電子部品とその製造方法
【課題】従来の誘電体膜を用いた電子部品は高温時に誘電体膜における樹脂が酸化分解しやすいなどの課題を有していた。
【解決手段】誘電体膜を備える電子部品であって、誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品とする。このことにより、上記化合物によれば、重合反応しやすく、特性が良好な電子部品が得られる。
【化１】
【解決手段】誘電体膜を備える電子部品であって、誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品とする。このことにより、上記化合物によれば、重合反応しやすく、特性が良好な電子部品が得られる。
【化１】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体膜を備える電子部品に関し、特にたとえばコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コンデンサなどに用いられる誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘電体膜は、特許文献１、特許文献２および特許文献３に示されるように、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や紫外線を照射し、前記樹脂モノマーを硬化させることによって形成されている。
【０００３】
上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表されるジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジアクリレートや、以下の化学式（Ｃ）で示されるビス（ビニルベンジル）メチルなどが用いられてきた。
【０００４】
【化１】
【０００５】
【化２】
【０００６】
【化３】
【０００７】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３が知られている。
【特許文献１】特公昭６３−３２９２９号公報
【特許文献２】特開平１１−１４７２７２号公報
【特許文献３】米国特許第５１２５１３８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、特性が十分でないという問題があった。すなわち、化学式（Ａ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、高湿度下での特性が十分でないという問題があった。また、化学式（Ｂ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、高温時に酸化分解しやすいという問題があった。また、化学式（Ｃ）の樹脂モノマーは、重合性が低いという問題があった。
【０００９】
上記問題を解決するため、本発明は、重合反応しやすい化合物を提供し、特性が良好な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明の電子部品は、誘電体膜を備える電子部品であって、誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合していることを特徴とする。上記化合物によれば、重合反応しやすく、特性が良好な電子部品が得られる。
【００１１】
上記電子部品では、樹脂モノマーに含まれる芳香環の数が２個以上４個以下であることが好ましい。
【００１２】
上記電子部品では、樹脂モノマーに含まれるビニル基の数が２個であることが好ましい。
【００１３】
上記電子部品では、チオジアルキレン基がチオジメチレン基（−ＣＨ2ＳＣＨ2−）であることが好ましい。
【００１４】
上記電子部品では、樹脂モノマーが、以下の一般式（１）で表される樹脂モノマーを、少なくとも１種類含むことが好ましい。
【００１５】
【化４】
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子部品によれば、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品が得られる。特に、本発明をコンデンサに適用することによって、環境による特性変化が少ない高品質なコンデンサが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の電子部品として、コンデンサの一例を説明する。実施の形態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。
【００１９】
なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデンサ１０ａのような形状でもよい。
【００２０】
図１（ａ）を参照して、コンデンサ１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（なお、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）である。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘電体膜１３を挟むように対向して配置された一対の電極（下部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
【００２１】
支持体１１には、さまざまなものを用いることができる。具体的には、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリイミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることができる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要である。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよい。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないものであってもよい。
【００２２】
下部電極膜１２および上部電極膜１４には、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができる。電極膜の膜厚については特に限定はないが、たとえば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることができ、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いることができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気回路に接続する方法としては、たとえば、はんだ付け、金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
【００２３】
誘電体膜１３は、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された樹脂膜である。
【００２４】
