説明

1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物およびその製造方法

【課題】ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物の汎用性が高く簡便かつ効率的な製造法に関する。また、該化合物の製造に有用な中間体化合物および含フッ素液晶化合物の提供。
【解決手段】一般式Cya−CF2CF2X(I)で表される化合物を反応原料とする、一般式Cya−CF2CF2−Cyb(II)で表される1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物の製造方法(各式中、Cyaは置換基を有してもよいシクロヘキシル基であり、Cybは置換基を有してもよいシクロヘキシル基またはシクロヘキセニル基であり、Xはヨウ素原子、臭素原子である)。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物の汎用性が高く簡便かつ効率的な製造法に関する。また、該化合物の製造に有用な中間体化合物および含フッ素液晶化合物を提供する。
【背景技術】
【0002】
液晶素子は携帯電話やPDAのような携帯機器、複写機やパソコンモニタのようなOA機器用表示装置、液晶テレビなどの家電製品用表示装置をはじめ、時計、電卓、測定器、自動車用計器、カメラなどの用途に使用されており、広い動作温度範囲、低動作電圧、高速応答性、化学的安定性等の種々の性能が要求されている。
このような液晶素子には液晶相を示す材料が使用されているが、現在のところ、これら全ての特性を単独の化合物で満たすわけではなく、1つまたは2つ以上の特性の優れた複数の液晶化合物や非液晶性化合物を混合して液晶組成物として要求性能を満たしている。
液晶素子の分野において、液晶組成物に使用される化合物に要求される種々の特性の中でも、他の液晶材料または非液晶材料との相溶性に優れ、化学的にも安定であり、かつ液晶素子に用いた場合に広い温度範囲で高速応答性に優れ低電圧駆動できる性質を有する化合物を提供することは重要な課題である。
【0003】
このような課題の解決策として、CFCF連結基の両側にフェニル基またはシクロヘキシル基を有する化合物の使用が検討されている。この化合物は、液晶素子に用いた場合に広い動作温度範囲、低動作電圧、高速応答性、化学的安定性等の種々の要求性能を満たすのに必要な化合物である。中でも、CFCF連結基の両側にシクロヘキシル基を有する化合物は、特に優れた化学的安定性と、高い透明点を有し液晶素子に適した化合物である。
【0004】
また、最近になって、以下に示すようなCFCF連結基の両側にシクロヘキシル基またはフェニル基を有する化合物の合成方法も報告されるようになった。
【化1】


式中、MGおよびMGは、1,4−シクロへキシレン基、1,4−フェニレン基などの骨格を有するメソゲン基である(特許文献1参照)。
【0005】
【化2】


式中、A〜Aは、トランス−1,4−ジ置換シクロへキシレン基または1,4−ジ置換フェニレン基であり、Y,Yは、−COO−,−OCO−,−CHCH−などの連結基である(特許文献2参照)。
【0006】
【化3】


(特許文献3参照)
【0007】
【化4】


(非特許文献1参照)
【0008】
また、CF=CF基の両側にフェニル基を有する化合物を、CFClなどの溶媒中でフッ素ガスを用いてフッ素化して、CFCF連結基の両側にフェニル基を有する化合物を合成する反応が記載されているものもある(例えば非特許文献2参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】独国特許発明第4015681号公報
【特許文献2】特開平05−331084号公報
【特許文献3】国際公開第02/51774号パンフレット
【非特許文献】
【0010】
【非特許文献1】J.Am.Chem.,Soc.,Vol.123,No.23,p.5414−5417(2001).
【非特許文献2】Journal of Fluorine Chemistry,25(1984)p.169−193.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
しかし、特許文献1に記載されるDASTによるフッ素化方法は、カルボニル基に結合するMG基がシクロヘキシル基である場合、フッ素化は進行しない。
特許文献2に記載された方法は、フッ素化試薬(フッ素化ヨウ素)の入手、取り扱いが容易ではなく、反応副生物が多く、収率は満足できるものではない。
特許文献3に記載された合成方法では、両端がシクロヘキサン環のフッ素化前駆体の合成は困難であり、CFCF連結基に結合する環構造はベンゼン環に限られ、さらに、合成できる化合物は左右対称構造のものに限られる。
非特許文献1における両端がシクロヘキシル基のジケトンのフッ素化は、通常のフッ素化試薬では進行せず、反応性は高いが毒性が強いSFを用いる必要があり、危険性が高く、スケ−ルアップが容易でなく、かつ収率が低いといった問題がある。
非特許文献2の方法は、合成される化合物がCFCF連結基の両側にフェニル基を有する化合物に限られている。
【0012】
このように、CFCF連結基の両側にシクロヘキシル基を有する化合物は、特に優れた化学的安定性と、高い透明点を有していることは知られていたが、このような化合物を製造するための汎用性が高く簡便かつ効率的な製造方法はこれまで存在せず、その開発が大いに期待されている。
【0013】
本発明は、液晶材料等機能性材料として有用なCFCF連結基の両側にシクロヘキシル基を有する化合物すなわち1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物を製造するための汎用性が高く簡便かつ効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明者らは、前述した課題を解決すべく鋭意検討した結果、シクロヘキシルテトラフルオロエチルハライド誘導体を反応原料とすることにより、1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物が高収率で得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち本発明は、一般式Cya−CF2CF2X(I)で表される化合物を反応原料とする、一般式Cya−CF2CF2−Cyb(II)で表される1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物の製造方法を提供する。
上記式(I)および(II)中、Cyaは置換基を有してもよいシクロヘキシル基であり、Cybは置換基を有してもよいシクロヘキシル基またはシクロヘキセニル基であり、Xはヨウ素原子、臭素原子である。
【0015】
本明細書においては、式(I)で表される化合物を化合物(I)と記し、他の式で表される化合物も同様に記す。
【0016】
本発明のより具体的態様は、上記の製造方法において、化合物(I)が下記式(1)で表される化合物であり、化合物(II)が下記式(2)で表される化合物である。
【化5】

