説明

面状発熱体及び加熱装置

【課題】高温にまで加熱することが可能で、かつ、電圧印加時の加熱や冷却の応答性に優れた面状発熱体を提供する。
【解決手段】面状発熱体11は、厚みが200μm以下のガラス板17と、ガラス板17の上に形成されている透明導電膜12とを備えている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、面状発熱体及びそれを備える加熱装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、例えば、窓板の結露防止などの用途に使用される発熱体として、面状発熱体が知られている。例えば、下記の特許文献1,2には、樹脂フィルムの上に導電性薄膜が形成された面状発熱体が開示されている。特許文献1,2に記載の面状発熱体では、基材が樹脂フィルムであるため、特許文献1,2に記載の面状発熱体は、低温域での使用に限定され、高温域で使用することはできない。
【0003】
それに対して、例えば、下記の特許文献3には、ガラスなどからなる基板の上に、ITOなどからなる透明導電膜を形成した面状発熱体が開示されている。この面状発熱体では、基材と透明導電膜とが共に無機材料からなるため、特許文献3に記載の面状発熱体は、高温域においても使用可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平1−235181号公報
【特許文献2】特開平2−284377号公報
【特許文献3】特開2007−241179号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
しかしながら、特許文献3に記載の面状発熱体では、加熱や冷却の応答性が低いという問題がある。
【0006】
本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高温にまで加熱することが可能で、かつ、電圧印加時の加熱や冷却の応答性に優れた面状発熱体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明に係る面状発熱体は、厚みが200μm以下のガラス板と、ガラス板の上に形成されている透明導電膜とを備えている。本発明に係る面状発熱体では、ガラス板の厚みが200μm以下である。このため、本発明に係る面状発熱体は、加熱や冷却の応答性に優れている。また、本発明に係る面状発熱体は、可撓性を有するため、非平面形状にすることも可能である。さらに、本発明に係る面状発熱体は、基材がガラス板であるため、高温域にまで発熱させることができる。
【0008】
なお、本発明においては、「ガラス板」には、結晶化ガラス板が含まれるものとする。
【0009】
本発明に係る面状発熱体は、透明導電膜の上に形成されている絶縁膜をさらに備えていることが好ましい。この構成によれば、面状発熱体からの漏電を抑制することができる。なお、絶縁膜は、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、ケイ素またはチタンの酸化物または窒化物により形成することができる。
【0010】
本発明に係る面状発熱体は、透明導電膜の上に形成されており、ガラス板よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜をさらに備えていることが好ましい。この構成によれば、ガラ
ス板側から赤外線を主として放射させることができ、ガラス板とは反対側から赤外線が放射されることを効果的に抑制することができる。従って、ガラス板側をより高温にすることができる。また、面状発熱体を、耐熱性が低い部材に低放射率膜側が近接するように配設することも可能となる。
【0011】
ガラス板とは反対側からの赤外線の放射をより効果的に抑制する観点からは、低放射率膜は、面状発熱体のガラス板側からの赤外線放射量が、低放射率膜側からの赤外線放射量の2倍以上となるように構成されていることが好ましい。
【0012】
なお、低放射率膜側からの赤外線放射量は、低放射率膜の厚みや材質などによって調整することができる。 低放射率膜は、単層膜であっても多層膜であってもよく、さらに傾斜膜で構成されてもよい。但し、経済的な観点からは、低放射率膜は、単層膜により構成されていることが好ましい。
【0013】
低放射率膜は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)により形成することができる。この場合、低放射率膜が可視光を透過するため、透明な面状発熱体を実現することができる。本発明に係る面状発熱体は、400nm〜800nmの波長域における平均光透過率が70%以上であるものであることが好ましい。なお、平均透過率は、表面反射を含む透過率であり、いわゆる内部透過率ではない。
【0014】
また、ITOは、電磁波の放射率が約0.3(ガラスは約0.95)と低いため、低放射率膜をITOにより形成することにより、透光性を維持しつつ、低放射率膜側からの赤外線放射量を効果的に小さくすることができる。
【0015】