重合反応によって誘電体膜１３となる薄膜１３ａ（図２（ｂ）参照）は、樹脂モノマーに加えて、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤としては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始剤としては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。また、酸化防止剤としては、たとえば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ビチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベンゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。
【００２５】
薄膜１３ａが重合開始剤を含む場合には、重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めることができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）のポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることによって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１０の製造を容易にできる。
【００２６】
薄膜１３ａが酸化防止剤を含む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を０．１重量％以上とすることによって誘電体膜１３の酸化を防止できる。
【００２７】
また、酸化防止剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を好ましい値にすることができる。
【００２８】
薄膜１３ａは、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合してなる樹脂モノマーを少なくとも含む。樹脂モノマーに含まれる芳香環の数は、２個以上４個以下であることが好ましい。また、樹脂モノマーに含まれるビニル基の数は、２個であることが好ましい。芳香環の数が１個では分子量が小さく、沸点が低くなってしまい、芳香環の数が５個以上では分子量が大きく、沸点が高くなってしまうからである。
【００２９】
なお、薄膜１３ａは、一種類の樹脂モノマーを含んでも、複数の種類の樹脂モノマーを含んでもよい。
【００３０】
また、このようにすることによって芳香環の電子の共鳴を受けることなく、ビニル基の結合状態が緩和され、反応しやすくなるものである。
【００３１】
具体的には、たとえば、薄膜１３ａとして、以下の一般式（１）で表される樹脂モノマーを少なくとも１種類以上含む膜を用いることができる。
【００３２】
【化５】
【００３３】
以下に、上記一般式（１）の樹脂モノマーの製造方法について一例を説明する。一般式（１）の樹脂モノマーは、以下の一般式（２）で表される化合物を、アセチル化反応させることによって、以下の一般式（３）で表される化合物を製造する第１工程を経由し、金属水素化物と、前記一般式（３）で表される化合物とを反応させることによって、以下の一般式（４）で表される化合物を製造する第２工程を経由し、ハロゲン化剤と、前記一般式（４）で表される化合物とを反応させることによって、以下の一般式（５）で表される化合物を製造する第３工程を経由し、強塩基と、前記一般式（５）で表される化合物とを反応させることによって、前記一般式（１）で表される化合物を製造する第４工程を経由してビス（ビニルアルキルフェニル）化合物を製造する。
【００３４】
【化６】
【００３５】
【化７】
【００３６】
【化８】
【００３７】
【化９】
【００３８】
【化１０】
【００３９】
次に、コンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００４０】
図２に、製造工程の一例を示す。
【００４１】
図２（ａ）を参照して、まず、支持体１１上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いたり、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用いることができる。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成する。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３となる膜であり、上述した一般式（１）、（２）で表される樹脂モノマーや添加剤を含む。薄膜１３ａは、図３に示すように、真空下で薄膜１３ａを形成する樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示せず）を用いればよい。
【００４３】
次に、薄膜１３ａ中で樹脂モノマーを重合反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜１３を形成する。重合反応（硬化）は、たとえば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによって起こさせることができる。
【００４４】
次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成する。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。なお、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造できる。
【００４５】
上記実施の形態１のコンデンサでは、誘電体膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【００４６】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、本発明の電子部品について、コンデンサの他の一例を説明する。実施の形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。なお、実施の形態１で説明した部分と同様の部分については重複する説明を省略する。
【００４７】
図４を参照して、コンデンサ４０は、誘電体膜４１と、誘電体膜４１中に配置された複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂと、電極４２ａおよび電極４２ｂがそれぞれ接続された外部電極４３ａおよび４３ｂとを備える。すなわち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１の少なくとも一部を挟むように対向して配置された少なくとも一対の電極を備える。さらにコンデンサ４０は、誘電体膜４１中であって、電極４２ａおよび４２ｂの外側に配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のうち、複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂが存在する部分が素子層４０ａとなる。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデンサ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃとなる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコンデンサであってもよいことはいうまでもない。
【００４８】
誘電体膜４１は、実施の形態１で説明した誘電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によって製造できる。
