１，２，４，５−置換フェニル誘導体とその製造方法、及びそれらを構成成分とする有機電界発光素子
【課題】有機電界発光素子の低消費電力化を可能にする１，２，４，５−置換フェニル誘導体と、それを電子輸送材とする長寿命を備えた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】下記
で代表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を製造し、これを有機電界発光素子の構成成分として使用する。
【解決手段】下記
で代表される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を製造し、これを有機電界発光素子の構成成分として使用する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，２，４，５−置換フェニル誘導体とその製造方法に関するものである。本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、良好な電荷輸送特性を持ち、安定な薄膜を形成することから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の構成成分として有用である。
【０００２】
また、本発明は１，２，４，５−置換フェニル誘導体を有機電界発光素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いた、駆動性及び発光性に優れた高効率有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を、正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子が失活する際の光の放出（蛍光又は燐光）を利用する素子であり、ディスプレー等へ応用されている。
【０００４】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は新規であり、１，２，４，５位のフェニル基上に、ピリジル置換フェニレン基又はフェニル置換ピリジレン基を有することを特徴とする。
【０００５】
最近、１，２，４，５−置換フェニル誘導体として、ビピリジル基を導入した化合物を有機電界発光素子に用いる例（例えば、特許文献１参照）が開示されているが、ビピリジル基の結合が、フェニル基の１，２，４，５位に限定されておらず、ビピリジル基の置換がフェニル基に限定されていない。またビピリジル基に限定されており本発明の誘導体は含まれない。
【０００６】
さらに、１，２，４，５−置換フェニル誘導体が有機電界発光素子に用いられている例（例えば、特許文献２参照）が開示されているが、これらは発光効率の向上のみが議論されているだけで、有機電界発光素子に必要な低消費電力・長寿命が示されておらず効果が限定的である。更に本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は含まれていない。
【０００７】
さらに、フェニル基とピリジル基を組み合わせた誘導体を有機電界発光素子に用いた例（例えば、特許文献３〜７参照）があるが、素子性能向上の効果が不十分であり、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体とは異なるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＷＯ２００９−１５１０３９号公報
【特許文献２】ＷＯ２００９−０８１８７３号公報
【特許文献３】特開２００８−６３２３２号公報
【特許文献４】特開２００３−３３６０４３号公報
【特許文献５】特開２００７−０１５９９３号公報
【特許文献６】特開２００５−２５５９８６号公報
【特許文献７】特開２００８−１２７３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機電界発光素子は様々な表示機器に利用されているが、電源供給に制限のある携帯機器への有機電界発光素子の利用に関しては、より低消費電力を達成することが求められている。また、同時に有機電界発光素子の商業利用を行う際には、安定した性能を得るために素子寿命をどのように伸長するかが問題となる。
【００１０】
特に電子輸送材料については、素子を低電圧で駆動せしめ消費出力を低減させるための優れた電荷注入及び輸送特性と、素子の長寿命化を可能にする耐久性を併せ持った材料は、従来の化合物の中には見出すことができず、新たな材料が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、１，２，４，５位のフェニル基上に、ピリジル置換フェニレン基又はフェニル置換ピリジレン基が結合した誘導体が優れた電荷注入及び輸送特性を有することを見出した。この１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、真空蒸着等の一般的な方法で薄膜形成が可能であり、またこれらを電子輸送層として用いた有機電界発光素子が、汎用の有機電界発光素子に比べて消費電力の低減、及び長寿命化が達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、一般式（１）
【００１３】
【化１】
【００１４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００１５】
また、一般式（２）
【００１６】
【化２】
【００１７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００１８】
また、一般式（３）
【００１９】
【化３】
【００２０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００２１】
また、一般式（４）
【００２２】
【化４】
【００２３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００２４】
また、本発明は一般式（５）
【００２５】
【化５】
【００２６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（６−１）
【００２７】
【化６】
【００２８】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−２）
【００２９】
【化７】
【００３０】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−３）
【００３１】
【化８】
【００３２】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−４）
【００３３】
【化９】
【００３４】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【００３５】
【化１０】
【００３６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００３７】
また、一般式（５）
【００３８】
【化１１】
【００３９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（７−１）
【００４０】
【化１２】
【００４１】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−２）
【００４２】
【化１３】
【００４３】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−３）
【００４４】
【化１４】
【００４５】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−４）
【００４６】
【化１５】
【００４７】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ７及びＸ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【００４８】
【化１６】
【００４９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００５０】
また、一般式（５）
【００５１】
【化１７】
【００５２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（８−１）
【００５３】
【化１８】
【００５４】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−２）
【００５５】
【化１９】
【００５６】
（式中、式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−３）
【００５７】
【化２０】
【００５８】
（式中、式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−４）
【００５９】
【化２１】
【００６０】
（式中、式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【００６１】
【化２２】
【００６２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００６３】
また、一般式（５）
【００６４】
【化２３】
【００６５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（９−１）
【００６６】
【化２４】
【００６７】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−２）
【００６８】
【化２５】
【００６９】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−３）
【００７０】
【化２６】
【００７１】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−４）
【００７２】
【化２７】
【００７３】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【００７４】
【化２８】
【００７５】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００７６】
また、一般式（１０）
【００７７】
【化２９】
【００７８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１１−１）
【００７９】
【化３０】
【００８０】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−２）
【００８１】
【化３１】
【００８２】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−３）
【００８３】
【化３２】
【００８４】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−４）
【００８５】
【化３３】
【００８６】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【００８７】
【化３４】
【００８８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００８９】
また、一般式（１０）
【００９０】
【化３５】
【００９１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１２−１）
【００９２】
【化３６】
【００９３】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−２）
【００９４】
【化３７】
【００９５】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−３）
【００９６】
【化３８】
【００９７】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−４）
【００９８】
【化３９】
【００９９】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【０１００】
【化４０】
【０１０１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【０１０２】
また、一般式（１０）
【０１０３】
【化４１】
【０１０４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１３−１）
【０１０５】
【化４２】
【０１０６】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−２）
【０１０７】
【化４３】
【０１０８】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−３）
【０１０９】
【化４４】
【０１１０】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−４）
【０１１１】
【化４５】
