電子部品
【課題】大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる電子部品を提供する。
【解決手段】コイルは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って環状の軌道Ｒを形成している。軌道Ｒは、絶縁体層１６ａの対角線Ｃ１，Ｃ２の交点Pを通過し、かつ、絶縁体層１６ａの短辺に平行な直線Ｌ１によって、軌道Ｒ１と軌道Ｒ２とに区分されている。軌道Ｒ１が直線Ｌ１に対して線対称に移動することにより得られる軌道を軌道Ｒ３とした場合に、軌道Ｒ２の一部分（軌道ｒ２）は、軌道Ｒ３の一部分（ｒ３）に重なっており、軌道Ｒ２の残余の部分（軌道ｒ４）は、軌道Ｒ３の残余の部分（軌道ｒ５）よりも交点Ｐの近くに位置している。ビアホール導体Ｖ１は、軌道ｒ４と軌道ｒ５とにより形成される領域Ｅに設けられている。
【解決手段】コイルは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って環状の軌道Ｒを形成している。軌道Ｒは、絶縁体層１６ａの対角線Ｃ１，Ｃ２の交点Pを通過し、かつ、絶縁体層１６ａの短辺に平行な直線Ｌ１によって、軌道Ｒ１と軌道Ｒ２とに区分されている。軌道Ｒ１が直線Ｌ１に対して線対称に移動することにより得られる軌道を軌道Ｒ３とした場合に、軌道Ｒ２の一部分（軌道ｒ２）は、軌道Ｒ３の一部分（ｒ３）に重なっており、軌道Ｒ２の残余の部分（軌道ｒ４）は、軌道Ｒ３の残余の部分（軌道ｒ５）よりも交点Ｐの近くに位置している。ビアホール導体Ｖ１は、軌道ｒ４と軌道ｒ５とにより形成される領域Ｅに設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層チップインダクタが知られている。図９は、特許文献１に記載の積層チップインダクタ５００の透視図である。
【０００３】
積層チップインダクタ５００は、図９に示すように、積層体５０２、外部電極５０４ａ，５０４ｂ、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂ及びコイルＬを備えている。積層体５０２は、絶縁体層が積層されてなり、コイルＬを内蔵している。コイルＬは、積層方向（図９の上下方向）に延びるコイル軸を有する螺旋状のコイルである。外部電極５０４ａ，５０４ｂは、積層体５０２の底面に設けられている。ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂはそれぞれ、積層体５０２の側面において露出した状態で積層方向に延在するように設けられており、コイルＬの端部と外部電極５０４ａ，５０４ｂとを接続している。
【０００４】
ここで、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂについてより詳細に説明する。ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、積層方向から平面視したときに、半円形状をなしている。これは、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、積層方向に延在する円柱形状のビアホール導体を２つに分割することにより形成されるためである。すなわち、マザー積層体を個別の積層体５０２にカットする際に、２つの積層体５０２に跨って形成されているビアホール導体を２つビアホール導体に分割している。
【０００５】
以上のような積層チップインダクタ５００では、コイルＬの径を大きくすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができる。より詳細には、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、積層体５０２の側面に露出するように設けられている。よって、積層チップインダクタ５００では、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂが積層体５０２内に設けられている場合に比べて、コイルＬを形成できる領域が広くなる。よって、積層チップインダクタ５００では、コイルＬの径を大きくすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【０００６】
しかしながら、積層チップインダクタ５００は、以下に説明するように、外部電極５０４ａ，５０４ｂ間の抵抗値にばらつきが発生してしまうという問題を有する。より詳細には、コイルＬは、外部電極５０４ａ，５０４ｂに対してビアホール導体５０６ａ，５０６ｂを介して接続されている。ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、前記の通り、円柱形状のビアホール導体が２つに分割されることにより形成されている。よって、マザー積層体のカットの際のカット位置のばらつきにより、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの形状にばらつきが発生してしまう。その結果、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの抵抗値にばらつきが発生してしまい、外部電極５０４ａ，５０４ｂ間の抵抗値にばらつきが発生してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２６０９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る電子部品は、長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、第１の端部が第２の端部よりも積層方向の上側に位置する状態で前記積層体内に設けられているコイルと、前記積層体の下面に設けられている外部電極と、前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１の端部と前記外部電極とを接続しているビアホール導体と、を備え、前記コイルは、積層方向から平面視したときに、互いに重なり合って環状の軌道を形成している複数のコイル導体が接続されることにより構成されており、前記環状の軌道は、前記絶縁体層の対角線の交点を通過し、かつ、該絶縁体層の短辺に平行な直線によって、第１の軌道と第２の軌道とに区分され、前記第１の軌道が前記直線に対して線対称に移動することにより得られる軌道を第３の軌道とした場合に、前記第２の軌道の一部分は、該第３の軌道の一部分に重なっており、該第２の軌道の残余の部分は、該第３の軌道の残余の部分よりも前記交点の近くに位置しており、前記ビアホール導体は、前記第２の軌道の残余の部分と前記第３の軌道の残余の部分とにより囲まれて形成される領域に設けられていると共に、前記絶縁体層の長辺方向及び短辺方向から平面視したときに、前記第２の軌道と重なる位置に設けられていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る電子部品の斜視図である。
【図２】一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図４】比較例に係る電子部品の積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図５】シミュレーション結果を示したグラフである。
【図６】シミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】第１の変形例に係る電子部品の積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図８】第２の変形例に係る電子部品の積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図９】特許文献１に記載の積層チップインダクタの透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１３】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る電子部品１０の斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