【0017】
式(1)および式(2)中の記号は、以下の意味を示す。
:水素原子、ハロゲン原子、−CN、−NCS、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または下記式(C12)で表される基。前記アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
【化6】


(Qは、−CH−または−CHCH−であり、基中の水素原子はアルキル基で置換されていてもよい。)
【0018】
:水素原子、ハロゲン原子、−CN、−NCS、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または下記式(C22)で表される基。前記アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
【化7】


(Qは式C12と同じ意味を示す。)
【0019】
、A、A、A:相互に独立して、トランス−1,4−シクロへキシレン基、1,3−シクロブチレン基、1,2−シクロプロピレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、または1,4−フェニレン基。
〜Aの基中の1つ以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、該基中に存在する1個または2個の=CH−基は窒素原子に置換されていてもよく、1個または2個の−CH−基はエーテル性酸素原子またはエーテル性硫黄原子に置換されていてもよい。
【0020】
、Z、Z、Z:相互に独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレン基であり、基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていても良い。
X:ヨウ素原子、臭素原子。
a、b、c、d:相互に独立して0または1である。ただし、0≦a+b+c+d≦2を満たす。
【0021】
ただし、a=b=0の場合に下記式(C1)で表される基
【化8】


は、前記式(C12)で表される基であってもよく、c=d=0の場合に下記式(C2)で表される基
【化9】


は、前記式(C22)で表される基であってもよい。)
【0022】
本発明に係る製造方法において、上記化合物(1)を、塩基存在下、下記式(3)で表される化合物と反応させて、下記式(4)で表される化合物を得る工程を含む態様が好ましい。
【化10】

式(1)、式(3)および式(4)中の各記号R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、cおよびdは、前記と同じ意味を示す。ただし、式(3)において、c=d=0の場合の式(3)で表わされる化合物は、下記式(C32)で表される化合物であってもよい。
【0023】
【化11】


また、式(4)において、c=d=0の場合に下記式(C4)で表される基
【化12】


は、下記式(C42)であってもよい。
【化13】

【0024】
また、本発明の製造方法の好ましい態様において、上記で得られた化合物(4)を、下記式(5)で表される化合物に変換して、下記式(5)で表される化合物を得る工程を含む。
【化14】

式(4)および式(5)中の各記号R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、cおよびdは、前記記号と同じ意味を示す。ただし、式(5)において、c=d=0の場合に下記式(C5)で表される基
【化15】


は、下記式(C52)で表される基であってもよい。
【化16】

【0025】
また、本発明において、下記第1工程、第2工程および第3工程を含む、前記製造方法が好ましい。
第1工程:下記式(1)で表される化合物を塩基存在下、下記式(3)で表される化合物と反応させて下記式(4)で表される化合物を製造する工程。
第2工程:下記式(4)で表される化合物を脱水し、下記式(5)で表される化合物へと変換する工程。
第3工程:下記式(5)で表される化合物を水素還元し、下記式(2)で表される化合物へと変換する工程。
【化17】

式(1)〜(5)中の記号は、前記と同じ意味を示す。
【0026】
また、本発明は、上記に示す化合物(4)および(5)を新規な化合物として提供する。これらは、化合物(2)製造のための中間体であり、また式(II)で表される1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物でもある。
【化18】

式(4)中の記号は、前記と同じ意味を示す。
【0027】
【化19】

式(5)中の記号は、前記と同じ意味を示す。
【発明の効果】
【0028】
本発明の製造方法に従えば、1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物を汎用性が高く工業的にも容易に簡便かつ効率的に製造することができる。
本発明の製造方法によって得られる式(2)で表される化合物は、他の液晶材料または非液晶材料との相溶性に優れ、化学的にも安定であり、かつ液晶電気光学素子に用いた場合に広い温度範囲で高速応答性に優れ、低電圧駆動できる。
また、本発明の製造方法によって得られる化合物は、該化合物を構成する環基、置換基および連結基を適宜選択することにより、液晶素子に要求される様々な性能、具体的には、例えば、広い動作温度範囲、低動作電圧、高速応答性、化学的安定性等、を満たした液晶組成物を調製できる。
【発明を実施するための形態】
【0029】
本発明の1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物Cya−CF2CF2−Cyb(II)の製造方法は、シクロヘキシルテトラフルオロエチルハライド誘導体Cya−CF2CF2X(I)を反応原料とすることを特徴とする。これを、より具体的な化合物(1)を反応原料として化合物(2)を得る態様について説明する。
【化20】

