電子構成素子ならびに電気コンタクト
本発明は、電子構成素子（１００）に関しており、この電子構成素子は、基板（１）と、この基板（１）上に配置された第１電極（３）と、この基板側を向いた電極（３）の面の成長層（７）とを有しており、成長層（７）上に配置された電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、また上記の成長層（７）は、10nm以下の厚さを有する。本発明はまた電子コンタクトに関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成長層に配置した、金属層を含む電極を有する電子構成素子と、電気コンタクトに関する。
【０００２】
本願は、独国特許出願第10 2009 034 822.0号に優先権を主張するものであり、その開示内容を引用によってここに取り入れるものとする。
【０００３】
面積の大きな応用では、例えばオプトエレクトロニクス構成素子などの電子構成素子の薄い電気コンタクトは、殊にカバーコンタクトとして良好に電流が流れること、ないしは良好な導電率を前提としており、また場合によっては十分な透明度を前提としている。
【０００４】
本発明の課題は、従来技術よりも厚さを薄くし、また場合によっては透明度を改善した、金属層を有する電極を備えた電子構成素子を提供することである。
【０００５】
本発明のこの課題は、請求項１の特徴部分に記載された特徴的構成を有する電子構成素子ならびに請求項１５の特徴部分に記載された特徴的構成を有する電気コンタクトによって解決される。従属請求項には電子構成素子の別の実施形態が示されている。
【０００６】
本発明による電子構成素子は、基板と、この基板上に配置された少なくとも１つの第１電極と、この基板側を向いた電極の面上の成長層とを有する。この成長層上に配置される電極は、30nm以下の厚さの金属層を有しており、またこの成長層は、10nm以下の厚さを有する。
【０００７】
本発明において使用される「基板」は、例えば従来技術において電子構成素子に慣用的に使用されている基板である。この基板には、透明基板を含めることが可能である。しかしながら透明でない基板とすることも可能である。例えばこの基板は、ガラス、石英、サファイア、プラスチックシート、金属、金属シート、シリコンウェーハまたは別の適当な基板材料を含むことができる。金属基板はふつう、その上に上記の成長層が直接配置されない場合にだけ使用される。本発明において基板とは、例えば上記の電子構成素子を製造する際に後に別のすべての層が被着される層のことであると理解されたい。このような後続の層は、例えばオプトエレクトロニクス構成素子またはビーム放射装置においてビーム放射に必要な層とすることができる。
【０００８】
上記の「第１電極」は、アノードまたはカソードすることが可能である。
【０００９】
本発明で使用される「成長層」という概念は、（以下では成長電極とも称される）金属層を含む電極に配置される層を示す。
【００１０】
この成長層は、つぎのような材料から構成することができるかまたはつぎのような材料を含むことができる。すなわちこの材料は、例えば金属酸化物のような透明な導電性酸化物から選択され、これらの酸化物は、例えば亜鉛酸化物、すず酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物、またはインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ），Zn2SnO4，CdSnO3，ZnSnO3，MgIn2O4，GaInO3，Zn2In2O5またはIn4Sn3O12または種々異なる透明な導電性酸化物の混合物である。
【００１１】
ラテラル方向の電流の流れに対する上記の成長層の寄与は、多くの場合に無視することができる。
【００１２】
上記の成長層は極めて薄い層であるため、この層は必ずしも導電性でなくてよい。したがって上記の成長層は、Al2O3，WO3，Re2O7などの誘電体酸化物を有するかまたはこのようなものから構成することができる。
【００１３】
上記の成長層は、例えば、熱蒸着、電子ビーム蒸着、レーザビーム蒸着、アーク蒸着、分子ビームエピタキシまたはこれに類するものなどの物理的な気相成長によって、イオンビーム支援のデポジョンなどのスパッタおよびこれに類するものによって、またはプラズマ支援の化学気相成長およびこれに類するものなどの化学気相成長、イオンクラッディングによって、または原子層デポジョンおよびこれに類するものによってデポジットすることができる。
【００１４】
上記の成長層の表面は、殊に有利に準備されるかまたは設計されて、この上にデポジットすべき金属層が均一ないしは一様にデポジットできるようにされる。１つの実施形態では、上記の成長層の表面は、非晶質または実質的に非晶質な構造、ないしは非晶質または実質的に非晶質な表面を有する。完全なアモルファス構造は、例えば、Ｘ線回折（ＸＲＤ吸収）によって確認することができる（ここでは離散ブラッグ反射は含まれない）。
【００１５】
ここで使用される「金属層」という語は、実質的または完全に金属から形成される層のことを示す。この金属層は、上記の成長層の上に直接配置される。この金属層は、成長層の上に成長させることができる。この金属層の厚さは、30nm以下であり、例えば9nmと10nmとの間である。
【００１６】
この金属層は、15nm以下の厚さを有することができ、例えば12nm以下である。
【００１７】
例えば金属層の透明性が問題となる本発明の実施形態では、この金属層の厚さは、例えば14nm以下、殊に11nm以下とすることができる。Ag層またはAg合金からなる層（例えばAg-Sm合金からなる層）を有する金属層の厚さは、14nm以下、殊に11nm以下、例えば約9nmと約10nmとの間とすることができる。
【００１８】
上記の成長電極は、金属層からなるか、ないしは１つまたは別の層または機能層を含むことができる。
【００１９】
上記の成長電極の金属層には、有利には少なくとも１つの金属が含まれており、ここでこの金属は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムならびにこれらの組み合わせからなるグループから選択される。上記の金属層は択一的に、上で挙げた１つの金属、またはこの金属との化合物から構成するか、またはこれらの金属のうちの複数の金属、例えばその合金から構成することができる。
【００２０】
上記の成長電極は、透明および不透明な電子光学式構成部材または電気光学式構成部材に使用することができる。上記の成長層に配置される成長電極は、カバーコンタクト、基板コンタクトおよび／または中間コンタクトとして使用可能である。
【００２１】
本発明による電子構造部材は、例えば光電子構成部材、殊に有機電子構成部材として、例えば太陽電池として、フォトトランジスタ、発光ダイオードおよびこれに類似するものとして実施することができるが、これらに限定されることはない。
【００２２】
ここで使用される「層」という語は、個別の層または薄い複数の層からなる積層体を示し得る。例えば上記の機能層、例えば有機機能層は、複数の層から構成することができる。上記の金属層および成長層は、多くの場合に一つの層である。
【００２３】
ここで使用される「上下に配置されている」という語が意味するのは、１つの層が、別の１つの層に直接的に機械的および／または電気的に接触接続して直に配置されていることである。１つの層は、別の１つの層の上に間接的に配置することも可能であり、この場合にはこれらの層の間に別の層が存在し得る。これらの層は、上記の電子構成部材の上記の機能ひいては効率をさらに改善するために使用可能である。上記の金属層はふつう、上記の成長層の上に直接配置される。
【００２４】
本発明によって上記の電子構成部材に設けられる、成長層と金属層との上記の組み合わせにより、有利にも極めて薄くまた同時に導電性のあるコンタクトを提供することができ、ここでこのコンタクトは、（必要な場合には）付加的に高い透過率で構成することも可能である。
【００２５】
上記の薄い成長層に金属層をデポジットすることにより、上記の成長電極を有利にも一様、平坦かつ実施的に均一に構成することができる。この成長電極は、殊にこの理由から、従来技術によるものに比べて格段に薄く実施することができる。これにより、（15Ω／□の導電率を有する透明導電性酸化物か、または少なくとも20nmの厚さを有する薄い金属層からなる従来技術において使用されていた透明コンタクトとは異なり）有利にも、面積の大きな使用においても高い透過率および良好な電流の流れを得ることができる。
【００２６】
したがって透過率が重要である本発明による電子構成部材の場合、有利にも透明な金属コンタクトの透過率と導電率との間で妥協を行うことできる。それは、上記の成長層にデポジットされる金属層は、有利にも十分に薄く、平坦かつ一塊で形成することができ、これによって例えば十分な導電率と提供できると同時に卓越した透過率を提供できるからである。
【００２７】
上記のビーム放射装置の別の実施形態は、従属請求項に記載されている。
【００２８】
本発明による電子構成部材の別の１つの実施形態では、上記の成長層は、例えば1nmないし8nmの厚さを有する。上記の成長層は、有利には3nmないし3.5nmの厚さを有する。所定の実施形態において、1.5nm以上の厚さが有利になり得る。上記の成長層の厚さは、所定の実施形態において、例えば7nm以下とすることできる。
【００２９】
本発明による電子構成部材の１つの実施形態において、上記の成長層は、インジウムがドーピングされた酸化すず（ＩＴＯ）からなる層、およびアルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛(ＡＺＯ）なる層から選択される。
【００３０】
本発明による電子構成部材の１つの発展形態において、上記の金属層は、±10%の厚さの均一性を有し、また±5%にも達する厚さの均一性を有することも多い。
【００３１】
ここで使用される「厚さの均一性」という語が意味するのは、上記の金属層が、その実質的な長さまたは完全な長さにわたってほぼ一定の厚さ、すなわち例えば±10%の最大偏差の厚さを有し得ることである。これは、例えば殊に、上記の金属層の下に配置される（薄い）成長層によって達成することができる。
【００３２】
したがって「30nmの厚さ」の金属層の最大厚さは、例えば最大で33nmをとることができ、「12nmの厚さの」金属層の最大の厚さは、例えば最大13.2nmをとることできるのである。
【００３３】