【００４９】
コンデンサ４０は、実施の形態１で説明した方法を用いて製造することができる。ただし、コンデンサ４０を製造する場合には、誘電体膜と電極４２ａまたは４２ｂとを交互に積層する必要がある点、および外部電極４３ａおよび４３ｂを形成する必要がある点で、実施の形態１の製造方法と異なる。なお、外部電極４３ａおよび４３ｂは、たとえば、金属溶射法、バンプ電極形成法または導電性ペースト塗布法などによって形成できる。
【００５０】
上記実施の形態２のコンデンサ４０では、誘電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【００５２】
（実施例１）
実施例１では、一般式（１）で表される化合物のうち、ＡがＣＨ2、ＢがＣＨ2、ｐが２、ｑが１、ｒが１である以下の化学式（６）で示されるビス（ビニルブチルフェニル）メタンを作製した一例について説明する。
【００５３】
【化１１】
【００５４】
まず、塩化アセチル１１９．２ｇ（１．５５ｍｏｌ）と、塩化アルミ２０４．３ｇ（１．５５ｍｏｌ）と、無水ジクロロメタン４２０ｍｌとを容量が２リットルのフラスコに採取した。これに、無水ジクロロメタン１００ｍｌに溶解させた以下の化学式（７）で表されるビス（ビニルフェニル）化合物１３２．０ｇ（０．６０ｍｏｌ）を滴下し、その後、還流下で１時間攪拌を続けることによって反応させた。
【００５５】
【化１２】
【００５６】
反応終了後、上記フラスコを氷冷し、さらに氷水５００ｍｌを加えて洗浄した後、水層を除去した。得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去して以下の化学式（８）で表されるビス（アセチルフェニル）メタン１７０．１ｇを得た。
【００５７】
【化１３】
【００５８】
次に、水素化リチウムアルミニウム３１．４ｇ（０．８３ｍｏｌ）と、無水ジクロロメタン５４５ｍｌと、無水ジエチルエーテル５４５ｍｌとを、容量２リットルのフラスコに採取し、氷冷した。これに、無水ジクロロメタン２７０ｍｌに溶解させた化学式（８）で表されるビス（アセチルフェニル）メタン１７０．１ｇ（０．５５ｍｏｌ）を滴下し、その後還流下で１時間攪拌を続けることによって反応させた。反応終了後、得られた溶液を再び氷冷し、この溶液に２０％塩酸水６００ｍｌを攪拌しながら徐々に加えて洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水にて洗浄した。この洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去して以下の化学式（９）で表されるビス（１−ヒドロキシブチルフェニル）メタン１３９．３ｇを得た。
【００５９】
【化１４】
【００６０】
次に、化学式（９）で表されるビス（１−ヒドロキシブチルフェニル）メタン１３９．３ｇ（０．５４ｍｏｌ）を無水ジクロロメタン５５０ｍｌに溶解させ、これに２５０ｍｌの無水ジクロロメタンに溶解させた三臭化リン１１７．９ｇ（０．６５ｍｏｌ）を加え、還流下で３０分間攪拌することにより反応させた。反応終了後、得られた溶液に蒸留水５００ｍｌを加えて洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液をｐＨが７になるまで蒸留水を用いて洗浄した。この洗浄後の溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去して以下の化学式（１０）で表されるビス（１−ブロモブチルフェニル）メタン２２８．４ｇを得た。
【００６１】
【化１５】
【００６２】
次に、化学式（１０）で表されるビス（１−ブロモブチルフェニル）メタン２２８．４ｇ（０．５２ｍｏｌ）に、カリウムｔ−ブトキシド１１７．５ｇ（１．０５ｍｏｌ）と、テトラヒドロフラン１０００ｍｌとを加え、還流下で１２時間攪拌することによって反応させた。反応終了後、テトラヒドロフランを留去し、ジクロロメタン１０００ｍｌを加え、更に水層が無色透明になるまで５％塩酸水で洗浄したのち、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。この洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって、淡黄色透明の液体１２５．５ｇを得た。
【００６３】
この液体について、ガスクロマトグラフィー・質量分析（ＧＣ−ＭＳ）および赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）を行った結果、ビス（ビニルブチルフェニル）メタンの質量数、Ｍ／ｅ＝２４１を示す生成物が検出された。また、原料、中間体、および１パーセント以上の副生成物は検出されなかった。
【００６４】
また、ＦＴ−ＩＲの測定は島津製作所製のＦＴＩＲ−８１００Ｍ装置を用いて行い、その測定結果を図５に示す。
【００６５】
図５によると、前述した液体はビニル基に基づく１６３０ｃｍ-1の吸収ピークと芳香環に基づく１５１０ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1および１６００ｃｍ-1の吸収ピークを示した。
【００６６】
なお、本実施例では、一般式（１）で示されるビス（ビニルアルキルフェニル）化合物のうち化学式（６）で示されるビス（ビニルブチルフェニル）化合物を作製した一例を説明したが、上記一般式（２）において、Ｂが、単結合、−Ｓ−、−ＳＣＨ２Ｓ−、−ＣＨ２ＳＣＨ２−で表されるジビニルビフェニル、ビス（ビニルフェニル）スルフィド、ビス（ビニルフェニルチオ）メタンについても、同様に、上記第１〜第４の工程を行うことによって容易に化学式（１１）、化学式（１２）、化学式（１３）、化学式（１４）で製造できる。この場合には、製造する化合物に応じて出発原料を変えればよい。
【００６７】
【化１６】
【００６８】
【化１７】
【００６９】
【化１８】
【００７０】
【化１９】
【００７１】
（実施例２）
実施例２では、本発明の電子部品として、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した一例について、図２を参照しながら説明する。
【００７２】
まず、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板（支持体１１に相当）を用意し、このＰＥＴ基板上に、アルミからなる下部電極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した。
【００７３】
その後、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを蒸着することによって、樹脂モノマーからなる薄膜１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。具体的には、図３に示すような樹脂モノマー３１を入れた容器３２を、蒸着速度が５００ｎｍ／秒となるように加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄膜１３ａを形成した。
【００７４】
その後、−１５ｋＶの加速電子を５０μＡ／ｃｍ2の密度で２秒間、薄膜１３ａに照射することによって、薄膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜１３を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００７５】