【０１１２】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【０１１３】
【化４６】
【０１１４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【０１１５】
また、一般式（１０）
【０１１６】
【化４７】
【０１１７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１４−１）
【０１１８】
【化４８】
【０１１９】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−２）
【０１２０】
【化４９】
【０１２１】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−３）
【０１２２】
【化５０】
【０１２３】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表すＹ５は脱離基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−４）
【０１２４】
【化５１】
【０１２５】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【０１２６】
【化５２】
【０１２７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【０１２８】
さらに本発明は、一般式（１）
【０１２９】
【化５３】
【０１３０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１３１】
また、本発明は一般式（２）
【０１３２】
【化５４】
【０１３３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１３４】
また、本発明は一般式（３）
【０１３５】
【化５５】
【０１３６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１３７】
また、本発明は一般式（４）
【０１３８】
【化５６】
【０１３９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１４０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０１４１】
一般式（１）〜（４）で示される化合物は、好ましくはＲ１からＲ３４が水素原子あるいはメチル基の場合であり、更に好ましくは全て水素原子の場合である。
【０１４２】
一般式（１）〜（４）中に記載のＲ１〜Ｒ３４における炭素数１から６のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンタン−１−イル基、３−メチルブチル、２，２−ジメチルプロピル基、ヘキサン−１−イル基等が挙げられる。一般式（１）〜（４）中に記載のＲ１からＲ３４における炭素数１から６のアルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基等を挙げることができる。以上に挙げた置換基はＲ１からＲ３４に任意の位置に任意の置換基を選択することができる。
【０１４３】
なお、一般式（１）〜（４）で示される化合物は、ベンゼン環の１，２，４，５位全てに同一のピリジル置換フェニレン基又はフェニル置換ピリジレン基が結合している場合が有機電界発光素子の性能が良い点で好ましい。
【０１４４】
一般式（１）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ａ１）〜（Ａ２９）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１４５】
【化５７】
【０１４６】
【化５８】
【０１４７】
【化５９】
【０１４８】
一般式（２）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ｂ１）〜（Ｂ２０）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１４９】
【化６０】
【０１５０】
【化６１】
【０１５１】
一般式（３）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ｃ１）〜（Ｃ２９）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１５２】
【化６２】
【０１５３】
【化６３】
【０１５４】
【化６４】
【０１５５】
また、一般式（４）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ｄ１）〜（Ｄ３２）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１５６】
【化６５】
【０１５７】
【化６６】
【０１５８】
【化６７】
【０１５９】
次に、本発明の製造方法について説明する。
【０１６０】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）は、次の反応式で示される方法で製造することができる。
【０１６１】
【化６８】
【０１６２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
以下、本反応について具体例を出して説明するが、本発明をこれらに限定するものではない。
【０１６３】
化合物（６−１）〜（６−４）におけるＭの例としては、ＺｎＲ３５、ＭｇＲ３６、Ｓｎ（Ｒ３７）３、Ｂ（ＯＲ３８）２等が挙げられる。但し、Ｒ３５及びＲ３６は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ３７は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ３８は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ３８）２の２つのＲ３８は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ３８は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【０１６４】
化合物（６−１）〜（６−４）におけるＢ（ＯＲ３８）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ３８が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ３８）２の例としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。
【０１６５】
【化６９】
【０１６６】
化合物（５）におけるＹ１〜Ｙ４で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ（ＯＴｆ）基、メタンスルホニルオキシ（ＯＭｓ）基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ（ＯＴｓ）基等を挙げることができる。これらの脱離基は反応の選択性を持たせるため、Ｙ１〜Ｙ４の異なる位置に異なる置換基を適宜選択することが可能である。
【０１６７】
以下に化合物（５）の例として、次のＥ１〜Ｅ２８９（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）を例示することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６８】
【化７０】
【０１６９】
【化７１】
【０１７０】
【化７２】
【０１７１】
【化７３】
【０１７２】
【化７４】
【０１７３】
【化７５】
【０１７４】
【化７６】
【０１７５】
【化７７】
【０１７６】
【化７８】
【０１７７】
【化７９】
【０１７８】
【化８０】
【０１７９】
【化８１】
【０１８０】
「工程１」は化合物（６−１）〜（６−４）を、場合によっては塩基の存在下に、パラジウム触媒あるいはニッケル触媒の存在下に化合物（５）と反応させ、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）を得る方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【０１８１】
「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は反応収率がよい点で好ましい。
【０１８２】
なお、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル等が例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。
【０１８３】
第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。また、ニッケル触媒としては［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド等が挙げられる
「工程１」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点でリン酸三カリウムが望ましい。塩基と化合物（６−１）、（６−２）、（６−３）又は（６−４）とのモル比は、１：２から１０：１が望ましく、収率がよい点で１：１から３：１がさらに望ましい。
【０１８４】
「工程１」で用いる化合物（５）と化合物（６−１）、（６−２）、（６−３）又は（６−４）とのモル比は、１：５から２：１が望ましく、収率がよい点で１：２から２：１がさらに望ましい。また、化合物（６−１）、（６−２）、（６−３）又は（６−４）は同一であっても相異なっていてもよく、場合によっては中間体を単離して順次反応させても、単離せずに順次加えていってもよい。
【０１８５】
「工程１」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でトルエン及びエタノールの混合溶媒を用いることが望ましい。
【０１８６】
「工程１」は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で６０℃から１００℃で行うことがさらに望ましい。
【０１８７】
化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【０１８８】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（２）〜（４）についても、以下の「工程２」〜「工程４」で表される反応式で製造することが可能である。
【０１８９】
【化８２】
【０１９０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
【０１９１】
【化８３】
【０１９２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
【０１９３】
【化８４】
【０１９４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
これらの工程２〜４の反応は、１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）の合成方法である「工程１」と同様な手法を用いて合成することが可能である。
【０１９５】
さらに、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、次の「工程５」〜「工程８」で示す方法によっても製造することができる。
【０１９６】
【化８５】
【０１９７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
【０１９８】
【化８６】
【０１９９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
【０２００】
【化８７】
【０２０１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
【０２０２】
【化８８】
【０２０３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
化合物（１０）におけるＺ１〜Ｚ４で表される金属基又はヘテロ原子基としては、Ｓｎ（Ｒ３７）３、Ｂ（ＯＲ３８）２等が挙げられる。但し、Ｒ３７は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ３８は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ３８）２の２つのＲ３８は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ３８は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【０２０４】
化合物（１０）におけるＢ（ＯＲ３８）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ３８が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ３８）２の例としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。
