説明

A15化合物超伝導線材の製造方法

【課題】マトリックスからSn、Ga等を酸化除去し、臨界電流密度Jcを高めることのできるA15化合物超伝導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】 拡散障壁層のない超伝導前駆線材の真空または不活性ガス雰囲気での熱処理の後半において、マトリックス中のCu以外の成分が酸化される酸素分圧を有する雰囲気に替え、その状態に保持する。
即ち、表面のSnが酸化除去されると、CuSn合金の中で、Snの濃度勾配が生じ、線材内部からSnの拡散が起る。これにより線材全体からSnの酸化除去が可能となる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本願発明は、A15化合物超伝導線材の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
Nb3SnまたはV3GaのA15化合物超伝導線材が知られている。このA15化合物超伝導線材は、以下のような方法で製造されている。ここでは、Nb3Snについて例示
する(文献1)。
(1)ブロンズ法
Cu−Sn合金マトリックス(Tiを含む場合が多い)中に多数のNbフィラメントが埋設された複合線材(超伝導部)の周囲に、Nb、TaまたはVから形成された拡散障壁層を介して安定化Cuが被覆された超伝導前駆線材を熱処理してNb3Sn線材を得てい
る。
(2)内部拡散法
Cuマトリックス中にSn基金属コア(1〜2wt.%程度のTiを含むことが多い)に多数のNbフィラメントが埋設された複合線材(超伝導部)の周囲に、Nb、TaまたはVから形成された拡散障壁層を介して安定化Cuが被覆された超伝導前駆線材を熱処理してNb3Sn線材を得ている。
【0003】
この他、MJR(Modified Jelly Roll)法、外部拡散法等も知られているが、これら
の製造方法は上記2種類の製造方法の変形である。
【0004】
熱処理により、ブロンズ法では、Nbフィラメントの周囲または全部がNb3Sn化合
物になり、Cu−Sn合金マトリックスはSn濃度が相当薄まったCu−Sn合金マトリックスに変わる。内部拡散法では、低温側の熱処理によりSnがCuマトリックス中に拡散し、ブロンズ法における超伝導前駆線材と同様の構造に変わり、高温側の熱処理によりNbフィラメントの周囲または全部がNb3Sn化合物になる。マトリックスは低濃度の
SnのCu−Sn合金となり、Snコアは完全に消滅する。
【文献1】
【0005】

"Superconductor Materials Science", Edited by S. Foner and B. B. Schwartz, Plenum Press (New York, 1981)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本願発明は、マトリックスからSn、Ga等を酸化除去し、臨界電流密度Jcを高める
ことのできるA15化合物超伝導線材の製造方法を提供することを解決しようとする課題としている。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本願発明は、上記の課題を解決するものとして、第1に、拡散障壁層のない超伝導前駆線材の真空または不活性ガス雰囲気での熱処理の後半において、マトリックス中のCu以外の成分が酸化される酸素分圧を有する雰囲気に替え、その状態に保持することを特徴としている。
【0008】
本願発明は、第2に、第1の特徴を有するA15化合物超伝導線材の製造方法において、Cu以外の成分を酸化除去する熱処理の温度が690℃以上であることを特徴としている。
【0009】
本願発明は、第3に、第1または第2の特徴を有するA15化合物超伝導線材の製造方法において、Cu以外の成分を酸化除去する雰囲気がH2−H2OもしくはCO−CO2
合ガスまたはそれに不活性ガスが混合されたものであることを特徴としている。
【発明の効果】
【0010】
本願発明によれば、コイル化に重要である、安定化Cuを除く臨界電流密度Jcを〜3
倍にすることができる可能性がきわめて高い。また、拡散障壁層が不要であるため、線材の断面積を大幅に低減することができ、コイル化に必要な線材長も大幅に低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
本願発明では、マトリックスからのSn、Gaの酸化除去を阻害する拡散障壁のない熱処理前の前駆線材が用いられる。そして、熱処理の後半で、Cuを酸化せず、Sn、Ti、Gaを酸化する雰囲気に替える。
【0012】
Gaskell,"Introduction to Metallurgical Thermodynamics", 2nd Edition Hemisphere
Pubrishing Corporation (USA, 1981)(以下、文献2)および「銅及び銅合金の基礎と
