ＭｎＺｎフェライト及びＭｎＺｎフェライトコア
【課題】 広い周波数帯域で、高い初透磁率が得られるＭｎＺｎフェライトコアを提供すること。
【解決手段】 主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトであって、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％を含み、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有するＭｎＺｎフェライトとし、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下とすることで、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【解決手段】 主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトであって、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％を含み、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有するＭｎＺｎフェライトとし、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下とすることで、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高透磁率のＭｎＺｎフェライト及びＭｎＺｎフェライトコアに関し、特にノイズフィルタ用フェライトコアとして好適なＭｎＺｎフェライトに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化の技術革新が著しく、それに伴い使用されるＭｎ−Ｚｎ系フェライトの高性能化、例えば高透磁率化、及び低損失化が求められている。なかでも、ノイズフィルタ用のフェライトコアは、広い周波数帯域にわたり高い初透磁率を示すことが要求されている。
【０００３】
高い初透磁率を得るためには、結晶磁気異方性を小さくすること、平均結晶粒径を大きくすることが必要である。
【０００４】
結晶磁気異方性を小さくするためには、使用環境温度で結晶磁気異方性定数が最小となる組成を選定する必要がある。結晶磁気異方性定数を小さくするためには、主成分組成のＺｎＯ量をｒｉｃｈ組成とすることが一般的に知られている。具体的には５２．０ｍｏｌ％〜５２．５ｍｏｌ％ のＦｅ2Ｏ3、２４．０ｍｏｌ％〜２８．０ｍｏｌ％のＭｎＯ、残部ＺｎＯ付近の組成が高透磁率材料として製造されている。
【０００５】
結晶粒径を大きくするためには、粒成長を促進することを目的として、種々の粒成長添加物を適量添加する手法が用いられている。また、焼成保持温度を高くすることにより、粒成長を促進する方法が用いられている。特許文献１ではＢｉ2Ｏ3を添加し結晶粒径を大きくすることが提案されている。
【０００６】
一方、高周波数帯域までの広い周波数帯域において高い初透磁率を得るためには、材料の比抵抗を高くすることが必要である。
【０００７】
渦電流損失は周波数の増加に伴って増大し、高周波数帯域では初透磁率は低下する。これを防ぐ有効な手段は、材料を高抵抗化することであり、それにより初透磁率の高周波数帯域での周波数特性が良好となる。
【０００８】
そのため、一般的には粒界に析出する添加物を添加することにより、粒界を高比抵抗化し、広い周波数帯域において高い初透磁率を得る手法を用いている。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３２７３３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
結晶粒径を大きくして、高い初透磁率を得るために、種々の粒成長添加物を用いる方法が有効であることを先に述べた。しかしながら、粒成長添加物は異常粒成長促進因子でもあり、異常粒が発生しやすくなる。異常粒は、渦電流損失を増加させ比抵抗の低減につながり、高周波数帯域での初透磁率が低下する。
【００１１】
また、結晶粒径を大きくするためには、焼成温度を高くする方法が有効であることを先に述べた。しかしながら、焼成温度を高くしすぎると焼成体表面からＺｎＯが揮発し、その結果起こる組成勾配により歪が生じ、初透磁率の低下を招くことになる。
【００１２】
以上述べたように、一般的に、低周波数帯域において高い初透磁率を有する材料は、高周波数帯域まで高い初透磁率を維持することが困難であるという問題があり、広い周波数帯域において高い初透磁率を得ることが望まれている。
【００１３】
本発明は、このような問題を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、広い周波数帯域で、高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
種々の検討を行った結果、主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトにおいて、主成分１００重量部に対して、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５重量部、ＣａＯが０．０２重量部〜０．２重量部、ＭｏＯ3が０．０５重量部〜０．５重量部、Ｋ2Ｏが０．０１重量部〜０．２重量部、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５重量部〜０．１重量部、Ｎｂ2Ｏ５が０．００５重量部〜０．０５重量部を含有し、且つＢ2Ｏ3が０．００１重量部〜０．１重量部、Ｐ2Ｏ5が０．００１重量部〜０．１重量部の少なくとも１種を含有する得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下とすることにより、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られることを見出した。なお、以下、上記の主成分を１００重量部としたときの副成分としての添加物の「重量部」を、単に「ｗｔ％」で表現することとする。
【００１５】