その後、誘電体膜１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。このようにしてコンデンサを、作製した。
【００７６】
実施例２では、化学式（６）、化学式（１４）、酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌを３重量％添加した化学式（６）で示される樹脂モノマーを用いて３種類の異なるサンプルを作製し、実施サンプル１〜３とした。
【００７７】
また、比較例として、化学式（Ａ）、化学式（Ｂ）および化学式（Ｃ）で表される樹脂モノマーを用いたコンデンサを作製し、比較サンプル１および２とした。
【００７８】
以上の６種類のコンデンサについて、特性の評価を行った。具体的には、（１）吸湿容量変化率と、（２）高温負荷容量変化率と、（３）膜の重合度を調べた（測定方法の詳細については後述する）。上記評価の結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
【００８０】
表１から明らかなように、実施サンプル１から３のコンデンサは、（１）、（２）、（３）のいずれの評価においても、比較サンプルのコンデンサよりも優れた特性を示した。すなわち、本発明の樹脂モノマーを用いてコンデンサの誘電体膜を形成することによって、高湿度下および高温度下においても優れた特性を示し、樹脂の重合度が高いコンデンサが得られる。
【００８１】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）についても、実施サンプル１〜３のコンデンサは比較サンプル１および２のコンデンサと同等またはそれ以上の特性を示した。
【００８２】
以下、表１に示した評価の方法について吸湿容量変化率については、以下の様に評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ１１を測定した。容量は、以下の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ２２−Ｃ２１）／Ｃ２１×１００（％）で表される値である。高温負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化しにくいことを示しており、製品として好ましい。特に、近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高湿性が重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
【００８３】
樹脂の重合度は、以下の様にＦＴ−ＩＲ法を用いて評価した。まず、初期のモノマー樹脂のビニル基、アクリレート基のＣ＝Ｃの２重結合を測定した。次に、コンデンサから樹脂層を分離し、樹脂のＣ＝Ｃの２重結合を測定し、初期のモノマーに対する減少率で、重合度を評価する。
【００８４】
２重結合の存在率が低いほど、重合度が高いことを示している。したがって重合度の高いほど緻密な膜が形成されて、製品として好ましい。
【００８５】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）については、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ自体で消費する電力がより小さく、製品として好ましい。
【００８６】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
【００８７】
たとえば、上記実施の形態では、本発明の電子部品がコンデンサである場合について説明したが、本発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施の形態で説明した誘電体膜を備えるものであれば、いかなるものであってもよい。具体的には、たとえば、コイル、抵抗、容量性電池、他の電子部品の支持部材などに用いることができる。
【００８８】
これらの電子部品であっても、誘電体膜における樹脂の重合度が高いので、電気特性が従来のものに比べて良好になるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明にかかる電子部品は誘電体膜における樹脂の重合度が高いので、良好な電気特性を示すので電子機器に用いられる電子部品全般においてその効果を発揮し、特に内部電極を有したコンデンサとした場合、顕著にその効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明のコンデンサについて（ａ）一例を示す断面図、（ｂ）他の一例を示す断面図
【図２】本発明のコンデンサについて製造方法の一例を示す工程図
【図３】図２に示した製造工程の一過程を示す図
【図４】本発明のコンデンサについてその他の一例を示す（ａ）断面図、（ｂ）斜視図
【図５】本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モノマーの一例のビス（ビニルアルキルフェニル）化合物についてのＩＲスペクトルを示す図
【符号の説明】
【００９１】
１０、１０ａ、４０ コンデンサ（電子部品）
１１ 支持体
１２ 下部電極膜
１３ 誘電体膜
１３ａ 薄膜
１４ 上部電極膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体膜を備える電子部品に関し、特にたとえばコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、コンデンサなどに用いられる誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘電体膜は、特許文献１、特許文献２および特許文献３に示されるように、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や紫外線を照射し、前記樹脂モノマーを硬化させることによって形成されている。
【０００３】
上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表されるジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジアクリレートや、以下の化学式（Ｃ）で示されるビス（ビニルベンジル）メチルなどが用いられてきた。
【０００４】
【化１】
【０００５】
【化２】
【０００６】
【化３】
【０００７】
なお、この出願に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３が知られている。
【特許文献１】特公昭６３−３２９２９号公報
【特許文献２】特開平１１−１４７２７２号公報
【特許文献３】米国特許第５１２５１３８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、特性が十分でないという問題があった。すなわち、化学式（Ａ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、高湿度下での特性が十分でないという問題があった。また、化学式（Ｂ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、高温時に酸化分解しやすいという問題があった。また、化学式（Ｃ）の樹脂モノマーは、重合性が低いという問題があった。
【０００９】