本発明の別の１つの実施形態において、上記の成長層における上記の成長電極の表面抵抗率は、6Ω／□以下である。この表面抵抗率は、殊に5Ω／□以下をとり得る。例えばこの表面抵抗率は、4Ω／□と5Ω／□との間をとり得る。
【００３４】
ここで使用される「表面抵抗率」という語は、厚さを基準にした層の等方性の固有抵抗のことを示す。この表面抵抗率は、例えば４点法によって測定することができる。択一的には固有ファンデルポー法によって表面抵抗率を測定することも可能である。
【００３５】
したがって上記の表面抵抗率は、有利にも、相応の電極層を有する従来技術においてこれまでふつうであった表面抵抗率よりも小さくすることができる。ここで従来技術の電極層は、本発明による成長層とは異なる別の基板上にデポジットされていた。本発明による上記の装置によって有利にも可能になるのは、（オプトエレクトロニクス構成素子において透過率が十分に高い場合）上記の薄い成長電極の均一な電流の流れを達成することである。
【００３６】
別の１つの実施形態において、本発明による上記の電子構成素子は、有機電子構成素子であり、さらに第２電極、ならびに上記の第１電極とこの第２電極との間に配置された少なくとも１つの有機機能層を有する。
【００３７】
この有機電子構成素子は、例えばオプトエレクトロニクス構成素子ないしビーム放射層である。
【００３８】
上記の「第１電極」は、アノードにすることが可能である。この電極は、正孔注入機能を有することできる。
【００３９】
上記の「第２電極」は、カソードにすることが可能である。第１電極および第２電極は、有利には電気的に接触接続される。
【００４０】
上記の成長層上に配置される電極は、（上で示したように）成長電極とも称される。この成長電極は、アノードまたはカソードとして設けることができるかまたはその一部として構成することができる。わかりやすくするため、本発明ではつねに、ちょうど１つの成長電極を有する装置のことだけについて述べる。しかしながら２つの電極が、金属層が直接配置された１つの成長層を有することも可能である。
【００４１】
成長層上に配置されていない上記の電極は、つぎのような材料から構成することができるか、または材料を含むことができる。すなわちこの材料は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムなどの金属ならびにこれらの組み合わせまたはこれらの化合物、例えば合金、ならびに例えば金属酸化物のような透明な導電性酸化物から選択される。これらの金属酸化物は、例えば亜鉛酸化物、すず酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物またはインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ），Zn2SnO4，CdSnO3，ZnSnO3，MgIn2O4，GaInO3，Zn2In2O5またはIn4Sn3O12または種々異なる透明な導電性酸化物の混合物である。
【００４２】
「有機機能層」には、例えば蛍光性および／またはリン光性のエミッタを有する発光層を含むことができる。
【００４３】
本発明による電子構成素子ないしは本発明のビーム放射装置に使用できるエミッタ材料の例には、有機化合物または有機金属化合物が含まれており、これには、ポリフルオレン、ポリチオフェンおよびポリフェニレン（例えば２−または２，５−置換ポリpフェニレンビニレン）の誘導体ならびに金属錯体、例えばイリジウム錯体があり、例えば青色のFIrPic（ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）−イリジウムIII），緑色のリン光性のIr(ppy)3（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムIII），赤色のリン光性Ru（dtb-bpy）3＊２（PF6)（トリス［４，４'−ジ−ｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（III）錯体）ならびに青色の蛍光性のDPAVBi（４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリラミノ）スチリル］ビフェニル），緑色の蛍光性のTTPA（９，１０−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ−（ｐ−トリル）−アミノ］アントラセン）および赤色の蛍光性のDCM2（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン）が非ポリマエミッタとして含まれている。このような非ポリマエミッタは、例えば、熱蒸着によってデポジット可能である。さらに殊に、例えばスピンコーティングなどの湿式化学法によってデポジット可能なポリマエミッタを使用可能である。
【００４４】
上記のエミッタ材料は、適当な方法でマトリクス材料に埋め込むことができる。
【００４５】
上記の電子構成素子のエミッタ層のエミッタ材料は、例えば、この電子構成素子が白色光を発光するように選択することができる。上記のエミッタ層は、複数の異なる色（例えば青色および黄色、または青色、緑色および赤色）を発光するエミッタ材料を含むことができ、択一的にはこのエミッタ層を複数の部分層から構成することも可能であり、青色の蛍光性のエミッタ層、緑色のリン光性エミッタ層および赤色のリン光性エミッタ層の複数の部分層から構成することも可能である。上記の種々異なる色を混ぜることにより、白色の色印象を有する光を結果的に発光することができる。択一的には、上記の層によって形成される１次発光のビーム路に変換材料を配置することも可能であり、この変換材料は、この１次ビームを少なくとも部分的に吸収して別の波長の２次ビームを発光し、これによって（まだ白色でない）１次ビームから、１次ビームと２次ビームとを組み合わせることにより、白色の色印象が得られるのである。
【００４６】
上記の電子構成素子層には一般的に別の有機機能層が含まれており、これらの層は、上記の機能をさらに改善し、ひいてはこの電子構成素子の効率をさらに改善するために使用される。
【００４７】
例えば、第１電極および／または第２電極の上記の機能および効率ならびに電荷担体輸送およびエキシトン輸送を改善するのに使用される有機機能層を選択することができる。
【００４８】
上記の電子構成素子は、「ボトムエミッタ」および／または「トップエミッタ」として実施することができる。
【００４９】
本発明の１つの実施形態において上記の成長層は、有機機能層と成長電極との間に配置される。ここで上記の成長電極は、カソードすることが可能である。
【００５０】
上記の成長層および成長電極の配置構成は、トップエミッタに対する透明なカバーコンタクトを構成することができる。
【００５１】
本発明の別の１つの実施形態において上記の成長層は、上記の基板と、基板側の電極（すなわち基板との間隔が小さい方の電極）との間に成長電極として配置されている。ここでこの成長電極は、アソードすることが可能である。この基板は、有利にはガラス、石英、サファイア、プラスチックシートおよびこれらに類似するものなどの透明な基板とすることが可能である。
【００５２】
上記の成長層および成長電極の配置構成は、ボトムエミッタに対する透明な基板コンタクトを構成することができる。
【００５３】
まったく一般的にはトップエミッタまたはボトムエミッタにおいて、上記のビーム放射装置の一方の電極を本発明による成長電極の形態で透明に実施し、また他方の電極を反射形に実施することができる。これとは択一的に２つの電極を透明に実施することも可能である。
【００５４】
したがって上記の成長電極の金属層は、殊に透明な薄膜コンタクトを構成するのである。
【００５５】
ここで使用される「ボトムエミッタ」という語は、電子構成素子の基板側に向かって透明に実施されている１実施形態を示している。殊にこのために少なくとも上記の基板、第１電極、およびこの基板と第１電極との間に配置される成長層を透明に実施することができる。これによれば、ボトムエミッタとして実施される電子構成素子は、例えば、有機機能層において形成されるビームをこの電子構成素子の基板側に放射することができる。
【００５６】
これとは択一的または付加的に本発明による電子構成素子を「トップエミッタ」として実施することができる。ここで使用される「トップエミッタ」という語は、上記の電子構成素子の第２電極側に向かって透明に実施されている１実施形態を示している。このため、例えば上記の成長層および成長電極を基板とは離れた側に配置して透明に実施することができる。これによれば、トップエミッタとして実施される電子構成素子は、例えば、有機機能層において形成されるビームをこの電子構成素子の、基板とは離れた側に放射することができる。
【００５７】
上記の成長層および金属層がカバーコンタクトして設けられておりかつ本発明のトップエミッタとして構成されている電子構成素子は有利にも、光出力結合度が高くまたビーム密度の角度依存性が極めて小さい。本発明によるビーム放射装置は有利には、例えば空間照明などの照明に使用することができる。
【００５８】
ボトムエミッタおよびトップエミッタからなる組み合わせも同様に可能である。このような実施形態において上記の電子構成素子は一般に、上記の有機機能層において形成した光を２つの方向に、すなわち基板側に向かって、またこの基板とは離れた側に向かって放射することできる。
【００５９】
本発明の別の１つの実施形態において、第１電極と第２電極との間に少なくとも１つの第３電極が配置されており、また上記の成長層が、第３電極の基板側を向いた面に配置されている。
【００６０】
この「第３電極」は中間コンタクトとして機能することができる。この電極は、上の電子構成素子の層を通過する荷電担体輸送を増大させ、ひいてはこの電子構成素子の効率を有利に改善するために使用することができる。この第３電極は、同時二極性の層として構成することが可能である。すなわち第３電極はカソードまたはアノードとして構成することができるのである。この場合にこの実施形態の成長層および成長電極の配置構成により、透明な中間コンタクトが形成される。第１および第２電極と同様に第３電極は電気的に接触接続している。
【００６１】
本発明の電子構成素子の１つの発展形態において、有機機能層としてエミッタ層が含まれており、また１つまたは複数の別の有機機能層が含まれている。これらの別の有機機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層および電子阻止層からなるグループから選択することできる。
【００６２】