【００１４】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ、コイルＬ及びビアホール導体Ｖ１，Ｖ２（図１には図示せず）を備えている。積層体１２は、直方体状をなしており、コイルＬ及びビアホール導体Ｖ１，Ｖ２を内蔵している。
【００１５】
外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２を介してコイルＬに対して電気的に接続されており、積層体１２のｚ軸方向の負方向側に位置する底面（下面）に設けられている。本実施形態では、外部電極１４ａは、積層体１２の底面において、ｙ軸方向の正方向側に位置する辺に沿って設けられており、外部電極１４ｂは、積層体１２の底面において、ｙ軸方向の負方向側に位置する辺に沿って設けられている。
【００１６】
積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂがｚ軸方向においてこの順に積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂはそれぞれ、長方形状をなしており、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性体材料により作製されている。
【００１７】
コイルＬは、図２に示すように、コイル導体１８ａ〜１８ｊ及びビアホール導体ｖ１２〜ｖ２０により構成されている。すなわち、コイルＬは、コイル導体１８ａ〜１８ｊがビアホール導体ｖ１２〜ｖ２０により接続されることにより構成されている。コイルＬは、ｚ軸方向に延在するコイル軸を有しており、時計回り方向（矢印Ａの方向）に旋廻しながらｚ軸方向の正方向側に向かって進行する螺旋状をなしている。また、コイルＬの端部ｔ１は、コイルＬの端部ｔ２よりもｚ軸方向の正方向側に位置している。
【００１８】
コイル導体１８ａ〜１８ｊはそれぞれ、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ上に設けられている。また、コイル導体１８ａ〜１８ｊはそれぞれ、Ａｇからなる導電性材料からなり、７／８ターンのターン数を有しており、線状導体が折り曲げて形成されている。ただし、コイル導体１８ａは、３／４ターンのターン数を有している。すなわち、コイル導体１８ａ〜１８ｊは、環状の軌道の一部（コイル導体１８ａでは１／４、コイル導体１８ｂ〜１８ｊでは１／８）が切り欠かれた形状をなしている。そして、コイル導体１８ａ〜１８ｊは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って、環状の軌道Ｒを構成している。また、コイルＬの端部ｔ１は、コイル導体１８ａの矢印Ａの方向の下流側の端部であり、コイルＬの端部ｔ２は、コイル導体１８ｊの矢印Ａの方向の上流側の端部である。
【００１９】
ビアホール導体ｖ１２〜ｖ２０は、コイル導体１８ａ〜１８ｊを接続している。より詳細には、ビアホール導体ｖ１２は、コイル導体１８ａの端部ｔ１から矢印Ａの方向に５／８ターンだけ離れた位置とコイル導体１８ｂの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１３は、コイル導体１８ｂの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｃの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１４は、コイル導体１８ｃの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｄの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１５は、コイル導体１８ｄの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｅの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１６は、コイル導体１８ｅの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｆの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１７は、コイル導体１８ｆの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｇの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１８は、コイル導体１８ｇの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｈの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１９は、コイル導体１８ｈの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｉの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ２０は、コイル導体１８ｉの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｊの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。
【００２０】
ビアホール導体ｖ１〜ｖ１１は、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ，１６ｂをｚ軸方向に貫通しており、一直線に繋がることにより１本のビアホール導体Ｖ１を構成している。ビアホール導体Ｖ１は、積層体１２内に設けられ、かつ、コイルＬの端部ｔ１と外部電極１４ａとを接続している。すなわち、ビアホール導体Ｖ１のｚ軸方向の正方向側に位置する端部は、コイル導体１８ａの矢印Ａの方向の下流側の端部に接続され、ビアホール導体Ｖ１のｚ軸方向の負方向側に位置する端部は、外部電極１４ａに接続されている。
【００２１】
ビアホール導体ｖ２１，ｖ２２（Ｖ２）は、図２に示すように、絶縁体層１７ｊ，１６ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｖ２１，ｖ２２（Ｖ２）は、積層体１２内に設けられ、かつ、コイルＬの端部ｔ２と外部電極１４ｂとを接続している。すなわち、ビアホール導体Ｖ２のｚ軸方向の正方向側に位置する端部は、コイル導体１８ｊの矢印Ａの方向の上流側の端部に接続され、ビアホール導体Ｖ２のｚ軸方向の負方向側に位置する端部は、外部電極１４ｂに接続されている。
【００２２】
次に、ビアホール導体Ｖ１と軌道Ｒとの位置関係について図面を参照しながら説明する。図３は、積層体１２をｚ軸方向から透視した図である。
【００２３】
ビアホール導体Ｖ１は、図３（ａ）に示すように、コイル導体１８ａ〜１８ｊからなる軌道Ｒの外側に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｖ１は、コイルＬの内部を通過することがなくなり、コイルＬが発生した磁束を妨げることがない。
【００２４】
また、軌道Ｒは、図３（ａ）に示すように、絶縁体層１６ａの対角線Ｃ１，Ｃ２の交点を通過し、かつ、絶縁体層１６ａの短辺に平行な直線Ｌ１によって、軌道Ｒ１と軌道Ｒ２とに区分されている。具体的には、軌道Ｒにおいて、直線Ｌ１よりもｙ軸方向の負方向側に位置する部分が軌道Ｒ１であり、直線Ｌ１よりもｙ軸方向の正方向側に位置する部分が軌道Ｒ２である。そして、図３（ｂ）に示すように、軌道Ｒ１が直線Ｌ１に対して線対称に移動することにより得られる軌道を軌道Ｒ３とした場合に、軌道Ｒ２の一部分（以下、軌道ｒ２と称す）は、軌道Ｒ３の一部分（以下、軌道ｒ３と称す）に重なっている。更に、軌道Ｒ２の残余の部分（以下、軌道ｒ４と称す）は、軌道Ｒ３の残余の部分（以下、軌道ｒ５）よりも交点Ｐの近くに位置している。なお、軌道Ｒ２，Ｒ３の残余の部分（軌道ｒ４，ｒ５）とは、軌道Ｒ２，Ｒ３において、軌道ｒ２，ｒ３以外の部分を意味する。