上記問題を解決するため、本発明は、重合反応しやすい化合物を提供し、特性が良好な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために本発明の電子部品は、誘電体膜を備える電子部品であって、誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合していることを特徴とする。上記化合物によれば、重合反応しやすく、特性が良好な電子部品が得られる。
【００１１】
上記電子部品では、樹脂モノマーに含まれる芳香環の数が２個以上４個以下であることが好ましい。
【００１２】
上記電子部品では、樹脂モノマーに含まれるビニル基の数が２個であることが好ましい。
【００１３】
上記電子部品では、チオジアルキレン基がチオジメチレン基（−ＣＨ2ＳＣＨ2−）であることが好ましい。
【００１４】
上記電子部品では、樹脂モノマーが、以下の一般式（１）で表される樹脂モノマーを、少なくとも１種類含むことが好ましい。
【００１５】
【化４】
【発明の効果】
【００１６】
本発明の電子部品によれば、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品が得られる。特に、本発明をコンデンサに適用することによって、環境による特性変化が少ない高品質なコンデンサが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の電子部品として、コンデンサの一例を説明する。実施の形態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。
【００１９】
なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデンサ１０ａのような形状でもよい。
【００２０】
図１（ａ）を参照して、コンデンサ１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（なお、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）である。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘電体膜１３を挟むように対向して配置された一対の電極（下部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
【００２１】
支持体１１には、さまざまなものを用いることができる。具体的には、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリイミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることができる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要である。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよい。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないものであってもよい。
【００２２】
下部電極膜１２および上部電極膜１４には、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができる。電極膜の膜厚については特に限定はないが、たとえば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることができ、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いることができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気回路に接続する方法としては、たとえば、はんだ付け、金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
【００２３】
誘電体膜１３は、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された樹脂膜である。
【００２４】
重合反応によって誘電体膜１３となる薄膜１３ａ（図２（ｂ）参照）は、樹脂モノマーに加えて、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤としては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始剤としては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。また、酸化防止剤としては、たとえば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ビチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベンゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。
【００２５】
薄膜１３ａが重合開始剤を含む場合には、重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めることができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）のポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることによって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１０の製造を容易にできる。
【００２６】
薄膜１３ａが酸化防止剤を含む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を０．１重量％以上とすることによって誘電体膜１３の酸化を防止できる。
【００２７】
また、酸化防止剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を好ましい値にすることができる。
【００２８】
薄膜１３ａは、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合してなる樹脂モノマーを少なくとも含む。樹脂モノマーに含まれる芳香環の数は、２個以上４個以下であることが好ましい。また、樹脂モノマーに含まれるビニル基の数は、２個であることが好ましい。芳香環の数が１個では分子量が小さく、沸点が低くなってしまい、芳香環の数が５個以上では分子量が大きく、沸点が高くなってしまうからである。
【００２９】
なお、薄膜１３ａは、一種類の樹脂モノマーを含んでも、複数の種類の樹脂モノマーを含んでもよい。
【００３０】
また、このようにすることによって芳香環の電子の共鳴を受けることなく、ビニル基の結合状態が緩和され、反応しやすくなるものである。
【００３１】
具体的には、たとえば、薄膜１３ａとして、以下の一般式（１）で表される樹脂モノマーを少なくとも１種類以上含む膜を用いることができる。
【００３２】
【化５】
【００３３】
以下に、上記一般式（１）の樹脂モノマーの製造方法について一例を説明する。一般式（１）の樹脂モノマーは、以下の一般式（２）で表される化合物を、アセチル化反応させることによって、以下の一般式（３）で表される化合物を製造する第１工程を経由し、金属水素化物と、前記一般式（３）で表される化合物とを反応させることによって、以下の一般式（４）で表される化合物を製造する第２工程を経由し、ハロゲン化剤と、前記一般式（４）で表される化合物とを反応させることによって、以下の一般式（５）で表される化合物を製造する第３工程を経由し、強塩基と、前記一般式（５）で表される化合物とを反応させることによって、前記一般式（１）で表される化合物を製造する第４工程を経由してビス（ビニルアルキルフェニル）化合物を製造する。