適切な機能層および適切な有機機能層は、当業者には公知である。上記の（有機）機能層は有利には熱蒸着によってデポジットされる。上記の別の（有機）機能層により、上記の電子構成素子の機能性および／または効率が有利にも改善される。
【００６３】
本発明の別の１つの実施形態において上記の電子構成素子は、有機発光ダイオード（OLED）として構成される。
【００６４】
上記の電子構成素子の１つの実施形態においてこの電子構成素子は、実質的にランバート放射特性を有する。
【００６５】
本発明において使用される「ランバート放射特性」は、いわゆるランバート発光器の理想的な放射特性を示している。
【００６６】
ここでいう「実質的な」ランバート放射特性とは、殊に式
Ｉ(Θ)＝Ｉ0・cosΘ
にしたがって計算される放射特性のことであり、ここでＩ0は、面の法線を基準にした強度であり、Θは、面の法線に対する角度を示しており、与えられた角度に対し、殊に−７０°と＋７０°との間の角度において、与えられたすべての角度Θに対し、上で挙げた式による強度から１０％以上偏差しない。すなわちＩ(Θ)＝Ｉ0・cosΘ・ｘ、ただしｘ＝９０％ないし１１０％である。
【００６７】
これによって有利にも本発明による電子構成素子の、すべての方向に向かって一定なビーム密度ないしは輝度を達成することができるため、この電子構成素子は、すべての方向において同じ明るさに見えるのである。この電子構成素子の明るさは有利にも、視線に対して傾いた場合であっても変化しない。
【００６８】
別の１つの実施形態において上記の電子構成素子の透過率は、６０％以上である。この透過率は有利には６５％以上である。上記の透過率は、強度測定によって測定され、ここでこれは、あらかじめ定めた波長領域をサンプリングし、上記のビーム放射装置を通って進む光量を検出することによって行われる。
【００６９】
ここで使用される「透過率」という語は、本発明による電子構成部材の、電磁波（殊に可視光）を通過させる個別層の能力を示している。
【００７０】
本発明による電子構成素子の透過率はふつう、少なくとも１つの具体的な波長に対して少なくとも60％以上であり、有利には65％以上である。殊に約400nmないし約450nmの波長領域における少なくとも１つの波長に対する透過率は、60％以上でありまた有利には65％以上である。
【００７１】
したがって上記の成長層および成長電極の本発明による配置構成によって有利にも、十分な電流の流れと同時に、従来技術に対して改善された透過率を提供することができるのである。
【００７２】
本発明の別の１実施形態において上記の成長層は、スパッタリングによってデポジットされる。この成長層は、殊に対向ターゲット式スパッタ法または中空カソードスパッタ法によってデポジットすることができる。
【００７３】
ここで使用される「対向ターゲット式スパッタ法」という語は、一塊のエピタキシャル層を得ることができる１ステッププロセスを示している。
【００７４】
ここで使用される「中空カソードスパッタ法」という語は、中空カソードスパッタ装置を使用したスパッタ法を示しており、ここでこの中空カソードスパッタ装置は、ターゲット材料からなる中空カソードを有する。ふつう1 Pa未満の圧力において行われるスパッタ法に比べて、上記の中空カソードスパッタ法では上記の成長層の特性が改善される。それは有利にも、エネルギの高くターゲットから反射される中性子による上記の層の打ち込みが、実際には行われないからである。
【００７５】
対向ターゲット式スパッタ法または中空カソードスパッタ法によってデポジットされる上記の成長層はふつう、実質的にアモルフォスな形姿ないしは実質的にアモルフォスな表面を有する。このようなアモルフォスな表面には殊に良好に薄い金属層をデポジットすることができ、これによって有利にも、本発明による電子構成素子用の透明なコンタクトを得ることができる。スパッタ法によってデポジットされる層はふつう、複数の閉じ込めを有しており、これらの閉じ込めには、上記のスパッタ法に使用されたプロセスガス（例えばアルゴン）が含まれている。
【００７６】
上記の成長層をデポジットするためにスパッタ法を使用することによって有利にも、高い温度において熱蒸着によって発生し得る化学量論的でない層を回避することができる。ここで反応性のスパッタ法においてコーティング時間が増大するのに伴って発生し得る、スパッタプラズマからの種々異なる影響による下の層の損傷は、本発明によって設けられた極めて薄い成長層によって回避することができる。したがってスパッタ法による上記の成長層のデポジットによって有利にも、この成長層の損傷のないデポジットおよび／または化学量的なデポジットを達成することができるのである。このことは殊に、コーティングの影響を受け易い構造の場合に有利になり得る。この構造は、例えば、有機発光ダイオードにおいて設けられる。
【００７７】
本発明の別の１つの実施形態において上記の金属層は、上記の成長層の後時間に直後にデポジットされる。
【００７８】
ここで使用される「時間的に直後に被着される」または好ましくは「相前後して被着される」という語が意味するのは、上記の電子構成素子の作製プロセス中、上記の金属層が、上記の成長層の時間的な直後にデポジットされることであり、これは、例えば反応器を交換することなく、または成長層をデポジットした後の１日以上経過することなく行われる。
【００７９】
上記の成長層上に金属層を直接デポジットすることにより、この成長層の経年変化を予防することができ、殊に、例えば非晶質な表面の経年変化が発生しないかまたはわずかな経年変化しか発生せず、これにより、その非晶質な形姿を維持して上記の金属層を有利にデポジットすることができる。
【００８０】
本発明による上記の電子構成素子はさらに別の複数の機能層を有することができ、これら機能層には、例えば反射防止層、散乱層、光の色を変換するための層および／または機械的な保護層が含まれる。これらのような層は、例えば上記の成長電極の金属層上に配置することができる。これらの機能層は有利には熱蒸着によってデポジットすることができる。これらの層により、上記のビーム放射装置の機能および効率をさらに改善することができる。
【００８１】
本発明の課題はさらに、請求項１５の特徴部分に記載された電気コンタクトによって解決される。
【００８２】
本発明による電子コンタクトは、電子構成部材にないしは電子構成部材と共に使用するのに適している。
【００８３】
本発明による電気コンタクトは、基板と、この基板上に配置された第１電極と、この電極の基板側を向いた面に成長層とを有しており、ここで成長層上に配置される電極は、30nm以下の厚さを有する金属層を有しており、また上記の成長層は、10nm以下の厚さを有する。ここでこの成長層は、例えば上記の基板上に直接配置される。
【００８４】
本発明による電気コンタクトにより、本発明による電子構成部材によって達成可能な実質的にすべての利点がすでに達成できるため、別の実施形態については繰り返しを避けるため、これについては上記の説明を参照されたい。
【００８５】
以下では添付の図面を参照し、複数の実施形態に基づいて本発明を説明する。図において同一の参照番号は同一の構成要素ないし同様に作用する構成要素を表す。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１実施形態による電子構成部材を簡略化した部分側面断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態による電子構成部材を簡略化した部分側面断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態による電子構成部材を簡略化した部分側面断面図である。
【図４】ガラス基板上にデポジットした薄い銀層をＲＥＭ撮影した図である。
【図５】従来の有機基層上にデポジットした薄い銀層をＲＥＭ撮影した図である。
【図６】本発明にしたがってＩＴＯ成長層上にデポジットされた薄い銀層をＲＥＭ撮影した図である。
【図７】図３ないし５の銀層の透過率を測定した結果を示すグラフである。
【図８】本発明による電気光学構成素子の放射特性を示す図である。
【００８７】
図に基づいて例示的に示した以下の複数の実施形態では、本発明による電子構成素子をビーム放射装置として、殊にOLEDとして説明する。
【００８８】
図１には、本発明の第１実施形態による電子構成部材１００の簡略化された側面図が略示されており、ここでこれはトップ／ボトムエミッタとして構成されている。
【００８９】
例えばガラス基板である基板１の上には第２電極１１が配置されている。第２電極１１は、例えばアノードとすることでき、また例えばインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）から構成することできる。
【００９０】
第２電極１１には、例えば蛍光性および／またはリン光性のエミッタ層である有機機能層５が配置されている。
【００９１】
有機機能層５の上には成長層７が配置されている。成長層７は、厚さを例えば３ｎｍとすることができ、また対向ターゲット式スパッタ法によってデポジットされる。
【００９２】
成長層７上には、例えば10nmの厚さを有する金属層９の形態の成長電極が第１電極３としてデポジットされる。金属層９は、例えばスパッタ法によってデポジットすることができる。第２電極１１がアノードの場合、金属層９を含む第１電極３はカソードである。本発明において成長層７は、基板１側を向いた第１電極３の面に配置される。
【００９３】
図２には、本発明の第２実施形態による電子構成部材１００の簡略化された側面図が略示されており、ここでこれはボトムエミッタとして構成されている。
【００９４】
例えばガラス基板である基板１上には成長層７が配置されており、また成長層７上には、金属層９の形態の成長電極が第１電極３として配置されている。この第１電極３は、アノードとして構成することが可能である。
【００９５】
本発明において成長層７は、基板１側を向いた第１電極３の面に配置される。成長層７は有利にはつぎのようなことを目的として使用される。すなわち、成長電極を載置される表面を改善することを目的として、すなわち、金属層９を薄く、平坦かつ均一にデポジットして、電子構成素子１００の電流の流れを改善しかつその透過率を改善できるように処理することを目的として使用されるのである。
【００９６】
金属層９上には有機機能層５が配置されている。有機機能層５は、エミッタ層を含むことができる。
【００９７】
有機機能層５上には第２電極１１が配置されている。第１電極３がアノードの場合、第２電極１１はカソードである。第２電極は、例えば、従来の20nm厚の銀層とすることができる。
【００９８】