なお、低放射率膜が金属や合金からなる場合は、低放射率膜は、絶縁膜により透明導電膜から絶縁されていることが好ましい。
【0016】
本発明に係る加熱装置は、上記本発明に係る面状発熱体を備えている。このため、本発明に係る加熱装置は、高い加熱効率を有し、かつ、加熱や冷却の応答性に優れている。
【0017】
本発明に係る加熱装置は、上記面状発熱体が収納された内部空間を有し、その内部空間に開口する開口部が形成された筐体を有し、面状発熱体が開口部に臨むように配置されたものであってもよい。また、本発明に係る加熱装置は、開口部が形成されていない筐体の内部に面状発熱体を配置したものであってもよい。その場合は、凹部が形成され、それぞれの凹部が付き合わされて固定された一対の筐体部により筐体を構成し、その一対の筐体部により上記面状発熱体を狭持するようにしてもよい。
【0018】
なお、筐体は、例えば、樹脂やガラスにより形成することができる。
【発明の効果】
【0019】
本発明によれば、高温にまで加熱することが可能で、かつ、電圧印加時の加熱や冷却の応答性に優れた面状発熱体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明の一実施形態に係る加熱装置の略図的断面図である。
【図2】本発明の他の実施形態に係る加熱装置の略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本発明を実施した好ましい形態について、図1に示す加熱装置1を例に挙げて説明する。但し、加熱装置1及び加熱装置1に含まれる面状発熱体11は、単なる例示であ
る。本発明は、加熱装置1及び面状発熱体11に何ら限定されない。
【0022】
図1に示すように、加熱装置1は、筐体10と、筐体10に収納されている面状発熱体11とを備えている。筐体10の構成材料や大きさは、特に限定されない。筐体10は、例えば、ガラス、金属、合金、セラミック、樹脂などにより形成することができる。加熱装置1を、透光性を有するものとする場合には、筐体10を透光性樹脂や透光性ガラスなどにより形成することが好ましい。
【0023】
筐体10の内部には、面状発熱体11が収納されている。面状発熱体11は、ガラス板17と、ガラス板17の上に形成されている透明導電膜12と、透明導電膜12の上に形成されている絶縁膜13と、絶縁膜13の上に形成されている低放射率膜14と、透明導電膜12に電気的に接続されている一対の電極15,16とを備えている。面状発熱体11は、筐体10内において、ガラス板17が筐体10の開口10a側を向き、低放射率膜14側が筐体10の底壁部10b側を向くように配置されている。ガラス板17は、開口10aに臨んでいる。
【0024】
本実施形態において、ガラス板17は、厚みが200μm以下である可撓性を有するガラス板である。このため、本実施形態に係る面状発熱体11も可撓性を有している。また、ガラス板17が薄いため、ガラス板17の熱容量が小さい。よって、面状発熱体11の温度を、短時間の間に上昇させたり降下させたりすることができる。従って、加熱装置1は、加熱や冷却の応答性に優れている。また、面状発熱体11では、基材がガラス板17であるため、高温域にまで発熱させることができる。
【0025】
なお、加熱や冷却の応答性をより向上する観点からは、ガラス板17をより薄くすることが好ましい。しかしながら、ガラス板17が薄すぎると、面状発熱体11の機械的耐久性が低くなりすぎる。従って、ガラス板17の厚みは、5μm以上であることが好ましい。
【0026】
透明導電膜12は、ガラス板17の上に形成されている。この透明導電膜12に一対の電極15,16を介して電圧が印加されることによりガラス板17側から赤外線が放射される。すなわち、この透明導電膜12は、熱源としての機能を有する。
【0027】
透明導電膜12は、例えば、ITOにより形成することができる。もっとも、透明導電膜12の材質は、ITOに限定されない。透明導電膜12は、例えば、金、銀、アルミニウム等の金属薄膜、アンチモン含有酸化スズ、フッ素含有酸化スズ(FTO)、アルミニウム含有酸化亜鉛などからなる酸化物薄膜により構成することもできる。
【0028】
透明導電膜12の厚みは、例えば、50nm〜500nm程度とすることができる。透明導電膜12がITOにより形成されている場合は、透明導電膜12が厚すぎると、面状発熱体11の400nm〜800nmの波長域における平均光透過率が低くなりすぎる場合がある。一方、透明導電膜12が薄すぎると、駆動電圧が高くなる場合がある。
【0029】
なお、面状発熱体11全体としては、400nm〜800nmの波長域における平均光透過率が70%以上であることが好ましい。
【0030】
絶縁膜13は、透明導電膜12の電極15,16形成部を除いた部分の実質的に全体を覆うように形成されている。この絶縁層13により面状発熱体11からの漏電が抑制されている。絶縁膜13は、例えば、アルミニウム、ケイ素、チタンの酸化物または窒化物により形成することができる。すなわち、絶縁膜13は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化チタン、窒化チタンなどにより形成することができる。