【０２０５】
【化８９】
【０２０６】
化合物（１１）〜（１４）におけるＹ５で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ等を挙げることができる。
【０２０７】
「工程５」〜「工程８」は、「工程１」と同様な反応条件を用いることができる。また、化合物（１）〜（４）は、「工程５」〜「工程８」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【０２０８】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）を構成成分とする有機電界発光素子の製造方法に特に限定はないが、真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−２〜１×１０−５Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５〜１．０ｎｍ／秒が好ましい。
【０２０９】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、汎用の装置を用いたスピンコート法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。
【発明の効果】
【０２１０】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、良好な電荷注入、輸送特性を持つことから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけホスト材や電子輸送材等として用いることができる。
【０２１１】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）のバンドギャップは３．２ｅＶ以上であり、パネルを構成する３原色（赤：１．９ｅＶ、緑：２．４ｅＶ、青：２．８ｅＶ）の各色のエネルギーを閉じ込めるのに十分なワイドバンドギャップ材料である。よって、単色の表示素子、３原色のカラー表示素子、照明用途などの白色素子など様々な素子への応用が可能である。さらに置換基の変更によって溶解性の制御も可能であるため、蒸着素子ばかりでなく塗布素子への応用も可能である。蛍光又は燐光有機電界発光素子を低電圧で駆動せしめ消費出力を低減すること、及び各素子の寿命を伸長することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１２】
【図１】試験例−１で作製する有機電界発光素子の断面図である。
【実施例】
【０２１３】
以下、実験例及び試験例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２１４】
実施例−１
【０２１５】
【化９０】
【０２１６】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン１．００ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）フェニルボロン酸４．０４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２８．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１２１ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム５．３９ｇ（２５ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのトルエン、１ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で４４時間攪拌した。室温まで冷却後、メタノールで希釈し、固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム：ヘキサン＝２：１〜１：０）で精製し、目的の４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，５’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量１．３８ｇ、収率７９％）を得た。
【０２１７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．２１−７．５３（ｍ，４Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．４４Ｈｚ，８Ｈ），７．６９（ｓ，２Ｈ），７．５３−７．７９（ｍ，８Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝８．４８Ｈｚ，８Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝４．５６Ｈｚ，４Ｈ）．
実施例−２
【０２１８】
【化９１】
【０２１９】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン１．００ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、４−（ピリジン−３−イル）フェニルボロン酸４．０４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２８．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１２１ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム５．３９ｇ（２５ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのジオキサン、６ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で２１時間攪拌した。室温まで冷却後、水で希釈し、固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、目的の４，４’’−ジ（３−ピリジル）−［４−（３−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量１．３５ｇ、収率７７％）を得た。
【０２２０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．４６（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），７．４８−７．５６（ｍ，４Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．３２Ｈｚ，８Ｈ），７．６９（ｓ、２Ｈ），８．０７（ｄ，Ｊ＝７．１２Ｈｚ，４Ｈ），８．６３（ｄｄ，Ｊ＝１．４８，４．９６Ｈｚ，４Ｈ），８．９２（ｄ，Ｊ＝１．９６Ｈｚ，４Ｈ）．
実施例−３
【０２２１】
【化９２】
【０２２２】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン６５．９ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）、４−（４−ピリジル）フェニルボロン酸２００ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．８８ｍｇ（０．００８４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル８．６０ｍｇ（０．０２１ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム６４０ｍｇ（３．０２ｍｍｏｌ）、を１００ｍＬのトルエンに溶解し、過熱還流下で４８時間攪拌した。室温まで冷却後、３００ｍＬのクロロホルムで希釈し、固体をろ別した。有機層を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム：メタノール＝９９：１〜２０：１）で精製し、目的の４，４’’−ジ（４−ピリジル）−４’，５’−ビス［４−（４−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量２０ｍｇ、収率１７％）を得た。
【０２２３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．５２（ｓ，２Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝６．２１Ｈｚ，８Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝６．２１Ｈｚ，８Ｈ）．
実施例−４
【０２２４】
【化９３】
【０２２５】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン０．５０ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、３−（２−ピリジル）フェニルボロン酸２．０２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１４．３ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル６０．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．７０ｇ（１３ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのトルエン、２ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で４８時間攪拌した。室温まで冷却後、メタノールで希釈し、固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、目的の３，３’’−ジ（２−ピリジル）−４’，５’−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量０．８３ｇ、収率９５％）を得た。
【０２２６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．１７−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．３０（ｄ，Ｊ＝７．７６Ｈｚ，４Ｈ），７．３６（ｔ，Ｊ＝７．６２Ｈｚ，４Ｈ），７．５５（ｄ，Ｊ＝８．００Ｈｚ，４Ｈ），７．６９（ｔ，Ｊ＝７．７２Ｈｚ，４Ｈ），７．７９（ｓ，２Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ，４Ｈ），８．０２（ｓ，４Ｈ）．
実施例−５
【０２２７】
【化９４】
【０２２８】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン０．５０ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、２−（４−メチルフェニル）ピリジン−５−イルボロン酸２．１６ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１４．３ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル６０．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．７０ｇ（１３ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのトルエン、２ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で７２時間攪拌した。その後水を加え、クロロホルムで抽出後、溶媒を減圧除去した。析出した固体を２５ｍｌのｏ−キシレンで再結晶し、目的の１，２，４，５−テトラキス[２−（４−メチルフェニル）ピリジン‐５−イル]ベンゼンの白色固体（収量９０１ｍｇ、収率９５％）を得た。
【０２２９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ２．４４（ｓ，１２Ｈ），７．３０（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），７．６３（ｄ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝８．４０Ｈｚ，４Ｈ），７．６９（ｓ，２Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝８．２０Ｈｚ、８Ｈ），８．６７(ｓ，４Ｈ)．
試験例−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積４ｍｍ２有機電界発光素子を作製した。