図３には、本発明の第３実施形態による電子構成部材１００の簡略化された側面図が略示されており、ここでこれはトップムエミッタとして構成されている。
【００９９】
基板１上には第２電極１１が配置されている。第２電極１１は、図３に示したようにアノードとすることでき、また例えばインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）から構成することできる。
【０１００】
第２電極１１上には正孔注入層１３が配置されており、またこの層上には正孔輸送層１５が配置されている。正孔注入層１３および正孔輸送層１５は、熱蒸着によってデポジットすることができる。
【０１０１】
正孔輸送層１５上には、例えば蛍光性および／またはリン光性のエミッタ層である別の有機機能層５が配置されている。
【０１０２】
有機機能層５上には電子輸送層１７が配置されており、この電子輸送層も同様に熱蒸着によってデポジットすることができる。電子輸送層１７上には成長層７が配置されている。成長層７は、厚さを例えば3nmとすることができ、また対向ターゲット式スパッタ法によってデポジットすることができる。
【０１０３】
成長層７上には、例えば10nmの厚さを有する金属層９の形態の成長電極が第１電極３としてデポジットされる。金属層９は、有利にはスパッタ法によってデポジットすることができる。図３に示した金属層９を含む第１電極３は、カソードである。
【０１０４】
図４には、ガラス基板上にデポジットされた薄い銀層をREM撮影したものが示されている。この銀層は、12nmの厚さを有しており、また熱蒸着によって上記のガラス基板に載置される。図４からわかるように上記の銀層は、島を形成する強い傾向があり、金属の島の間にはガス基板を識別することができる。したがってこの銀層は、ガラス基板において平坦かつ均一には形成されないのである。４点針測定装置によって測定したこの銀層の表面抵抗率は、19.3Ω／□±1.9Ω／□である。
【０１０５】
図５には、有機基層上に熱蒸着によってデポジットした12nmの銀層をREM撮影したものが示されている。この有機基層は、ガラス基板上にデポジットされ、また例えばα−NPD（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’ビフェニル１−４，４’’ジアミンなどの従来のマトリクス材料からなる。銀層の島形成傾向は、図４に示したものよりも格段に小さいが、割れ目がはっきりと識別することができる。４点針測定装置によって測定したこの銀層の表面抵抗率は、7.13Ω／□±0.37Ω／□である。
【０１０６】
図６には、本発明にしたがい、17nmの厚さを有するＩＴＯ成長層上にスパッタ法でデポジットした12nmの厚さを有する銀層をＲＥＭ撮影したものが示されている。ＩＴＯ成長層それ自体は、例えば図５に関連して上で示した90nmの厚さを有する有機基層上に載置されている。この有機基層は、ガラス基板上に載置されている。図６からわかるように上記の銀層は、平坦かつ一塊になって構成されている。４点針測定装置によって測定したこの銀層の表面抵抗率は、4.48Ω／□±0.20Ω／□である。
【０１０７】
本発明による薄い非晶質の成長層によって有利にも、上記の金属層は（例えば20nmの厚さを有する従来の金属層ないしは電極層と比べて）薄く、平坦かつ一塊となった層として上記の成長層にデポジットすることができる。
【０１０８】
図７には、図４ないし６の銀層（図４に示したガラス基板上の銀層、図５に示したガラス基板上の有機基層上の銀層、および図５に示したガラス基板上の有機基層上のＩＴＯ層上の銀層）の透過率を測定した結果を示すグラフが示されている。ここでは１つの例当たり、３回の測定を行った。ここでは波長［ｎｍ］に対して透過率［％］が示されている。
【０１０９】
図４のガラス基層上の銀層１９は、約355nmの波長において約65％の放射輝度を示しており、これは、約410nm以上では約35%の最小値に低下して、これより長い波長では一定に止まっている。
【０１１０】
図５の有機基層上の銀層２１は、約400nmにおいて約43％の透過率最大値を示している。この透過率は、波長が長くなると次第に約32%の値に低下する。
【０１１１】
図６のインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）上の本発明による銀層は、約400nmで、約68％の透過率最大値を示している。約380nmないし約450nmの領域において透過率は60%以上である。インジウムがドーピングされたすず酸化物上の銀層の透過率２３は、他の層１９および２１よりも格段に大きい。
【０１１２】
図８には本発明による電気光学構成素子の放射特性が示されている。ここでは３つの測定を行った。放射特性は、（度［°］で示した）観察角に対する（[Ｗ／（sr/ｍ2）]で示した）放射輝度として示されている。単位「sr」は、ステラジアンすなわち立体角である。
【０１１３】
例えばトップエミッタ形ＯＬＥＤとして構成された図５で説明した本発明による電子構成素子の放射特性２５は、実質的にランバート放射特性を示している（このランバート放射特性は、破線として書き込まれており、参照符号は付されていない）。
【０１１４】
本発明の上記の実施例には任意に変更可能である。ここでさらに考慮すべきであるのは、本発明は、上記の実施例には限定されず、ここに説明していない別の実施形態および実施例も可能なことである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成長層に配置した、金属層を含む電極を有する電子構成素子と、電気コンタクトに関する。
【０００２】
本願は、独国特許出願第10 2009 034 822.0号に優先権を主張するものであり、その開示内容を引用によってここに取り入れるものとする。
【０００３】
面積の大きな応用では、例えばオプトエレクトロニクス構成素子などの電子構成素子の薄い電気コンタクトは、殊にカバーコンタクトとして良好に電流が流れること、ないしは良好な導電率を前提としており、また場合によっては十分な透明度を前提としている。
【０００４】
本発明の課題は、従来技術よりも厚さを薄くし、また場合によっては透明度を改善した、金属層を有する電極を備えた電子構成素子を提供することである。
【０００５】
本発明のこの課題は、請求項１の特徴部分に記載された特徴的構成を有する電子構成素子ならびに請求項１５の特徴部分に記載された特徴的構成を有する電気コンタクトによって解決される。従属請求項には電子構成素子の別の実施形態が示されている。
【０００６】
本発明による電子構成素子は、基板と、この基板上に配置された少なくとも１つの第１電極と、この基板側を向いた電極の面上の成長層とを有する。この成長層上に配置される電極は、30nm以下の厚さの金属層を有しており、またこの成長層は、10nm以下の厚さを有する。
【０００７】
本発明において使用される「基板」は、例えば従来技術において電子構成素子に慣用的に使用されている基板である。この基板には、透明基板を含めることが可能である。しかしながら透明でない基板とすることも可能である。例えばこの基板は、ガラス、石英、サファイア、プラスチックシート、金属、金属シート、シリコンウェーハまたは別の適当な基板材料を含むことができる。金属基板はふつう、その上に上記の成長層が直接配置されない場合にだけ使用される。本発明において基板とは、例えば上記の電子構成素子を製造する際に後に別のすべての層が被着される層のことであると理解されたい。このような後続の層は、例えばオプトエレクトロニクス構成素子またはビーム放射装置においてビーム放射に必要な層とすることができる。
【０００８】
上記の「第１電極」は、アノードまたはカソードすることが可能である。
【０００９】
本発明で使用される「成長層」という概念は、（以下では成長電極とも称される）金属層を含む電極に配置される層を示す。
【００１０】
この成長層は、つぎのような材料から構成することができるかまたはつぎのような材料を含むことができる。すなわちこの材料は、例えば金属酸化物のような透明な導電性酸化物から選択され、これらの酸化物は、例えば亜鉛酸化物、すず酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物、またはインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ），Zn2SnO4，CdSnO3，ZnSnO3，MgIn2O4，GaInO3，Zn2In2O5またはIn4Sn3O12または種々異なる透明な導電性酸化物の混合物である。
【００１１】
ラテラル方向の電流の流れに対する上記の成長層の寄与は、多くの場合に無視することができる。
【００１２】
上記の成長層は極めて薄い層であるため、この層は必ずしも導電性でなくてよい。したがって上記の成長層は、Al2O3，WO3，Re2O7などの誘電体酸化物を有するかまたはこのようなものから構成することができる。
【００１３】
上記の成長層は、例えば、熱蒸着、電子ビーム蒸着、レーザビーム蒸着、アーク蒸着、分子ビームエピタキシまたはこれに類するものなどの物理的な気相成長によって、イオンビーム支援のデポジョンなどのスパッタおよびこれに類するものによって、またはプラズマ支援の化学気相成長およびこれに類するものなどの化学気相成長、イオンクラッディングによって、または原子層デポジョンおよびこれに類するものによってデポジットすることができる。
【００１４】
上記の成長層の表面は、殊に有利に準備されるかまたは設計されて、この上にデポジットすべき金属層が均一ないしは一様にデポジットできるようにされる。１つの実施形態では、上記の成長層の表面は、非晶質または実質的に非晶質な構造、ないしは非晶質または実質的に非晶質な表面を有する。完全なアモルファス構造は、例えば、Ｘ線回折（ＸＲＤ吸収）によって確認することができる（ここでは離散ブラッグ反射は含まれない）。
【００１５】
ここで使用される「金属層」という語は、実質的または完全に金属から形成される層のことを示す。この金属層は、上記の成長層の上に直接配置される。この金属層は、成長層の上に成長させることができる。この金属層の厚さは、30nm以下であり、例えば9nmと10nmとの間である。
【００１６】
この金属層は、15nm以下の厚さを有することができ、例えば12nm以下である。
【００１７】
例えば金属層の透明性が問題となる本発明の実施形態では、この金属層の厚さは、例えば14nm以下、殊に11nm以下とすることができる。Ag層またはAg合金からなる層（例えばAg-Sm合金からなる層）を有する金属層の厚さは、14nm以下、殊に11nm以下、例えば約9nmと約10nmとの間とすることができる。