【００２５】
また、軌道Ｒ１及び軌道Ｒ３は、図３（ｂ）に示すように、組み合わさることによって、長方形状の軌道をなしている。そして、軌道ｒ５は、軌道Ｒ１及び軌道Ｒ３からなる長方形状の軌道の角を構成している。
【００２６】
更に、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、図３に示すように、軌道ｒ４と軌道ｒ５とにより囲まれて形成される領域Ｅに設けられている。更に、ビアホール導体Ｖ１は、絶縁体層１６ａの長辺方向（すなわち、ｙ軸方向）及び短辺方向（すなわち、ｘ軸方向）から平面視したときに、軌道Ｒ２と重なる位置に設けられている。本実施形態では、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道ｒ５により構成されている角に位置している。また、軌道ｒ４は、交点Ｐに向って突出する円弧であって、ビアホール導体Ｖ１を中心とする円弧をなしている。これにより、図２に示すように、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との最近接距離が一定となっている。
【００２７】
（効果）
以上のような電子部品１０によれば、大きなインダクタンス値を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１は、コイルＬの外部においてｚ軸方向に延在しており、コイルＬの内部を通過していない。よって、ビアホール導体Ｖ１は、コイルＬの内部を通過する磁束を妨げない。よって、電子部品１０では、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００２８】
更に、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、図３に示すように、軌道ｒ４と軌道ｒ５とにより囲まれて形成される領域Ｅに設けられ、かつ、絶縁体層１６ａの長辺方向及び短辺方向から平面視したときに、軌道Ｒ２と重なる位置に設けられている。すなわち、コイル導体１８ａ〜１８ｊは、長方形状の軌道を描いていると共に、ビアホール導体Ｖ１の近傍のみ、対角線Ｃ１，Ｃ２の交点Ｐ側に突出する円弧をなすことにより、ビアホール導体Ｖ１を避けている。これにより、コイル導体１８ａ〜１８ｊの各辺を絶縁体層１７ａ〜１７ｊの各辺にできるだけ近づけることができると共に、ビアホール導体Ｖ１とコイル導体１８ａ〜１８ｊとの接触を避けることができる。よって、電子部品１０では、コイルＬを大きくすることができるようになり、大きなインダクタンス値を得ることができるようになる。
【００２９】
更に、電子部品１０では、外部電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗値のばらつきを低減できる。より詳細には、特許文献１に記載の積層チップインダクタ５００では、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、前記の通り、円柱形状のビアホール導体が２つに分割されることにより形成されている。よって、マザー積層体のカットの際のカット位置のばらつきにより、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの形状にばらつきが発生してしまう。その結果、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの抵抗値にばらつきが発生してしまい、外部電極５０４ａ，５０４ｂ間の抵抗値にばらつきが発生してしまう。
【００３０】
一方、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２は、分割されていない。よって、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２の抵抗値にばらつきが発生しにくいので、外部電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗値のばらつきを低減できる。
【００３１】
また、電子部品１０では、図３に示すように、軌道ｒ４は、交点Ｐに向って突出する円弧であって、ビアホール導体Ｖ１を中心とする円弧をなしている。これにより、図２に示すように、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との最近接距離が一定となっている。すなわち、電子部品１０では、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との絶縁状態を維持した状態で、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との距離を小さくできる。その結果、電子部品１０では、コイルＬをできるだけ大きくすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００３２】
また、電子部品１０では、図３に示すように、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道ｒ５により構成されている角に位置している。これにより、ビアホール導体Ｖ１の存在により、ｚ軸方向から平面視したときのコイルＬの面積の減少量を、中心角が９０度である扇形の面積に押えることができる。よって、電子部品１０では、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００３３】
（シミュレーション結果）
本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。図４は、比較例に係る電子部品の積層体１１２をｚ軸方向から透視した図である。
【００３４】
本願発明者は、第１のモデルとして、図１及び図２に示す構造を有する電子部品１０のモデルを作製した。また、比較例である第２のモデルとして、図４に示す積層体１１２を有する電子部品のモデルを作製した。図３と図４とを比較して分かるように、第１のモデルの方が第２のモデルよりもコイルＬの面積が大きい。なお、その他のシミュレーション条件は以下の通りである。
【００３５】
チップサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．１ｍｍ
ビアホール導体の径：１００μｍ〜１５０μｍ
コイル導体の線幅：２５０μｍ〜２５０μｍ
コイル導体の厚み：２０μｍ〜６０μｍ
コイルＬのターン数：８．５ターン
ビアホール導体Ｖ１とコイルＬとの最近接距離：２００μｍ
ｚ軸方向から平面視したときのコイルＬの面積：１．０ｍｍ2〜１．５ｍｍ2
絶縁体層１６ａの数：１０〜３０層
なお、絶縁体層１７ａ，１７ｄ，１７ｈには、非磁性体層を用いた。
【００３６】
以上のような第１のモデル及び第２のモデルを用いて、コイルＬに流れる電流値とインダクタンス値との関係を調べた。図５及び図６は、シミュレーション結果を示したグラフである。図５において、縦軸は、インダクタンス値を示し、横軸は、電流値を示している。図６において、縦軸は、インダクタンス値変化率を示し、横軸は、電流値を示している。インダクタンス値変化率とは、（各電流値におけるインダクタンス値−電流値０におけるインダクタンス値）／電流値０におけるインダクタンス値×１００で得られる値である。
【００３７】
図５に示すシミュレーション結果によれば、第１のモデルの方が、第２のモデルよりも大きなインダクタンス値を得ることができている。よって、電子部品１０では、大きなインダクタンス値を得ることができていることが分かる。
【００３８】