上記各式中の記号は、前記と同じ意味を示す。
【0030】
化合物(1)において、Rは、水素原子、ハロゲン原子、−CN、−NCS、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または前記式(C12)で表される基である。前記アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。なお、フッ素原子の置換と、エーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子の置換とは、アルキル基に対して同時に行われていてもよい。
【0031】
化合物(2)において、Rは水素原子、ハロゲン原子、−CN、−NCS、−SF、炭素数1〜18のアルキル基または前記式(C22)で表される基である。前記アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。なお、フッ素原子の置換と、エーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子の置換とは、アルキル基に対して同時に行われていてもよい。
【0032】
以下、エーテル性酸素原子、チオエーテル性硫黄原子およびフッ素原子の少なくとも1つに置換されたアルキル基を「置換アルキル基」と記す。
置換アルキル基としては、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキルチオ基、アルキルチオアルキル基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、等が挙げられる。
としては、反応性や副反応が生じにくいことから、水素原子、フッ素原子、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18の置換されたアルキル基、または前記式(C12)で表される基が好ましい。
としては、反応性や副反応が生じにくいことから、水素原子、フッ素原子、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18の置換されたアルキル基、または前記式(C22)で表される基が好ましい。
【0033】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ペンチル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が挙げられる。
アルコキシアルキル基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基が挙げられる。
アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基が挙げられる。
アルキルチオアルキル基としては、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基が挙げられる。
フルオロアルキル基として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基が挙げられる。
フルオロアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基が挙げられる。
【0034】
としては、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10の置換アルキル基または前記式(C12)で表される基が特に好ましい。
としては、水素原子、フッ素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10の置換アルキル基または前記式(C22)で表される基が特に好ましい。
【0035】
化合物(1)および化合物(2)において、A、A、AおよびAは、相互に独立して、トランス−1,4−シクロへキシレン基、1,3−シクロブチレン基、1,2−シクロプロピレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、または1,4−フェニレン基である。
〜Aの基中の1つ以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、該基中に存在する1個または2個の=CH−基は窒素原子に置換されていてもよく、1個または2個の−CH−基はエーテル性酸素原子またはエーテル性硫黄原子に置換されていてもよい。なお、ハロゲン原子の置換と、窒素原子または酸素原子の置換とは、同一の基に対して同時に行われていてもよい。
【0036】
、A、AおよびAが1,4−フェニレン基である場合、置換するハロゲン原子の数は1〜4個であり、1個または2個が好ましい。環基がトランス−1,4−シクロヘキシレン基である場合、置換するハロゲン原子の数は1〜4個である。また、ハロゲン原子はシクロヘキシレン基の1位または4位の炭素原子に結合していてもよい。
1,4−フェニレン基の基中に存在する1個または2個の=CH−基が窒素原子に置換された基としては、2,5−ピリミジニレン基または2,5−ピリジニレン基が挙げられる。
トランス−1,4−シクロへキシレン基の基中に存在する1個または2個の−CH−基はエーテル性酸素原子またはエーテル性硫黄原子に置換された基としては、1,3−ジオキサン−2,5−ジイル基、1,3−ジチアン−2,5−ジイル基が挙げられる。
以下、ハロゲン原子および窒素原子の少なくとも1つに置換された1,4−フェニレン基を「置換1,4−フェニレン基」と記し、ハロゲン原子、エーテル性酸素原子およびチオエーテル性硫黄原子の少なくとも1つに置換された1,4−シクロヘキシレン基を「置換トランス−1,4−シクロヘキシレン基」と記す。
【0037】
、A、AおよびAとしては、反応性や原料入手の関係から、トランス−1,4−シクロへキシレン基、1,4−フェニレン基、置換トランス−1,4−シクロへキシレン基、および置換1,4−フェニレン基が好ましい。
中でも、トランス−1,4−シクロへキシレン基、1,4−フェニレン基、および1個または2個のフッ素原子で置換された1,4−フェニレン基が特に好ましい。
【0038】
これらの環基は、1位および4位に結合手を有する。なお、本明細書においては、環基の右側を1位とし、左側を4位とする。例えば、化合物(2)中のAは、Zと結合する側が1位であり、Rと結合する側が4位である。
【0039】
化合物(1)および化合物(2)において、Z、Z、ZおよびZは、相互に独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレン基であり、基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていても良い。なお、フッ素原子の置換と、エーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子の置換とは、同一の基に対して同時に行われていてもよい。
基中の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキレン基としては、−CFCF−、−CFCH−、−CHCF−、−CHFCH−、−CHCHF−、−CFCHF−、−CHFCF−、が挙げられる。
基中の1個以上の−CH−がエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されたアルキレン基としては、−CHO−、−OCH−、−CHS−、−SCH−、が挙げられる。
また、これらのフッ素原子の置換とエーテル性酸素原子の置換が同時に行われた基としては、−CFO−、−OCF−が挙げられる。
【0040】
、Z、ZおよびZとしては、合成の容易さ等から、単結合、炭素数1〜4のアルキレン基、炭素数1〜4の基中の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されたアルキレン基、および炭素数1〜4の基中の1個以上の−CH−がエーテル性酸素原子で置換されたアルキレン基が好ましい。
中でも、単結合および炭素数1〜4のアルキレン基が特に好ましい。
【0041】
化合物(1)において、Xはヨウ素原子または臭素原子である。Xとしては反応性からヨウ素原子が好ましい。
【0042】
化合物(1)および化合物(2)において、a、b、c、dは相互に独立して0または1である。ただし、0≦a+b+c+d≦2である。
a、b、cおよびdは化合物に要求特性に応じて適宜選択することができる。
たとえば化合物(2)が低粘性であること、あるいは該化合物が他の液晶材料または非液晶材料との相溶性に優れている点を重視する場合、0≦a+b+c+d≦1であることが好ましい。一方、化合物の高い液晶温度範囲を重視する場合、1≦a+b+c+d≦2であることが好ましい。
【0043】
化合物(1)および化合物(2)において、Qは−CH−または−CHCH−であり、基中の水素原子はアルキル基で置換されていてもよい。
基中の炭素原子がアルキル基で置換された基としては、−CHC(CH−などが挙げられる。
Qとしては、原料の入手の容易さから、−CH−または−CHCH−が特に好ましい。
【0044】
また、式(1)において、a=b=0の場合、前記Rの好適構造に加えて、前記式(C1)で表される基が前記式(C12)で表される基であるのが好ましい。
また、式(2)において、c=d=0の場合、前記Rの好適構造に加えて、前記(C2)で表される基が前記式(C22)で表される基であるのが好ましい。
【0045】
本発明の製造方法には以下の工程が含まれることが好ましい。
第1工程:塩基存在下、化合物(1)と化合物(3)を反応させ化合物(4)を得る工程。
第2工程:化合物(4)を脱水し、化合物(5)へと変換する工程。
第3工程:化合物(5)を水素還元し、化合物(2)へと変換する工程。
【化21】

