ）の混合物に、Ｎａ２ＣＯ３（１７.７ｇ、１６７ｍｍｏｌ）水溶液（Ｈ２Ｏ８０ｍｌ）を加え、撹拌しながら１時間窒素バブリングを行った。そこにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２.９ｇ、２.５ｍｍｏｌ）を加え、２.５時間加熱還流した。反応液に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を減圧濃縮し、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体５（２２.０ｇ、収率８５％）を得た。
【０２４２】
得られた中間体５（１０ｇ、３２ｍｍｏｌ）、４-ブチルフェニルボロン酸（６.３７ｇ、３６ｍｍｏｌ）、およびトルエン（１５０ｍｌ）の混合物に、リン酸カリウム（１０.３５ｇ、４９ｍｍｏｌ）と２−ジシクロヘキシルフォスフィノ−２,６−ジメトキシビフェニル（１.４６８ｇ、３.６ｍｍｏｌ）を加え、撹拌しながら１時間窒素バブリングを行った。そこに酢酸パラジウム（０.３６５ｇ、１.６ｍｍｏｌ）を加え、３.５時間加熱還流した。反応液に水を加え、トルエンで抽出し、有機層を減圧濃縮し、濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、中間体６（１２.９ｇ、収率９８％）を得た。
【０２４３】
この中間体６（１２.９ｇ、３１.８ｍｍｏｌ）とグリセリン４０ｍｌを仕込み、１２０℃で約３０分脱水、脱気を行った。放冷した後、Ｉｒ（ａｃａｃ）３（５.２２ｇ、１０.６ｍｍｏｌ）を添加し、そのまま２００℃に昇温して反応（アセチルアセトンの留出を確認）、約６０℃まで降温し、メタノールと水を加えて、塩化メチレンで抽出した。塩化メチレン層を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ジメトキシエタン／メタノールにて再沈殿を行い、濃赤色結晶の目的物である化合物Ｄ−４（２.５ｇ）を得た。
【０２４４】
［ＬＤＩ−ＭＳ分析］
合成例２〜６で得られた各Ｉｒ錯体について、以下の方法でＬＤＩ−ＭＳ分析を行い、Ｒ（％）を算出し、結果を表１に示した。
【０２４５】
Ｉｒ錯体のトルエン（純正化学、特級）溶液をＬＤＩ−ＭＳ（ＭＡＬＤＩ−ＭＳ）専用試料プレート上に均一に塗布、風乾させて試料スポットを作製した。このようにして得られた試料プレートを装置内にセットし、減圧下にＬＤＩ−ＭＳ分析した。レーザー強度は金属錯体イオン（主ピーク）強度が検出器飽和しない程度（６×１０４シグナルカウント）になるように設定した。またレーザー照射位置についてはスペクトルが均質となるよう、試料スポットの全領域をまんべんなく照射した。
ＬＤＩ−ＭＳ測定条件は以下の通りである。
・分析装置 ： アプライドバイオシステムズ社製、Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ ＳＴＲ
・レーザー ： 窒素レーザー（３３７ｎｍ）
・検出イオン： 正イオン検出
脱配位子イオン強度（Ｉｄｅｃｏｍｐ）／金属錯体イオン強度（ＩＤ）比（Ｒ値）を以下のように算出した。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
【０２４６】
【表１】
【０２４７】
［実施例１：有機電界発光素子の作製］
図１に示す有機電界発光素子を作製した。
【０２４８】
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２４９】
まず、正孔輸送性化合物として構造式（Ｐ１）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子化合物（重量平均分子量：２６５００，数平均分子量：１２０００）、電子受容性化合物として構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートおよび安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。この組成物中、正孔輸送性高分子化合物（Ｐ１）は２．０重量％、電子受容性化合物（Ａ１）は０．８重量％であった。この組成物をスピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、大気中にて陽極上にスピンコートにより成膜した。その後、大気中で２３０℃、３時間加熱乾燥することにより、膜厚３０ｎｍの正孔注入層３を得た。
【０２５０】
【化３２】
【０２５１】
引き続き、正孔輸送性化合物として以下の構造式に示す架橋性化合物（重合体）Ｈ１（重量平均分子量：９５０００）および溶剤としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。組成物中の架橋性化合物の固形分濃度は０．４重量％とした。この組成物を上記形成した正孔注入層３上に、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、窒素中でスピンコート法により成膜して、窒素中、２３０℃で１時間加熱により架橋させて膜厚２０ｎｍの架橋膜（正孔輸送層４）を形成した。
【０２５２】
【化３３】
【０２５３】
次に、発光層を形成するにあたり、以下の構造式に示す電荷輸送材料（Ｅ−１）、電荷輸送材料（Ｅ−２）、上記合成例２で合成した本発明のＩｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）および溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを含有する発光層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製した。組成物中、電荷輸送材料（Ｅ−１）は２．５重量％、電荷輸送材料（Ｅ−２）は２．５重量％、Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）は０．２５重量％とした。この組成物を上記形成された正孔輸送層４上に、スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒、窒素中で、スピンコート法により成膜した後、減圧下（０．１ＭＰａ）、１３０℃で、１時間乾燥させ、膜厚５０ｎｍで発光層５を得た。
【０２５４】
【化３４】
【０２５５】
ここで、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５を成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が５．１×１０−４Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、下記構造式（Ｃ−３）で表される化合物を真空蒸着法によって、発光層５の上に成膜し、膜厚５ｎｍの正孔阻止層６を得た。蒸着速度は０．７〜１．０Å／秒の範囲で制御し、蒸着時の真空度は１．９〜２．０×１０−４Ｐａであった。
【０２５６】
【化３５】
【０２５７】