また、図６に示すシミュレーション結果によれば、第１のモデルの方が、第２のモデルよりも、電流値が大きくなったときのインダクタンス値変化率の減少が少ないことが分かる。よって、第１のモデルの直流重畳特性の方が、第２のモデルの直流重畳特性よりも優れていることが分かる。これは、第１のモデルのコイルＬの面積の方が、第２のモデルのコイルＬの面積より大きいため、磁気飽和が発生しにくいためと考えられる。
【００３９】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、複数の電子部品１０を同時に作成する際の電子部品１０の製造方法について説明する。
【００４０】
まず、図２の絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００４１】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００４２】
次に、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を形成する。具体的には、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００４３】
次に、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートのｚ軸方向の正方向側の主面（以下、表面と称す）上にコイル導体１８ａ〜１８ｊを形成する。具体的には、絶縁体層１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ〜１８ｊを形成する。なお、コイル導体１８ａ〜１８ｊを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００４４】
また、図２に示すように、絶縁体層１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートのｚ軸方向の負方向側の主面（以下、裏面と称す）上に外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートの裏面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。
【００４５】
次に、図２に示すように、絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートの積層・圧着は、１枚ずつ積層して仮圧着してマザー積層体を得た後、未焼成のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。
【００４６】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法（２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．１ｍｍ）の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８００℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。以上の工程により、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【００４７】
（変形例）
以下に変形例に係る電子部品１０ａ，１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図７は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２ａをｚ軸方向から透視した図である。
【００４８】
図７に示す積層体１２ａでは、コイルＬは、電子部品１０のコイルＬと同様に時計回り方向（矢印Ａの方向）に旋廻しながらｚ軸方向の正方向側に進行する螺線形状をなしている。そして、コイルＬの端部ｔ１は、図７に示すように、ｘ軸方向の正方向側であってかつｙ軸方向の正方向側の角に位置している。一方、コイルＬの端部ｔ２は、図７に示すように、ｘ軸方向の正方向側であってかつｙ軸方向の負方向側の角に位置している。すなわち、端部ｔ１は、端部ｔ２から見て、矢印Ａの方向に最も離れた位置にある角に設けられている。これにより、端部ｔ１と端部ｔ２との間の距離を大きくすることができ、コイルＬのターン数を大きくすることができる。
【００４９】
図８は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの積層体１２ｂをｚ軸方向から透視した図である。図８に示すように、軌道ｒ４は、軌道Ｒ１，Ｒ３からなる長方形状の軌道において、角ではなく、短辺上に設けられていてもよい。この場合には、軌道ｒ４は、ビアホール導体Ｖ１を中心とする半円形状の軌道を描く。また、図示しないが、軌道ｒ４は、軌道Ｒ１，Ｒ３からなる長方形状の軌道において、長辺上に設けられていてもよい。ただし、この場合には、外部電極１４ａは、積層体１２ａの底面において、ｘ軸方向の負方向側に位置する辺に沿って設けられ、外部電極１４ｂは、積層体１２ａの底面において、ｘ軸方向の正方向側に位置する辺に沿って設けられることになる。
【００５０】
また、電子部品１０，１０ａ，１０ｂでは、軌道Ｒ１，Ｒ３からなる軌道は、長方形状をなしている。しかしながら、該軌道Ｒ１，Ｒ３からなる軌道は、長方形状に限らない。
【００５１】
また、軌道ｒ４は、円弧をなしている。しかしながら、軌道ｒ４は、円弧でなく、直線の組み合わせで構成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、電子部品に有用であり、特に、大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる点において優れている。
【符号の説明】
【００５３】
Ｃ１，Ｃ２ 対角線
Ｅ 領域
Ｌ コイル
Ｌ１ 直線
Ｐ 交点
Ｒ，Ｒ１〜Ｒ３，ｒ２〜ｒ５ 軌道
Ｖ１，Ｖ２，ｖ１〜ｖ２２ ビアホール導体
ｔ１，ｔ２ 端部
１０，１０ａ，１０ｂ 電子部品
１２，１２ａ，１２ｂ 積層体
１４ａ，１４ｂ 外部電極
１６ａ，１６ｂ，１７ａ〜１７ｊ 絶縁体層
１８ａ〜１８ｊ コイル導体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層チップインダクタが知られている。図９は、特許文献１に記載の積層チップインダクタ５００の透視図である。
【０００３】
積層チップインダクタ５００は、図９に示すように、積層体５０２、外部電極５０４ａ，５０４ｂ、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂ及びコイルＬを備えている。積層体５０２は、絶縁体層が積層されてなり、コイルＬを内蔵している。コイルＬは、積層方向（図９の上下方向）に延びるコイル軸を有する螺旋状のコイルである。外部電極５０４ａ，５０４ｂは、積層体５０２の底面に設けられている。ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂはそれぞれ、積層体５０２の側面において露出した状態で積層方向に延在するように設けられており、コイルＬの端部と外部電極５０４ａ，５０４ｂとを接続している。
【０００４】
ここで、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂについてより詳細に説明する。ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、積層方向から平面視したときに、半円形状をなしている。これは、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、積層方向に延在する円柱形状のビアホール導体を２つに分割することにより形成されるためである。すなわち、マザー積層体を個別の積層体５０２にカットする際に、２つの積層体５０２に跨って形成されているビアホール導体を２つビアホール導体に分割している。
【０００５】