【００１８】
上記の成長電極は、金属層からなるか、ないしは１つまたは別の層または機能層を含むことができる。
【００１９】
上記の成長電極の金属層には、有利には少なくとも１つの金属が含まれており、ここでこの金属は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムならびにこれらの組み合わせからなるグループから選択される。上記の金属層は択一的に、上で挙げた１つの金属、またはこの金属との化合物から構成するか、またはこれらの金属のうちの複数の金属、例えばその合金から構成することができる。
【００２０】
上記の成長電極は、透明および不透明な電子光学式構成部材または電気光学式構成部材に使用することができる。上記の成長層に配置される成長電極は、カバーコンタクト、基板コンタクトおよび／または中間コンタクトとして使用可能である。
【００２１】
本発明による電子構造部材は、例えば光電子構成部材、殊に有機電子構成部材として、例えば太陽電池として、フォトトランジスタ、発光ダイオードおよびこれに類似するものとして実施することができるが、これらに限定されることはない。
【００２２】
ここで使用される「層」という語は、個別の層または薄い複数の層からなる積層体を示し得る。例えば上記の機能層、例えば有機機能層は、複数の層から構成することができる。上記の金属層および成長層は、多くの場合に一つの層である。
【００２３】
ここで使用される「上下に配置されている」という語が意味するのは、１つの層が、別の１つの層に直接的に機械的および／または電気的に接触接続して直に配置されていることである。１つの層は、別の１つの層の上に間接的に配置することも可能であり、この場合にはこれらの層の間に別の層が存在し得る。これらの層は、上記の電子構成部材の上記の機能ひいては効率をさらに改善するために使用可能である。上記の金属層はふつう、上記の成長層の上に直接配置される。
【００２４】
本発明によって上記の電子構成部材に設けられる、成長層と金属層との上記の組み合わせにより、有利にも極めて薄くまた同時に導電性のあるコンタクトを提供することができ、ここでこのコンタクトは、（必要な場合には）付加的に高い透過率で構成することも可能である。
【００２５】
上記の薄い成長層に金属層をデポジットすることにより、上記の成長電極を有利にも一様、平坦かつ実施的に均一に構成することができる。この成長電極は、殊にこの理由から、従来技術によるものに比べて格段に薄く実施することができる。これにより、（15Ω／□の導電率を有する透明導電性酸化物か、または少なくとも20nmの厚さを有する薄い金属層からなる従来技術において使用されていた透明コンタクトとは異なり）有利にも、面積の大きな使用においても高い透過率および良好な電流の流れを得ることができる。
【００２６】
したがって透過率が重要である本発明による電子構成部材の場合、有利にも透明な金属コンタクトの透過率と導電率との間で妥協を行うことできる。それは、上記の成長層にデポジットされる金属層は、有利にも十分に薄く、平坦かつ一塊で形成することができ、これによって例えば十分な導電率と提供できると同時に卓越した透過率を提供できるからである。
【００２７】
上記のビーム放射装置の別の実施形態は、従属請求項に記載されている。
【００２８】
本発明による電子構成部材の別の１つの実施形態では、上記の成長層は、例えば1nmないし8nmの厚さを有する。上記の成長層は、有利には3nmないし3.5nmの厚さを有する。所定の実施形態において、1.5nm以上の厚さが有利になり得る。上記の成長層の厚さは、所定の実施形態において、例えば7nm以下とすることできる。
【００２９】
本発明による電子構成部材の１つの実施形態において、上記の成長層は、インジウムがドーピングされた酸化すず（ＩＴＯ）からなる層、およびアルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛(ＡＺＯ）なる層から選択される。
【００３０】
本発明による電子構成部材の１つの発展形態において、上記の金属層は、±10%の厚さの均一性を有し、また±5%にも達する厚さの均一性を有することも多い。
【００３１】
ここで使用される「厚さの均一性」という語が意味するのは、上記の金属層が、その実質的な長さまたは完全な長さにわたってほぼ一定の厚さ、すなわち例えば±10%の最大偏差の厚さを有し得ることである。これは、例えば殊に、上記の金属層の下に配置される（薄い）成長層によって達成することができる。
【００３２】
したがって「30nmの厚さ」の金属層の最大厚さは、例えば最大で33nmをとることができ、「12nmの厚さの」金属層の最大の厚さは、例えば最大13.2nmをとることできるのである。
【００３３】
本発明の別の１つの実施形態において、上記の成長層における上記の成長電極の表面抵抗率は、6Ω／□以下である。この表面抵抗率は、殊に5Ω／□以下をとり得る。例えばこの表面抵抗率は、4Ω／□と5Ω／□との間をとり得る。
【００３４】
ここで使用される「表面抵抗率」という語は、厚さを基準にした層の等方性の固有抵抗のことを示す。この表面抵抗率は、例えば４点法によって測定することができる。択一的には固有ファンデルポー法によって表面抵抗率を測定することも可能である。
【００３５】
したがって上記の表面抵抗率は、有利にも、相応の電極層を有する従来技術においてこれまでふつうであった表面抵抗率よりも小さくすることができる。ここで従来技術の電極層は、本発明による成長層とは異なる別の基板上にデポジットされていた。本発明による上記の装置によって有利にも可能になるのは、（オプトエレクトロニクス構成素子において透過率が十分に高い場合）上記の薄い成長電極の均一な電流の流れを達成することである。
【００３６】
別の１つの実施形態において、本発明による上記の電子構成素子は、有機電子構成素子であり、さらに第２電極、ならびに上記の第１電極とこの第２電極との間に配置された少なくとも１つの有機機能層を有する。
【００３７】
この有機電子構成素子は、例えばオプトエレクトロニクス構成素子ないしビーム放射層である。
【００３８】
上記の「第１電極」は、アノードにすることが可能である。この電極は、正孔注入機能を有することできる。
【００３９】
上記の「第２電極」は、カソードにすることが可能である。第１電極および第２電極は、有利には電気的に接触接続される。
【００４０】
上記の成長層上に配置される電極は、（上で示したように）成長電極とも称される。この成長電極は、アノードまたはカソードとして設けることができるかまたはその一部として構成することができる。わかりやすくするため、本発明ではつねに、ちょうど１つの成長電極を有する装置のことだけについて述べる。しかしながら２つの電極が、金属層が直接配置された１つの成長層を有することも可能である。
【００４１】
成長層上に配置されていない上記の電極は、つぎのような材料から構成することができるか、または材料を含むことができる。すなわちこの材料は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムなどの金属ならびにこれらの組み合わせまたはこれらの化合物、例えば合金、ならびに例えば金属酸化物のような透明な導電性酸化物から選択される。これらの金属酸化物は、例えば亜鉛酸化物、すず酸化物、カドミウム酸化物、チタン酸化物、インジウム酸化物またはインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物（ＡＺＯ），Zn2SnO4，CdSnO3，ZnSnO3，MgIn2O4，GaInO3，Zn2In2O5またはIn4Sn3O12または種々異なる透明な導電性酸化物の混合物である。
【００４２】
「有機機能層」には、例えば蛍光性および／またはリン光性のエミッタを有する発光層を含むことができる。
【００４３】
本発明による電子構成素子ないしは本発明のビーム放射装置に使用できるエミッタ材料の例には、有機化合物または有機金属化合物が含まれており、これには、ポリフルオレン、ポリチオフェンおよびポリフェニレン（例えば２−または２，５−置換ポリpフェニレンビニレン）の誘導体ならびに金属錯体、例えばイリジウム錯体があり、例えば青色のFIrPic（ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）−イリジウムIII），緑色のリン光性のIr(ppy)3（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムIII），赤色のリン光性Ru（dtb-bpy）3＊２（PF6)（トリス［４，４'−ジ−ｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（III）錯体）ならびに青色の蛍光性のDPAVBi（４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリラミノ）スチリル］ビフェニル），緑色の蛍光性のTTPA（９，１０−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ−（ｐ−トリル）−アミノ］アントラセン）および赤色の蛍光性のDCM2（４−ジシアノメチレン）−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン）が非ポリマエミッタとして含まれている。このような非ポリマエミッタは、例えば、熱蒸着によってデポジット可能である。さらに殊に、例えばスピンコーティングなどの湿式化学法によってデポジット可能なポリマエミッタを使用可能である。
【００４４】
上記のエミッタ材料は、適当な方法でマトリクス材料に埋め込むことができる。
【００４５】
上記の電子構成素子のエミッタ層のエミッタ材料は、例えば、この電子構成素子が白色光を発光するように選択することができる。上記のエミッタ層は、複数の異なる色（例えば青色および黄色、または青色、緑色および赤色）を発光するエミッタ材料を含むことができ、択一的にはこのエミッタ層を複数の部分層から構成することも可能であり、青色の蛍光性のエミッタ層、緑色のリン光性エミッタ層および赤色のリン光性エミッタ層の複数の部分層から構成することも可能である。上記の種々異なる色を混ぜることにより、白色の色印象を有する光を結果的に発光することができる。択一的には、上記の層によって形成される１次発光のビーム路に変換材料を配置することも可能であり、この変換材料は、この１次ビームを少なくとも部分的に吸収して別の波長の２次ビームを発光し、これによって（まだ白色でない）１次ビームから、１次ビームと２次ビームとを組み合わせることにより、白色の色印象が得られるのである。
