露光装置
【課題】簡単な構成で基板の裏面からアライメントを適切に行う露光装置を提供すること。
【解決手段】露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、基板ステージ上に配設され、貫通孔３６２，３６３を有する基板載置部３６０上に露光基板を載置する基板載置ユニット３５０と、基板載置部３６０の貫通孔３６２，３６３に設けられる視標マーク３７８，３９８と、基板載置ユニット３５０に設けられるアライメント検出系３７０，３９０と、を備える。
【解決手段】露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、基板ステージ上に配設され、貫通孔３６２，３６３を有する基板載置部３６０上に露光基板を載置する基板載置ユニット３５０と、基板載置部３６０の貫通孔３６２，３６３に設けられる視標マーク３７８，３９８と、基板載置ユニット３５０に設けられるアライメント検出系３７０，３９０と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの両面にパターンを形成する縮小投影型の露光装置において、ウェハの裏面に付された位置合わせマークを顕微鏡で検出してアライメントを行う（裏面アライメント）技術が知られている（特許文献１参照）。ウェハステージの裏面（ウェハが露光する面と反対の面）側に配置された顕微鏡は、ウェハステージに設けられている貫通孔を介して、ウェハステージにウェハが載置されていない状態で該ウェハステージの上方に配設されたマスクに付されているマスクマークを検出し、その位置を記憶する。そして、ウェハがウェハステージに載置されると、上記顕微鏡は上記貫通孔を介してウェハの裏面の位置合わせマークを検出する。該位置合わせマークの位置と上記記憶したマスクマークの位置とを比較することにより、載置したウェハをＸ方向、Ｙ方向についてアライメントする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１１５８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術では、ウェハ裏面の位置合わせマークを基準位置にアライメントするためには、アライメント・ユニット駆動装置を用いてアライメント・ユニットをウェハステージに対して相対移動させる必要がある。このような相対移動機構を備えると、装置が複雑化するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、基板ステージ上に配設され、貫通孔を有する基板載置部上に露光基板を載置する基板載置ユニットと、基板載置部の貫通孔に設けられる視標マークと、基板載置ユニットに設けられるアライメント検出系と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による露光装置では、簡単な構成で基板裏面からのアライメントを適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施の形態による基板載置ユニットを搭載した露光装置の概要を説明する図である。
【図２】ベースライン計測の原理を説明する要部構成図である。
【図３】基板載置ユニットを説明する図である。
【図４】裏面アライメント用顕微鏡の要部構成図である。
【図５】変形例２による基板載置ユニットを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態による基板載置ユニット３５０を搭載した露光装置の概要を説明する図である。図１において、紙面に垂直方向をＸ軸、右方向をＹ軸、上方向をＺ軸とする。露光装置は、露光光（照明光）を供給するための光源１１として、所定波長（たとえば波長４０５ｎｍ）のレーザ光源を備えている。
【０００９】
光源１１から射出された略平行光束は、ビーム整形光学系１２を介して所定の光束に整形された後、干渉性低減部１３に入射する。干渉性低減部１３は、被照射面であるマスク１００上（ひいてはウェハ２００上）での干渉パターンの発生を低減させる。干渉性低減部１３の詳細については、たとえば特開昭５９−２２６３１７号公報に開示されている。
【００１０】
干渉性低減部１３からの光束は、第１フライアイレンズ１４を介して振動ミラー１５で偏向された後、リレー光学系１６を介して第２フライアイレンズ１７を重畳的に照明する。ここで、振動ミラー１５は、Ｘ軸周りに回動する折り曲げミラーであって、被照射面での干渉パターンの発生を低減させる。第２フライアイレンズ１７の後側焦点面には、多数の光源からなる二次光源が形成される。該二次光源からの光束は、その近傍に配置された開口絞り１８によって制限された後、コンデンサー光学系１９を介してマスク１００を重畳的に照明する。このような照明光学系を有することにより、光源１１による光束に照明むらが生じているとしても、被照射面（マスク１００、ウェハ２００）において照明むらを抑えた均一性の高い照明光が得られる。
【００１１】
マスク１００に形成されているパターンを透過した光束は、投影光学系５０を介して、感光性基板であるウェハ２００上にマスクパターンの像を形成する。マスク１００は、マスクホルダ（不図示）を介してマスクステージ１５０に載置されている。なお、マスクステージ１５０は、主制御系（不図示）からの指令に基づき、マスクステージ制御部（不図示）によって駆動制御される。このとき、マスクステージ１５０の移動は、マスク干渉計（不図示）とマスクステージ１５０に設けられた移動鏡（不図示）とにより計測される。
【００１２】
一方、ウェハ２００は、ウェハステージ３００上に位置する基板載置ユニット３５０の上面に真空チャックされている。本実施形態では、基板載置ユニット３５０がウェハホルダに相当する。基板載置ユニット３５０の詳細については後述する。ウェハステージ３００は、主制御系（不図示）からの指令に基づき、ウェハステージ制御部（不図示）によって駆動される。このとき、ウェハステージ３００の移動は、ウェハ干渉計３０１とウェハステージ３００に設けられた移動鏡３０２とにより計測する。なお、計測用の干渉計はＸ、Ｙ、Ｚ各軸に対して設けられている。ウェハステージ３００は、Ｘ方向の移動機能、Ｙ方向の移動機能、Ｚ方向の移動機能、Ｚ軸周り（角度θ）の回転機能、Ｘ軸周りのチルト機能、およびＹ軸周りのチルト機能を有し、ウェハ干渉計３０１とウェハステージ制御部とによりnmオーダで位置制御可能に構成されている。上記構成は、定盤４００上に設けられている。
【００１３】
露光装置には、ウェハ２００の表面上に形成されているアライメントマーク、または後述する裏面アライメント用の基準マークを検出するためのウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を備える。顕微鏡ユニット４０は、視標マーク４１（図２）が形成されている視標板４２（図２）を有し、該視標板４２上に上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の光学像を結像する。結像レンズと撮像素子とを含む撮像装置４５は、上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の像とともに上記視標マーク４１を撮像する。撮像装置４５からの出力信号は、信号処理系（不図示）によって信号処理され、上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の位置情報が取得される。該アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の位置情報は、ベースライン計測（またはウェハ２００のＸＹ平面に沿ったアライメント）の際に必要である。