以上のような積層チップインダクタ５００では、コイルＬの径を大きくすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができる。より詳細には、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、積層体５０２の側面に露出するように設けられている。よって、積層チップインダクタ５００では、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂが積層体５０２内に設けられている場合に比べて、コイルＬを形成できる領域が広くなる。よって、積層チップインダクタ５００では、コイルＬの径を大きくすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【０００６】
しかしながら、積層チップインダクタ５００は、以下に説明するように、外部電極５０４ａ，５０４ｂ間の抵抗値にばらつきが発生してしまうという問題を有する。より詳細には、コイルＬは、外部電極５０４ａ，５０４ｂに対してビアホール導体５０６ａ，５０６ｂを介して接続されている。ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、前記の通り、円柱形状のビアホール導体が２つに分割されることにより形成されている。よって、マザー積層体のカットの際のカット位置のばらつきにより、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの形状にばらつきが発生してしまう。その結果、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの抵抗値にばらつきが発生してしまい、外部電極５０４ａ，５０４ｂ間の抵抗値にばらつきが発生してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２６０９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る電子部品は、長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、第１の端部が第２の端部よりも積層方向の上側に位置する状態で前記積層体内に設けられているコイルと、前記積層体の下面に設けられている外部電極と、前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１の端部と前記外部電極とを接続しているビアホール導体と、を備え、前記コイルは、積層方向から平面視したときに、互いに重なり合って環状の軌道を形成している複数のコイル導体が接続されることにより構成されており、前記環状の軌道は、前記絶縁体層の対角線の交点を通過し、かつ、該絶縁体層の短辺に平行な直線によって、第１の軌道と第２の軌道とに区分され、前記第１の軌道が前記直線に対して線対称に移動することにより得られる軌道を第３の軌道とした場合に、前記第２の軌道の一部分は、該第３の軌道の一部分に重なっており、該第２の軌道の残余の部分は、該第３の軌道の残余の部分よりも前記交点の近くに位置しており、前記ビアホール導体は、前記第２の軌道の残余の部分と前記第３の軌道の残余の部分とにより囲まれて形成される領域に設けられていると共に、前記絶縁体層の長辺方向及び短辺方向から平面視したときに、前記第２の軌道と重なる位置に設けられていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る電子部品の斜視図である。
【図２】一実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図４】比較例に係る電子部品の積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図５】シミュレーション結果を示したグラフである。
【図６】シミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】第１の変形例に係る電子部品の積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図８】第２の変形例に係る電子部品の積層体をｚ軸方向から透視した図である。
【図９】特許文献１に記載の積層チップインダクタの透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１３】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る電子部品１０の斜視図である。図２は、一実施形態に係る電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
【００１４】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ、コイルＬ及びビアホール導体Ｖ１，Ｖ２（図１には図示せず）を備えている。積層体１２は、直方体状をなしており、コイルＬ及びビアホール導体Ｖ１，Ｖ２を内蔵している。
【００１５】
外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２を介してコイルＬに対して電気的に接続されており、積層体１２のｚ軸方向の負方向側に位置する底面（下面）に設けられている。本実施形態では、外部電極１４ａは、積層体１２の底面において、ｙ軸方向の正方向側に位置する辺に沿って設けられており、外部電極１４ｂは、積層体１２の底面において、ｙ軸方向の負方向側に位置する辺に沿って設けられている。
【００１６】
積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂがｚ軸方向においてこの順に積層されることにより構成されている。絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂはそれぞれ、長方形状をなしており、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトからなる磁性体材料により作製されている。
【００１７】
コイルＬは、図２に示すように、コイル導体１８ａ〜１８ｊ及びビアホール導体ｖ１２〜ｖ２０により構成されている。すなわち、コイルＬは、コイル導体１８ａ〜１８ｊがビアホール導体ｖ１２〜ｖ２０により接続されることにより構成されている。コイルＬは、ｚ軸方向に延在するコイル軸を有しており、時計回り方向（矢印Ａの方向）に旋廻しながらｚ軸方向の正方向側に向かって進行する螺旋状をなしている。また、コイルＬの端部ｔ１は、コイルＬの端部ｔ２よりもｚ軸方向の正方向側に位置している。
【００１８】
コイル導体１８ａ〜１８ｊはそれぞれ、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ上に設けられている。また、コイル導体１８ａ〜１８ｊはそれぞれ、Ａｇからなる導電性材料からなり、７／８ターンのターン数を有しており、線状導体が折り曲げて形成されている。ただし、コイル導体１８ａは、３／４ターンのターン数を有している。すなわち、コイル導体１８ａ〜１８ｊは、環状の軌道の一部（コイル導体１８ａでは１／４、コイル導体１８ｂ〜１８ｊでは１／８）が切り欠かれた形状をなしている。そして、コイル導体１８ａ〜１８ｊは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って、環状の軌道Ｒを構成している。また、コイルＬの端部ｔ１は、コイル導体１８ａの矢印Ａの方向の下流側の端部であり、コイルＬの端部ｔ２は、コイル導体１８ｊの矢印Ａの方向の上流側の端部である。
【００１９】