【０２３０】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、図１の１で示す前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４及び電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜した。正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を２５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層４としては、２―ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９７：３（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層５としては、本発明の実施例−１で合成した４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，５’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］１，１’；２’，１’’−ターフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。
【０２３１】
なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜する。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ１．０ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。
【０２３２】
作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定した。
【０２３３】
作製した素子の測定値は、３．８Ｖ、２０７０ｃｄ／ｍ２、１０．４ｃｄ／Ａ、８．５ｌｍ／Ｗであった。また、この素子の輝度半減時間は、１５５０時間であった。
【０２３４】
比較例−１
試験例−１の電子輸送層５に代えて、既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、試験例１と同様に作製した。
【０２３５】
作製した素子の測定値は、６．４Ｖ、１６６４ｃｄ／ｍ２、８．３ｃｄ／Ａ、４．１ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、１５００時間であった。
【産業上の利用可能性】
【０２３６】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）を用いた蛍光又は燐光有機電界発光素子は、既存材料を用いた素子に比較して、低消費電力化、長寿命化を達成できることを確認した。また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、本実施例の電子輸送層以外にも、他の蛍光発光材料や燐光材料を用いた有機電界発光素子への適用も可能である。さらに、フラットパネルディスプレイなどの用途以外にも、低消費電力と長寿命の両立が求められる照明用途などにも有用である。
【符号の説明】
【０２３７】
１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．陰極層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，２，４，５−置換フェニル誘導体とその製造方法に関するものである。本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は、良好な電荷輸送特性を持ち、安定な薄膜を形成することから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の構成成分として有用である。
【０００２】
また、本発明は１，２，４，５−置換フェニル誘導体を有機電界発光素子の有機化合物層の少なくとも一層に用いた、駆動性及び発光性に優れた高効率有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を、正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子が失活する際の光の放出（蛍光又は燐光）を利用する素子であり、ディスプレー等へ応用されている。
【０００４】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は新規であり、１，２，４，５位のフェニル基上に、ピリジル置換フェニレン基又はフェニル置換ピリジレン基を有することを特徴とする。
【０００５】
最近、１，２，４，５−置換フェニル誘導体として、ビピリジル基を導入した化合物を有機電界発光素子に用いる例（例えば、特許文献１参照）が開示されているが、ビピリジル基の結合が、フェニル基の１，２，４，５位に限定されておらず、ビピリジル基の置換がフェニル基に限定されていない。またビピリジル基に限定されており本発明の誘導体は含まれない。
【０００６】
さらに、１，２，４，５−置換フェニル誘導体が有機電界発光素子に用いられている例（例えば、特許文献２参照）が開示されているが、これらは発光効率の向上のみが議論されているだけで、有機電界発光素子に必要な低消費電力・長寿命が示されておらず効果が限定的である。更に本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体は含まれていない。
【０００７】
さらに、フェニル基とピリジル基を組み合わせた誘導体を有機電界発光素子に用いた例（例えば、特許文献３〜７参照）があるが、素子性能向上の効果が不十分であり、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体とは異なるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＷＯ２００９−１５１０３９号公報
【特許文献２】ＷＯ２００９−０８１８７３号公報
【特許文献３】特開２００８−６３２３２号公報
【特許文献４】特開２００３−３３６０４３号公報
【特許文献５】特開２００７−０１５９９３号公報
【特許文献６】特開２００５−２５５９８６号公報
【特許文献７】特開２００８−１２７３２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機電界発光素子は様々な表示機器に利用されているが、電源供給に制限のある携帯機器への有機電界発光素子の利用に関しては、より低消費電力を達成することが求められている。また、同時に有機電界発光素子の商業利用を行う際には、安定した性能を得るために素子寿命をどのように伸長するかが問題となる。
【００１０】
特に電子輸送材料については、素子を低電圧で駆動せしめ消費出力を低減させるための優れた電荷注入及び輸送特性と、素子の長寿命化を可能にする耐久性を併せ持った材料は、従来の化合物の中には見出すことができず、新たな材料が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、１，２，４，５位のフェニル基上に、ピリジル置換フェニレン基又はフェニル置換ピリジレン基が結合した誘導体が優れた電荷注入及び輸送特性を有することを見出した。この１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、真空蒸着等の一般的な方法で薄膜形成が可能であり、またこれらを電子輸送層として用いた有機電界発光素子が、汎用の有機電界発光素子に比べて消費電力の低減、及び長寿命化が達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、一般式（１）
【００１３】
【化１】
【００１４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００１５】
また、一般式（２）
【００１６】
【化２】
【００１７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００１８】
また、一般式（３）
【００１９】
【化３】
【００２０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００２１】
また、一般式（４）
【００２２】
【化４】
【００２３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体に関するものである。
【００２４】
また、本発明は一般式（５）
【００２５】
【化５】
【００２６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（６−１）
【００２７】
【化６】
【００２８】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−２）
【００２９】
【化７】
【００３０】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−３）
【００３１】
【化８】
【００３２】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−４）
【００３３】
【化９】
【００３４】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【００３５】
【化１０】
【００３６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００３７】
また、一般式（５）
【００３８】
【化１１】
【００３９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（７−１）
【００４０】
【化１２】
【００４１】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−２）
【００４２】
【化１３】
【００４３】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−３）
【００４４】
【化１４】
【００４５】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−４）
【００４６】
【化１５】
【００４７】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ７及びＸ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【００４８】
【化１６】
【００４９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００５０】
また、一般式（５）
【００５１】
【化１７】
【００５２】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（８−１）
【００５３】
【化１８】
【００５４】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−２）
【００５５】
【化１９】
【００５６】
（式中、式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−３）
【００５７】
【化２０】
【００５８】
（式中、式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−４）
【００５９】
【化２１】
【００６０】
（式中、式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【００６１】
【化２２】
【００６２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００６３】
また、一般式（５）
【００６４】
【化２３】
【００６５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（９−１）
【００６６】
【化２４】
【００６７】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−２）
【００６８】
【化２５】
【００６９】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−３）
【００７０】
【化２６】
【００７１】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−４）
【００７２】
【化２７】
【００７３】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【００７４】
【化２８】
【００７５】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００７６】
また、一般式（１０）
【００７７】
【化２９】
【００７８】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１１−１）
【００７９】
【化３０】
【００８０】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−２）
【００８１】
【化３１】
【００８２】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−３）
【００８３】
【化３２】