即ち、本発明によれば、主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトにおいて、主成分に対して、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％を含有し、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有することを特徴とするＭｎＺｎフェライトが得られる。
【００１６】
また、ＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の表面に、ＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００１７】
また、ＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の比抵抗が、２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００１８】
また、ＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，５００以上であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明品によれば、ＭｎＺｎフェライトに添加するＳｉＯ2を０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯを０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％とすることにより、結晶粒成長を阻害することなく、高抵抗の粒界層を形成できることから、渦電流損失の低減を図れる。その結果、高周波数帯域においても高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００２０】
また、ＭｏＯ3を０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを０．０１〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3を０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有するＭｎＺｎフェライトとすることにより、焼成体表面からＺｎＯが揮発することのない焼成温度で結晶粒径を大きくすることができるので、高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００２１】
Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5は結晶粒成長添加物であるとともに、異常粒を発生させる添加物である。ＭｏＯ3、Ｋ2Ｏ3は整粒作用があり、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5がもたらす異常粒成長を抑制しつつ、結晶粒を大きくする効果がある。
【００２２】
さらに、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体は、その表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下であるため、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られる。前述した本発明品は、広い周波数帯域で高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアであるため、ノイズフィルタ用のフェライトコアとして用いた場合に、小型で高インピーダンス特性を示す高性能のノイズフィルタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
種々の検討を行った結果、主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトにおいて、主成分に対して、外枠で、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％を含み、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有するＭｎＺｎフェライトとし、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下とすることにより、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られることがわかった。
【００２４】
副成分としてＳｉＯ2を０〜０．００５ｗｔ％としたのは、０．００５ｗｔ％以上であると、結晶粒成長を阻害し、初透磁率を著しく低くさせるためである。
【００２５】
ＣａＯを０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％としたのは、０．０２ｗｔ％以下であると、粒界層形成が不十分なことから比抵抗が低くなり、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率が得られないためである。また、０．２ｗｔ％以上であると過剰のＣａＯが結晶粒成長を阻害し、十分な初透磁率を得られないためである。
【００２６】
Ｎｂ2Ｏ5を０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％としたのは、Ｎｂ2Ｏ5を０．００５ｗｔ％以下とすると、粒界層形成が不十分なことから比抵抗が低くなり、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率が得られないためである。また、０．０５ｗｔ％以上であるとＮｂ2Ｏ5が結晶粒成長を阻害し、十分な初透磁率を得られないためである。
【００２７】