ビアホール導体ｖ１２〜ｖ２０は、コイル導体１８ａ〜１８ｊを接続している。より詳細には、ビアホール導体ｖ１２は、コイル導体１８ａの端部ｔ１から矢印Ａの方向に５／８ターンだけ離れた位置とコイル導体１８ｂの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１３は、コイル導体１８ｂの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｃの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１４は、コイル導体１８ｃの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｄの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１５は、コイル導体１８ｄの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｅの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１６は、コイル導体１８ｅの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｆの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１７は、コイル導体１８ｆの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｇの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１８は、コイル導体１８ｇの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｈの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ１９は、コイル導体１８ｈの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｉの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ２０は、コイル導体１８ｉの矢印Ａの方向の上流側の端部とコイル導体１８ｊの矢印Ａの方向の下流側の端部とを接続している。
【００２０】
ビアホール導体ｖ１〜ｖ１１は、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ，１６ｂをｚ軸方向に貫通しており、一直線に繋がることにより１本のビアホール導体Ｖ１を構成している。ビアホール導体Ｖ１は、積層体１２内に設けられ、かつ、コイルＬの端部ｔ１と外部電極１４ａとを接続している。すなわち、ビアホール導体Ｖ１のｚ軸方向の正方向側に位置する端部は、コイル導体１８ａの矢印Ａの方向の下流側の端部に接続され、ビアホール導体Ｖ１のｚ軸方向の負方向側に位置する端部は、外部電極１４ａに接続されている。
【００２１】
ビアホール導体ｖ２１，ｖ２２（Ｖ２）は、図２に示すように、絶縁体層１７ｊ，１６ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｖ２１，ｖ２２（Ｖ２）は、積層体１２内に設けられ、かつ、コイルＬの端部ｔ２と外部電極１４ｂとを接続している。すなわち、ビアホール導体Ｖ２のｚ軸方向の正方向側に位置する端部は、コイル導体１８ｊの矢印Ａの方向の上流側の端部に接続され、ビアホール導体Ｖ２のｚ軸方向の負方向側に位置する端部は、外部電極１４ｂに接続されている。
【００２２】
次に、ビアホール導体Ｖ１と軌道Ｒとの位置関係について図面を参照しながら説明する。図３は、積層体１２をｚ軸方向から透視した図である。
【００２３】
ビアホール導体Ｖ１は、図３（ａ）に示すように、コイル導体１８ａ〜１８ｊからなる軌道Ｒの外側に設けられている。これにより、ビアホール導体Ｖ１は、コイルＬの内部を通過することがなくなり、コイルＬが発生した磁束を妨げることがない。
【００２４】
また、軌道Ｒは、図３（ａ）に示すように、絶縁体層１６ａの対角線Ｃ１，Ｃ２の交点を通過し、かつ、絶縁体層１６ａの短辺に平行な直線Ｌ１によって、軌道Ｒ１と軌道Ｒ２とに区分されている。具体的には、軌道Ｒにおいて、直線Ｌ１よりもｙ軸方向の負方向側に位置する部分が軌道Ｒ１であり、直線Ｌ１よりもｙ軸方向の正方向側に位置する部分が軌道Ｒ２である。そして、図３（ｂ）に示すように、軌道Ｒ１が直線Ｌ１に対して線対称に移動することにより得られる軌道を軌道Ｒ３とした場合に、軌道Ｒ２の一部分（以下、軌道ｒ２と称す）は、軌道Ｒ３の一部分（以下、軌道ｒ３と称す）に重なっている。更に、軌道Ｒ２の残余の部分（以下、軌道ｒ４と称す）は、軌道Ｒ３の残余の部分（以下、軌道ｒ５）よりも交点Ｐの近くに位置している。なお、軌道Ｒ２，Ｒ３の残余の部分（軌道ｒ４，ｒ５）とは、軌道Ｒ２，Ｒ３において、軌道ｒ２，ｒ３以外の部分を意味する。
【００２５】
また、軌道Ｒ１及び軌道Ｒ３は、図３（ｂ）に示すように、組み合わさることによって、長方形状の軌道をなしている。そして、軌道ｒ５は、軌道Ｒ１及び軌道Ｒ３からなる長方形状の軌道の角を構成している。
【００２６】
更に、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、図３に示すように、軌道ｒ４と軌道ｒ５とにより囲まれて形成される領域Ｅに設けられている。更に、ビアホール導体Ｖ１は、絶縁体層１６ａの長辺方向（すなわち、ｙ軸方向）及び短辺方向（すなわち、ｘ軸方向）から平面視したときに、軌道Ｒ２と重なる位置に設けられている。本実施形態では、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道ｒ５により構成されている角に位置している。また、軌道ｒ４は、交点Ｐに向って突出する円弧であって、ビアホール導体Ｖ１を中心とする円弧をなしている。これにより、図２に示すように、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との最近接距離が一定となっている。
【００２７】
（効果）
以上のような電子部品１０によれば、大きなインダクタンス値を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１は、コイルＬの外部においてｚ軸方向に延在しており、コイルＬの内部を通過していない。よって、ビアホール導体Ｖ１は、コイルＬの内部を通過する磁束を妨げない。よって、電子部品１０では、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００２８】
更に、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、図３に示すように、軌道ｒ４と軌道ｒ５とにより囲まれて形成される領域Ｅに設けられ、かつ、絶縁体層１６ａの長辺方向及び短辺方向から平面視したときに、軌道Ｒ２と重なる位置に設けられている。すなわち、コイル導体１８ａ〜１８ｊは、長方形状の軌道を描いていると共に、ビアホール導体Ｖ１の近傍のみ、対角線Ｃ１，Ｃ２の交点Ｐ側に突出する円弧をなすことにより、ビアホール導体Ｖ１を避けている。これにより、コイル導体１８ａ〜１８ｊの各辺を絶縁体層１７ａ〜１７ｊの各辺にできるだけ近づけることができると共に、ビアホール導体Ｖ１とコイル導体１８ａ〜１８ｊとの接触を避けることができる。よって、電子部品１０では、コイルＬを大きくすることができるようになり、大きなインダクタンス値を得ることができるようになる。
【００２９】
更に、電子部品１０では、外部電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗値のばらつきを低減できる。より詳細には、特許文献１に記載の積層チップインダクタ５００では、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂは、前記の通り、円柱形状のビアホール導体が２つに分割されることにより形成されている。よって、マザー積層体のカットの際のカット位置のばらつきにより、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの形状にばらつきが発生してしまう。その結果、ビアホール導体５０６ａ，５０６ｂの抵抗値にばらつきが発生してしまい、外部電極５０４ａ，５０４ｂ間の抵抗値にばらつきが発生してしまう。