【００８４】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−４）
【００８５】
【化３３】
【００８６】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【００８７】
【化３４】
【００８８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【００８９】
また、一般式（１０）
【００９０】
【化３５】
【００９１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１２−１）
【００９２】
【化３６】
【００９３】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−２）
【００９４】
【化３７】
【００９５】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−３）
【００９６】
【化３８】
【００９７】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−４）
【００９８】
【化３９】
【００９９】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【０１００】
【化４０】
【０１０１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【０１０２】
また、一般式（１０）
【０１０３】
【化４１】
【０１０４】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１３−１）
【０１０５】
【化４２】
【０１０６】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−２）
【０１０７】
【化４３】
【０１０８】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−３）
【０１０９】
【化４４】
【０１１０】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−４）
【０１１１】
【化４５】
【０１１２】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【０１１３】
【化４６】
【０１１４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【０１１５】
また、一般式（１０）
【０１１６】
【化４７】
【０１１７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１４−１）
【０１１８】
【化４８】
【０１１９】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−２）
【０１２０】
【化４９】
【０１２１】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−３）
【０１２２】
【化５０】
【０１２３】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表すＹ５は脱離基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−４）
【０１２４】
【化５１】
【０１２５】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【０１２６】
【化５２】
【０１２７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法に関するものである。
【０１２８】
さらに本発明は、一般式（１）
【０１２９】
【化５３】
【０１３０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１３１】
また、本発明は一般式（２）
【０１３２】
【化５４】
【０１３３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１３４】
また、本発明は一般式（３）
【０１３５】
【化５５】
【０１３６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１３７】
また、本発明は一般式（４）
【０１３８】
【化５６】
【０１３９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子に関するものである。
【０１４０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【０１４１】
一般式（１）〜（４）で示される化合物は、好ましくはＲ１からＲ３４が水素原子あるいはメチル基の場合であり、更に好ましくは全て水素原子の場合である。
【０１４２】
一般式（１）〜（４）中に記載のＲ１〜Ｒ３４における炭素数１から６のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンタン−１−イル基、３−メチルブチル、２，２−ジメチルプロピル基、ヘキサン−１−イル基等が挙げられる。一般式（１）〜（４）中に記載のＲ１からＲ３４における炭素数１から６のアルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基等を挙げることができる。以上に挙げた置換基はＲ１からＲ３４に任意の位置に任意の置換基を選択することができる。
【０１４３】
なお、一般式（１）〜（４）で示される化合物は、ベンゼン環の１，２，４，５位全てに同一のピリジル置換フェニレン基又はフェニル置換ピリジレン基が結合している場合が有機電界発光素子の性能が良い点で好ましい。
【０１４４】
一般式（１）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ａ１）〜（Ａ２９）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１４５】
【化５７】
【０１４６】
【化５８】
【０１４７】
【化５９】
【０１４８】
一般式（２）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ｂ１）〜（Ｂ２０）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１４９】
【化６０】
【０１５０】
【化６１】
【０１５１】
一般式（３）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ｃ１）〜（Ｃ２９）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１５２】
【化６２】
【０１５３】
【化６３】
【０１５４】
【化６４】
【０１５５】
また、一般式（４）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の具体的化合物例として以下の（Ｄ１）〜（Ｄ３２）に挙げるが、本発明の化合物をこれらに限定するものではない。
【０１５６】
【化６５】
【０１５７】
【化６６】
【０１５８】
【化６７】
【０１５９】
次に、本発明の製造方法について説明する。
【０１６０】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）は、次の反応式で示される方法で製造することができる。
【０１６１】
【化６８】
【０１６２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
以下、本反応について具体例を出して説明するが、本発明をこれらに限定するものではない。
【０１６３】
化合物（６−１）〜（６−４）におけるＭの例としては、ＺｎＲ３５、ＭｇＲ３６、Ｓｎ（Ｒ３７）３、Ｂ（ＯＲ３８）２等が挙げられる。但し、Ｒ３５及びＲ３６は、各々独立に塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表し、Ｒ３７は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ３８は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ３８）２の２つのＲ３８は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ３８は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【０１６４】
化合物（６−１）〜（６−４）におけるＢ（ＯＲ３８）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ３８が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ３８）２の例としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。
【０１６５】
【化６９】
【０１６６】
化合物（５）におけるＹ１〜Ｙ４で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ（ＯＴｆ）基、メタンスルホニルオキシ（ＯＭｓ）基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ（ＯＴｓ）基等を挙げることができる。これらの脱離基は反応の選択性を持たせるため、Ｙ１〜Ｙ４の異なる位置に異なる置換基を適宜選択することが可能である。
【０１６７】
以下に化合物（５）の例として、次のＥ１〜Ｅ２８９（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）を例示することができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６８】
【化７０】
【０１６９】
【化７１】
【０１７０】
【化７２】
【０１７１】
【化７３】
【０１７２】
【化７４】
【０１７３】
【化７５】
【０１７４】
【化７６】
【０１７５】
【化７７】
【０１７６】
【化７８】
【０１７７】
【化７９】
【０１７８】
【化８０】
【０１７９】
【化８１】
【０１８０】
「工程１」は化合物（６−１）〜（６−４）を、場合によっては塩基の存在下に、パラジウム触媒あるいはニッケル触媒の存在下に化合物（５）と反応させ、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）を得る方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【０１８１】
「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は反応収率がよい点で好ましい。
【０１８２】
なお、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル等が例示できる。入手容易であり、反応収率がよい点で、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。
【０１８３】
第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、反応収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。また、ニッケル触媒としては［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，１’ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド等が挙げられる
「工程１」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点でリン酸三カリウムが望ましい。塩基と化合物（６−１）、（６−２）、（６−３）又は（６−４）とのモル比は、１：２から１０：１が望ましく、収率がよい点で１：１から３：１がさらに望ましい。
【０１８４】
「工程１」で用いる化合物（５）と化合物（６−１）、（６−２）、（６−３）又は（６−４）とのモル比は、１：５から２：１が望ましく、収率がよい点で１：２から２：１がさらに望ましい。また、化合物（６−１）、（６−２）、（６−３）又は（６−４）は同一であっても相異なっていてもよく、場合によっては中間体を単離して順次反応させても、単離せずに順次加えていってもよい。
【０１８５】
「工程１」で用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でトルエン及びエタノールの混合溶媒を用いることが望ましい。
【０１８６】
「工程１」は、０℃から１５０℃から適宜選ばれた温度で実施することができ、収率がよい点で６０℃から１００℃で行うことがさらに望ましい。
【０１８７】
化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【０１８８】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（２）〜（４）についても、以下の「工程２」〜「工程４」で表される反応式で製造することが可能である。