ＭｏＯ3を０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％としたのは、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％以下、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％以下であると、ＭｏＯ3、Ｋ2Ｏの整粒作用を阻害し、Ｂｉ２Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす異常粒成長が顕著となり、初透磁率の低減、比抵抗の低減を招くためである。また、ＭｏＯ3が０．５ｗｔ％以上、Ｋ2Ｏが０．２ｗｔ％以上とすると、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす結晶粒成長効果が得られないため、初透磁率の低減を招くためである。
【００２８】
Ｂｉ2Ｏ3を０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％としたのは、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％以下、Ｂ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％以下とすると、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす結晶粒成長効果が得られないため、初透磁率の低減をもたらすためである。また、Ｂｉ2Ｏ3が０．１ｗｔ％以上、Ｂ2Ｏ3が０．１ｗｔ％以上、Ｐ2Ｏ5が０．１ｗｔ％以上であると、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす異常粒成長が顕著となり、初透磁率の低減、比抵抗の低減をもたらすためである。
【００２９】
また、得られたＭｎＺｎフェライトにおいて、焼成体の平均結晶粒径を３０μｍ以上、１００μｍ以下としたのは、平均結晶粒径が３０μｍ以下であると結晶粒径が小さいため十分な初透磁率が得られないためである。また、平均結晶粒径が１００μｍ以上であると粒界層形成が不十分なことから比抵抗が低くなり、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率が得られないためである。
【００３０】
焼成体の比抵抗を２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下としたのは、比抵抗が２０Ωｃｍ以下であると、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率を得られないためである。また、比抵抗を１００Ωｃｍ以下としたのは、１００Ωｃｍ以上であると結晶粒径が小さいため十分な初透磁率が得られないためである。
【００３１】
ＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面に存在するＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相については詳細には不明だが、ＭｏＯ3は揮発性の添加物であり、粒界成分のＣａＯと焼成体表面で共融混合物を形成したものと推察される。本発明者らの実験結果では、高い初透磁率を示した発明品の場合は、表面にＭｏＯ3とＣａＯ含む析出相が見出されているので、高い初透磁率を得るためには、焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相が存在することが望ましい。
【実施例】
【００３２】
（実施例１）
発明品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯに、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０〜０．００６ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０１ｗｔ％〜０．２５ｗｔ％のＣａＯ、０．００４ｗｔ％〜０．０６ｗｔ％のＮｂ2Ｏ5、０．０４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％のＭｏＯ3、０．００５ｗｔ％〜０．３ｗｔ％のＫ2Ｏ、０．００４ｗｔ％〜０．１５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を含有させ、更に、０〜０．１１ｗｔ％のＢ2Ｏ3、０〜０．１１ｗｔ％のＰ2Ｏ5を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。
【００３３】
混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３５０℃で焼成した。
【００３４】
従来品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯの主成分と、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０．０１５ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０１５ｗｔ％のＣａＯ、０．０１５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３５０℃で焼成した。
【００３５】
磁気特性は、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体に１０ターンの巻線を施し、初透磁率を測定した。比抵抗の測定は試料上下面にＧａ−Ｉｎペーストを塗布し測定した。また、表面析出相の分析はＳＥＭ−ＥＤＸとＸ線回析で行った。
【００３６】
表１に、従来品と、ＳｉＯ2、ＣａＯ、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｏＯ3、Ｋ2Ｏ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の添加量を変えた発明品の平均結晶粒径、比抵抗、周波数１ｋＨｚ及び１５０ｋＨｚにおける初透磁率（表中ではμで示す）を示す。なお、表１において、添加量が、本発明の範囲のものを発明品とし、範囲外のものを比較品とした。
【００３７】
【表１】
【００３８】