【００３４】
【化６】
【００３５】
【化７】
【００３６】
【化８】
【００３７】
【化９】
【００３８】
【化１０】
【００３９】
次に、コンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００４０】
図２に、製造工程の一例を示す。
【００４１】
図２（ａ）を参照して、まず、支持体１１上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いたり、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用いることができる。
【００４２】
次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成する。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３となる膜であり、上述した一般式（１）、（２）で表される樹脂モノマーや添加剤を含む。薄膜１３ａは、図３に示すように、真空下で薄膜１３ａを形成する樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示せず）を用いればよい。
【００４３】
次に、薄膜１３ａ中で樹脂モノマーを重合反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜１３を形成する。重合反応（硬化）は、たとえば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによって起こさせることができる。
【００４４】
次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成する。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。なお、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造できる。
【００４５】
上記実施の形態１のコンデンサでは、誘電体膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【００４６】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、本発明の電子部品について、コンデンサの他の一例を説明する。実施の形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。なお、実施の形態１で説明した部分と同様の部分については重複する説明を省略する。
【００４７】
図４を参照して、コンデンサ４０は、誘電体膜４１と、誘電体膜４１中に配置された複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂと、電極４２ａおよび電極４２ｂがそれぞれ接続された外部電極４３ａおよび４３ｂとを備える。すなわち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１の少なくとも一部を挟むように対向して配置された少なくとも一対の電極を備える。さらにコンデンサ４０は、誘電体膜４１中であって、電極４２ａおよび４２ｂの外側に配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のうち、複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂが存在する部分が素子層４０ａとなる。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデンサ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃとなる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコンデンサであってもよいことはいうまでもない。
【００４８】
誘電体膜４１は、実施の形態１で説明した誘電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によって製造できる。
【００４９】
コンデンサ４０は、実施の形態１で説明した方法を用いて製造することができる。ただし、コンデンサ４０を製造する場合には、誘電体膜と電極４２ａまたは４２ｂとを交互に積層する必要がある点、および外部電極４３ａおよび４３ｂを形成する必要がある点で、実施の形態１の製造方法と異なる。なお、外部電極４３ａおよび４３ｂは、たとえば、金属溶射法、バンプ電極形成法または導電性ペースト塗布法などによって形成できる。
【００５０】
上記実施の形態２のコンデンサ４０では、誘電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【００５２】
（実施例１）
実施例１では、一般式（１）で表される化合物のうち、ＡがＣＨ2、ＢがＣＨ2、ｐが２、ｑが１、ｒが１である以下の化学式（６）で示されるビス（ビニルブチルフェニル）メタンを作製した一例について説明する。
【００５３】
【化１１】
【００５４】
まず、塩化アセチル１１９．２ｇ（１．５５ｍｏｌ）と、塩化アルミ２０４．３ｇ（１．５５ｍｏｌ）と、無水ジクロロメタン４２０ｍｌとを容量が２リットルのフラスコに採取した。これに、無水ジクロロメタン１００ｍｌに溶解させた以下の化学式（７）で表されるビス（ビニルフェニル）化合物１３２．０ｇ（０．６０ｍｏｌ）を滴下し、その後、還流下で１時間攪拌を続けることによって反応させた。
【００５５】
【化１２】
【００５６】
反応終了後、上記フラスコを氷冷し、さらに氷水５００ｍｌを加えて洗浄した後、水層を除去した。得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去して以下の化学式（８）で表されるビス（アセチルフェニル）メタン１７０．１ｇを得た。
【００５７】
【化１３】
【００５８】
次に、水素化リチウムアルミニウム３１．４ｇ（０．８３ｍｏｌ）と、無水ジクロロメタン５４５ｍｌと、無水ジエチルエーテル５４５ｍｌとを、容量２リットルのフラスコに採取し、氷冷した。これに、無水ジクロロメタン２７０ｍｌに溶解させた化学式（８）で表されるビス（アセチルフェニル）メタン１７０．１ｇ（０．５５ｍｏｌ）を滴下し、その後還流下で１時間攪拌を続けることによって反応させた。反応終了後、得られた溶液を再び氷冷し、この溶液に２０％塩酸水６００ｍｌを攪拌しながら徐々に加えて洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水にて洗浄した。この洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去して以下の化学式（９）で表されるビス（１−ヒドロキシブチルフェニル）メタン１３９．３ｇを得た。
【００５９】
【化１４】
【００６０】