【００４６】
上記の電子構成素子層には一般的に別の有機機能層が含まれており、これらの層は、上記の機能をさらに改善し、ひいてはこの電子構成素子の効率をさらに改善するために使用される。
【００４７】
例えば、第１電極および／または第２電極の上記の機能および効率ならびに電荷担体輸送およびエキシトン輸送を改善するのに使用される有機機能層を選択することができる。
【００４８】
上記の電子構成素子は、「ボトムエミッタ」および／または「トップエミッタ」として実施することができる。
【００４９】
本発明の１つの実施形態において上記の成長層は、有機機能層と成長電極との間に配置される。ここで上記の成長電極は、カソードすることが可能である。
【００５０】
上記の成長層および成長電極の配置構成は、トップエミッタに対する透明なカバーコンタクトを構成することができる。
【００５１】
本発明の別の１つの実施形態において上記の成長層は、上記の基板と、基板側の電極（すなわち基板との間隔が小さい方の電極）との間に成長電極として配置されている。ここでこの成長電極は、アソードすることが可能である。この基板は、有利にはガラス、石英、サファイア、プラスチックシートおよびこれらに類似するものなどの透明な基板とすることが可能である。
【００５２】
上記の成長層および成長電極の配置構成は、ボトムエミッタに対する透明な基板コンタクトを構成することができる。
【００５３】
まったく一般的にはトップエミッタまたはボトムエミッタにおいて、上記のビーム放射装置の一方の電極を本発明による成長電極の形態で透明に実施し、また他方の電極を反射形に実施することができる。これとは択一的に２つの電極を透明に実施することも可能である。
【００５４】
したがって上記の成長電極の金属層は、殊に透明な薄膜コンタクトを構成するのである。
【００５５】
ここで使用される「ボトムエミッタ」という語は、電子構成素子の基板側に向かって透明に実施されている１実施形態を示している。殊にこのために少なくとも上記の基板、第１電極、およびこの基板と第１電極との間に配置される成長層を透明に実施することができる。これによれば、ボトムエミッタとして実施される電子構成素子は、例えば、有機機能層において形成されるビームをこの電子構成素子の基板側に放射することができる。
【００５６】
これとは択一的または付加的に本発明による電子構成素子を「トップエミッタ」として実施することができる。ここで使用される「トップエミッタ」という語は、上記の電子構成素子の第２電極側に向かって透明に実施されている１実施形態を示している。このため、例えば上記の成長層および成長電極を基板とは離れた側に配置して透明に実施することができる。これによれば、トップエミッタとして実施される電子構成素子は、例えば、有機機能層において形成されるビームをこの電子構成素子の、基板とは離れた側に放射することができる。
【００５７】
上記の成長層および金属層がカバーコンタクトして設けられておりかつ本発明のトップエミッタとして構成されている電子構成素子は有利にも、光出力結合度が高くまたビーム密度の角度依存性が極めて小さい。本発明によるビーム放射装置は有利には、例えば空間照明などの照明に使用することができる。
【００５８】
ボトムエミッタおよびトップエミッタからなる組み合わせも同様に可能である。このような実施形態において上記の電子構成素子は一般に、上記の有機機能層において形成した光を２つの方向に、すなわち基板側に向かって、またこの基板とは離れた側に向かって放射することできる。
【００５９】
本発明の別の１つの実施形態において、第１電極と第２電極との間に少なくとも１つの第３電極が配置されており、また上記の成長層が、第３電極の基板側を向いた面に配置されている。
【００６０】
この「第３電極」は中間コンタクトとして機能することができる。この電極は、上の電子構成素子の層を通過する荷電担体輸送を増大させ、ひいてはこの電子構成素子の効率を有利に改善するために使用することができる。この第３電極は、同時二極性の層として構成することが可能である。すなわち第３電極はカソードまたはアノードとして構成することができるのである。この場合にこの実施形態の成長層および成長電極の配置構成により、透明な中間コンタクトが形成される。第１および第２電極と同様に第３電極は電気的に接触接続している。
【００６１】
本発明の電子構成素子の１つの発展形態において、有機機能層としてエミッタ層が含まれており、また１つまたは複数の別の有機機能層が含まれている。これらの別の有機機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層および電子阻止層からなるグループから選択することできる。
【００６２】
適切な機能層および適切な有機機能層は、当業者には公知である。上記の（有機）機能層は有利には熱蒸着によってデポジットされる。上記の別の（有機）機能層により、上記の電子構成素子の機能性および／または効率が有利にも改善される。
【００６３】
本発明の別の１つの実施形態において上記の電子構成素子は、有機発光ダイオード（OLED）として構成される。
【００６４】
上記の電子構成素子の１つの実施形態においてこの電子構成素子は、実質的にランバート放射特性を有する。
【００６５】
本発明において使用される「ランバート放射特性」は、いわゆるランバート発光器の理想的な放射特性を示している。
【００６６】
ここでいう「実質的な」ランバート放射特性とは、殊に式
Ｉ(Θ)＝Ｉ0・cosΘ
にしたがって計算される放射特性のことであり、ここでＩ0は、面の法線を基準にした強度であり、Θは、面の法線に対する角度を示しており、与えられた角度に対し、殊に−７０°と＋７０°との間の角度において、与えられたすべての角度Θに対し、上で挙げた式による強度から１０％以上偏差しない。すなわちＩ(Θ)＝Ｉ0・cosΘ・ｘ、ただしｘ＝９０％ないし１１０％である。
【００６７】
これによって有利にも本発明による電子構成素子の、すべての方向に向かって一定なビーム密度ないしは輝度を達成することができるため、この電子構成素子は、すべての方向において同じ明るさに見えるのである。この電子構成素子の明るさは有利にも、視線に対して傾いた場合であっても変化しない。
【００６８】
別の１つの実施形態において上記の電子構成素子の透過率は、６０％以上である。この透過率は有利には６５％以上である。上記の透過率は、強度測定によって測定され、ここでこれは、あらかじめ定めた波長領域をサンプリングし、上記のビーム放射装置を通って進む光量を検出することによって行われる。
【００６９】
ここで使用される「透過率」という語は、本発明による電子構成部材の、電磁波（殊に可視光）を通過させる個別層の能力を示している。
【００７０】
本発明による電子構成素子の透過率はふつう、少なくとも１つの具体的な波長に対して少なくとも60％以上であり、有利には65％以上である。殊に約400nmないし約450nmの波長領域における少なくとも１つの波長に対する透過率は、60％以上でありまた有利には65％以上である。
【００７１】
したがって上記の成長層および成長電極の本発明による配置構成によって有利にも、十分な電流の流れと同時に、従来技術に対して改善された透過率を提供することができるのである。
【００７２】
本発明の別の１実施形態において上記の成長層は、スパッタリングによってデポジットされる。この成長層は、殊に対向ターゲット式スパッタ法または中空カソードスパッタ法によってデポジットすることができる。
【００７３】
ここで使用される「対向ターゲット式スパッタ法」という語は、一塊のエピタキシャル層を得ることができる１ステッププロセスを示している。
【００７４】
ここで使用される「中空カソードスパッタ法」という語は、中空カソードスパッタ装置を使用したスパッタ法を示しており、ここでこの中空カソードスパッタ装置は、ターゲット材料からなる中空カソードを有する。ふつう1 Pa未満の圧力において行われるスパッタ法に比べて、上記の中空カソードスパッタ法では上記の成長層の特性が改善される。それは有利にも、エネルギの高くターゲットから反射される中性子による上記の層の打ち込みが、実際には行われないからである。
【００７５】
対向ターゲット式スパッタ法または中空カソードスパッタ法によってデポジットされる上記の成長層はふつう、実質的にアモルフォスな形姿ないしは実質的にアモルフォスな表面を有する。このようなアモルフォスな表面には殊に良好に薄い金属層をデポジットすることができ、これによって有利にも、本発明による電子構成素子用の透明なコンタクトを得ることができる。スパッタ法によってデポジットされる層はふつう、複数の閉じ込めを有しており、これらの閉じ込めには、上記のスパッタ法に使用されたプロセスガス（例えばアルゴン）が含まれている。
【００７６】
上記の成長層をデポジットするためにスパッタ法を使用することによって有利にも、高い温度において熱蒸着によって発生し得る化学量論的でない層を回避することができる。ここで反応性のスパッタ法においてコーティング時間が増大するのに伴って発生し得る、スパッタプラズマからの種々異なる影響による下の層の損傷は、本発明によって設けられた極めて薄い成長層によって回避することができる。したがってスパッタ法による上記の成長層のデポジットによって有利にも、この成長層の損傷のないデポジットおよび／または化学量的なデポジットを達成することができるのである。このことは殊に、コーティングの影響を受け易い構造の場合に有利になり得る。この構造は、例えば、有機発光ダイオードにおいて設けられる。
【００７７】
本発明の別の１つの実施形態において上記の金属層は、上記の成長層の後時間に直後にデポジットされる。
【００７８】
ここで使用される「時間的に直後に被着される」または好ましくは「相前後して被着される」という語が意味するのは、上記の電子構成素子の作製プロセス中、上記の金属層が、上記の成長層の時間的な直後にデポジットされることであり、これは、例えば反応器を交換することなく、または成長層をデポジットした後の１日以上経過することなく行われる。
【００７９】
上記の成長層上に金属層を直接デポジットすることにより、この成長層の経年変化を予防することができ、殊に、例えば非晶質な表面の経年変化が発生しないかまたはわずかな経年変化しか発生せず、これにより、その非晶質な形姿を維持して上記の金属層を有利にデポジットすることができる。
【００８０】