【００１４】
＜ベースライン計測＞
ベースライン計測について説明する。図２は、ベースライン計測の原理を説明する要部構成図である。上述した照明光学系を構成するコンデンサー光学系１９を介して均一照明されるマスク１００は、マスクステージ１５０に保持されている。ベースライン計測に際し、マスクステージ１５０は、マスク１００の中心１００Ｃが投影光学系５０の光軸Ａｘと合致するように位置決めされる。
【００１５】
一方、ウェハ２００を保持するためのウェハステージ３００（図１）上の基板載置ユニット３５０には、ウェハ２００が載置される。なお、図２においてはウェハ２００の一部のみ図示されている。ウェハ２００の表面には、アライメントマーク、すなわち基準マーク２１１が形成されている。ウェハステージ３００は、基準マーク２１１が投影光学系５０の投影視野内の所定位置にくるように位置決めされる。この状態で、マスク１００の上方に設けられたＴＴＬ（through the lens）方式のマスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０（図１において不図示）によって、マスク１００に形成されたアライメントマーク、すなわちマスクマーク１１１とウェハ２００の基準マーク２１１とが同じ視野に検出される。
【００１６】
マスクマーク１１１とマスク１００の中心１００Ｃとの距離Ｄｍは、設計上あらかじめ定まった値である。したがって、投影光学系５０の像面側（ウェハ２００側）におけるマスクマーク１１１の投影点と中心１００Ｃの投影点との距離Ｄｗは、次式（１）で表される。
Ｄｗ＝Ｄｍ／Ａ （１）
ただし、Ａはウェハ２００側からマスク１００側を見たときの投影光学系５０の倍率である。投影倍率が１／５倍の縮小投影光学系の場合は、Ａ＝５である。
【００１７】
次に、ウェハステージ３００は、ウェハ２００の基準マーク２１１がウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０の視野内の所定位置にくるように位置決めされる。ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０は、投影光学系５０に並置されている。顕微鏡ユニット４０の光軸Ａｘ４０は、投影像面（投影光学系５０の像面）側において投影光学系５０の光軸Ａｘと平行である。撮像装置４５は、ミラー４３によって折り曲げられた光束による像を撮像する。視標板４２は、基準マーク２１１を位置検出する際の基準となる視標マーク４１が形成されたガラス板である。顕微鏡ユニット４０は、基準マーク２１１の像を視標板４２に結像する。
【００１８】
ベースライン量ＢＬは、図２に示すように、マスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０を用いてマスクマーク１１１と基準マーク２１１とがアライメント（光学的位置合わせ）されたときのウェハステージ３００の位置Ｐ１と、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて視標マーク４１と基準マーク２１１とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置Ｐ２とを上記ウェハ干渉計３０１でそれぞれ計測し、次式（２）のように２つの位置の差（Ｐ１−Ｐ２）を計算することにより求められる。
ＢＬ＝Ｐ１−Ｐ２ （２）
【００１９】
以上説明したように求めたベースライン量ＢＬは、ウェハ２００の基準マーク２１１を顕微鏡ユニット４０を用いて位置検出し、該検出位置に基づいてウェハステージ３００を投影光学系５０の投影視野内の所定位置に位置決めする（すなわちウェハ２００をＸＹ平面に沿ってアライメントする）ときの基準量となるものである。つまり、ウェハステージ制御部（不図示）は、顕微鏡ユニット４０を用いて検出した位置と上記ベースライン量ＢＬとに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動させる。
【００２０】
＜基板載置ユニット＞
ウェハ２００の裏面（図２において下側）に形成されている裏面基準マークを検出しながらウェハ２００の位置決めをする場合は、ウェハ２００の裏面についての基準量が必要となる。本実施形態では、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マークを検出するために裏面アライメント用顕微鏡を備える。
【００２１】
図３は、本実施の形態による基板載置ユニット３５０を説明する図である。基板載置ユニット３５０は、ウェハステージ３００（図１）に対して着脱可能に構成される。図３において、ウェハ吸着部３６０は、不図示の真空吸着機構によってウェハを吸着させる部材である。このウェハ吸着部３６０上にウェハ２００（図１）が載置される。ウェハ吸着部３６０には３つの穴が設けられている。中央の穴３６１は、ウェハ２００を交換する場合にウェハ２００を押し上げるセンターアップ用の穴である。
【００２２】
穴３６２は、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを裏面アライメント用顕微鏡３７０で検出するための貫通孔である。穴３６３は、裏面アライメント用顕微鏡３７０と同様の裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いて、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを検出するための貫通孔である。穴３６２および穴３６３の直径は、たとえば６mmである。このため、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）は、ウェハ吸着部３６０上に載置されたウェハ２００の裏面のうち、穴３６２（穴３６３）を介してそれぞれφ６mmの円内を検出する。なお、ウェハ２００をウェハ吸着部３６０上に載置する際、不図示のウェハローダの位置合わせ機構（たとえば位置合わせピン）に当接させることによってプリセットするので（プリセット精度はたとえば±０．１mm）、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マークが上記貫通孔を介して裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）の視野内（たとえば０．５mm角）に位置する。
【００２３】
図４は、裏面アライメント用顕微鏡３７０の要部構成図である。光源３７１は、たとえばＬＥＤによって構成され、照明光を供給する。光源３７１からの照明光は、不図示の照明開口絞りを介して制限された後、ミラー３７２で折り曲げられて照明リレーレンズ３７３に入射する。照明リレーレンズ３７３を介した光は、ハーフプリズム３７４を反射した後、対物レンズ３７５に入射する。対物レンズ３７５を介した光は、ミラー３７６で上方に折り曲げられ、視標板３７７を介してウェハ２００の裏側を照明する。
【００２４】