表１に示すように、ＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０.０５ｗｔ％を含み、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有する発明品で、焼結体の平均結晶粒径が３０μｍ〜１００μｍ、比抵抗が２０Ωｃｍ〜１００Ωｃｍ、周波数１ｋＨｚの初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であることがわかる。また、ＳＥＭ−ＥＤＸ分析により焼成体表面の組成分析を行い、更にＸ線回析を行った結果、すべての発明品にＭｏＯ3とＣａＯの析出相が存在することが確認できた。
【００３９】
図１に、発明品７と従来品の複素透磁率μ’、μ”の周波数特性を示す。発明品は、従来品と比較して、低周波数帯域から高周波数帯域において、複素透磁率μ’、μ”共に高い値を示し、高い初透磁率が得られることが確認できた。即ち、本発明のＭｎＺｎフェライトによると、広い周波数帯域にわたり、高い初透磁率、高インピーダンス特性を有するフェライトコアが得られ、ノイズフィルタ用材料として非常に有用であることがわかった。
【００４０】
（実施例２）
発明品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ%のＺｎＯ、残部ＭｎＯに、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０．００１ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０７ｗｔ％のＣａＯ、０．０１ｗｔ％のＮｂ2Ｏ5、０．２ｗｔ％のＭｏＯ3、０．０５ｗｔ％のＫ2Ｏ、０．０５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を含有させ、更に、０．０２５ｗｔ％のＢ2Ｏ3、０．０２ｗｔ％のＰ2Ｏ5を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。
【００４１】
混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１２５０℃〜１４５０℃で焼成した。
【００４２】
従来品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯの主成分と、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０．０１５ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０１５ｗｔ％のＣａＯ、０．０１５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３５０℃で焼成した。
【００４３】
磁気特性は、得られた焼成体に１０ターンの巻線を施し、初透磁率を測定した。比抵抗の測定は試料上下面にＧａ−Ｉｎペーストを塗布し、測定した。また、表面析出相の分析はＳＥＭ−ＥＤＸとＸ線回析で行った。
【００４４】
表２に、従来品と、焼成温度を変えた発明品の平均結晶粒径、比抵抗、周波数１ｋＨｚ及び１５０ｋＨｚにおける初透磁率（表中ではμで示す）を示す。
【００４５】
【表２】
【００４６】
表２に示すように、焼成温度を変えて実施しても、通常の焼成温度の場合では、焼結体の平均結晶粒径が３０μｍ〜１００μｍ、比抵抗が２０Ωｃｍ〜１００Ωｃｍ、周波数１ｋＨｚの初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であることが確認できた。また、低温で焼成して平均結晶粒径が小さい場合には、高い初透磁率は得られないことがわかった。しかしながら、本発明のＭｎＺｎフェライトによると、焼成体表面からＺｎＯが揮発することのない通常の焼成温度で結晶粒径を大きくすることができるので、高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアが得られることがわかった。
【００４７】
また、ＳＥＭ−ＥＤＸ分析により焼成体表面の組成分析を行い、更にＸ線回析を行った結果、すべての発明品にＭｏＯ3とＣａＯの析出相が存在することが確認された。
【００４８】
以上の結果より、本発明のＭｎＺｎフェライトコアによると、従来品と比較し、広い周波数帯域において、高い初透磁率を有することが確認できた。また、本発明のＭｎＺｎフェライトを採用することで、高インピーダンス特性を持つ高性能のノイズフィルタ用フェライトコアを提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】発明品７と従来品の複素透磁率μ’、μ”の周波数特性図。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高透磁率のＭｎＺｎフェライト及びＭｎＺｎフェライトコアに関し、特にノイズフィルタ用フェライトコアとして好適なＭｎＺｎフェライトに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化の技術革新が著しく、それに伴い使用されるＭｎ−Ｚｎ系フェライトの高性能化、例えば高透磁率化、及び低損失化が求められている。なかでも、ノイズフィルタ用のフェライトコアは、広い周波数帯域にわたり高い初透磁率を示すことが要求されている。
【０００３】
高い初透磁率を得るためには、結晶磁気異方性を小さくすること、平均結晶粒径を大きくすることが必要である。
【０００４】
結晶磁気異方性を小さくするためには、使用環境温度で結晶磁気異方性定数が最小となる組成を選定する必要がある。結晶磁気異方性定数を小さくするためには、主成分組成のＺｎＯ量をｒｉｃｈ組成とすることが一般的に知られている。具体的には５２．０ｍｏｌ％〜５２．５ｍｏｌ％ のＦｅ2Ｏ3、２４．０ｍｏｌ％〜２８．０ｍｏｌ％のＭｎＯ、残部ＺｎＯ付近の組成が高透磁率材料として製造されている。
【０００５】
結晶粒径を大きくするためには、粒成長を促進することを目的として、種々の粒成長添加物を適量添加する手法が用いられている。また、焼成保持温度を高くすることにより、粒成長を促進する方法が用いられている。特許文献１ではＢｉ2Ｏ3を添加し結晶粒径を大きくすることが提案されている。
【０００６】
一方、高周波数帯域までの広い周波数帯域において高い初透磁率を得るためには、材料の比抵抗を高くすることが必要である。