続いて、以下の構造式に示すトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（ＨＢ−１）を加熱して、正孔阻止層６上に蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を成膜した。蒸着時の真空度は１．３×１０−４Ｐａ、蒸着速度は０．６〜１．０Å／秒の範囲で制御した。
【０２５８】
【化３６】
【０２５９】
ここで、電子輸送層７まで蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して上記電子輸送層７と同様にして装置内の真空度が２．１×１０−４Ｐａ以下になるまで排気した。電子注入層８として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０７〜０．１７Å／秒、真空度２．３〜２．４×１０−４Ｐａで制御し、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。
【０２６０】
次に、陰極９としてアルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．７〜６．１Å／秒、真空度２．３〜２．７×１０−４Ｐａで制御して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成した。以上の２層の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２６１】
引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため封止処理を行った。以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
【０２６２】
素子の発光スペクトルの極大波長は５２０ｎｍであり、Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）からのものと同定された。色度はＣＩＥ（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。
この素子を２０００ｃｄ／ｍ２で駆動した場合の、初期輝度が５０％に減少するまでの時間（半減寿命）を測定した。
【０２６３】
［比較例１］
Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）の代りに、合成例３で得られた比較例のＩｒ錯体（Ｄ−２−Ｇ）を用いる以外、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製し、同様に半減寿命の測定を行った。
【０２６４】
［比較例２］
Ｉｒ錯体（Ｄ−２−Ｉ）の代りに、合成例４で得られた比較例のＩｒ錯体（Ｄ−２−Ｈ）を用いる以外、実施例１と同様にして、有機電界発光素子を作製し、同様に半減寿命の測定を行った。
【０２６５】
［実施例２：有機電界発光素子の作製］
図１に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
【０２６６】
ガラス基板１の上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１５０ｎｍの厚さに堆積したもの（スパッタ成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２６７】
次いで、正孔注入層を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層の材料として、下記式（ＰＢ−１）の芳香族アミノ基を有する高分子化合物（重量平均分子量：５２０００，数平均分子量：３２５００））と、電子受容性化合物として、実施例１で用いた前記構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートとを用い、下記の条件でスピンコートした。
【０２６８】
【化３７】
【０２６９】
＜正孔注入層形成用組成物＞
溶剤 安息香酸エチル
組成物中濃度 ＰＢ−１ ２．０重量％
Ａ１ ０．４重量％
＜成膜条件＞
スピナ回転数 ２２５０ｒｐｍ
スピナ回転時間 ３０秒
スピンコート雰囲気 大気下 ２５℃
乾燥条件 ２３０℃×６０分
上記のスピンコートにより、膜厚４０ｎｍの均一な薄膜よりなる正孔注入層３が形成された。
【０２７０】
続いて、正孔輸送層４を以下のように湿式成膜法によって形成した。
正孔輸送層４の材料として、下記に示す構造式の電荷輸送材料（ＰＢ−２）を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを用いた正孔輸送層形成用組成物を調製し、この正孔輸送層形成用組成物を用いて下記の条件でスピンコートした。
【０２７１】
【化３８】
【０２７２】
＜正孔輸送層形成用組成物＞
溶剤 シクロヘキシルベンゼン
組成物中濃度 ＰＢ−２ １．４重量％
＜成膜条件＞
スピナ回転数 １５００ｒｐｍ
スピナ回転時間 １２０秒
スピンコート雰囲気 乾燥窒素中 ２５℃
乾燥条件 ２３０℃×６０分
（乾燥窒素下）
上記のスピンコートにより、膜厚２０ｎｍの均一な薄膜よりなる正孔輸送層４が形成された。
【０２７３】
次に、発光層５を形成するにあたり、電荷輸送材料として、以下に示す、化合物（ＨＯ−１）、及び化合物（ＨＯ−２）、並びに、発光材料として、以下に示す、化合物（Ｄ−５）と、前記合成例５で合成した本発明のＩｒ錯体（Ｄ−３）を用いて、以下に示す発光層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製し、以下に示す条件で正孔輸送層４上にスピンコートして、膜厚６０ｎｍの発光層５を得た。
【０２７４】
【化３９】
【０２７５】
＜発光層形成用組成物＞
溶剤 シクロヘキシルベンゼン
組成物中濃度 ＨＯ−１： １．２５重量％
ＨＯ−２： ３．７５重量％
Ｄ−５： ０．２５重量％
Ｄ−３： ０．３５重量％
＜スピンコート条件＞
スピナ回転数 ２０００ｒｐｍ
スピナ回転時間 １２０秒
乾燥条件 １３０℃×６０分（減圧下）
【０２７６】
ここで、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５を成膜した基板を真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が５．１×１０−４Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気した後、実施例１で用いた前記構造式（Ｃ−３）で表される化合物を真空蒸着法によって、発光層５の上に成膜し、膜厚１０ｎｍの正孔阻止層６を得た。化合物（Ｃ−３）のるつぼ温度は２５１〜２５２℃、蒸着速度は０．０８〜０．１２ｎｍ／秒の範囲で制御し、蒸着時の真空度は２．１〜２．４×１０−４Ｐａ（約１．６〜１．８×１０−６Ｔｏｒｒ）であった。
【０２７７】