本発明による上記の電子構成素子はさらに別の複数の機能層を有することができ、これら機能層には、例えば反射防止層、散乱層、光の色を変換するための層および／または機械的な保護層が含まれる。これらのような層は、例えば上記の成長電極の金属層上に配置することができる。これらの機能層は有利には熱蒸着によってデポジットすることができる。これらの層により、上記のビーム放射装置の機能および効率をさらに改善することができる。
【００８１】
本発明の課題はさらに、請求項１５の特徴部分に記載された電気コンタクトによって解決される。
【００８２】
本発明による電子コンタクトは、電子構成部材にないしは電子構成部材と共に使用するのに適している。
【００８３】
本発明による電気コンタクトは、基板と、この基板上に配置された第１電極と、この電極の基板側を向いた面に成長層とを有しており、ここで成長層上に配置される電極は、30nm以下の厚さを有する金属層を有しており、また上記の成長層は、10nm以下の厚さを有する。ここでこの成長層は、例えば上記の基板上に直接配置される。
【００８４】
本発明による電気コンタクトにより、本発明による電子構成部材によって達成可能な実質的にすべての利点がすでに達成できるため、別の実施形態については繰り返しを避けるため、これについては上記の説明を参照されたい。
【００８５】
以下では添付の図面を参照し、複数の実施形態に基づいて本発明を説明する。図において同一の参照番号は同一の構成要素ないし同様に作用する構成要素を表す。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１実施形態による電子構成部材を簡略化した部分側面断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態による電子構成部材を簡略化した部分側面断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態による電子構成部材を簡略化した部分側面断面図である。
【図４】ガラス基板上にデポジットした薄い銀層をＲＥＭ撮影した図である。
【図５】従来の有機基層上にデポジットした薄い銀層をＲＥＭ撮影した図である。
【図６】本発明にしたがってＩＴＯ成長層上にデポジットされた薄い銀層をＲＥＭ撮影した図である。
【図７】図３ないし５の銀層の透過率を測定した結果を示すグラフである。
【図８】本発明による電気光学構成素子の放射特性を示す図である。
【００８７】
図に基づいて例示的に示した以下の複数の実施形態では、本発明による電子構成素子をビーム放射装置として、殊にOLEDとして説明する。
【００８８】
図１には、本発明の第１実施形態による電子構成部材１００の簡略化された側面図が略示されており、ここでこれはトップ／ボトムエミッタとして構成されている。
【００８９】
例えばガラス基板である基板１の上には第２電極１１が配置されている。第２電極１１は、例えばアノードとすることでき、また例えばインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）から構成することできる。
【００９０】
第２電極１１には、例えば蛍光性および／またはリン光性のエミッタ層である有機機能層５が配置されている。
【００９１】
有機機能層５の上には成長層７が配置されている。成長層７は、厚さを例えば３ｎｍとすることができ、また対向ターゲット式スパッタ法によってデポジットされる。
【００９２】
成長層７上には、例えば10nmの厚さを有する金属層９の形態の成長電極が第１電極３としてデポジットされる。金属層９は、例えばスパッタ法によってデポジットすることができる。第２電極１１がアノードの場合、金属層９を含む第１電極３はカソードである。本発明において成長層７は、基板１側を向いた第１電極３の面に配置される。
【００９３】
図２には、本発明の第２実施形態による電子構成部材１００の簡略化された側面図が略示されており、ここでこれはボトムエミッタとして構成されている。
【００９４】
例えばガラス基板である基板１上には成長層７が配置されており、また成長層７上には、金属層９の形態の成長電極が第１電極３として配置されている。この第１電極３は、アノードとして構成することが可能である。
【００９５】
本発明において成長層７は、基板１側を向いた第１電極３の面に配置される。成長層７は有利にはつぎのようなことを目的として使用される。すなわち、成長電極を載置される表面を改善することを目的として、すなわち、金属層９を薄く、平坦かつ均一にデポジットして、電子構成素子１００の電流の流れを改善しかつその透過率を改善できるように処理することを目的として使用されるのである。
【００９６】
金属層９上には有機機能層５が配置されている。有機機能層５は、エミッタ層を含むことができる。
【００９７】
有機機能層５上には第２電極１１が配置されている。第１電極３がアノードの場合、第２電極１１はカソードである。第２電極は、例えば、従来の20nm厚の銀層とすることができる。
【００９８】
図３には、本発明の第３実施形態による電子構成部材１００の簡略化された側面図が略示されており、ここでこれはトップムエミッタとして構成されている。
【００９９】
基板１上には第２電極１１が配置されている。第２電極１１は、図３に示したようにアノードとすることでき、また例えばインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）から構成することできる。
【０１００】
第２電極１１上には正孔注入層１３が配置されており、またこの層上には正孔輸送層１５が配置されている。正孔注入層１３および正孔輸送層１５は、熱蒸着によってデポジットすることができる。
【０１０１】
正孔輸送層１５上には、例えば蛍光性および／またはリン光性のエミッタ層である別の有機機能層５が配置されている。
【０１０２】
有機機能層５上には電子輸送層１７が配置されており、この電子輸送層も同様に熱蒸着によってデポジットすることができる。電子輸送層１７上には成長層７が配置されている。成長層７は、厚さを例えば3nmとすることができ、また対向ターゲット式スパッタ法によってデポジットすることができる。
【０１０３】
成長層７上には、例えば10nmの厚さを有する金属層９の形態の成長電極が第１電極３としてデポジットされる。金属層９は、有利にはスパッタ法によってデポジットすることができる。図３に示した金属層９を含む第１電極３は、カソードである。
【０１０４】
図４には、ガラス基板上にデポジットされた薄い銀層をREM撮影したものが示されている。この銀層は、12nmの厚さを有しており、また熱蒸着によって上記のガラス基板に載置される。図４からわかるように上記の銀層は、島を形成する強い傾向があり、金属の島の間にはガス基板を識別することができる。したがってこの銀層は、ガラス基板において平坦かつ均一には形成されないのである。４点針測定装置によって測定したこの銀層の表面抵抗率は、19.3Ω／□±1.9Ω／□である。
【０１０５】
図５には、有機基層上に熱蒸着によってデポジットした12nmの銀層をREM撮影したものが示されている。この有機基層は、ガラス基板上にデポジットされ、また例えばα−NPD（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−１，１’ビフェニル１−４，４’’ジアミンなどの従来のマトリクス材料からなる。銀層の島形成傾向は、図４に示したものよりも格段に小さいが、割れ目がはっきりと識別することができる。４点針測定装置によって測定したこの銀層の表面抵抗率は、7.13Ω／□±0.37Ω／□である。
【０１０６】
図６には、本発明にしたがい、17nmの厚さを有するＩＴＯ成長層上にスパッタ法でデポジットした12nmの厚さを有する銀層をＲＥＭ撮影したものが示されている。ＩＴＯ成長層それ自体は、例えば図５に関連して上で示した90nmの厚さを有する有機基層上に載置されている。この有機基層は、ガラス基板上に載置されている。図６からわかるように上記の銀層は、平坦かつ一塊になって構成されている。４点針測定装置によって測定したこの銀層の表面抵抗率は、4.48Ω／□±0.20Ω／□である。
【０１０７】
本発明による薄い非晶質の成長層によって有利にも、上記の金属層は（例えば20nmの厚さを有する従来の金属層ないしは電極層と比べて）薄く、平坦かつ一塊となった層として上記の成長層にデポジットすることができる。
【０１０８】
図７には、図４ないし６の銀層（図４に示したガラス基板上の銀層、図５に示したガラス基板上の有機基層上の銀層、および図５に示したガラス基板上の有機基層上のＩＴＯ層上の銀層）の透過率を測定した結果を示すグラフが示されている。ここでは１つの例当たり、３回の測定を行った。ここでは波長［ｎｍ］に対して透過率［％］が示されている。
【０１０９】
図４のガラス基層上の銀層１９は、約355nmの波長において約65％の放射輝度を示しており、これは、約410nm以上では約35%の最小値に低下して、これより長い波長では一定に止まっている。
【０１１０】
図５の有機基層上の銀層２１は、約400nmにおいて約43％の透過率最大値を示している。この透過率は、波長が長くなると次第に約32%の値に低下する。
【０１１１】
図６のインジウムがドーピングされたすず酸化物（ＩＴＯ）上の本発明による銀層は、約400nmで、約68％の透過率最大値を示している。約380nmないし約450nmの領域において透過率は60%以上である。インジウムがドーピングされたすず酸化物上の銀層の透過率２３は、他の層１９および２１よりも格段に大きい。
【０１１２】
図８には本発明による電気光学構成素子の放射特性が示されている。ここでは３つの測定を行った。放射特性は、（度［°］で示した）観察角に対する（[Ｗ／（sr/ｍ2）]で示した）放射輝度として示されている。単位「sr」は、ステラジアンすなわち立体角である。
【０１１３】
例えばトップエミッタ形ＯＬＥＤとして構成された図５で説明した本発明による電子構成素子の放射特性２５は、実質的にランバート放射特性を示している（このランバート放射特性は、破線として書き込まれており、参照符号は付されていない）。
【０１１４】
本発明の上記の実施例には任意に変更可能である。ここでさらに考慮すべきであるのは、本発明は、上記の実施例には限定されず、ここに説明していない別の実施形態および実施例も可能なことである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子構成素子において、
− 基板（１）と、
− 当該基板（１）に配置された少なくとも１つの第１の電極（３）と、
− 前記基板（１）側を向いた前記電極（３）の面に配置された成長層（７）とを有しており、