【０００７】
渦電流損失は周波数の増加に伴って増大し、高周波数帯域では初透磁率は低下する。これを防ぐ有効な手段は、材料を高抵抗化することであり、それにより初透磁率の高周波数帯域での周波数特性が良好となる。
【０００８】
そのため、一般的には粒界に析出する添加物を添加することにより、粒界を高比抵抗化し、広い周波数帯域において高い初透磁率を得る手法を用いている。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３２７３３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
結晶粒径を大きくして、高い初透磁率を得るために、種々の粒成長添加物を用いる方法が有効であることを先に述べた。しかしながら、粒成長添加物は異常粒成長促進因子でもあり、異常粒が発生しやすくなる。異常粒は、渦電流損失を増加させ比抵抗の低減につながり、高周波数帯域での初透磁率が低下する。
【００１１】
また、結晶粒径を大きくするためには、焼成温度を高くする方法が有効であることを先に述べた。しかしながら、焼成温度を高くしすぎると焼成体表面からＺｎＯが揮発し、その結果起こる組成勾配により歪が生じ、初透磁率の低下を招くことになる。
【００１２】
以上述べたように、一般的に、低周波数帯域において高い初透磁率を有する材料は、高周波数帯域まで高い初透磁率を維持することが困難であるという問題があり、広い周波数帯域において高い初透磁率を得ることが望まれている。
【００１３】
本発明は、このような問題を解決すべくなされたもので、その技術的課題は、広い周波数帯域で、高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
種々の検討を行った結果、主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトにおいて、主成分１００重量部に対して、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５重量部、ＣａＯが０．０２重量部〜０．２重量部、ＭｏＯ3が０．０５重量部〜０．５重量部、Ｋ2Ｏが０．０１重量部〜０．２重量部、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５重量部〜０．１重量部、Ｎｂ2Ｏ５が０．００５重量部〜０．０５重量部を含有し、且つＢ2Ｏ3が０．００１重量部〜０．１重量部、Ｐ2Ｏ5が０．００１重量部〜０．１重量部の少なくとも１種を含有する得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下とすることにより、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られることを見出した。なお、以下、上記の主成分を１００重量部としたときの副成分としての添加物の「重量部」を、単に「ｗｔ％」で表現することとする。
【００１５】
即ち、本発明によれば、主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトにおいて、主成分に対して、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％を含有し、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有することを特徴とするＭｎＺｎフェライトが得られる。
【００１６】
また、ＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の表面に、ＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００１７】
また、ＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の比抵抗が、２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００１８】
また、ＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，５００以上であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明品によれば、ＭｎＺｎフェライトに添加するＳｉＯ2を０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯを０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％とすることにより、結晶粒成長を阻害することなく、高抵抗の粒界層を形成できることから、渦電流損失の低減を図れる。その結果、高周波数帯域においても高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００２０】
また、ＭｏＯ3を０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを０．０１〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3を０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有するＭｎＺｎフェライトとすることにより、焼成体表面からＺｎＯが揮発することのない焼成温度で結晶粒径を大きくすることができるので、高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアが得られる。
【００２１】
Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5は結晶粒成長添加物であるとともに、異常粒を発生させる添加物である。ＭｏＯ3、Ｋ2Ｏ3は整粒作用があり、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5がもたらす異常粒成長を抑制しつつ、結晶粒を大きくする効果がある。
【００２２】