続いて、実施例１で用いた前記トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（ＥＴ−１）を加熱して、正孔阻止層６上に蒸着を行い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層７を成膜した。この時のトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（ＥＴ−１）のるつぼ温度は２２２〜２３９℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は１．７〜２．０×１０−４Ｐａ（約１．３〜１．５×１０−６Ｔｏｒｒ）、蒸着速度は０．１ｎｍ／秒とした。
【０２７８】
上記の正孔阻止層６および電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０２７９】
ここで、電子輸送層７まで蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して上記電子輸送層７と同様にして装置内の真空度が２．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．０×１０−４Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０２８０】
次に、電子輸送層７の上に、電子注入層８として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０１５ｎｍ／秒、真空度２．５×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．３×１０−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で成膜した。
【０２８１】
次に、電子注入層８の上に、陰極９として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．５〜３．０ｎｍ／秒、真空度３．３〜７．５×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．４〜１０．０×１０−４Ｐａ）で成膜して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極９を完成させた。
【０２８２】
以上の電子注入層８、陰極９の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２８３】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
素子の発光スペクトルの極大波長は６０３ｎｍであり、Ｉｒ錯体（Ｄ−３）からのものと同定された。
この素子について、実施例１と同様にして半減寿命を測定した。
【０２８４】
［実施例３］
実施例１において、発光層を形成する際に用いた化合物（Ｄ−３）を、前記合成例６で合成した本発明のＩｒ錯体（Ｄ−４）に変更した以外は、実施例２と同様にして有機電界発光素子を作製し、同様に半減寿命の測定を行った。
【０２８５】
表２に各有機電界発光素子の半減寿命を、比較例１の有機電界発光素子の半減寿命とした場合の相対値で示した。
表２には、用いたＩｒ錯体のＲ値を併記した。
【０２８６】
【表２】
【０２８７】
表２より、本発明の金属錯体を用いて、長寿命の有機電界発光素子を得ることができることが分かる。
【符号の説明】
【０２８８】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極
１０ 有機電界発光素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、
下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする、金属錯体。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【請求項２】
該金属錯体に含まれる金属が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＡｕおよびＲｅからなる群より選ばれる金属であることを特徴とする、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
該金属錯体が、分子内に、置換基を有していてもよいアルキル基を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の金属錯体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体および溶剤を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項５】
陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層が請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】
請求項５に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【請求項１】
有機電界発光素子に用いられる金属錯体であって、
下記式で算出されるレーザー脱離イオン化質量分析におけるＲ値（％）が、１２以下であることを特徴とする、金属錯体。
Ｒ値（％）＝Ｉｄｅｃｏｍｐ／ＩＤ×１００
ここで、Ｉｄｅｃｏｍｐは脱配位子イオン強度を表し、ＩＤは金属錯体イオン強度を表す。
【請求項２】
該金属錯体に含まれる金属が、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、ＡｕおよびＲｅからなる群より選ばれる金属であることを特徴とする、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
該金属錯体が、分子内に、置換基を有していてもよいアルキル基を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の金属錯体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体および溶剤を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項５】
陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子であって、該発光層が請求項１ないし３のいずれか１項に記載の金属錯体を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
【請求項７】
請求項５に記載の有機電界発光素子を有することを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【図１】
【公開番号】特開２０１０−２０９３１７（Ｐ２０１０−２０９３１７Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２１６７（Ｐ２０１０−２２１６７）
【出願日】平成２２年２月３日（２０１０．２．３）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月３日（２０１０．２．３）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]