【0031】
絶縁膜13の厚みは、例えば、50nm〜1000nm程度とすることができる。絶縁膜13の厚みが薄すぎると、透明導電膜12を確実に絶縁できない場合がある。一方、絶縁膜13が厚すぎると、絶縁膜13の形成に要する時間が長くなり、面状発熱体11の製造コストが上昇してしまう場合がある。
【0032】
低放射率膜14は、絶縁膜13の上に形成されている。低放射率膜14は、絶縁膜13によって透明導電膜12及び電極16から電気的に絶縁されている。この低放射率膜14は、ガラス板17よりも赤外線の放射率が低い膜であり、透明導電膜12において生じた熱が低放射率膜14側に放射されることを抑制する機能を有する。この低放射率膜14を設けることによって、ガラス板17側から主として赤外線を放射させることができる。その結果、面状発熱体11のガラス板17側をより高温にすることができる。また、筐体10が加熱されることを効果的に抑制することができる。
【0033】
面状発熱体11のガラス板17側の温度をより高くし、低放射率膜14側の温度を低くする観点からは、低放射率膜14の厚みは、ガラス板17側からの赤外線放射量が、低放射率膜14側からの赤外線放射量の2倍以上となるような厚みに形成されていることが好ましい。このような観点から、低放射率膜14の厚みは、例えば、50nm〜500nm程度であることが好ましい。
【0034】
低放射率膜14は、例えば、ITOにより形成することができる。低放射率膜14と透明導電膜12との両方をITOにより形成することにより、面状発熱体11の製造コストを低減することができる。また、面状発熱体11の製造がより容易となる。さらに、低放射率膜14を、放射率が低いITOにより形成することによって、透光性の低下を抑制しつつ、低放射率膜14側への赤外線の放射を効果的に抑制することができる。
【0035】
もっとも、低放射率膜14の材質は、ITOに限定されない。低放射率膜14は、例えば、金、銀、アルミニウムなどの金属や合金、アンチモン含有酸化スズ、フッ素含有酸化スズ(FTO)、アルミニウム含有酸化亜鉛などにより形成することもできる。
【0036】
なお、低放射率膜14、絶縁膜13及び透明導電膜12の形成方法は、特に限定されない。低放射率膜14、絶縁膜13及び透明導電膜12は、例えば、スパッタリング法やCVD法などにより形成することができる。
【0037】
一対の電極15,16は、透明導電膜12の上に形成されている。電極15,16は、例えば、アルミニウム、クロム、モリブデン、銀、銅などの金属や、合金などにより形成することができる。電極15,16は、透明導電膜12両側に形成されていることが好ましい。電極15,16は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、導電性ペーストの塗布、半田付けなどにより形成することができる。なかでも、スパッタリング法により電極15,16を形成することが好ましい。そうすることにより、電極15,16と透明導電膜12との密着強度を高めることができる。
【0038】
(実施例1)
150mm×250mmで、厚さが70μmのガラス板の上に、厚さ150nmのITOからなる透明導電膜をスパッタリング法により形成することにより面状発熱体を作製した。
【0039】
上記作製の面状発熱体に70Wの電力を供給し、ガラス基板中央部の温度が、室温(2
4℃)から100℃に達するまでに要した時間を測定した。その後、電力の供給を停止し、ガラス基板中央部の温度が100℃から30℃にまで低下するのに要した時間を測定した。結果を下記の表1に示す。なお、ガラス基板中央部の温度は、放射温度計を用いて測定した。
【0040】
(比較例1)
ガラス板の厚みを400μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして面状発熱体を作製した。その面状発熱体に70Wの電力を供給し、ガラス基板中央部の温度が、室温(24℃)から100℃に達するまでに要した時間を測定した。その後、電力の供給を停止し、ガラス基板中央部の温度が100℃から30℃にまで低下するのに要した時間を測定した。結果を下記の表1に示す。
【0041】
【表1】

【0042】
上記表1に示すように、ガラス板の厚みを200μm以下とすることにより、加熱及び冷却の応答性を効果的に向上できることが分かる。
【0043】
(実施例2)
150mm×250mmで、厚さが70μmのガラス板17の上に、厚さ150nmのITO膜からなる透明導電膜12、厚さ50nmからなるSiO膜からなる絶縁膜13、厚さ100nmのAlからなる低放射率膜14を、スパッタリング法により順次形成し、面状発熱体11を作製した。
【0044】
作製した面状発熱体11の透明導電膜12に70Wの電力を1分間供給した際のガラス板17側と低放射率膜14側とのそれぞれの温度を、放射温度計を用いて測定した。
【0045】
その結果、ガラス板17側の温度は、104℃であり、低放射率膜14側の温度は、30℃であった。
【0046】