【0046】
化合物(3)、化合物(4)および化合物(5)において、R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、c、dおよびQの定義および好ましい態様は前記化合物(1)および化合物(2)と同じである。
【0047】
第1工程は塩基存在下、化合物(1)と化合物(3)を反応させ化合物(4)を得る工程である。
【0048】
本発明の出発物質である化合物(1)のXはヨウ素または臭素であるが、ヨウ素がより好ましい。化合物(1)は、例えば、特開2002−128776号公報記載の方法やそれを参考にして得る事ができる。
また、シクロヘキサノン誘導体化合物(3)は、市販品あるいは新実験科学講座(丸善株式会社出版)等、有機合成の成書に記載されている方法にて容易に得られる。
化合物(3)の使用量は化合物(1)1モルに対し、2〜0.33モルが好ましく、1〜0.5モルがより好ましい。
【0049】
第1工程は溶媒中で実施するのが好ましい。溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒;石油エーテル類または前記溶媒の適当な混合溶媒等を用いることができる。これらの中でも、ジエチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エーテル系溶媒と脂肪族炭化水素系溶媒の混合溶媒が好ましい。
【0050】
前記溶媒の量は、化合物(3)1モルに対し、0.1〜100倍量使用するのが好ましく、0.5〜20倍量使用するのがより好ましい。例えば、化合物(3)が1mmolであれば、溶媒は0.1〜100ml使用するのが好ましく、0.5〜20ml使用するのがより好ましいということになる。
【0051】
反応温度は−150〜−30℃が好ましく、−100〜−70℃がより好ましい。
【0052】
反応時間は0.1〜24時間が好ましく、0.1〜3時間がより好ましい。
【0053】
塩基としては、例えば、ソジウムブトキシド、ポタシウムブトキシド、ソジウムエトキシド、ソジウムメトキシド等のアルカリ金属アルコキシド類;n−ブチルリチウム、sec−ブチルリチウム、tert−ブチルリチウム、メチルリチウム、等のアルキルリチウム類;水素化ナトリウム等のアルカリ金属ハイドライド類等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。アルキルリチウム類が好ましい。
塩基の使用量としては、化合物(1)に対して0.5〜5当量が好ましく、0.8〜1.2当量がより好ましい。
【0054】
第2工程は化合物(4)を脱水し化合物(5)へと変換する工程である。
【0055】
反応試薬としては塩化チオニルが好ましい。塩化チオニルの使用量としては化合物(4)に対して0.9〜3当量が好ましく。1〜3当量がより好ましい。
【0056】
第2工程は溶媒中で実施するのが好ましい。溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒;石油エーテル類;塩化メチレン、クロロホルム、1,2−ジクロルエタン等のハロゲン系溶媒または前記溶媒の適当な混合溶媒等を用いることができる。これらの中でも、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒、塩化メチレン等のハロゲン系溶媒あるいは芳香族炭化水素系溶媒または脂肪族炭化水素系溶媒とハロゲン系溶媒との混合溶媒が好ましい。
【0057】
前記溶媒の量は、化合物(4)1モルに対し、0.1〜100倍量使用するのが好ましく、0.5〜20倍量使用するのがより好ましい。例えば、化合物(4)が1mmolであれば、溶媒は0.1〜100ml使用するのが好ましく、0.5〜20ml使用するのがより好ましいということになる。
【0058】
反応温度は−30℃〜溶媒の還流温度が好ましく、0℃〜還流温度がより好ましい。
【0059】
反応時間は1〜48時間が好ましく、3〜24時間がより好ましい。
【0060】
第3工程は化合物(5)を水素還元し、化合物(2)を合成する工程である。
【0061】
水素還元は水素雰囲気で常圧〜加圧下、金属触媒を使用することが好ましい。触媒としては、ロジウム系、白金系、ルテニウム系、パラジウム系、ニッケル系などが好ましい。触媒の使用量は化合物(5)の質量に対して1〜50質量%の範囲が好ましい。
【0062】
溶媒は被還元部位がなく、還元反応の妨げにならない溶媒であれば使用できるが、アルコール系、エーテル系、炭化水素系、エステル系が好ましく、メタノール、エタノール、2−プロパノール、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、メチルt−ブチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどが上げられ、溶媒は単一種で用いても混合して用いても構わない。
【0063】
溶媒の使用量は化合物(5)が溶解し、反応が安全かつ定常的に行えれば構わず、化合物(5)の質量([g])に対して0.5〜100倍の体積([ml])の範囲が好ましい。
【0064】
水素圧は化合物の構造や用いる金属触媒の種類により大きく異なるが、水素圧は0.01MPa〜20MPaの範囲が好ましい。
【0065】
反応温度は化合物の構造や溶媒の種類や用いる金属触媒の種類により大きく異なるが、低温側は反応液が固化せず、高温側は溶媒は溶媒の蒸気圧が水素圧を上回らなければ構わなく−40〜200℃の範囲が好ましく、0〜50℃の範囲がより好ましい。
【0066】
第1工程および第2工程により得られる、化合物(4)および化合物(5)は、新規化合物であり、前記のとおり液晶化合物である化合物(2)の合成中間体として有用である。
【0067】
第3工程により得られる化合物(2)は、Rが式(C12)で表される基である場合、Rが式(C22)で表される基である場合、a=b=0であり式(C1)で表される基が前記式(C12)で表される基である場合、およびc=d=0であり式(C2)で表される基が式(C12)で表される基である場合には、液晶化合物の合成中間体として有用である。
【0068】
第1工程としては、化合物(1)が化合物(1−1)であり、化合物(3)が化合物(3−1)であり、化合物(4)が化合物(4−1)である場合が好ましい。
【化22】


ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
11:水素原子、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または前記式(C12)で表される基。該基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
21:水素原子、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または前記式(C22)で表される基。該基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
11、A21、A31、A41:相互に独立して、トランス−1,4−シクロへキシレン基、または1,4−フェニレン基。該基中の1つ以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、基中に存在する1個または2個の=CH−基は窒素原子に置換されていてもよく、1個または2個の−CH−基はエーテル性酸素原子またはエーテル性硫黄原子に置換されていてもよい。
11、Z21、Z31、Z41:相互に独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレン基であり、基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていても良い。
a、b、c、d、およびXは前記と同じ意味である。
【0069】
ただし、a=b=0の場合、下記式(C1−1)で表される基は、前記式(C12)で表される基であってもよい。
【化23】


また、式(3)において、c=d=0の場合、式(3−1)で表される化合物は、前記式(C32)で表される化合物であってもよい。
また、式(4)において、c=d=0の場合、下記式(C4−1)で表される基は、前記式(C42)で表される基であってもよい。
【化24】

【0070】
また、第1工程としては、化合物(1)が化合物(1−2)であり、化合物(3)が化合物(3−2)であり、化合物(4)が化合物(4−2)である場合が特に好ましい。
【化25】


ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
12:炭素数1〜10のアルキル基、または前記式(C12)で表される基。該アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
22:炭素数1〜10のアルキル基、または前記式(C22)で表される基。該アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
12、A22、A32、A42:相互に独立して、トランス−1,4−シクロへキシレン基、または1,4−フェニレン基。該基中の1つ以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。
12、Z22、Z32、Z42:相互に独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレン基。
a、b、c、d、およびXは前記と同じ意味である。
【0071】
ただし、a=b=0の場合、下記式(C1−2)で表される基は、前記式(C12)で表される基であってもよい。
【化26】


また、式(3−2)において、c=d=0の場合、式(3−2)で表される化合物は、前記式(C32)で表される化合物であってもよい。
また、式(4)において、c=d=0の場合、下記式(C4−2)で表される基は、前記式(C42)で表される基であってもよい。
【化27】