さらに、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体は、その表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下であるため、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られる。前述した本発明品は、広い周波数帯域で高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアであるため、ノイズフィルタ用のフェライトコアとして用いた場合に、小型で高インピーダンス特性を示す高性能のノイズフィルタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
種々の検討を行った結果、主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトにおいて、主成分に対して、外枠で、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％を含み、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有するＭｎＺｎフェライトとし、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下、焼成体の比抵抗が２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下とすることにより、周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であるＭｎＺｎフェライトコアが得られることがわかった。
【００２４】
副成分としてＳｉＯ2を０〜０．００５ｗｔ％としたのは、０．００５ｗｔ％以上であると、結晶粒成長を阻害し、初透磁率を著しく低くさせるためである。
【００２５】
ＣａＯを０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％としたのは、０．０２ｗｔ％以下であると、粒界層形成が不十分なことから比抵抗が低くなり、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率が得られないためである。また、０．２ｗｔ％以上であると過剰のＣａＯが結晶粒成長を阻害し、十分な初透磁率を得られないためである。
【００２６】
Ｎｂ2Ｏ5を０．００５ｗｔ％〜０．０５ｗｔ％としたのは、Ｎｂ2Ｏ5を０．００５ｗｔ％以下とすると、粒界層形成が不十分なことから比抵抗が低くなり、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率が得られないためである。また、０．０５ｗｔ％以上であるとＮｂ2Ｏ5が結晶粒成長を阻害し、十分な初透磁率を得られないためである。
【００２７】
ＭｏＯ3を０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％としたのは、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％以下、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％以下であると、ＭｏＯ3、Ｋ2Ｏの整粒作用を阻害し、Ｂｉ２Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす異常粒成長が顕著となり、初透磁率の低減、比抵抗の低減を招くためである。また、ＭｏＯ3が０．５ｗｔ％以上、Ｋ2Ｏが０．２ｗｔ％以上とすると、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす結晶粒成長効果が得られないため、初透磁率の低減を招くためである。
【００２８】
Ｂｉ2Ｏ3を０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％としたのは、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％以下、Ｂ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％以下、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％以下とすると、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす結晶粒成長効果が得られないため、初透磁率の低減をもたらすためである。また、Ｂｉ2Ｏ3が０．１ｗｔ％以上、Ｂ2Ｏ3が０．１ｗｔ％以上、Ｐ2Ｏ5が０．１ｗｔ％以上であると、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5がもたらす異常粒成長が顕著となり、初透磁率の低減、比抵抗の低減をもたらすためである。
【００２９】
また、得られたＭｎＺｎフェライトにおいて、焼成体の平均結晶粒径を３０μｍ以上、１００μｍ以下としたのは、平均結晶粒径が３０μｍ以下であると結晶粒径が小さいため十分な初透磁率が得られないためである。また、平均結晶粒径が１００μｍ以上であると粒界層形成が不十分なことから比抵抗が低くなり、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率が得られないためである。
【００３０】
焼成体の比抵抗を２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下としたのは、比抵抗が２０Ωｃｍ以下であると、渦電流損失の増大によって高周波数帯域での初透磁率が低減し、広い周波数帯域において高い初透磁率を得られないためである。また、比抵抗を１００Ωｃｍ以下としたのは、１００Ωｃｍ以上であると結晶粒径が小さいため十分な初透磁率が得られないためである。
【００３１】
ＭｎＺｎフェライトの焼成体の表面に存在するＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相については詳細には不明だが、ＭｏＯ3は揮発性の添加物であり、粒界成分のＣａＯと焼成体表面で共融混合物を形成したものと推察される。本発明者らの実験結果では、高い初透磁率を示した発明品の場合は、表面にＭｏＯ3とＣａＯ含む析出相が見出されているので、高い初透磁率を得るためには、焼成体の表面にＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相が存在することが望ましい。