次に、化学式（９）で表されるビス（１−ヒドロキシブチルフェニル）メタン１３９．３ｇ（０．５４ｍｏｌ）を無水ジクロロメタン５５０ｍｌに溶解させ、これに２５０ｍｌの無水ジクロロメタンに溶解させた三臭化リン１１７．９ｇ（０．６５ｍｏｌ）を加え、還流下で３０分間攪拌することにより反応させた。反応終了後、得られた溶液に蒸留水５００ｍｌを加えて洗浄した後、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液をｐＨが７になるまで蒸留水を用いて洗浄した。この洗浄後の溶液を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去して以下の化学式（１０）で表されるビス（１−ブロモブチルフェニル）メタン２２８．４ｇを得た。
【００６１】
【化１５】
【００６２】
次に、化学式（１０）で表されるビス（１−ブロモブチルフェニル）メタン２２８．４ｇ（０．５２ｍｏｌ）に、カリウムｔ−ブトキシド１１７．５ｇ（１．０５ｍｏｌ）と、テトラヒドロフラン１０００ｍｌとを加え、還流下で１２時間攪拌することによって反応させた。反応終了後、テトラヒドロフランを留去し、ジクロロメタン１０００ｍｌを加え、更に水層が無色透明になるまで５％塩酸水で洗浄したのち、水層を除去した。次に、得られた溶液を５％炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌによって洗浄した後、溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。この洗浄後の溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を留去することによって、淡黄色透明の液体１２５．５ｇを得た。
【００６３】
この液体について、ガスクロマトグラフィー・質量分析（ＧＣ−ＭＳ）および赤外分光分析（ＦＴ−ＩＲ）を行った結果、ビス（ビニルブチルフェニル）メタンの質量数、Ｍ／ｅ＝２４１を示す生成物が検出された。また、原料、中間体、および１パーセント以上の副生成物は検出されなかった。
【００６４】
また、ＦＴ−ＩＲの測定は島津製作所製のＦＴＩＲ−８１００Ｍ装置を用いて行い、その測定結果を図５に示す。
【００６５】
図５によると、前述した液体はビニル基に基づく１６３０ｃｍ-1の吸収ピークと芳香環に基づく１５１０ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1および１６００ｃｍ-1の吸収ピークを示した。
【００６６】
なお、本実施例では、一般式（１）で示されるビス（ビニルアルキルフェニル）化合物のうち化学式（６）で示されるビス（ビニルブチルフェニル）化合物を作製した一例を説明したが、上記一般式（２）において、Ｂが、単結合、−Ｓ−、−ＳＣＨ２Ｓ−、−ＣＨ２ＳＣＨ２−で表されるジビニルビフェニル、ビス（ビニルフェニル）スルフィド、ビス（ビニルフェニルチオ）メタンについても、同様に、上記第１〜第４の工程を行うことによって容易に化学式（１１）、化学式（１２）、化学式（１３）、化学式（１４）で製造できる。この場合には、製造する化合物に応じて出発原料を変えればよい。
【００６７】
【化１６】
【００６８】
【化１７】
【００６９】
【化１８】
【００７０】
【化１９】
【００７１】
（実施例２）
実施例２では、本発明の電子部品として、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した一例について、図２を参照しながら説明する。
【００７２】
まず、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板（支持体１１に相当）を用意し、このＰＥＴ基板上に、アルミからなる下部電極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した。
【００７３】
その後、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを蒸着することによって、樹脂モノマーからなる薄膜１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。具体的には、図３に示すような樹脂モノマー３１を入れた容器３２を、蒸着速度が５００ｎｍ／秒となるように加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄膜１３ａを形成した。
【００７４】
その後、−１５ｋＶの加速電子を５０μＡ／ｃｍ2の密度で２秒間、薄膜１３ａに照射することによって、薄膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜１３を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００７５】
その後、誘電体膜１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。このようにしてコンデンサを、作製した。
【００７６】
実施例２では、化学式（６）、化学式（１４）、酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌを３重量％添加した化学式（６）で示される樹脂モノマーを用いて３種類の異なるサンプルを作製し、実施サンプル１〜３とした。
【００７７】
また、比較例として、化学式（Ａ）、化学式（Ｂ）および化学式（Ｃ）で表される樹脂モノマーを用いたコンデンサを作製し、比較サンプル１および２とした。
【００７８】
以上の６種類のコンデンサについて、特性の評価を行った。具体的には、（１）吸湿容量変化率と、（２）高温負荷容量変化率と、（３）膜の重合度を調べた（測定方法の詳細については後述する）。上記評価の結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
【００８０】
表１から明らかなように、実施サンプル１から３のコンデンサは、（１）、（２）、（３）のいずれの評価においても、比較サンプルのコンデンサよりも優れた特性を示した。すなわち、本発明の樹脂モノマーを用いてコンデンサの誘電体膜を形成することによって、高湿度下および高温度下においても優れた特性を示し、樹脂の重合度が高いコンデンサが得られる。
【００８１】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）についても、実施サンプル１〜３のコンデンサは比較サンプル１および２のコンデンサと同等またはそれ以上の特性を示した。
【００８２】
以下、表１に示した評価の方法について吸湿容量変化率については、以下の様に評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ１１を測定した。容量は、以下の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ２２−Ｃ２１）／Ｃ２１×１００（％）で表される値である。高温負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化しにくいことを示しており、製品として好ましい。特に、近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高湿性が重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
【００８３】
樹脂の重合度は、以下の様にＦＴ−ＩＲ法を用いて評価した。まず、初期のモノマー樹脂のビニル基、アクリレート基のＣ＝Ｃの２重結合を測定した。次に、コンデンサから樹脂層を分離し、樹脂のＣ＝Ｃの２重結合を測定し、初期のモノマーに対する減少率で、重合度を評価する。
【００８４】
２重結合の存在率が低いほど、重合度が高いことを示している。したがって重合度の高いほど緻密な膜が形成されて、製品として好ましい。