【０１８９】
【化８２】
【０１９０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
【０１９１】
【化８３】
【０１９２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
【０１９３】
【化８４】
【０１９４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）
これらの工程２〜４の反応は、１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）の合成方法である「工程１」と同様な手法を用いて合成することが可能である。
【０１９５】
さらに、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、次の「工程５」〜「工程８」で示す方法によっても製造することができる。
【０１９６】
【化８５】
【０１９７】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
【０１９８】
【化８６】
【０１９９】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
【０２００】
【化８７】
【０２０１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
【０２０２】
【化８８】
【０２０３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）
化合物（１０）におけるＺ１〜Ｚ４で表される金属基又はヘテロ原子基としては、Ｓｎ（Ｒ３７）３、Ｂ（ＯＲ３８）２等が挙げられる。但し、Ｒ３７は、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ３８は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ３８）２の２つのＲ３８は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ３８は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
【０２０４】
化合物（１０）におけるＢ（ＯＲ３８）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ３８が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ３８）２の例としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。
【０２０５】
【化８９】
【０２０６】
化合物（１１）〜（１４）におけるＹ５で表される脱離基としては、塩素基、臭素基、ヨウ素基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、クロロメタンスルホニルオキシ基及びｐ−トルエンスルホニルオキシ等を挙げることができる。
【０２０７】
「工程５」〜「工程８」は、「工程１」と同様な反応条件を用いることができる。また、化合物（１）〜（４）は、「工程５」〜「工程８」の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【０２０８】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）を構成成分とする有機電界発光素子の製造方法に特に限定はないが、真空蒸着法による成膜が可能である。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムや製造コストを考慮すると、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０−２〜１×１０−５Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は、形成する膜の厚さによるが０．００５〜１．０ｎｍ／秒が好ましい。
【０２０９】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、汎用の装置を用いたスピンコート法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜も可能である。
【発明の効果】
【０２１０】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、良好な電荷注入、輸送特性を持つことから、蛍光又は燐光有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけホスト材や電子輸送材等として用いることができる。
【０２１１】
また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）のバンドギャップは３．２ｅＶ以上であり、パネルを構成する３原色（赤：１．９ｅＶ、緑：２．４ｅＶ、青：２．８ｅＶ）の各色のエネルギーを閉じ込めるのに十分なワイドバンドギャップ材料である。よって、単色の表示素子、３原色のカラー表示素子、照明用途などの白色素子など様々な素子への応用が可能である。さらに置換基の変更によって溶解性の制御も可能であるため、蒸着素子ばかりでなく塗布素子への応用も可能である。蛍光又は燐光有機電界発光素子を低電圧で駆動せしめ消費出力を低減すること、及び各素子の寿命を伸長することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１２】
【図１】試験例−１で作製する有機電界発光素子の断面図である。
【実施例】
【０２１３】
以下、実験例及び試験例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２１４】
実施例−１
【０２１５】
【化９０】
【０２１６】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン１．００ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、４−（２−ピリジル）フェニルボロン酸４．０４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２８．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１２１ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム５．３９ｇ（２５ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのトルエン、１ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で４４時間攪拌した。室温まで冷却後、メタノールで希釈し、固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム：ヘキサン＝２：１〜１：０）で精製し、目的の４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，５’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量１．３８ｇ、収率７９％）を得た。
【０２１７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．２１−７．５３（ｍ，４Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．４４Ｈｚ，８Ｈ），７．６９（ｓ，２Ｈ），７．５３−７．７９（ｍ，８Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝８．４８Ｈｚ，８Ｈ），８．７０（ｄ，Ｊ＝４．５６Ｈｚ，４Ｈ）．
実施例−２
【０２１８】
【化９１】
【０２１９】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン１．００ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、４−（ピリジン−３−イル）フェニルボロン酸４．０４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２８．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル１２１ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム５．３９ｇ（２５ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのジオキサン、６ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で２１時間攪拌した。室温まで冷却後、水で希釈し、固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、目的の４，４’’−ジ（３−ピリジル）−［４−（３−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量１．３５ｇ、収率７７％）を得た。
【０２２０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．４６（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），７．４８−７．５６（ｍ，４Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝８．３２Ｈｚ，８Ｈ），７．６９（ｓ、２Ｈ），８．０７（ｄ，Ｊ＝７．１２Ｈｚ，４Ｈ），８．６３（ｄｄ，Ｊ＝１．４８，４．９６Ｈｚ，４Ｈ），８．９２（ｄ，Ｊ＝１．９６Ｈｚ，４Ｈ）．
実施例−３
【０２２１】
【化９２】
【０２２２】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン６５．９ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）、４−（４−ピリジル）フェニルボロン酸２００ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．８８ｍｇ（０．００８４ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル８．６０ｍｇ（０．０２１ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム６４０ｍｇ（３．０２ｍｍｏｌ）、を１００ｍＬのトルエンに溶解し、過熱還流下で４８時間攪拌した。室温まで冷却後、３００ｍＬのクロロホルムで希釈し、固体をろ別した。有機層を濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム：メタノール＝９９：１〜２０：１）で精製し、目的の４，４’’−ジ（４−ピリジル）−４’，５’−ビス［４−（４−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量２０ｍｇ、収率１７％）を得た。
【０２２３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．５２（ｓ，２Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝６．２１Ｈｚ，８Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝６．２１Ｈｚ，８Ｈ）．
実施例−４
【０２２４】
【化９３】
【０２２５】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン０．５０ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、３−（２−ピリジル）フェニルボロン酸２．０２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１４．３ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル６０．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．７０ｇ（１３ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのトルエン、２ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で４８時間攪拌した。室温まで冷却後、メタノールで希釈し、固体をろ別した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、目的の３，３’’−ジ（２−ピリジル）−４’，５’−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−１，１’；２’，１’’−ターフェニルの白色固体（収量０．８３ｇ、収率９５％）を得た。