【実施例】
【００３２】
（実施例１）
発明品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯに、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０〜０．００６ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０１ｗｔ％〜０．２５ｗｔ％のＣａＯ、０．００４ｗｔ％〜０．０６ｗｔ％のＮｂ2Ｏ5、０．０４ｗｔ％〜０．６ｗｔ％のＭｏＯ3、０．００５ｗｔ％〜０．３ｗｔ％のＫ2Ｏ、０．００４ｗｔ％〜０．１５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を含有させ、更に、０〜０．１１ｗｔ％のＢ2Ｏ3、０〜０．１１ｗｔ％のＰ2Ｏ5を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。
【００３３】
混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３５０℃で焼成した。
【００３４】
従来品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯの主成分と、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０．０１５ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０１５ｗｔ％のＣａＯ、０．０１５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３５０℃で焼成した。
【００３５】
磁気特性は、得られたＭｎＺｎフェライトの焼成体に１０ターンの巻線を施し、初透磁率を測定した。比抵抗の測定は試料上下面にＧａ−Ｉｎペーストを塗布し測定した。また、表面析出相の分析はＳＥＭ−ＥＤＸとＸ線回析で行った。
【００３６】
表１に、従来品と、ＳｉＯ2、ＣａＯ、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｏＯ3、Ｋ2Ｏ、Ｂｉ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5の添加量を変えた発明品の平均結晶粒径、比抵抗、周波数１ｋＨｚ及び１５０ｋＨｚにおける初透磁率（表中ではμで示す）を示す。なお、表１において、添加量が、本発明の範囲のものを発明品とし、範囲外のものを比較品とした。
【００３７】
【表１】
【００３８】
表１に示すように、ＳｉＯ2が０〜０．００５ｗｔ％、ＣａＯが０．０２ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、ＭｏＯ3が０．０５ｗｔ％〜０．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏが０．０１ｗｔ％〜０．２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５ｗｔ％〜０.０５ｗｔ％を含み、且つＢ2Ｏ3が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5が０．００１ｗｔ％〜０．１ｗｔ％の少なくとも１種を含有する発明品で、焼結体の平均結晶粒径が３０μｍ〜１００μｍ、比抵抗が２０Ωｃｍ〜１００Ωｃｍ、周波数１ｋＨｚの初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であることがわかる。また、ＳＥＭ−ＥＤＸ分析により焼成体表面の組成分析を行い、更にＸ線回析を行った結果、すべての発明品にＭｏＯ3とＣａＯの析出相が存在することが確認できた。
【００３９】
図１に、発明品７と従来品の複素透磁率μ’、μ”の周波数特性を示す。発明品は、従来品と比較して、低周波数帯域から高周波数帯域において、複素透磁率μ’、μ”共に高い値を示し、高い初透磁率が得られることが確認できた。即ち、本発明のＭｎＺｎフェライトによると、広い周波数帯域にわたり、高い初透磁率、高インピーダンス特性を有するフェライトコアが得られ、ノイズフィルタ用材料として非常に有用であることがわかった。
【００４０】
（実施例２）
発明品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ%のＺｎＯ、残部ＭｎＯに、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０．００１ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０７ｗｔ％のＣａＯ、０．０１ｗｔ％のＮｂ2Ｏ5、０．２ｗｔ％のＭｏＯ3、０．０５ｗｔ％のＫ2Ｏ、０．０５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を含有させ、更に、０．０２５ｗｔ％のＢ2Ｏ3、０．０２ｗｔ％のＰ2Ｏ5を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。
【００４１】
混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１２５０℃〜１４５０℃で焼成した。
【００４２】
従来品として、５２．５ｍｏｌ％のＦｅ2Ｏ3、２２．５ｍｏｌ％のＺｎＯ、残部ＭｎＯの主成分と、これらの主成分に対して、外枠で、副成分として、０．０１５ｗｔ％のＳｉＯ2、０．０１５ｗｔ％のＣａＯ、０．０１５ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を添加し、アトライターを用いて２時間混合した。混合後、スプレードライヤーで造粒し、８５０℃の大気中で２時間予焼した。得られた予焼粉末をアトライターにて粉砕した。粉砕後、スプレードライヤーにて造粒し、φ２５ｍｍ−φ１５ｍｍ−１２ｍｍのトロイダル形状にプレスし、１３５０℃で焼成した。