視標板３７７は、ウェハ吸着部３６０の貫通穴３６２内に設けられたガラス板であり、この視標板３７７には裏面視標マーク３７８が形成されている。裏面視標マーク３７８は、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マーク２２１を位置検出する際の基準として使用される。ウェハ２００の裏面と視標板３７７との間隔は、たとえば２０μm〜５０μmであり、裏面基準マーク２２１にフォーカス調整した対物レンズ３７５の焦点深度内に視標板３７７（裏面視標マーク３７８）を含むように構成される。
【００２５】
照明された裏面基準マーク２２１からの反射光は、ミラー３７６で反射され、対物レンズ３７５を介してハーフプリズム３７４に入射する。ハーフプリズム３７４を透過した光は、リレーレンズ３７９を介して撮像素子３８０に入射する。上述したように、対物レンズ３７５の焦点深度内に視標板３７７を含めているので、撮像素子３８０の撮像面には、裏面基準マーク２２１の像が視標板３７７に形成されている裏面視標マーク３７８の像とともに結ばれる。
【００２６】
撮像素子３８０からの出力信号は、信号処理系（不図示）によって信号処理され、上記裏面基準マーク２２１の位置情報が取得される。該裏面基準マーク２２１の位置情報は、裏面ベースライン計測（またはウェハ２００のＸＹ平面に沿った裏面アライメント）の際に必要である。
【００２７】
＜裏面ベースライン計測＞
裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いた裏面ベースライン計測について説明する。裏面ベースライン計測の開始時は、ウェハステージ３００上の基板載置ユニット３５０からウェハ２００を取り外しておく。これにより、図３に例示するように、ウェハ吸着部３６０の穴３６２を介して裏面アライメント用顕微鏡３７０の裏面視標マーク３７８が検出可能である。裏面アライメント用顕微鏡３９０の裏面視標マーク３９８についても、穴３６３を介して検出可能である。
【００２８】
ウェハステージ３００は、裏面視標マーク３７８がウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０の視野内の所定位置にくるように位置決めされる。裏面ベースライン量ＢＬ２は、マスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０を用いてマスクマーク１１１と裏面視標マーク３７８とがアライメント（光学的位置合わせ）されたときのウェハステージ３００の位置Ｐ３と、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて視標マーク４１と裏面視標マーク３７８とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置Ｐ４とを上記ウェハ干渉計３０１でそれぞれ計測し、次式（３）のように２つの位置の差（Ｐ３−Ｐ４）を計算することにより求められる。
ＢＬ２＝Ｐ３−Ｐ４ （３）
【００２９】
裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いた裏面ベースライン計測についても同様である。すなわち、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて上記視標マーク４１と裏面視標マーク３９８とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置をＰ４’とする。裏面ベースライン量ＢＬ２は、次式（４）のように２つの位置の差（Ｐ３−Ｐ４’）を計算することにより求められる。
ＢＬ２＝Ｐ３−Ｐ４’ （４）
【００３０】
次に、基板載置ユニット３５０にウェハ２００を載置し、ウェハ吸着部３６０にウェハ２００を吸着させる。そして、不図示のウェハ吸着部微動機構を駆動し、裏面アライメント用顕微鏡３７０を用いて上記裏面視標マーク３７８とウェハ２００の裏面基準マーク２２１とをアライメントさせる。裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いる場合は、上記裏面視標マーク３９８とウェハ２００の裏面基準マーク２２１とをアライメントさせる。
【００３１】
以上説明したように求めた裏面ベースライン量ＢＬ２は、ウェハ２００の裏面基準マーク２２１を裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて位置検出し、該検出位置に基づいてウェハステージ３００を投影光学系５０の投影視野内の所定位置に位置決めする（すなわちウェハ２００をＸＹ平面に沿ってアライメントする）ときの基準量となるものである。つまり、ウェハステージ制御部（不図示）は、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて検出した位置と上記裏ベースライン量ＢＬ２とに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動させる。
【００３２】
裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）による撮像面の二次元座標をあらかじめ校正しておくと、該校正した座標と上述した裏面ベースライン量ＢＬ２とに基づいてウェハ２００の裏面基準マーク２２１の位置を演算することができる。この場合には、上述した吸着部微動機構によるアライメントを省略し、裏面視標マーク３７８（または３９８）とウェハ２００の裏面基準マーク２２１との位置ずれを見込んでウェハステージ３００を移動できるので、スループットの向上に有効である。
【００３３】
なお、裏面ベースライン計測の際にウェハステージ３００をＺ軸周り（角度θ）に回転させて、裏面視標マーク３７８および裏面視標マーク３９８のＸ方向整列を行うとよい。
【００３４】
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）露光装置は、二次元方向に移動可能なウェハステージ３００と、ウェハステージ３００上に配設され、貫通孔３６２，３６３を有するウェハ吸着部３６０上にウェハ２００を載置する基板載置ユニット３５０と、ウェハ吸着部３６０の貫通孔に設けられる裏面視標マーク３７８，３９８と、基板載置ユニット３５０に設けられる裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０とを備える。裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０とウェハ吸着部３６０とを相対移動させなくてよいので、簡単な構成でウェハ２００の裏面からアライメントを適切に行うことができる。
【００３５】
（２）上記（１）の露光装置において、裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０は、ウェハ２００の露光面と反対側の面に形成されている裏面基準マーク２２１を貫通孔３６２，３６３を介して検出するので、ウェハ２００をウェハ吸着部３６０上に載置したままで裏面基準マーク２２１を検出できる。
【００３６】