工業技術(改訂版)」(日本伸銅協会、1994),p.42(以下、文献3)によれば、Cu2O、SnO2、TiO2の解離圧は、それぞれ、
logPO2(a,T)=-339,000/(2.303×8.3144T)-14.2logT/8.3144+247/(2.303×8.3144) (1a)
logPO2(b,T)=-528,400/(2.303×8.3144T)+231.5/(2.303×8.3144) (1b)
logPO2(c,T)=-910,000/(2.303×8.3144T)+173/(2.303×8.3144) (1c)
で与えられる。図1は、(a)Cu2O、(b)SnO2、(c)TiO2の解離酸素分圧の550℃〜750℃の範囲での温度変化を示している。曲線上で金属と酸化物が共存し、曲線より上側の領域で金属は酸化され、下側の領域で酸化物が還元される。したがって、 (a)Cu2Oの解離圧以下、(b)SnO2の解離圧以上の酸素分圧で、Cuは酸化されず、Snおよ
びTiが酸化されることが理解される。
【0013】
このような低酸素分圧雰囲気の制御には、CO/CO2やH2/H2Oなどの混合ガスを
用いることができる。文献2によれば、後者の場合、高温で2H2O→O2+2H2の反応
により酸素が供給され、
log(PH20/PH2)=log(PO2)/2+492,000/(2×2.303×8.3144T)-109.6/(2×2.303×8.3144)(2)が成り立つから、各(1)式の平衡酸素分圧に対応するH2/H2O比を温度の関数として求
めることができる。Cu、Snについては、図2(a)(b)に示したとおりとなる。
【0014】
また、文献2によれば、H2Oの温度T(K)における蒸気圧は、
logP(atm)=-2,900/T-4.65logT+19.732 (3)
で与えられる。このことから、所定の温度に加熱した水槽中に、たとえばArをキャリヤガスとしてAr−H2混合ガスを供給・バブリングし、炉芯管内に導入すると同時に、水
の凝集を防ぐために途中に配管を水槽温度以上に保てば、H2/H2O比は、混合ガス中のH2濃度と水槽温度で決まる。
【0015】
本願発明におけるSn等の酸化除去は、上記のとおり、Nb3Sn生成処理過程の後半
に行われる。この酸化除去は、CuSn(Ti)合金からSn(Ti)を酸化除去することとほとんど等価である。図3(a)に示した初期状態から始まり、表面のSnが酸化除去
されると、CuSn合金に図3(b)に示したようなSnの濃度勾配が生じ、線材内部から
Snの拡散が起こる。これにより、線材全体からSnの酸化除去が可能となる。つまり、Snの酸化除去は、酸化反応+拡散により行われるのである。効果的な酸化除去のためには、外界の酸素分圧が充分高い必要があり、H2/H2O比で言えば、図2に示した曲線(d
)の下側で、かつ曲線(a)の上側の領域の雰囲気が必要である。酸化がある程度進行した場合、図3(b)に示したように、酸化物層中で酸素分圧が低下するなどのため、熱力学的に
はCuが酸化される条件でもSnのみの酸化が行われる。また、Sn等の酸化除去は、690℃以上の温度で行うのが好ましい。690℃未満では酸化速度が遅くなり、必要な酸化時間が長くなる。
【実施例】
【0016】
(参考例)
直径0.643mmのCu−xwt.%Sn合金線(x=0、0.82、3.29)の抵抗の温度依
存性を図4に示した。
【0017】
x=0.82の合金線をArガス(酸素含有量0.1ppb未満、以下略す)中で750℃まで1hrで加熱し、その後雰囲気をH2/H2O比が1.38×10-5の混合ガスに置換し、750℃で36hr保持した。次いで、再びArガスに置換し、室温まで7hrで冷却した。ガス流量は、以下も同様の、〜300sccmとした。混合ガスは、一定の温度に加熱した水槽にH2を含むArガスをバブリングし、水温で決まる水蒸気を含む混合ガスとして生
成した。H2/H2O比は、水温とArガスに含まれるH2濃度で制御される。
【0018】
熱処理中の試料抵抗(電圧端子間距離50mm)をモニターしたところ、昇温中は、図4に示したx=0.82の曲線に沿って増加し、750℃保持時は単調に減少し、降温過程ではx=0に沿って減少した。降温過程の雰囲気は混合ガスでも抵抗変化に影響しないが、室温付近まで混合ガスにしておくと、炉芯管内に水が凝集する。
【0019】
750℃に保持中の試料の抵抗の変化を図5に示した。初期を除き、抵抗は時間の1/2乗に比例して減少し、35.4hrで抵抗減少が完了した。Snの拡散に律速することの反映と考えられる。混合ガスに置換後、〜10hr経過した後にH2/H2O比を一桁増やしても抵抗変化に影響はなかった。図3に示した状況が生じているためと推測される。
【0020】
x=3.29の合金線についても同様の実験を行った。ただし、Snの酸化除去時間は80hrとした。この場合も、昇温過程では図4に示したx=3.29の曲線に沿って抵抗は増加し、750℃保持時は単調に減少し、降温過程では図4に示したx=0の曲線に沿って減少した。750℃保持時の抵抗変化を図6に示した。