【００４３】
磁気特性は、得られた焼成体に１０ターンの巻線を施し、初透磁率を測定した。比抵抗の測定は試料上下面にＧａ−Ｉｎペーストを塗布し、測定した。また、表面析出相の分析はＳＥＭ−ＥＤＸとＸ線回析で行った。
【００４４】
表２に、従来品と、焼成温度を変えた発明品の平均結晶粒径、比抵抗、周波数１ｋＨｚ及び１５０ｋＨｚにおける初透磁率（表中ではμで示す）を示す。
【００４５】
【表２】
【００４６】
表２に示すように、焼成温度を変えて実施しても、通常の焼成温度の場合では、焼結体の平均結晶粒径が３０μｍ〜１００μｍ、比抵抗が２０Ωｃｍ〜１００Ωｃｍ、周波数１ｋＨｚの初透磁率が１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が１２，５００以上であることが確認できた。また、低温で焼成して平均結晶粒径が小さい場合には、高い初透磁率は得られないことがわかった。しかしながら、本発明のＭｎＺｎフェライトによると、焼成体表面からＺｎＯが揮発することのない通常の焼成温度で結晶粒径を大きくすることができるので、高い初透磁率を有するＭｎＺｎフェライトコアが得られることがわかった。
【００４７】
また、ＳＥＭ−ＥＤＸ分析により焼成体表面の組成分析を行い、更にＸ線回析を行った結果、すべての発明品にＭｏＯ3とＣａＯの析出相が存在することが確認された。
【００４８】
以上の結果より、本発明のＭｎＺｎフェライトコアによると、従来品と比較し、広い周波数帯域において、高い初透磁率を有することが確認できた。また、本発明のＭｎＺｎフェライトを採用することで、高インピーダンス特性を持つ高性能のノイズフィルタ用フェライトコアを提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】発明品７と従来品の複素透磁率μ’、μ”の周波数特性図。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトであって、主成分１００重量部に対して、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５重量部、ＣａＯが０．０２重量部〜０．２重量部、ＭｏＯ3が０．０５重量部〜０．５重量部、Ｋ2Ｏが０．０１重量部〜０．２重量部、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５重量部〜０．１重量部、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５重量部〜０．０５重量部を含有し、且つＢ2Ｏ3が０．００１重量部〜０．１重量部、Ｐ2Ｏ5が０．００１重量部〜０．１重量部の少なくとも１種を含有することを特徴とするＭｎＺｎフェライト。
【請求項２】
請求項１記載のＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の表面に、ＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコア。
【請求項３】
請求項１記載のＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の比抵抗が、２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコア。
【請求項４】
請求項１記載のＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，５００以上であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコア。
【請求項１】
主成分がＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｆｅ2Ｏ3であるＭｎＺｎフェライトであって、主成分１００重量部に対して、副成分としてＳｉＯ2が０〜０．００５重量部、ＣａＯが０．０２重量部〜０．２重量部、ＭｏＯ3が０．０５重量部〜０．５重量部、Ｋ2Ｏが０．０１重量部〜０．２重量部、Ｂｉ2Ｏ3が０．００５重量部〜０．１重量部、Ｎｂ2Ｏ5が０．００５重量部〜０．０５重量部を含有し、且つＢ2Ｏ3が０．００１重量部〜０．１重量部、Ｐ2Ｏ5が０．００１重量部〜０．１重量部の少なくとも１種を含有することを特徴とするＭｎＺｎフェライト。
【請求項２】
請求項１記載のＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の表面に、ＭｏＯ3とＣａＯを含む析出相を有し、平均結晶粒径が３０μｍ以上、１００μｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコア。
【請求項３】
請求項１記載のＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の比抵抗が、２０Ωｃｍ以上、１００Ωｃｍ以下であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコア。
【請求項４】
請求項１記載のＭｎＺｎフェライトの焼成体からなるＭｎＺｎフェライトコアであって、前記焼成体の周波数１ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，０００以上、周波数１５０ｋＨｚ時の初透磁率が、１２，５００以上であることを特徴とするＭｎＺｎフェライトコア。
【図１】
【公開番号】特開２００９−１９６８４１（Ｐ２００９−１９６８４１Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−３８９０６（Ｐ２００８−３８９０６）
【出願日】平成２０年２月２０日（２００８．２．２０）
【出願人】（０００１３４２５７）ＮＥＣトーキン株式会社 (1,832)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２０日（２００８．２．２０）
【出願人】（０００１３４２５７）ＮＥＣトーキン株式会社 (1,832)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]