（３）上記（１）または（２）の露光装置において、裏面視標マーク３７８，３９８は、裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０が裏面基準マーク２２１に合焦している状態で裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０の焦点深度内に位置するので、裏面視標マーク３７８，３９８を検出する場合と、裏面基準マーク２２１を検出する場合とで裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０をフォーカス調節し直す必要がない。これは、スループットの向上に有効である。
【００３７】
（４）上記露光装置において、基板載置ユニット３５０および裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０は、ウェハステージ３００に対して着脱可能に構成されているので、後から裏面アライメント用顕微鏡３７０、３９０を追加搭載する要求にも対処できる。
【００３８】
（変形例１）
上述した説明では、視標板３７７に裏面視標マーク３７８を形成する例を説明した。視標板３７７に裏面視標マーク３７８を形成する代わりに、視標板３７７上に裏面視標マークの像を投影するように構成してもよい。たとえば図４に例示するように、裏面視標マーク３８２を形成したガラス板３８１を配することにより、裏面視標マーク３８２の像を投影する。
【００３９】
（変形例２）
図５は、変形例２による基板載置ユニット３５０Ｂを説明する図である。基板載置ユニット３５０Ｂは、ウェハステージ３００（図１）に対して着脱可能に構成される。上述した基板載置ユニット３５０と比べて、裏面アライメント用顕微鏡３７０と裏面アライメント用顕微鏡３９０との間隔がマイクロメータ４２０および４３０によって調節可能に構成される点が異なる。
【００４０】
図５において、ウェハ吸着部３６０は、不図示の真空吸着機構によってウェハを吸着させる部材である。中央の穴３６１は、ウェハ２００を交換する場合にウェハ２００を押し上げるセンターアップ用の穴である。
【００４１】
穴３６２Ｂは、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを裏面アライメント用顕微鏡３７０で検出するための貫通孔である。マイクロメータ４２０による裏面アライメント用顕微鏡３７０の移動範囲に合わせて長穴とする。穴３６３Ｂは、裏面アライメント用顕微鏡３７０と同様の裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いて、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを検出するための貫通孔である。マイクロメータ４３０による裏面アライメント用顕微鏡３９０の移動範囲に合わせて長穴とする。
【００４２】
裏面アライメント用顕微鏡３７０および裏面アライメント用顕微鏡３９０は、それぞれガイドレール４００に沿って移動する。裏面アライメント用顕微鏡３７０および裏面アライメント用顕微鏡３９０は、マイクロメータ４２０および４３０によって位置調整された後、不図示の真空吸着機構を有する真空吸着部４１０によって基板載置ユニット３５０Ｂに固定される。
【００４３】
変形例２によれば、ウェハの裏面に形成される裏面基準マークのピッチが異なるウェハを使用する場合にも対応できるので、実デバイス設計の自由度を高めることができる。
【００４４】
（変形例３）
上述した基板載置ユニット３５０を用いて露光装置の定期検査を行うこともできる。検査用のガラスウェハとして、あらかじめ裏面に裏面基準マークを形成した厚さ約１mmのガラスウェハを用意する。該ガラスウェハの表面には、レジストの付着性を高めるために上記裏面基準マークが観察できる程度の範囲（窓と呼ぶ）を残してクロム蒸着を施しておく。
【００４５】
表面アライメントの精度管理用レチクル（マスク）をマスクステージ１５０に載置した上で、基板載置ユニット３５０上に上記ガラスウェハを載置し、ウェハ吸着部３６０によって該ガラスウェハを吸着させる。ウェハステージ制御部（不図示）は、顕微鏡ユニット４０を用いて検出した位置と上記ベースライン量ＢＬとに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動して表面アライメントを行う。この表面アライメントを行うとき、顕微鏡ユニット４０は、ガラスウェハの表面から上記「窓」を通して裏面基準マークを検出する。該表面アライメント後、ガラスウェハを一次露光する。ガラスウェハを基板載置ユニット３５０から取り外して現像処理を施すと、該ガラスウェハには上記表面アライメントの精度管理用レチクルによる第１パターンが形成されている。
【００４６】
裏面アライメントの精度管理用レチクル（マスク）をマスクをマスクステージ１５０に載置した上で、基板載置ユニット３５０上に現像後のガラスウェハを再度載置し、ウェハ吸着部３６０によって該ガラスウェハを吸着させる。ウェハステージ制御部（不図示）は、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて検出した位置と上記裏面ベースライン量ＢＬ２とに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動して裏面アライメントを行う。この裏面アライメントを行うとき、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）は、裏面基準マークをガラスウェハの裏面から検出する。該裏面アライメント後、ガラスウェハを二次露光する。ガラスウェハを基板載置ユニット３５０から取り外して現像処理を施すと、該ガラスウェハには上記裏面アライメントの精度管理用レチクルによる第２パターンが形成されている。
【００４７】
上記第１パターンは、実デバイス製造における表面パターンに相当し、上記第２パターンは、実デバイス製造における裏面パターンに相当する。変形例３によれば、上述したようにガラスウェハの片面（表面）のみに形成したレジスト像に基づいて、実デバイス製造における表裏パターンの位置ずれ量を評価できる。
【００４８】
以上の説明はあくまで一例であり、上記の実施形態の構成に何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４９】
１９…コンデンサー光学系
４０…ウェハアライメント用顕微鏡ユニット
５０…投影光学系
１００…マスク
１１１…マスクマーク
１４０…マスクアライメント用顕微鏡ユニット
１５０…マスクステージ
２００…ウェハ
２１１…基準マーク
２２１…裏面基準マーク
３００…ウェハステージ
３５０…基板載置ユニット
３６０…ウェハ吸着部
３７０、３９０…裏面アライメント用顕微鏡
３７７…視標板
