説明

イビデン株式会社により出願された特許

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【課題】許容電流の大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置101が、支持板30と、半導体素子10(IGBTチップ)と、一端に第1端部を有し他端に第2端部42aを有する柱状導体からなる導体ポスト40と、を備える。支持板30には、複数の孔30bが形成されるとともに、孔30bの壁面に導体33が形成されている。導体ポスト40の第2端部42aは、導電性材料72a〜72cを介して、半導体素子10の電極12〜14に接続される。また、導体ポスト40の側面は、第2端部42aよりも第1端部側において、導体ポスト40の押圧により変形した孔30bの壁面(導体33)に固着している。 (もっと読む)


【課題】支持板と放熱板との熱膨張率の差が大きく、端部などで歪みや反りが発生し易い場合であっても、長期のヒートサイクルに対する信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置101が、支持板30と、半導体素子10(IGBTチップ)と、一端に第1端部を有し他端に第2端部42aを有する柱状導体からなる導体ポスト40と、を備える。導体ポスト40の第2端部42aは、半導体素子10に接続される。また、導体ポスト40は、第2端部42aよりも第1端部側で支持板30に接続される。ここで、導体ポスト40の熱伝導率は200W/m・K以上であり、導体ポスト40のビッカース硬度は70以下である。 (もっと読む)


【課題】金属吸着性、陽イオン交換性や疎水性等の各機能基に固有の特性が効果的に発揮され得るポリイミド系ハイブリッド材料を提供すること。
【解決手段】ポリイミド相と、一種以上の機能基を有する無機酸化物相とを有し、それらが共有結合によって一体化されて、複合構造となっている有機−無機ポリマーハイブリッドにてポリイミド系ハイブリッド材料を構成した。 (もっと読む)


【課題】NOx浄化率が優れるハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム構造体と、上記ハニカム構造体のセル壁に担持されたゼオライトとを有するハニカムフィルタであって、上記セル壁に担持されたゼオライトの量は、80〜150g/Lであり、上記ハニカム構造体のセル壁の気孔率は、55〜65%であり、上記ハニカム構造体の長手方向に垂直な断面におけるセル密度は、46.5〜62.0個/cmであり、上記ハニカム構造体のセル壁の厚さは、0.2〜0.3mmであり、上記多数のセルは、大容量セルと、小容量セルとからなり、上記小容量セルの上記長手方向に垂直な断面の面積に対する上記大容量セルの上記長手方向に垂直な断面の面積の面積比は、1.4〜2.4であることを特徴とするハニカムフィルタ。 (もっと読む)


【課題】高いPM補集効果を発揮することができるとともに、再生処理を繰り返しても高いNOx浄化率を発揮することができるハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】 多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム構造体と、上記ハニカム構造体のセル壁に担持されたゼオライトとを有するハニカムフィルタであって、上記ハニカム構造体は、炭化ケイ素を含んで構成されており、上記ハニカム構造体の気孔率は、55〜65%であり、上記セル壁に担持されたゼオライトの量は、80〜150g/Lであり、上記ゼオライトが担持されたセル壁の熱伝導率が、3W/mK以上であることを特徴とするハニカムフィルタ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Si基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び4面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が(110)面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、4面とも面方位が(111)面であり、かつ、2面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 (もっと読む)


【課題】NOx浄化率が優れるハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム構造体と、上記ハニカム構造体のセル壁に担持されたゼオライトとを有するハニカムフィルタであって、上記セル壁に担持されたゼオライトの量は、80〜150g/Lであり、上記多数のセルは、大容量セルと、小容量セルとからなり、上記ハニカム構造体のセル壁の気孔率は、55〜65%であり、上記ハニカム構造体のセル壁の平均気孔径は、15〜25μmであり、上記ハニカム構造体のセル壁の気孔径分布は、上記平均気孔径の半分以下の気孔径を有する気孔の気孔容積A及び上記平均気孔径の2倍以上の気孔径を有する気孔の気孔容積Bの合計が、全気孔容積Cの20%以下であることを特徴とするハニカムフィルタ。 (もっと読む)


【課題】 圧力損失の低い排ガス浄化装置を提供すること。
【解決手段】 ガス入口側及びガス出口側を備えた金属容器と、上記金属容器内に収容されたハニカムフィルタとを備えた排ガス浄化装置であって、上記ハニカムフィルタは、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルと、第1の端面と、第2の端面とを有し、上記多数のセルは、上記第1の端面側の端部が開口され上記第2の端面側の端部が封止された第1のセルと、上記第2の端面側の端部が開口され上記第1の端面側の端部が封止された第2のセルとが交互に配設されてなり、上記第1のセルの上記長手方向に垂直な断面の面積は、上記第2のセルの上記長手方向に垂直な断面の面積よりも小さく、ハニカムフィルタの上記第1の端面側が上記金属容器の上記ガス入口側に配置され、ハニカムフィルタの上記第2の端面側が上記金属容器の上記ガス出口側に配置されていることを特徴とする排ガス浄化装置。 (もっと読む)


【課題】 ビア導体とビア導体底面側の導体回路との接続信頼性を高めたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 スルーホール導体36内の樹脂充填材38は、心材を備えるコア基板30よりも熱膨張係数が大きく、蓋めっき層(スルーホールランド)42上のビア導体62は、ヒートサイクルで大きな引き離し力が加わる。ビア導体62は、表面側から底面側に向かって広がる逆テーパーが付いており、底面部62Dの面積が広く成っている。このため、ビア導体62の底面部62Dと蓋めっき層42との接続信頼性が改善され、プリント配線板の信頼性を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】基板が変形した場合において、描画データで想定している基板の形状と実際の基板の形状とのずれを低減して、より実際の基板の形状に合った描画を可能にする。
【解決手段】描画データ補正方法は、描画領域を規定する位置座標と、描画領域に設けられた基準点の位置を示す基準位置座標と、を有する描画データを準備すること(ステップS12)と、被描画体の位置座標の変位態様を求めること(ステップS14)と、被描画体の位置座標の変位態様に基づいて基準位置座標を補正すること(ステップS15)と、補正後の基準位置座標に基づいて、描画領域の形状を維持したまま描画領域の位置座標を補正すること(ステップS16)と、を含む。 (もっと読む)


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