前記成長層（７）に配置された前記電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、
前記成長層（７）は、10nm以下の厚さを有することを特徴とする
電子構成素子。
【請求項２】
前記成長層（７）は、1nmないし8nmの厚さを有する
請求項１に記載の電子構成素子。
【請求項３】
前記成長層（７）は、インジウムがドーピングされた酸化すず（ＩＴＯ）からなる層、およびアルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）なる層から選択される
請求項１または２に記載の電子構成素子。
【請求項４】
前記金属層（９）は、±１０％の厚さの均一性を有する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項５】
前記金属層（９）は少なくとも１つの金属を含んでおり、
当該金属は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムからなるグループから、ならびに当該金属の組み合わせから、または当該金属または当該金属の化合物から、当該金属のうちの複数から、殊に合金からなる、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項６】
前記電子構成素子（１００）の表面抵抗率は、8Ω／□以下であり、殊に5Ω／□以下である、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項７】
前記電子構成素子は、有機電子構成素子であり、
さらに第２の電極（１１）と、前記第１の電極（３）と当該第２の電極（７）との間に配置された少なくとも１つの有機機能層（５，１３，１５，１７）を有する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項８】
前記基板の側を向いた前記成長層（７）の面は、前記有機機能層（５）に配置されている、
請求項７に記載の電子構成素子。
【請求項９】
前記成長層（７）は、前記基板（１）と、当該基板の側の前記電極との間に配置されている、
請求項７または８に記載の電子構成素子。
【請求項１０】
前記電子構成素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として構成されている、
請求項７から９までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１１】
前記構成素子は、実質的にランバート放射特性（１９）を有する、
請求項７から１０までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１２】
60%以上の透過率を有する、
請求項７から１１までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１３】
前記成長層（７）は、スパッタ法により、殊に対向ターゲット式スパッタ法または中空カソードスパッタ法によってデポジットされる、
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１４】
前記金属層（９）は、前記成長層（７）の時間的な直後に被着される、
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１５】
電子構成素子用の電気コンタクトにおいて、
該電気コンタクトは、
− 基板（１）と、
− 当該基板（１）に配置された少なくとも１つの第１電極（３）と、
− 前記基板（１）側を向いた前記電極（３）の面に配置された成長層（７）とを有しており、
前記成長層（７）に配置された前記電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、
前記成長層（７）は、10nm以下の厚さを有する、
電子構成素子用の電気コンタクト。
【請求項１】
電子構成素子において、
− 基板（１）と、
− 当該基板（１）に配置された少なくとも１つの第１の電極（３）と、
− 前記基板（１）側を向いた前記電極（３）の面に配置された成長層（７）とを有しており、
前記成長層（７）に配置された前記電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、
前記成長層（７）は、10nm以下の厚さを有することを特徴とする
電子構成素子。
【請求項２】
前記成長層（７）は、1nmないし8nmの厚さを有する
請求項１に記載の電子構成素子。
【請求項３】
前記成長層（７）は、インジウムがドーピングされた酸化すず（ＩＴＯ）からなる層、およびアルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）なる層から選択される
請求項１または２に記載の電子構成素子。
【請求項４】
前記金属層（９）は、±１０％の厚さの均一性を有する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項５】
前記金属層（９）は少なくとも１つの金属を含んでおり、
当該金属は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムからなるグループから、ならびに当該金属の組み合わせから、または当該金属または当該金属の化合物から、当該金属のうちの複数から、殊に合金からなる、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項６】
前記電子構成素子（１００）の表面抵抗率は、8Ω／□以下であり、殊に5Ω／□以下である、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項７】
前記電子構成素子は、有機電子構成素子であり、
さらに第２の電極（１１）と、前記第１の電極（３）と当該第２の電極（７）との間に配置された少なくとも１つの有機機能層（５，１３，１５，１７）を有する、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項８】
前記基板の側を向いた前記成長層（７）の面は、前記有機機能層（５）に配置されている、
請求項７に記載の電子構成素子。
【請求項９】
前記成長層（７）は、前記基板（１）と、当該基板の側の前記電極との間に配置されている、
請求項７または８に記載の電子構成素子。
【請求項１０】
前記電子構成素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）として構成されている、
請求項７から９までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１１】
前記構成素子は、実質的にランバート放射特性（１９）を有する、
請求項７から１０までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１２】
60%以上の透過率を有する、
請求項７から１１までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１３】
前記成長層（７）は、スパッタ法により、殊に対向ターゲット式スパッタ法または中空カソードスパッタ法によってデポジットされる、
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１４】
前記金属層（９）は、前記成長層（７）の時間的な直後に被着される、
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１５】
電子構成素子用の電気コンタクトにおいて、
該電気コンタクトは、
− 基板（１）と、
− 当該基板（１）に配置された少なくとも１つの第１電極（３）と、
− 前記基板（１）側を向いた前記電極（３）の面に配置された成長層（７）とを有しており、
前記成長層（７）に配置された前記電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、
前記成長層（７）は、10nm以下の厚さを有する、
電子構成素子用の電気コンタクト。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公表番号】特表２０１３−５００５５９（Ｐ２０１３−５００５５９Ａ）
【公表日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５２２０９２（Ｐ２０１２−５２２０９２）
【出願日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／０６０２５０
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０１２４６１
【国際公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【出願人】（５９９１３３７１６）オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (586)
【氏名又は名称原語表記】Ｏｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ｌｅｉｂｎｉｚｓｔｒａｓｓｅ ４， Ｄ−９３０５５ Ｒｅｇｅｎｓｂｕｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月１５日（２０１０．７．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／０６０２５０
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０１２４６１
【国際公開日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【出願人】（５９９１３３７１６）オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング (586)
【氏名又は名称原語表記】Ｏｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ
【住所又は居所原語表記】Ｌｅｉｂｎｉｚｓｔｒａｓｓｅ ４， Ｄ−９３０５５ Ｒｅｇｅｎｓｂｕｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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