【０２２６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．１７−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．３０（ｄ，Ｊ＝７．７６Ｈｚ，４Ｈ），７．３６（ｔ，Ｊ＝７．６２Ｈｚ，４Ｈ），７．５５（ｄ，Ｊ＝８．００Ｈｚ，４Ｈ），７．６９（ｔ，Ｊ＝７．７２Ｈｚ，４Ｈ），７．７９（ｓ，２Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝７．９２Ｈｚ，４Ｈ），８．０２（ｓ，４Ｈ）．
実施例−５
【０２２７】
【化９４】
【０２２８】
アルゴン気流下、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン０．５０ｇ（１．３ｍｍｏｌ）、２−（４−メチルフェニル）ピリジン−５−イルボロン酸２．１６ｇ（１０．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１４．３ｍｇ（０．０６ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル６０．５ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．７０ｇ（１３ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのトルエン、２ｍｌの水に溶解し、加熱還流下で７２時間攪拌した。その後水を加え、クロロホルムで抽出後、溶媒を減圧除去した。析出した固体を２５ｍｌのｏ−キシレンで再結晶し、目的の１，２，４，５−テトラキス[２−（４−メチルフェニル）ピリジン‐５−イル]ベンゼンの白色固体（収量９０１ｍｇ、収率９５％）を得た。
【０２２９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ２．４４（ｓ，１２Ｈ），７．３０（ｄ，Ｊ＝８．２８Ｈｚ，８Ｈ），７．６３（ｄ，Ｊ＝８．２４Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝８．４０Ｈｚ，４Ｈ），７．６９（ｓ，２Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝８．２０Ｈｚ、８Ｈ），８．６７(ｓ，４Ｈ)．
試験例−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積４ｍｍ２有機電界発光素子を作製した。
【０２３０】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、図１の１で示す前記ガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４及び電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜した。正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を２５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層４としては、２―ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９７：３（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層５としては、本発明の実施例−１で合成した４，４’’−ジ（２−ピリジル）−４’，５’−ビス［４−（２−ピリジル）フェニル］１，１’；２’，１’’−ターフェニルを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。
【０２３１】
なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜する。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ１．０ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。
【０２３２】
作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定した。
【０２３３】
作製した素子の測定値は、３．８Ｖ、２０７０ｃｄ／ｍ２、１０．４ｃｄ／Ａ、８．５ｌｍ／Ｗであった。また、この素子の輝度半減時間は、１５５０時間であった。
【０２３４】
比較例−１
試験例−１の電子輸送層５に代えて、既存材料のトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ）を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を、試験例１と同様に作製した。
【０２３５】
作製した素子の測定値は、６．４Ｖ、１６６４ｃｄ／ｍ２、８．３ｃｄ／Ａ、４．１ｌｍ／Ｗであった。またこの素子の輝度半減時間は、１５００時間であった。
【産業上の利用可能性】
【０２３６】
本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）を用いた蛍光又は燐光有機電界発光素子は、既存材料を用いた素子に比較して、低消費電力化、長寿命化を達成できることを確認した。また、本発明の１，２，４，５−置換フェニル誘導体（１）〜（４）は、本実施例の電子輸送層以外にも、他の蛍光発光材料や燐光材料を用いた有機電界発光素子への適用も可能である。さらに、フラットパネルディスプレイなどの用途以外にも、低消費電力と長寿命の両立が求められる照明用途などにも有用である。
【符号の説明】
【０２３７】
１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．陰極層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項２】
一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項３】
一般式（３）
【化３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項４】
一般式（４）
【化４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項５】
一般式（５）
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（６−１）
【化６】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−２）
【化７】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−３）
【化８】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−４）
【化９】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化１０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項６】
一般式（５）
【化１１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（７−１）
【化１２】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−２）
【化１３】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−３）
【化１４】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−４）
【化１５】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【化１６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項７】
一般式（５）
【化１７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（８−１）
【化１８】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−２）
【化１９】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−３）
【化２０】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−４）
【化２１】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【化２２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項８】
一般式（５）
【化２３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（９−１）
【化２４】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−２）
【化２５】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−３）
【化２６】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−４）
【化２７】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【化２８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項９】
一般式（１０）
【化２９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１１−１）
【化３０】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−２）
【化３１】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−３）
【化３２】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−４）
【化３３】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化３４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１０】
一般式（１０）
【化３５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１２−１）
【化３６】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−２）
【化３７】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−３）
【化３８】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−４）
【化３９】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ７及びＸ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【化４０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１１】
一般式（１０）
【化４１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１３−１）
【化４２】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−２）
【化４３】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−３）
【化４４】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−４）
【化４５】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【化４６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１２】
一般式（１０）
【化４７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１４−１）
【化４８】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−２）
【化４９】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−３）
【化５０】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表すＹ５は脱離基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−４）