【0072】
第2工程としては、化合物(4)が化合物(4−1)であり、化合物(5)が化合物(5−1)である場合が好ましい。
【化28】


ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ただし、式(4−1)において、c=d=0の場合、前記式(C4−1)で表される基は、前記式(C42)で表される基であってもよい。
また、式(5−1)において、c=d=0の場合、下記式(C5−1)で表される基は、前記式(C52)で表される基であってもよい。
【化29】

【0073】
また、第2工程としては、化合物(4)が化合物(4−2)であり、化合物(5)が化合物(5−2)である場合が特に好ましい。
【化30】


ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ただし、式(4−2)において、c=d=0の場合、前記式(C4−2)で表される基は、前記式(C42)で表される基であってもよい。
また、式(5−2)において、c=d=0の場合、下記式(C5−2)で表される基は、前記式(C52)で表される基であってもよい。
【化31】

【0074】
第3工程としては、化合物(5)が化合物(5−1)であり、化合物(2)が化合物(2−1)である場合が好ましい。
【化32】


ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ただし、式(5−1)において、c=d=0の場合、前記式(C5−1)で表される基は、前記式(C52)で表される基であってもよい。
また、式(2−1)において、c=d=0の場合、下記式(C2−1)で表される基は、前記式(C22)で表される基であってもよい。
【化33】

【0075】
また、第3工程としては、化合物(5)が化合物(5−2)であり、化合物(2)が化合物(2−2)である場合が特に好ましい。
【化34】


ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ただし、式(5−2)において、c=d=0の場合、前記式(C5−2)で表される基は、前記式(C52)で表される基であってもよい。
また、式(2−2)において、c=d=0の場合、下記式(C2−2)で表される基は、前記式(C22)で表される基であってもよい。
【化35】

【0076】
化合物(2)の具体例としては以下の化合物が挙げられる。以下の式中、各記号は、以下の意味を示す。
Cy:トランス−1,4−シクロヘキシレン基
Ph:1,4−フェニレン基
Ph2−F:2−フルオロ−1,4−フェニレン基
Ph3−F:3−フルオロ−1,4−フェニレン基
Ph2,3−FF:2,3−ジフルオロ−1,4−フェニレン基
Ph2,6−FF:2,6−ジフルオロ−1,4−フェニレン基
Ph3,5−FF:3,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン基
【0077】
CH−Cy−CFCF−Cy−C
−Cy−CFCF−Cy−C
−Cy−CFCF−Cy−C11
−Cy−Cy−CFCF−Cy−C
−Cy−Cy−CFCF−Cy−C11
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Cy−C
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Cy−C11
−Cy−CFCF−Cy−Ph−C
−Cy−CFCF−Cy−Ph−C11
−Cy−CFCF−Cy−Ph2−F−C
−Cy−CFCF−Cy−Ph3−F−C11
−Cy−CFCF−Cy−Ph2,6−FF−C
−Cy−CFCF−Cy−Ph3,5−FF−C11
−Cy−CFCF−Cy−Ph2,3−FF−C
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph−C
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph−C11
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph2−F−C
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph3−F−C11
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph2,6−FF−C
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph3,5−FF−C11
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph2,3−FF−C
【0078】
合成中間体として用いる場合の化合物(2)の具体例は以下のとおりである。
CH−Cy−CFCF−Cy−Cy
−Cy−CFCF−Cy−Cy
−Cy−Cy−CFCF−Cy
−Cy−Cy−CFCF−Cy−Cy
Cy−CFCF−Cy−Ph−C
Cy−CFCF−Cy−Ph−C11
Cy−CFCF−Cy−Ph2−F−C
Cy−CFCF−Cy−Ph3−F−C11
Cy−CFCF−Cy−Ph2,6−FF−C
Cy−CFCF−Cy−Ph3,5−FF−C11
Cy−CFCF−Cy−Ph2,3−FF−C
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph−C
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph−C11
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph2−F−C
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph3−F−C11
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph2,6−FF−C
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph3,5−FF−C11
Cy−Cy−CFCF−Cy−Ph2,3−FF−C
式中の記号Cyは以下の意味を示す。
【化36】

【実施例】
【0079】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。なお以下の例は、本発明を制限することなく、本発明を例示しようとするものである。
【0080】
(実施例1)化合物(4A)の合成
【化37】


窒素雰囲気下、4−ペンチルシクロヘキサノン(0.3g)と化合物(1A)(トランス体)(1.1g)をジエチルエーテル(9mL)に溶解し、撹拌した。反応液を−78℃に冷却し、メチルリチウムの1.5Mジエチルエーテル溶液(2.1mL)を滴下した。1時間後、室温まで昇温し、1M塩酸(5mL)を加えた後、有機相を分離した。得られた有機相を重曹水、水の順で洗浄したのち、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物(4A)(0.79g)を得た。純度:65%、収率:73%(4−ペンチルシクロヘキサノン基準)。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−115.11and−115.14(mc,2F,CF),δ−122.67and−122.74(mc,2F,CF
【0081】
(実施例2)化合物(4A)の合成
【化38】