【００３０】
一方、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２は、分割されていない。よって、電子部品１０では、ビアホール導体Ｖ１，Ｖ２の抵抗値にばらつきが発生しにくいので、外部電極１４ａ，１４ｂ間の抵抗値のばらつきを低減できる。
【００３１】
また、電子部品１０では、図３に示すように、軌道ｒ４は、交点Ｐに向って突出する円弧であって、ビアホール導体Ｖ１を中心とする円弧をなしている。これにより、図２に示すように、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との最近接距離が一定となっている。すなわち、電子部品１０では、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との絶縁状態を維持した状態で、コイル導体１８ｂ〜１８ｆ，１８ｈ〜１８ｊとビアホール導体Ｖ１との距離を小さくできる。その結果、電子部品１０では、コイルＬをできるだけ大きくすることができ、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００３２】
また、電子部品１０では、図３に示すように、ビアホール導体Ｖ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道ｒ５により構成されている角に位置している。これにより、ビアホール導体Ｖ１の存在により、ｚ軸方向から平面視したときのコイルＬの面積の減少量を、中心角が９０度である扇形の面積に押えることができる。よって、電子部品１０では、大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００３３】
（シミュレーション結果）
本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確なものとするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。図４は、比較例に係る電子部品の積層体１１２をｚ軸方向から透視した図である。
【００３４】
本願発明者は、第１のモデルとして、図１及び図２に示す構造を有する電子部品１０のモデルを作製した。また、比較例である第２のモデルとして、図４に示す積層体１１２を有する電子部品のモデルを作製した。図３と図４とを比較して分かるように、第１のモデルの方が第２のモデルよりもコイルＬの面積が大きい。なお、その他のシミュレーション条件は以下の通りである。
【００３５】
チップサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．１ｍｍ
ビアホール導体の径：１００μｍ〜１５０μｍ
コイル導体の線幅：２５０μｍ〜２５０μｍ
コイル導体の厚み：２０μｍ〜６０μｍ
コイルＬのターン数：８．５ターン
ビアホール導体Ｖ１とコイルＬとの最近接距離：２００μｍ
ｚ軸方向から平面視したときのコイルＬの面積：１．０ｍｍ2〜１．５ｍｍ2
絶縁体層１６ａの数：１０〜３０層
なお、絶縁体層１７ａ，１７ｄ，１７ｈには、非磁性体層を用いた。
【００３６】
以上のような第１のモデル及び第２のモデルを用いて、コイルＬに流れる電流値とインダクタンス値との関係を調べた。図５及び図６は、シミュレーション結果を示したグラフである。図５において、縦軸は、インダクタンス値を示し、横軸は、電流値を示している。図６において、縦軸は、インダクタンス値変化率を示し、横軸は、電流値を示している。インダクタンス値変化率とは、（各電流値におけるインダクタンス値−電流値０におけるインダクタンス値）／電流値０におけるインダクタンス値×１００で得られる値である。
【００３７】
図５に示すシミュレーション結果によれば、第１のモデルの方が、第２のモデルよりも大きなインダクタンス値を得ることができている。よって、電子部品１０では、大きなインダクタンス値を得ることができていることが分かる。
【００３８】
また、図６に示すシミュレーション結果によれば、第１のモデルの方が、第２のモデルよりも、電流値が大きくなったときのインダクタンス値変化率の減少が少ないことが分かる。よって、第１のモデルの直流重畳特性の方が、第２のモデルの直流重畳特性よりも優れていることが分かる。これは、第１のモデルのコイルＬの面積の方が、第２のモデルのコイルＬの面積より大きいため、磁気飽和が発生しにくいためと考えられる。
【００３９】
（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下では、複数の電子部品１０を同時に作成する際の電子部品１０の製造方法について説明する。
【００４０】
まず、図２の絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
【００４１】
このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６ａ，１６ｂ，１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。
【００４２】
次に、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を形成する。具体的には、絶縁体層１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００４３】
次に、図２に示すように、絶縁体層１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートのｚ軸方向の正方向側の主面（以下、表面と称す）上にコイル導体１８ａ〜１８ｊを形成する。具体的には、絶縁体層１７ａ〜１７ｊとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体１８ａ〜１８ｊを形成する。なお、コイル導体１８ａ〜１８ｊを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。
【００４４】
また、図２に示すように、絶縁体層１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートのｚ軸方向の負方向側の主面（以下、裏面と称す）上に外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートの裏面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、外部電極１４ａ，１４ｂを形成する。
【００４５】
次に、図２に示すように、絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。絶縁体層１６ａ，１７ａ〜１７ｊ，１６ｂとなるべきセラミックグリーンシートの積層・圧着は、１枚ずつ積層して仮圧着してマザー積層体を得た後、未焼成のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。
【００４６】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法（２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．１ｍｍ）の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８００℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。以上の工程により、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【００４７】
（変形例）