３７８、３９８…裏面視標マーク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの両面にパターンを形成する縮小投影型の露光装置において、ウェハの裏面に付された位置合わせマークを顕微鏡で検出してアライメントを行う（裏面アライメント）技術が知られている（特許文献１参照）。ウェハステージの裏面（ウェハが露光する面と反対の面）側に配置された顕微鏡は、ウェハステージに設けられている貫通孔を介して、ウェハステージにウェハが載置されていない状態で該ウェハステージの上方に配設されたマスクに付されているマスクマークを検出し、その位置を記憶する。そして、ウェハがウェハステージに載置されると、上記顕微鏡は上記貫通孔を介してウェハの裏面の位置合わせマークを検出する。該位置合わせマークの位置と上記記憶したマスクマークの位置とを比較することにより、載置したウェハをＸ方向、Ｙ方向についてアライメントする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１１５８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術では、ウェハ裏面の位置合わせマークを基準位置にアライメントするためには、アライメント・ユニット駆動装置を用いてアライメント・ユニットをウェハステージに対して相対移動させる必要がある。このような相対移動機構を備えると、装置が複雑化するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による露光装置は、二次元方向に移動可能な基板ステージと、基板ステージ上に配設され、貫通孔を有する基板載置部上に露光基板を載置する基板載置ユニットと、基板載置部の貫通孔に設けられる視標マークと、基板載置ユニットに設けられるアライメント検出系と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明による露光装置では、簡単な構成で基板裏面からのアライメントを適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施の形態による基板載置ユニットを搭載した露光装置の概要を説明する図である。
【図２】ベースライン計測の原理を説明する要部構成図である。
【図３】基板載置ユニットを説明する図である。
【図４】裏面アライメント用顕微鏡の要部構成図である。
【図５】変形例２による基板載置ユニットを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態による基板載置ユニット３５０を搭載した露光装置の概要を説明する図である。図１において、紙面に垂直方向をＸ軸、右方向をＹ軸、上方向をＺ軸とする。露光装置は、露光光（照明光）を供給するための光源１１として、所定波長（たとえば波長４０５ｎｍ）のレーザ光源を備えている。
【０００９】
光源１１から射出された略平行光束は、ビーム整形光学系１２を介して所定の光束に整形された後、干渉性低減部１３に入射する。干渉性低減部１３は、被照射面であるマスク１００上（ひいてはウェハ２００上）での干渉パターンの発生を低減させる。干渉性低減部１３の詳細については、たとえば特開昭５９−２２６３１７号公報に開示されている。
【００１０】
干渉性低減部１３からの光束は、第１フライアイレンズ１４を介して振動ミラー１５で偏向された後、リレー光学系１６を介して第２フライアイレンズ１７を重畳的に照明する。ここで、振動ミラー１５は、Ｘ軸周りに回動する折り曲げミラーであって、被照射面での干渉パターンの発生を低減させる。第２フライアイレンズ１７の後側焦点面には、多数の光源からなる二次光源が形成される。該二次光源からの光束は、その近傍に配置された開口絞り１８によって制限された後、コンデンサー光学系１９を介してマスク１００を重畳的に照明する。このような照明光学系を有することにより、光源１１による光束に照明むらが生じているとしても、被照射面（マスク１００、ウェハ２００）において照明むらを抑えた均一性の高い照明光が得られる。
【００１１】
マスク１００に形成されているパターンを透過した光束は、投影光学系５０を介して、感光性基板であるウェハ２００上にマスクパターンの像を形成する。マスク１００は、マスクホルダ（不図示）を介してマスクステージ１５０に載置されている。なお、マスクステージ１５０は、主制御系（不図示）からの指令に基づき、マスクステージ制御部（不図示）によって駆動制御される。このとき、マスクステージ１５０の移動は、マスク干渉計（不図示）とマスクステージ１５０に設けられた移動鏡（不図示）とにより計測される。
【００１２】
一方、ウェハ２００は、ウェハステージ３００上に位置する基板載置ユニット３５０の上面に真空チャックされている。本実施形態では、基板載置ユニット３５０がウェハホルダに相当する。基板載置ユニット３５０の詳細については後述する。ウェハステージ３００は、主制御系（不図示）からの指令に基づき、ウェハステージ制御部（不図示）によって駆動される。このとき、ウェハステージ３００の移動は、ウェハ干渉計３０１とウェハステージ３００に設けられた移動鏡３０２とにより計測する。なお、計測用の干渉計はＸ、Ｙ、Ｚ各軸に対して設けられている。ウェハステージ３００は、Ｘ方向の移動機能、Ｙ方向の移動機能、Ｚ方向の移動機能、Ｚ軸周り（角度θ）の回転機能、Ｘ軸周りのチルト機能、およびＹ軸周りのチルト機能を有し、ウェハ干渉計３０１とウェハステージ制御部とによりnmオーダで位置制御可能に構成されている。上記構成は、定盤４００上に設けられている。
【００１３】
露光装置には、ウェハ２００の表面上に形成されているアライメントマーク、または後述する裏面アライメント用の基準マークを検出するためのウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を備える。顕微鏡ユニット４０は、視標マーク４１（図２）が形成されている視標板４２（図２）を有し、該視標板４２上に上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の光学像を結像する。結像レンズと撮像素子とを含む撮像装置４５は、上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の像とともに上記視標マーク４１を撮像する。撮像装置４５からの出力信号は、信号処理系（不図示）によって信号処理され、上記アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の位置情報が取得される。該アライメントマーク（または裏面アライメント用の基準マーク）の位置情報は、ベースライン計測（またはウェハ２００のＸＹ平面に沿ったアライメント）の際に必要である。
【００１４】
＜ベースライン計測＞
ベースライン計測について説明する。図２は、ベースライン計測の原理を説明する要部構成図である。上述した照明光学系を構成するコンデンサー光学系１９を介して均一照明されるマスク１００は、マスクステージ１５０に保持されている。ベースライン計測に際し、マスクステージ１５０は、マスク１００の中心１００Ｃが投影光学系５０の光軸Ａｘと合致するように位置決めされる。
【００１５】
一方、ウェハ２００を保持するためのウェハステージ３００（図１）上の基板載置ユニット３５０には、ウェハ２００が載置される。なお、図２においてはウェハ２００の一部のみ図示されている。ウェハ２００の表面には、アライメントマーク、すなわち基準マーク２１１が形成されている。ウェハステージ３００は、基準マーク２１１が投影光学系５０の投影視野内の所定位置にくるように位置決めされる。この状態で、マスク１００の上方に設けられたＴＴＬ（through the lens）方式のマスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０（図１において不図示）によって、マスク１００に形成されたアライメントマーク、すなわちマスクマーク１１１とウェハ２００の基準マーク２１１とが同じ視野に検出される。
【００１６】
マスクマーク１１１とマスク１００の中心１００Ｃとの距離Ｄｍは、設計上あらかじめ定まった値である。したがって、投影光学系５０の像面側（ウェハ２００側）におけるマスクマーク１１１の投影点と中心１００Ｃの投影点との距離Ｄｗは、次式（１）で表される。