実施例1において、化合物(1A)(トランス体)(1.1g)の代わりに化合物(1B)(トランス体)(0.95g)を用いる以外は実施例1と同様に反応を行い、化合物(4A)(0.48g)を得た。 純度:62%、収率:42%(4−ペンチルシクロヘキサノン基準)。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−115.11and−115.14(mc,2F,CF),δ−122.67and−122.74(mc,2F,CF
【0082】
(実施例3)化合物(5A)の合成
【化39】


化合物(4A)(7.69g)(純度62%)をピリジン(8.6g)、トルエン(54mL)溶液に溶解した。次いで、塩化チオニル(3.7g)を加え、80℃で2時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、5%水酸化ナトリウム溶液(30mL)に注ぎ込んだ。有機相を分液し、水で洗浄した後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物(5A)(5.7g)を得た。純度:81%、収率:100%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−112.27(mc,2F,CF),δ−117.89(mc,2F,CF
【0083】
(実施例4)化合物(2A)の合成
【化40】


化合物(5A)(5.7g)(純度81%)の酢酸エチル(30mL)溶液に5%パラジウム炭素(0.5g)を加えて、水素圧0.75MPaで室温にて2時間撹拌した。触媒をろ別した後、濾液を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、化合物(2A)(トランス−トランス体)(1.6g)を得た。純度:99.7%、収率:34%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−116.73(mc,4F,CFCF
【0084】
(実施例5)化合物(4B)の合成
【化41】


窒素雰囲気下、シクロヘキサノン(0.3g)と化合物(1A)(1.9g)をメチル−t−ブチルエーテル(9mL)に溶解し、撹拌した。反応液を−78℃に冷却し、n−ブチルリチウムの1.6Mヘキサン溶液(3.4mL)を滴下した。1時間後、室温まで昇温し、1M塩酸(4mL)を加えた後、有機相を分離した。得られた有機相を重曹水、水の順で洗浄したのち、溶媒を留去し、化合物(4B)(1.8g)を得た。純度:30%、収率:54%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−115.05(mc,2F,CF),δ−122.00(mc,2F,CF
【0085】
(実施例6)化合物(4C)の合成
【化42】


窒素雰囲気下、1,4−ジオキサスピロ[4,5]デカン−8−オン(18g)と化合物(1C)(トランス−トランス体)(110g)(純度79%)をジエチルエーテル(1200mL)に溶解し、撹拌した。反応液を−78℃に冷却し、メチルリチウムの1.5Mジエチルエーテル溶液(300mL)を滴下した。1時間後、室温まで昇温し、塩化アンモニウム水溶液(600mL)を加えた後、有機相を分離した。得られた有機相を重曹水、水の順で洗浄したのち、溶媒を留去し、した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物(4C)(49.5g)を得た。純度:84%、収率:77%(1,4−ジオキサスピロ[4,5]デカン−8−オン基準)。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−115.06(mc,2F,CF),δ−121.91(mc,2F,CF
【0086】
(実施例7)化合物(5C)の合成
【化43】


化合物(4C)(48g)(純度84%)をピリジン(61.5g)、トルエン(336mL)溶液に溶解した。次いで、塩化チオニル(27.9g)を加え、70℃で2時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、5%水酸化ナトリウム溶液(230mL)に注ぎ込んだ。有機相を分液し、水で洗浄した後、溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物(5C)(39.1g)を得た。純度:99.6%、収率:100%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−112.26(mc,2F,CF),δ−117.79(mc,2F,CF
【0087】
(実施例8)化合物(2C)の合成
【化44】


化合物(5C)(38.6g)(純度99.6%)の酢酸エチル(386mL)溶液に5%パラジウム炭素(4g)を加えて、水素圧0.75MPaで75℃にて2時間撹拌した。触媒をろ別した後、濾液を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製し、化合物(2C)(31.5g)を得た。純度:94%、収率:77%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−116.21(mc,2F,CF),δ−116.79(mc,2F,CF
【0088】
(実施例9)化合物(4D)の合成
【化45】


実施例6において化合物(1C)(トランス−トランス体)(110g)(純度79%)の代わりに化合物(1D)(トランス体)(107g)(純度79%)を用いる以外は実施例6と同様な方法で反応を行い化合物(4D)(47.5g)を得た。純度:80%、収率:73%(1,4−ジオキサスピロ[4,5]デカン−8−オン基準)。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−110.01(mc,2F,CF),δ−121.23(mc,2F,CF),δ−138.86(mc,1F,Ph−),δ−142.85(mc,1F,Ph−
【0089】
(実施例10)化合物(5D)の合成
【化46】


実施例7において化合物(4C)(48g)(純度84%)の代わりに化合物(4D)(49g)(純度80%)を用いる以外は実施例7と同様な方法で反応を行い化合物(5D)(35.4g)を得た。純度:99.6%、収率:94%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−111.96(mc,2F,CF),δ−116.35(mc,2F,CF),δ−138.80(mc,1F,Ph−),δ−142.72(mc,1F,Ph−
【0090】
(実施例11)化合物(2D)の合成
【化47】