以下に変形例に係る電子部品１０ａ，１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図７は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２ａをｚ軸方向から透視した図である。
【００４８】
図７に示す積層体１２ａでは、コイルＬは、電子部品１０のコイルＬと同様に時計回り方向（矢印Ａの方向）に旋廻しながらｚ軸方向の正方向側に進行する螺線形状をなしている。そして、コイルＬの端部ｔ１は、図７に示すように、ｘ軸方向の正方向側であってかつｙ軸方向の正方向側の角に位置している。一方、コイルＬの端部ｔ２は、図７に示すように、ｘ軸方向の正方向側であってかつｙ軸方向の負方向側の角に位置している。すなわち、端部ｔ１は、端部ｔ２から見て、矢印Ａの方向に最も離れた位置にある角に設けられている。これにより、端部ｔ１と端部ｔ２との間の距離を大きくすることができ、コイルＬのターン数を大きくすることができる。
【００４９】
図８は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの積層体１２ｂをｚ軸方向から透視した図である。図８に示すように、軌道ｒ４は、軌道Ｒ１，Ｒ３からなる長方形状の軌道において、角ではなく、短辺上に設けられていてもよい。この場合には、軌道ｒ４は、ビアホール導体Ｖ１を中心とする半円形状の軌道を描く。また、図示しないが、軌道ｒ４は、軌道Ｒ１，Ｒ３からなる長方形状の軌道において、長辺上に設けられていてもよい。ただし、この場合には、外部電極１４ａは、積層体１２ａの底面において、ｘ軸方向の負方向側に位置する辺に沿って設けられ、外部電極１４ｂは、積層体１２ａの底面において、ｘ軸方向の正方向側に位置する辺に沿って設けられることになる。
【００５０】
また、電子部品１０，１０ａ，１０ｂでは、軌道Ｒ１，Ｒ３からなる軌道は、長方形状をなしている。しかしながら、該軌道Ｒ１，Ｒ３からなる軌道は、長方形状に限らない。
【００５１】
また、軌道ｒ４は、円弧をなしている。しかしながら、軌道ｒ４は、円弧でなく、直線の組み合わせで構成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、電子部品に有用であり、特に、大きなインダクタンス値を得ることができ、かつ、抵抗値のばらつきを低減できる点において優れている。
【符号の説明】
【００５３】
Ｃ１，Ｃ２ 対角線
Ｅ 領域
Ｌ コイル
Ｌ１ 直線
Ｐ 交点
Ｒ，Ｒ１〜Ｒ３，ｒ２〜ｒ５ 軌道
Ｖ１，Ｖ２，ｖ１〜ｖ２２ ビアホール導体
ｔ１，ｔ２ 端部
１０，１０ａ，１０ｂ 電子部品
１２，１２ａ，１２ｂ 積層体
１４ａ，１４ｂ 外部電極
１６ａ，１６ｂ，１７ａ〜１７ｊ 絶縁体層
１８ａ〜１８ｊ コイル導体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
第１の端部が第２の端部よりも積層方向の上側に位置する状態で前記積層体内に設けられているコイルと、
前記積層体の下面に設けられている外部電極と、
前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１の端部と前記外部電極とを接続しているビアホール導体と、
を備え、
前記コイルは、積層方向から平面視したときに、互いに重なり合って環状の軌道を形成している複数のコイル導体が接続されることにより構成されており、
前記環状の軌道は、前記絶縁体層の対角線の交点を通過し、かつ、該絶縁体層の短辺に平行な直線によって、第１の軌道と第２の軌道とに区分され、
前記第１の軌道が前記直線に対して線対称に移動することにより得られる軌道を第３の軌道とした場合に、前記第２の軌道の一部分は、該第３の軌道の一部分に重なっており、該第２の軌道の残余の部分は、該第３の軌道の残余の部分よりも前記交点の近くに位置しており、
前記ビアホール導体は、前記第２の軌道の残余の部分と前記第３の軌道の残余の部分とにより囲まれて形成される領域に設けられていると共に、前記絶縁体層の長辺方向及び短辺方向から平面視したときに、前記第２の軌道と重なる位置に設けられていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の軌道及び前記第３の軌道は、組み合わさることによって長方形状の軌道をなしていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第３の軌道の残余の部分は、長方形状の軌道の角を構成していること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記コイルは、所定方向に旋廻しながら積層方向の上方向側に進行する螺旋形状をなしており、
前記第２の端部は、前記第１の端部から見て、前記所定方向に最も離れた位置にある角に設けられていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第２の軌道の残余の部分は、前記ビアホール導体を中心とする円弧状をなしていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１】
長方形状の複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
第１の端部が第２の端部よりも積層方向の上側に位置する状態で前記積層体内に設けられているコイルと、
前記積層体の下面に設けられている外部電極と、
前記積層体内に設けられ、かつ、前記第１の端部と前記外部電極とを接続しているビアホール導体と、
を備え、
前記コイルは、積層方向から平面視したときに、互いに重なり合って環状の軌道を形成している複数のコイル導体が接続されることにより構成されており、
前記環状の軌道は、前記絶縁体層の対角線の交点を通過し、かつ、該絶縁体層の短辺に平行な直線によって、第１の軌道と第２の軌道とに区分され、
前記第１の軌道が前記直線に対して線対称に移動することにより得られる軌道を第３の軌道とした場合に、前記第２の軌道の一部分は、該第３の軌道の一部分に重なっており、該第２の軌道の残余の部分は、該第３の軌道の残余の部分よりも前記交点の近くに位置しており、
前記ビアホール導体は、前記第２の軌道の残余の部分と前記第３の軌道の残余の部分とにより囲まれて形成される領域に設けられていると共に、前記絶縁体層の長辺方向及び短辺方向から平面視したときに、前記第２の軌道と重なる位置に設けられていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１の軌道及び前記第３の軌道は、組み合わさることによって長方形状の軌道をなしていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第３の軌道の残余の部分は、長方形状の軌道の角を構成していること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記コイルは、所定方向に旋廻しながら積層方向の上方向側に進行する螺旋形状をなしており、
前記第２の端部は、前記第１の端部から見て、前記所定方向に最も離れた位置にある角に設けられていること、
を特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第２の軌道の残余の部分は、前記ビアホール導体を中心とする円弧状をなしていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−９３９１（Ｐ２０１１−９３９１Ａ）
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１５０４１８（Ｐ２００９−１５０４１８）
【出願日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月１３日（２０１１．１．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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