(実施例3)
低放射率膜14を形成しないこと以外は、上記実施例2と同様にして面状発熱体を作製した。
【0047】
作製した面状発熱体11の透明導電膜12に70Wの電力を1分間供給した際のガラス板17側と低放射率膜14側とのそれぞれの温度を、放射温度計を用いて測定した。
【0048】
その結果、ガラス板17側の温度は、104℃であり、低放射率膜14側の温度は、43℃であった。
【0049】
実施例2,3の結果より、低放射率膜14を設けることにより、低放射率膜14側からの赤外線の放射を効果的に抑制できることが分かる。
【0050】
以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の機能で参照し、説明を省略する。
【0051】
図2は、本発明の他の実施形態に係る加熱装置の略図的断面図である。図2に示すように、本実施形態に係る加熱装置2は、上記加熱装置1と同様に、透明導電膜12と、電極15,16とが表面上に形成されているガラス板17からなる面状発熱体11を有する。
【0052】
本実施形態において、面状発熱体を収納している筐体10は、端縁部同士が融着することにより接合されている2枚の樹脂フィルム19a、19bにより構成されている。すなわち、加熱装置2では、面状発熱体11は、樹脂ラミネートされている。
【0053】
このため、本実施形態においては、面状発熱体11に加えて、筐体10も可撓性を有する。よって、加熱装置2は、可撓性を有し、必要に応じて湾曲させた形状、例えば略円筒状に変形した状態で使用することもできる。従って、加熱装置2を用いることによって、例えば、非平面状の被加熱物を効率的に加熱することができる。
【0054】
また、ガラス板17が樹脂製の筐体10で覆われているため、ガラス板17の表面が傷つきにくいため、加熱装置2では、強度の経時劣化が生じにくい。
【0055】
なお、樹脂フィルム19a、19bは、耐熱性を有する樹脂からなるものである限りにおいて特に限定されない。樹脂フィルム19a、19bは、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)ポリスルフォン、ポリフェニレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、セルロースエステル樹脂、ポリアミドなどにより形成することができる。
【符号の説明】
【0056】
1,2…加熱装置
10…筐体
10a…開口
10b…底壁部
10c…接合部
11…面状発熱体
12…透明導電膜
13…絶縁膜
14…低放射率膜
15,16…電極
17,18…ガラス板
19a、19b…樹脂フィルム

【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚みが200μm以下のガラス板と、
前記ガラス板の上に形成されている透明導電膜と、
を備えることを特徴とする面状発熱体。
【請求項2】
前記透明導電膜の上に形成されている絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の面状発熱体。
【請求項3】
前記絶縁膜は、アルミニウム、ケイ素またはチタンの酸化物または窒化物からなることを特徴とする請求項2に記載の面状発熱体。
【請求項4】
前記透明導電膜の上に形成されており、前記ガラス板よりも赤外線の放射率が低い低放射率膜をさらに備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の面状発熱体。
【請求項5】
前記低放射率膜は、前記面状発熱体のガラス板側からの赤外線放射量が、前記低放射率膜側からの赤外線放射量の2倍以上となるように構成されていることを特徴とする請求項4に記載の面状発熱体。
【請求項6】
前記低放射率膜は、ITOからなることを特徴とする請求項4または5に記載の面状発熱体。
【請求項7】
400nm〜800nmの波長域における平均光透過率が70%以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の面状発熱体。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれか一項に記載の面状発熱体を備えることを特徴とする加熱装置。

【図1】
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【図2】
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【公開番号】特開2012−74325(P2012−74325A)
【公開日】平成24年4月12日(2012.4.12)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−220204(P2010−220204)
【出願日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【出願人】(000232243)日本電気硝子株式会社 (1,447)
【Fターム(参考)】