Ｄｗ＝Ｄｍ／Ａ （１）
ただし、Ａはウェハ２００側からマスク１００側を見たときの投影光学系５０の倍率である。投影倍率が１／５倍の縮小投影光学系の場合は、Ａ＝５である。
【００１７】
次に、ウェハステージ３００は、ウェハ２００の基準マーク２１１がウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０の視野内の所定位置にくるように位置決めされる。ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０は、投影光学系５０に並置されている。顕微鏡ユニット４０の光軸Ａｘ４０は、投影像面（投影光学系５０の像面）側において投影光学系５０の光軸Ａｘと平行である。撮像装置４５は、ミラー４３によって折り曲げられた光束による像を撮像する。視標板４２は、基準マーク２１１を位置検出する際の基準となる視標マーク４１が形成されたガラス板である。顕微鏡ユニット４０は、基準マーク２１１の像を視標板４２に結像する。
【００１８】
ベースライン量ＢＬは、図２に示すように、マスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０を用いてマスクマーク１１１と基準マーク２１１とがアライメント（光学的位置合わせ）されたときのウェハステージ３００の位置Ｐ１と、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて視標マーク４１と基準マーク２１１とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置Ｐ２とを上記ウェハ干渉計３０１でそれぞれ計測し、次式（２）のように２つの位置の差（Ｐ１−Ｐ２）を計算することにより求められる。
ＢＬ＝Ｐ１−Ｐ２ （２）
【００１９】
以上説明したように求めたベースライン量ＢＬは、ウェハ２００の基準マーク２１１を顕微鏡ユニット４０を用いて位置検出し、該検出位置に基づいてウェハステージ３００を投影光学系５０の投影視野内の所定位置に位置決めする（すなわちウェハ２００をＸＹ平面に沿ってアライメントする）ときの基準量となるものである。つまり、ウェハステージ制御部（不図示）は、顕微鏡ユニット４０を用いて検出した位置と上記ベースライン量ＢＬとに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動させる。
【００２０】
＜基板載置ユニット＞
ウェハ２００の裏面（図２において下側）に形成されている裏面基準マークを検出しながらウェハ２００の位置決めをする場合は、ウェハ２００の裏面についての基準量が必要となる。本実施形態では、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マークを検出するために裏面アライメント用顕微鏡を備える。
【００２１】
図３は、本実施の形態による基板載置ユニット３５０を説明する図である。基板載置ユニット３５０は、ウェハステージ３００（図１）に対して着脱可能に構成される。図３において、ウェハ吸着部３６０は、不図示の真空吸着機構によってウェハを吸着させる部材である。このウェハ吸着部３６０上にウェハ２００（図１）が載置される。ウェハ吸着部３６０には３つの穴が設けられている。中央の穴３６１は、ウェハ２００を交換する場合にウェハ２００を押し上げるセンターアップ用の穴である。
【００２２】
穴３６２は、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを裏面アライメント用顕微鏡３７０で検出するための貫通孔である。穴３６３は、裏面アライメント用顕微鏡３７０と同様の裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いて、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを検出するための貫通孔である。穴３６２および穴３６３の直径は、たとえば６mmである。このため、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）は、ウェハ吸着部３６０上に載置されたウェハ２００の裏面のうち、穴３６２（穴３６３）を介してそれぞれφ６mmの円内を検出する。なお、ウェハ２００をウェハ吸着部３６０上に載置する際、不図示のウェハローダの位置合わせ機構（たとえば位置合わせピン）に当接させることによってプリセットするので（プリセット精度はたとえば±０．１mm）、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マークが上記貫通孔を介して裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）の視野内（たとえば０．５mm角）に位置する。
【００２３】
図４は、裏面アライメント用顕微鏡３７０の要部構成図である。光源３７１は、たとえばＬＥＤによって構成され、照明光を供給する。光源３７１からの照明光は、不図示の照明開口絞りを介して制限された後、ミラー３７２で折り曲げられて照明リレーレンズ３７３に入射する。照明リレーレンズ３７３を介した光は、ハーフプリズム３７４を反射した後、対物レンズ３７５に入射する。対物レンズ３７５を介した光は、ミラー３７６で上方に折り曲げられ、視標板３７７を介してウェハ２００の裏側を照明する。
【００２４】
視標板３７７は、ウェハ吸着部３６０の貫通穴３６２内に設けられたガラス板であり、この視標板３７７には裏面視標マーク３７８が形成されている。裏面視標マーク３７８は、ウェハ２００の裏面に形成された裏面基準マーク２２１を位置検出する際の基準として使用される。ウェハ２００の裏面と視標板３７７との間隔は、たとえば２０μm〜５０μmであり、裏面基準マーク２２１にフォーカス調整した対物レンズ３７５の焦点深度内に視標板３７７（裏面視標マーク３７８）を含むように構成される。
【００２５】
照明された裏面基準マーク２２１からの反射光は、ミラー３７６で反射され、対物レンズ３７５を介してハーフプリズム３７４に入射する。ハーフプリズム３７４を透過した光は、リレーレンズ３７９を介して撮像素子３８０に入射する。上述したように、対物レンズ３７５の焦点深度内に視標板３７７を含めているので、撮像素子３８０の撮像面には、裏面基準マーク２２１の像が視標板３７７に形成されている裏面視標マーク３７８の像とともに結ばれる。
【００２６】
撮像素子３８０からの出力信号は、信号処理系（不図示）によって信号処理され、上記裏面基準マーク２２１の位置情報が取得される。該裏面基準マーク２２１の位置情報は、裏面ベースライン計測（またはウェハ２００のＸＹ平面に沿った裏面アライメント）の際に必要である。
【００２７】
＜裏面ベースライン計測＞
裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いた裏面ベースライン計測について説明する。裏面ベースライン計測の開始時は、ウェハステージ３００上の基板載置ユニット３５０からウェハ２００を取り外しておく。これにより、図３に例示するように、ウェハ吸着部３６０の穴３６２を介して裏面アライメント用顕微鏡３７０の裏面視標マーク３７８が検出可能である。裏面アライメント用顕微鏡３９０の裏面視標マーク３９８についても、穴３６３を介して検出可能である。
【００２８】