【0021】
Snの酸化除去に必要な時間t(hr)は、残留ブロンズ濃度n(wt.%)の2乗に比例する項と一定時間の和と考えられる。ここで、一定時間t0は、線材の構成によって
実験的に決められる。Snの拡散律速である限り、酸化除去に必要な時間は、拡散距離x(mm)の2乗に比例し、Snの拡散係数D(T)に反比例する。すなわち、
t/35.4=(n2+no2)/(0.822+no2)(x/0.3216)2(D(1023K)/D(T)) (4)
で目安を立てることができる。ここで、n02はt0に比例する。なお、ブロンズ線の様々な
温度、雰囲気での抵抗変化から、図2に示した曲線(d)の下側が拡散律速の領域と推定さ
れた。〜500℃ではCuも酸化される領域であるが、抵抗の減少が認められた。Cuも酸化される場合には抵抗は増加する。ただし、抵抗減少率はきわめて小さく、拡散係数は温度の低下で急に小さくなるためと考えられる。Cuが確実に酸化されない条件も合わせると、690℃以上でのSnの酸化除去が好ましいことが分かる。
【0022】
x=0.82のブロンズ線を試料番号(1)とし、x=3.29のブロンズ線を試料番号(2)、(1)のブロンズ線のSnを36hr酸化除去したものを試料番号(3)、試料番号(2)のブロンズ線のSnを80hr酸化除去したものを試料番号(4)とし、各線材の273K、18Kでの抵抗率およびその比であるRRR(すなわち、超伝導転移温度直上の抵抗に対する室温での抵抗の比)を表1に示した。RRR<10のブロンズ線が、Snの
酸化除去によりRRR>100と安定化に寄与することのできるレベルに達した。
【0023】
【表1】

【0024】
(実施例1)
Snの酸化除去の実証に(株)古河電工製の内部安定化ブロンズ法線材を用いた。その仕様を表2に示した。
【0025】
【表2】

【0026】
参考例に基づき、750℃−49hrの熱処理条件として検討を行った。
【0027】
フィラメント密集部のSnまでの酸化除去は困難と考え、外周部のみの酸化除去を考えた。この部分のブロンズ層の厚さは51.6μmであるため、残留Sn濃度が0.82wt.%程度と仮定すると、上記(4)式から〜1hrの酸化で除去可能と推測される。そこで、75
0℃で39hrの保持までArガス雰囲気で行い、残りの10hrを参考例と同じ混合ガス雰囲気中でSnの酸化除去を行った。昇温時間は7hrとした。750℃に保持中の試料の抵抗変化をArガス雰囲気中での熱処理における試料の抵抗変化と比較して図7に示した。熱起電力の発生のためデータに乱れがあるが、Arガス雰囲気中での熱処理では抵抗変化に2段階の振る舞いが認められる。初期の抵抗減少は大きく、〜5hrで全体の抵抗減少の〜3/4が完了している。一方、Snの酸化除去を行った試料では、39hrまではArガス雰囲気中での熱処理と同じ振る舞いを示すが、雰囲気を切り替えることにより急激な抵抗変化が短時間で生じ、その後、若干緩やかな減少へと変わっている。ただし、緩やかな抵抗減少でもNb3Sn生成による2種類の抵抗減少であるため、速い変化率
である。Snの酸化除去の振る舞いを詳しく見るため、酸化除去開始後の抵抗変化を図8に示した。
【0028】
Arガス雰囲気中での抵抗減少率は、図7に示したように、7×10-4mΩ/sec1/2であり、これは、Nb3Snの生成にともなうSn濃度の減少を表している。一方、初期の酸化除去では、図8に示したように、抵抗減少率は9.9×10-2mΩ/sec1/2であり、外周部のブロンズ中のSn濃度の減少に対応すると考えられる。最終的には、5.5×1
-2mΩ/sec1/2の抵抗減少率に移行している。これは、主に、フィラメント密集部
のSn濃度の減少に対応していると考えられる。以上の結果から、Snの酸化除去による抵抗変化に比べ、Nb3Snの生成による抵抗変化は無視できる割合であることが確認さ
れる。また、後期のSnの酸化除去による抵抗変化率は、初期の抵抗変化率の0.56倍となっている。
【0029】
ブロンズ外周部の動径方向に垂直な平均断面積は、平均周長π*(0.994mm+0.891m
m)/2に線材長を掛けた量で近似することができる。フィラメント密集部での同様の量は、平均周長π*(0.891mm+0.456mm)/2に線材長を掛け、さらにブロンズの体積
率37.3/(37.3+22.0)を掛けた量で近似することができる。したがって、後者は前者の0.45倍となる。一方、後期のSnの酸化除去には外周部のブロンズに拡散したSnも含まれる。外周部、フィラメント密集部の拡散距離は、それぞれ、52μm、217μmであるから、動径方向の全平均断面積/外周部の平均断面積は(217×0.45+52×1)/(217+52)=0.56倍となり、抵抗変化率の比と完全に一致する。
【0030】
以上の結果から、フィラメント密集部フィラメント密集部でもSnの拡散はほとんど抑制されないことが分かる。Nbフィラメントは拡散に寄与しないだけの影響を受けるに過ぎない。