実施例8において化合物(5C)(38.6g)(純度99.6%)の代わりに化合物(5D)(37.7g)(純度99.6%)を用いる以外は実施例8と同様な方法で反応を行い化合物(2D)(32.6g)を得た。純度:96%、収率:83%。
19F−NMR(CHCl,CFCl):δ−112.62(mc,4F,CFCF),δ−138.80(mc,1F,Ph−),δ−142.74(mc,1F,Ph−

【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式(I)で表される化合物を反応原料とする、下記式(II)で表される1,2−ジシクロヘキシルテトラフルオロエチレン骨格を有する化合物の製造方法:
Cya−CF2CF2X (I)
Cya−CF2CF2−Cyb (II)
上記式中、Cyaは置換基を有してもよいシクロヘキシル基であり、Cybは置換基を有してもよいシクロヘキシル基またはシクロヘキセニル基であり、Xはヨウ素原子、臭素原子である。
【請求項2】
前記式(I)で表される化合物が下記式(1)で表される化合物であり、前記式(II)で表される化合物が下記式(2)で表される化合物である請求項1に記載の製造方法。
【化1】

(式(1)および式(2)中の記号は、以下の意味を示す。
:水素原子、ハロゲン原子、−CN、−NCS、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または下記式(C12)で表される基。前記アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
【化2】


(Qは、−CH−または−CHCH−であり、基中の水素原子はアルキル基で置換されていてもよい。)
:水素原子、ハロゲン原子、−CN、−NCS、−SF、炭素数1〜18のアルキル基、または下記式(C22)で表される基。前記アルキル基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素で置換されていても良い。
【化3】


(Qは式C12と同じ意味を示す。)
、A、A、A:相互に独立して、トランス−1,4−シクロへキシレン基、1,3−シクロブチレン基、1,2−シクロプロピレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、または1,4−フェニレン基。
〜Aの基中の1つ以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく、該基中に存在する1個または2個の=CH−基は窒素原子に置換されていてもよく、1個または2個の−CH−基はエーテル性酸素原子またはエーテル性硫黄原子に置換されていてもよい。
、Z、Z、Z:相互に独立して、単結合、炭素数1〜4のアルキレン基であり、基中の1個以上の−CH−はエーテル性酸素原子またはチオエーテル性硫黄原子に置換されていても良く、また基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていても良い。
X:ヨウ素原子、臭素原子。
a、b、c、d:相互に独立して0または1である。ただし、0≦a+b+c+d≦2を満たす。
ただし、a=b=0の場合に下記式(C1)で表される基
【化4】


は、前記式(C12)で表される基であってもよく、c=d=0の場合に下記式(C2)で表される基
【化5】


は、前記式(C22)で表される基であってもよい。)
【請求項3】
前記式(1)で表される化合物を、塩基存在下、下記式(3)で表される化合物と反応させて、下記式(4)で表される化合物を得る工程を含む、請求項2に記載の製造方法:
【化6】

(式(1)、式(3)および式(4)中の各記号R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、cおよびdは、請求項2における記号と同じ意味を示す。ただし、c=d=0の場合の式(3)で表わされる化合物は、下記式(C32)で表される化合物であってもよい。
【化7】


また、式(4)において、c=d=0の場合に下記式(C4)で表される基
【化8】


は、下記式(C42)
【化9】


であってもよい。)
【請求項4】
前記式(4)で表される化合物を、下記式(5)で表される化合物に変換して、下記式(5)で表される化合物を得る工程を含む、請求項3に記載の製造方法:
【化10】

(式(4)および式(5)中の各記号R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、cおよびdは、請求項2における記号と同じ意味を示す。ただし、式(5)において、c=d=0の場合に下記式(C5)で表される基
【化11】


は、下記式(C52)で表される基
【化12】


であってもよい。)
【請求項5】
下記第1工程、第2工程および第3工程を含む、請求項2に記載の製造方法。
第1工程:下記式(1)で表される化合物を塩基存在下、下記式(3)で表される化合物と反応させて下記式(4)で表される化合物を製造する工程。
第2工程:下記式(4)で表される化合物を脱水し、下記式(5)で表される化合物へと変換する工程。
第3工程:下記式(5)で表される化合物を水素還元し、下記式(2)で表される化合物へと変換する工程。
【化13】

式(1)、式(2)、式(3)、式(4)および式(5)中の記号は、請求項2における記号と同じ意味を示す。
【請求項6】
下記式(4)で表される化合物:
【化14】

式(4)中の記号R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、cおよびdは、請求項3における記号と同じ意味を示す。
【請求項7】
下記式(5)で表される化合物:
【化15】

式(5)中の記号R、R、A、A、A、A、Z、Z、Z、Z、a、b、cおよびdは、請求項4における記号と同じ意味を示す。

【公開番号】特開2010−90114(P2010−90114A)
【公開日】平成22年4月22日(2010.4.22)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−205853(P2009−205853)
【出願日】平成21年9月7日(2009.9.7)
【出願人】(000108030)AGCセイミケミカル株式会社 (130)
【Fターム(参考)】