ウェハステージ３００は、裏面視標マーク３７８がウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０の視野内の所定位置にくるように位置決めされる。裏面ベースライン量ＢＬ２は、マスクアライメント用顕微鏡ユニット１４０を用いてマスクマーク１１１と裏面視標マーク３７８とがアライメント（光学的位置合わせ）されたときのウェハステージ３００の位置Ｐ３と、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて視標マーク４１と裏面視標マーク３７８とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置Ｐ４とを上記ウェハ干渉計３０１でそれぞれ計測し、次式（３）のように２つの位置の差（Ｐ３−Ｐ４）を計算することにより求められる。
ＢＬ２＝Ｐ３−Ｐ４ （３）
【００２９】
裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いた裏面ベースライン計測についても同様である。すなわち、ウェハアライメント用顕微鏡ユニット４０を用いて上記視標マーク４１と裏面視標マーク３９８とがアライメントされたときのウェハステージ３００の位置をＰ４’とする。裏面ベースライン量ＢＬ２は、次式（４）のように２つの位置の差（Ｐ３−Ｐ４’）を計算することにより求められる。
ＢＬ２＝Ｐ３−Ｐ４’ （４）
【００３０】
次に、基板載置ユニット３５０にウェハ２００を載置し、ウェハ吸着部３６０にウェハ２００を吸着させる。そして、不図示のウェハ吸着部微動機構を駆動し、裏面アライメント用顕微鏡３７０を用いて上記裏面視標マーク３７８とウェハ２００の裏面基準マーク２２１とをアライメントさせる。裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いる場合は、上記裏面視標マーク３９８とウェハ２００の裏面基準マーク２２１とをアライメントさせる。
【００３１】
以上説明したように求めた裏面ベースライン量ＢＬ２は、ウェハ２００の裏面基準マーク２２１を裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて位置検出し、該検出位置に基づいてウェハステージ３００を投影光学系５０の投影視野内の所定位置に位置決めする（すなわちウェハ２００をＸＹ平面に沿ってアライメントする）ときの基準量となるものである。つまり、ウェハステージ制御部（不図示）は、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて検出した位置と上記裏ベースライン量ＢＬ２とに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動させる。
【００３２】
裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）による撮像面の二次元座標をあらかじめ校正しておくと、該校正した座標と上述した裏面ベースライン量ＢＬ２とに基づいてウェハ２００の裏面基準マーク２２１の位置を演算することができる。この場合には、上述した吸着部微動機構によるアライメントを省略し、裏面視標マーク３７８（または３９８）とウェハ２００の裏面基準マーク２２１との位置ずれを見込んでウェハステージ３００を移動できるので、スループットの向上に有効である。
【００３３】
なお、裏面ベースライン計測の際にウェハステージ３００をＺ軸周り（角度θ）に回転させて、裏面視標マーク３７８および裏面視標マーク３９８のＸ方向整列を行うとよい。
【００３４】
以上説明した実施形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）露光装置は、二次元方向に移動可能なウェハステージ３００と、ウェハステージ３００上に配設され、貫通孔３６２，３６３を有するウェハ吸着部３６０上にウェハ２００を載置する基板載置ユニット３５０と、ウェハ吸着部３６０の貫通孔に設けられる裏面視標マーク３７８，３９８と、基板載置ユニット３５０に設けられる裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０とを備える。裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０とウェハ吸着部３６０とを相対移動させなくてよいので、簡単な構成でウェハ２００の裏面からアライメントを適切に行うことができる。
【００３５】
（２）上記（１）の露光装置において、裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０は、ウェハ２００の露光面と反対側の面に形成されている裏面基準マーク２２１を貫通孔３６２，３６３を介して検出するので、ウェハ２００をウェハ吸着部３６０上に載置したままで裏面基準マーク２２１を検出できる。
【００３６】
（３）上記（１）または（２）の露光装置において、裏面視標マーク３７８，３９８は、裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０が裏面基準マーク２２１に合焦している状態で裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０の焦点深度内に位置するので、裏面視標マーク３７８，３９８を検出する場合と、裏面基準マーク２２１を検出する場合とで裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０をフォーカス調節し直す必要がない。これは、スループットの向上に有効である。
【００３７】
（４）上記露光装置において、基板載置ユニット３５０および裏面アライメント用顕微鏡３７０，３９０は、ウェハステージ３００に対して着脱可能に構成されているので、後から裏面アライメント用顕微鏡３７０、３９０を追加搭載する要求にも対処できる。
【００３８】
（変形例１）
上述した説明では、視標板３７７に裏面視標マーク３７８を形成する例を説明した。視標板３７７に裏面視標マーク３７８を形成する代わりに、視標板３７７上に裏面視標マークの像を投影するように構成してもよい。たとえば図４に例示するように、裏面視標マーク３８２を形成したガラス板３８１を配することにより、裏面視標マーク３８２の像を投影する。
【００３９】
（変形例２）
図５は、変形例２による基板載置ユニット３５０Ｂを説明する図である。基板載置ユニット３５０Ｂは、ウェハステージ３００（図１）に対して着脱可能に構成される。上述した基板載置ユニット３５０と比べて、裏面アライメント用顕微鏡３７０と裏面アライメント用顕微鏡３９０との間隔がマイクロメータ４２０および４３０によって調節可能に構成される点が異なる。
【００４０】
図５において、ウェハ吸着部３６０は、不図示の真空吸着機構によってウェハを吸着させる部材である。中央の穴３６１は、ウェハ２００を交換する場合にウェハ２００を押し上げるセンターアップ用の穴である。
【００４１】
穴３６２Ｂは、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを裏面アライメント用顕微鏡３７０で検出するための貫通孔である。マイクロメータ４２０による裏面アライメント用顕微鏡３７０の移動範囲に合わせて長穴とする。穴３６３Ｂは、裏面アライメント用顕微鏡３７０と同様の裏面アライメント用顕微鏡３９０を用いて、ウェハ２００の裏面に形成される裏面基準マークを検出するための貫通孔である。マイクロメータ４３０による裏面アライメント用顕微鏡３９０の移動範囲に合わせて長穴とする。