【0031】
なお、実施例1で用いた線材の全拡散距離269μmは、参考例のブロンズ線の321.5
μmより短く、Snの酸化除去に必要な時間は、35.4hr×(269/321.5)2=24.8hrと推定される。ただし、酸化除去開始のブロンズ濃度が、若干残留ブロンズ濃度より高いこと、SnはNb3Snの生成に若干消費されることを考慮する必要がある。
(実施例2)
実施例1と同じ線材を用い、750℃での保持中、14hrをArガス雰囲気、残りの35hrを混合ガス雰囲気とした。図9に750℃に保持時の試料の抵抗の時間変化を示した。
【0032】
実施例1と同様の振る舞いであるが、酸化除去の後期に、抵抗減少が飽和し始めた直後に抵抗減少が始まっている。Snの完全な酸化除去にはもう少し時間が必要である。
【0033】
Arガス雰囲気中での熱処理のみを行ったものを比較例とし、実施例1の10hr酸化除去、実施例2の35hr酸化除去した3つの試料の273K、18Kでの抵抗率およびRRRを表3に示した。
【0034】
【表3】

【0035】
比較例と実施例2の18Kでの抵抗率を比較する。使用した線材の内部安定化Cuの占積率は19.2%であった。18Kでの伝導率に寄与するのはCuのみと仮定すると、抵抗率
は、Cuの占積率に反比例するとみなせる。すると、実施例2の線材のCu占有率は33.6%と見積もれ、比較例より14.4%増えていることになる。一方、熱処理前のブロンズの占有率は57%で、この内、外周部のブロンズは19.7%であった。このブロンズからSnが除去されると、ブロンズの体積は〜12%減少するから、外周部のブロンズ中のCuは〜17%の占積率に相当する。したがって、外周部のブロンズの大半が安定化Cuに変わったと推測される。酸化除去時間を長時間化することでブロンズマトリックスを全て安定化Cuに変えることができると考えられる。また、線材の縮径により拡散距離を短くすれば、より短時間でのSnの酸化除去が可能になると考えられる。ただし、実際の線材に要する酸化除去時間は、上記(4)式で見積もれる時間を参考に、酸化除去開始時のブロンズの
濃度、フィラメント密集部での実質的な拡散距離等を加味し、実験的に決められる必要がある。
【0036】
なお、実施例1、2いずれの線材も、比較例の線材に比べ、〜0.1K高い臨界温度Tcを示した。Snの酸化除去により、Nb3Snフィラメントに加わる残留歪が緩和したため
と推測される。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【図1】(a)Cu2O、(b)SnO2、(c)TiO2の解離酸素分圧の550℃〜750℃の範囲での温度変化を示した図である。
【図2】平衡酸素分圧に対応するH2/H2O比の温度依存性を示した図である。
【図3】酸素分圧が充分高い場合のCuSn合金からのSnの酸化除去の振る舞いを示した模式図である。
【図4】参考例におけるCu−xwt.%Sn合金線の抵抗の温度変化を示した図である。
【図5】参考例における750℃でのSnの酸化除去による抵抗の時間変化を示した図である。
【図6】参考例における750℃でのSnの酸化除去による抵抗の時間変化を示した図である。
【図7】実施例1における750℃に保持時の試料の抵抗の時間変化を示した図である。
【図8】図7の内の酸化除去開始後の詳細な変化を示した図である。
【図9】実施例2における750℃に保持時の試料の抵抗の時間変化を示した図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
拡散障壁層のない超伝導前駆線材の真空または不活性ガス雰囲気での熱処理の後半において、マトリックス中のCu以外の成分が酸化される酸素分圧を有する雰囲気に替え、その状態に保持することを特徴とするA15化合物超伝導線材の製造方法。
【請求項2】
Cu以外の成分を酸化除去する熱処理の温度が690℃以上であることを特徴とする請求項1記載のA15化合物超伝導線材の製造方法。
【請求項3】
Cu以外の成分を酸化除去する雰囲気がH2−H2OもしくはCO−CO2混合ガスまた
はそれに不活性ガスが混合されたものであることを特徴とする請求項1または2記載のA15化合物超伝導線材の製造方法。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【公開番号】特開2006−120538(P2006−120538A)
【公開日】平成18年5月11日(2006.5.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−308825(P2004−308825)
【出願日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【出願人】(301023238)独立行政法人物質・材料研究機構 (1,333)
【Fターム(参考)】