【化５１】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【化５２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１３】
一般式（１）
【化５３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１４】
一般式（２）
【化５４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１５】
一般式（３）
【化５５】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１６】
一般式（４）
【化５６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項２】
一般式（２）
【化２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項３】
一般式（３）
【化３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項４】
一般式（４）
【化４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体。
【請求項５】
一般式（５）
【化５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（６−１）
【化６】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−２）
【化７】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−３）
【化８】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（６−４）
【化９】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化１０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項６】
一般式（５）
【化１１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（７−１）
【化１２】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−２）
【化１３】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−３）
【化１４】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（７−４）
【化１５】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【化１６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項７】
一般式（５）
【化１７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（８−１）
【化１８】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−２）
【化１９】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−３）
【化２０】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物及び、一般式（８−４）
【化２１】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【化２２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項８】
一般式（５）
【化２３】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に脱離基を表す。）で示される化合物と、一般式（９−１）
【化２４】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−２）
【化２５】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−３）
【化２６】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（９−４）
【化２７】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｍは、金属基又はヘテロ原子基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【化２８】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項９】
一般式（１０）
【化２９】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１１−１）
【化３０】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−２）
【化３１】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−３）
【化３２】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１１−４）
【化３３】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（１）
【化３４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１０】
一般式（１０）
【化３５】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１２−１）
【化３６】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１及びＸ２は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１及びＸ２は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−２）
【化３７】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ３及びＸ４は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ３及びＸ４は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−３）
【化３８】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５及びＸ６は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ５及びＸ６は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物及び、一般式（１２−４）
【化３９】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ７及びＸ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ７及びＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（２）
【化４０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１１】
一般式（１０）
【化４１】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１３−１）
【化４２】
（式中、Ｒ３〜Ｒ６、Ｒ１９〜Ｒ２２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−２）
【化４３】
（式中、Ｒ７〜Ｒ１０、Ｒ２３〜Ｒ２６は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−３）
【化４４】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１４、Ｒ２７〜Ｒ３０は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物及び、一般式（１３−４）
【化４５】
（式中、Ｒ１５〜Ｒ１８、Ｒ３１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（３）
【化４６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１２】
一般式（１０）
【化４７】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｚ１〜Ｚ４は各々独立に、金属基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物と、一般式（１４−１）
【化４８】
（式中、Ｒ３〜Ｒ５、Ｒ１５〜Ｒ１９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ１〜Ｘ４は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−２）
【化４９】
（式中、Ｒ６〜Ｒ８、Ｒ２０〜Ｒ２４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ５〜Ｘ８は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ５〜Ｘ８のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−３）
【化５０】
（式中、Ｒ９〜Ｒ１１、Ｒ２５〜Ｒ２９は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表すＹ５は脱離基を表す。Ｘ１３〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物及び、一般式（１４−４）
【化５１】
（式中、Ｒ１２〜Ｒ１４、Ｒ３０〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｙ５は脱離基を表す。Ｘ９〜Ｘ１２は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ９〜Ｘ１２のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される化合物とを、塩基及び金属触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、一般式（４）
【化５２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体の製造方法。
【請求項１３】
一般式（１）
【化５３】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１４】
一般式（２）
【化５４】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基、又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ８は炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｘ１とＸ２、Ｘ３とＸ４、Ｘ５とＸ６、Ｘ７とＸ８は同時に窒素原子又は炭素原子にはなり得ない。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１５】
一般式（３）
【化５５】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【請求項１６】
一般式（４）
【化５６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ３４は各々独立に水素、炭素数１から６のアルキル基又は炭素数１から６のアルコキシ基を表す。Ｘ１〜Ｘ１６は窒素原子又は炭素原子を表す。但し、Ｘ１〜Ｘ４、Ｘ５〜Ｘ８、Ｘ９〜Ｘ１２、Ｘ１３〜Ｘ１６のそれぞれ４つの原子のうち、１つの原子を窒素原子とし、他の３つの原子は炭素原子を表す。）で示される１，２，４，５−置換フェニル誘導体を構成成分とする有機電界発光素子。
【図１】
【公開番号】特開２０１１−１９０２２９（Ｐ２０１１−１９０２２９Ａ）
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−５９８８９（Ｐ２０１０−５９８８９）
【出願日】平成２２年３月１６日（２０１０．３．１６）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１６日（２０１０．３．１６）
【出願人】（０００００３３００）東ソー株式会社 (1,901)
【Ｆターム（参考）】
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