【００４２】
裏面アライメント用顕微鏡３７０および裏面アライメント用顕微鏡３９０は、それぞれガイドレール４００に沿って移動する。裏面アライメント用顕微鏡３７０および裏面アライメント用顕微鏡３９０は、マイクロメータ４２０および４３０によって位置調整された後、不図示の真空吸着機構を有する真空吸着部４１０によって基板載置ユニット３５０Ｂに固定される。
【００４３】
変形例２によれば、ウェハの裏面に形成される裏面基準マークのピッチが異なるウェハを使用する場合にも対応できるので、実デバイス設計の自由度を高めることができる。
【００４４】
（変形例３）
上述した基板載置ユニット３５０を用いて露光装置の定期検査を行うこともできる。検査用のガラスウェハとして、あらかじめ裏面に裏面基準マークを形成した厚さ約１mmのガラスウェハを用意する。該ガラスウェハの表面には、レジストの付着性を高めるために上記裏面基準マークが観察できる程度の範囲（窓と呼ぶ）を残してクロム蒸着を施しておく。
【００４５】
表面アライメントの精度管理用レチクル（マスク）をマスクステージ１５０に載置した上で、基板載置ユニット３５０上に上記ガラスウェハを載置し、ウェハ吸着部３６０によって該ガラスウェハを吸着させる。ウェハステージ制御部（不図示）は、顕微鏡ユニット４０を用いて検出した位置と上記ベースライン量ＢＬとに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動して表面アライメントを行う。この表面アライメントを行うとき、顕微鏡ユニット４０は、ガラスウェハの表面から上記「窓」を通して裏面基準マークを検出する。該表面アライメント後、ガラスウェハを一次露光する。ガラスウェハを基板載置ユニット３５０から取り外して現像処理を施すと、該ガラスウェハには上記表面アライメントの精度管理用レチクルによる第１パターンが形成されている。
【００４６】
裏面アライメントの精度管理用レチクル（マスク）をマスクをマスクステージ１５０に載置した上で、基板載置ユニット３５０上に現像後のガラスウェハを再度載置し、ウェハ吸着部３６０によって該ガラスウェハを吸着させる。ウェハステージ制御部（不図示）は、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）を用いて検出した位置と上記裏面ベースライン量ＢＬ２とに基づいて演算した位置へウェハ２００を移動して裏面アライメントを行う。この裏面アライメントを行うとき、裏面アライメント用顕微鏡３７０（３９０）は、裏面基準マークをガラスウェハの裏面から検出する。該裏面アライメント後、ガラスウェハを二次露光する。ガラスウェハを基板載置ユニット３５０から取り外して現像処理を施すと、該ガラスウェハには上記裏面アライメントの精度管理用レチクルによる第２パターンが形成されている。
【００４７】
上記第１パターンは、実デバイス製造における表面パターンに相当し、上記第２パターンは、実デバイス製造における裏面パターンに相当する。変形例３によれば、上述したようにガラスウェハの片面（表面）のみに形成したレジスト像に基づいて、実デバイス製造における表裏パターンの位置ずれ量を評価できる。
【００４８】
以上の説明はあくまで一例であり、上記の実施形態の構成に何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００４９】
１９…コンデンサー光学系
４０…ウェハアライメント用顕微鏡ユニット
５０…投影光学系
１００…マスク
１１１…マスクマーク
１４０…マスクアライメント用顕微鏡ユニット
１５０…マスクステージ
２００…ウェハ
２１１…基準マーク
２２１…裏面基準マーク
３００…ウェハステージ
３５０…基板載置ユニット
３６０…ウェハ吸着部
３７０、３９０…裏面アライメント用顕微鏡
３７７…視標板
３７８、３９８…裏面視標マーク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次元方向に移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージ上に配設され、貫通孔を有する基板載置部上に露光基板を載置する基板載置ユニットと、
前記基板載置部の貫通孔に設けられる視標マークと、
前記基板載置ユニットに設けられるアライメント検出系と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置において、
前記アライメント検出系は、
前記基板の露光面と反対側の面に形成されている基準マークを前記貫通孔を介して検出することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の露光装置において、
前記視標マークは、前記アライメント検出系が前記基準マークに合焦している状態で該アライメント検出系の焦点深度内に位置することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板載置ユニットおよび前記アライメント検出系は、前記基板ステージに対して着脱可能に構成されていることを特徴とする露光装置。
【請求項１】
二次元方向に移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージ上に配設され、貫通孔を有する基板載置部上に露光基板を載置する基板載置ユニットと、
前記基板載置部の貫通孔に設けられる視標マークと、
前記基板載置ユニットに設けられるアライメント検出系と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置において、
前記アライメント検出系は、
前記基板の露光面と反対側の面に形成されている基準マークを前記貫通孔を介して検出することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の露光装置において、
前記視標マークは、前記アライメント検出系が前記基準マークに合焦している状態で該アライメント検出系の焦点深度内に位置することを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板載置ユニットおよび前記アライメント検出系は、前記基板ステージに対して着脱可能に構成されていることを特徴とする露光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−８４７１３（Ｐ２０１２−８４７１３Ａ）
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３０２６１（Ｐ２０１０−２３０２６１）
【出願日】平成２２年１０月１３日（２０１０．１０．１３）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月２６日（２０１２．４．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月１３日（２０１０．１０．１３）
【出願人】（０００００４１１２）株式会社ニコン (12,601)
【Ｆターム（参考）】
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