【００８５】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）については、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ自体で消費する電力がより小さく、製品として好ましい。
【００８６】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施の形態に適用することができる。
【００８７】
たとえば、上記実施の形態では、本発明の電子部品がコンデンサである場合について説明したが、本発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施の形態で説明した誘電体膜を備えるものであれば、いかなるものであってもよい。具体的には、たとえば、コイル、抵抗、容量性電池、他の電子部品の支持部材などに用いることができる。
【００８８】
これらの電子部品であっても、誘電体膜における樹脂の重合度が高いので、電気特性が従来のものに比べて良好になるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明にかかる電子部品は誘電体膜における樹脂の重合度が高いので、良好な電気特性を示すので電子機器に用いられる電子部品全般においてその効果を発揮し、特に内部電極を有したコンデンサとした場合、顕著にその効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明のコンデンサについて（ａ）一例を示す断面図、（ｂ）他の一例を示す断面図
【図２】本発明のコンデンサについて製造方法の一例を示す工程図
【図３】図２に示した製造工程の一過程を示す図
【図４】本発明のコンデンサについてその他の一例を示す（ａ）断面図、（ｂ）斜視図
【図５】本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モノマーの一例のビス（ビニルアルキルフェニル）化合物についてのＩＲスペクトルを示す図
【符号の説明】
【００９１】
１０、１０ａ、４０ コンデンサ（電子部品）
１１ 支持体
１２ 下部電極膜
１３ 誘電体膜
１３ａ 薄膜
１４ 上部電極膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜を備える電子部品であって、前記誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品。
【化１】
【請求項２】
導電性を有する膜状で１対の電極と、前記電極によって上下から挟まれた誘電体膜を備える電子部品であって、前記誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品。
【化２】
【請求項３】
前記樹脂モノマーに含まれる前記芳香環の数が２個以上４個以下である請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記樹脂モノマーに含まれる前記ビニル基の数が２個である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
前記チオジアルキレン基がチオジメチレン基である請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
前記１対の電極と前記誘電体膜を複数回積層した請求項２に記載の電子部品。
【請求項７】
前記薄膜が添加剤をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記添加剤が酸化防止剤を含む請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
支持体上に導電性の下部電極膜を形成する第１の電極形成工程と、前記下部電極膜上に少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマーを重合反応させることによって誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、前記誘電体膜上に導電性の上部電極膜を形成する第３の電極形成工程と、必要に応じ前記支持体を除去する第４の支持体除去工程と、を有し、前記樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品の製造方法。
【化３】
【請求項１】
誘電体膜を備える電子部品であって、前記誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品。
【化１】
【請求項２】
導電性を有する膜状で１対の電極と、前記電極によって上下から挟まれた誘電体膜を備える電子部品であって、前記誘電体膜は、樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、前記樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品。
【化２】
【請求項３】
前記樹脂モノマーに含まれる前記芳香環の数が２個以上４個以下である請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記樹脂モノマーに含まれる前記ビニル基の数が２個である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
前記チオジアルキレン基がチオジメチレン基である請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
前記１対の電極と前記誘電体膜を複数回積層した請求項２に記載の電子部品。
【請求項７】
前記薄膜が添加剤をさらに含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記添加剤が酸化防止剤を含む請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
支持体上に導電性の下部電極膜を形成する第１の電極形成工程と、前記下部電極膜上に少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマーを重合反応させることによって誘電体膜を形成する第２の誘電体膜形成工程と、前記誘電体膜上に導電性の上部電極膜を形成する第３の電極形成工程と、必要に応じ前記支持体を除去する第４の支持体除去工程と、を有し、前記樹脂モノマーが、ビニル基と芳香環とをアルキレン基を介して結合した一般式（１）で示されることを特徴とする電子部品の製造方法。
【化３】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−２９９８７２（Ｐ２００７−２９９８７２Ａ）
【公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１２５５１４（Ｐ２００６−１２５５１４）
【出願日】平成１８年４月２８日（２００６．４．２８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月１５日（２００７．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２８日（２００６．４．２８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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