【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ガス供給管１６５，１６６，１６７に原料ガスを供給して処理室２０１内に原料ガスを導入し、基板２００にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室２０１内から基板を搬出する工程と、処理室２０１内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室２０１内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管１６５，１６６，１６７にクリーニングガスを供給して処理室２０１内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】選択系の受信機の復調出力による信号が乱れた場合でも、正常な予備系への切り替えをシームレスに行い、たとえば放送装置や中継装置での動作破綻を確実に防止すること。
【解決手段】保持メモリ１１−１−１及び１１−１−２により選択系と予備系の受信機で復調されたＴＳデータが保持され、ＰＬＬＶＣＯ１１−１−４によりデジタル放送信号に含まれるＣＬＫ信号とは非同期の基準信号を発生するＲｂ（ルビジウム）発振器１６からの基準信号を基に、保持メモリ１１−１−１及び１１−１−２のＴＳデータの残量が正常なＣＬＫ信号に基づいたときのＴＳデータの残量と合わせるための同期信号が発振され、その同期信号に基づいて保持メモリ１１−１−１及び１１−１−２の読み出しが行われるとともに、その読み出されたＴＳデータと同期信号とがたとえば放送装置１４や中継装置１５に伝送されるようにした。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置の温度制御応答性を向上させ、温度安定時間を早くする。
【解決手段】基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段と、加熱手段を制御する加熱制御部と、処理室内の温度を検出する第一および第二の温度検出手段とを備え、第一の温度検出手段は第二の温度検出手段よりも基板に近い位置に配置され、第二の温度検出手段は第一の温度検出手段よりも加熱手段に近い位置に配置される熱処理装置であって、熱処理装置に具備される加熱手段に入力する操作量を比例・積分・微分（ＰＩＤ）演算による帰還制御の一部を予め適当な値に設定し、当該加熱手段から出力される制御量を制御し、制御応答性の高い温度制御方式を得る。 （もっと読む）

【課題】従来のカメラ用ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）を用いたＥＭ−ＣＣＤ撮像装置では、入力映像に強い光が連続して入射されると過飽和状態となり映像が表示部の下方から時間が経過するごとに順々に白い状態になっていき、映像が全て白い状態になる。そして、最後には、映像が全て黒い状態になり、正常な撮像機能を維持できなくなる。
【解決手段】過飽和状態が起こり始めた場合は、撮像装置内のＣＰＵとＦＰＧＡで過飽和状態を検知し、レンズのアイリスを自動的に適宜な設定に変更して入力映像から入射される映像の光の量を調整することで、過飽和状態になる前に回避する。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、ガスノズルの交換を容易とし、作業時間を短縮し、作業者の負担を軽減し、更にガスノズルの損傷の虞れを軽減する。
【解決手段】
基板７を収納する処理室１と、該処理室の下方に気密に連設されるロードロック室４と、前記処理室に立設され処理ガスを供給するガスノズル１１とを具備し、前記ロードロック室の天板部４ａには前記処理室に開口するガスノズル保持孔が垂直方向に形成され、前記ガスノズルは前記ガスノズル保持孔に下方から貫通し、該ガスノズル保持孔により前記ガスノズルの下端部が前記処理室、前記ロードロック室に対して気密になる様に保持され、前記ガスノズルの下端部に連絡孔が穿設され、前記天板部にはガス供給源と接続されるガス流路１９が形成され、該ガス流路は前記連絡孔を介して前記ガスノズルに連通する。
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【課題】膜堆積、生産ウエハ枚数の変化等による炉内温度安定性悪化を抑える。
【解決手段】基板を処理する処理室内を加熱する加熱手段１と、加熱手段を制御する加熱制御部７１と、処理室内の温度を検出する第一および第二の温度検出手段とを備え、第一の温度検出手段３は第二の温度検出手段２よりも基板に近い位置に配置され、第二の温度検出手段２は第一の温度検出手段３よりも加熱手段に近い位置に配置される熱処理装置であって、加熱制御部は、第二の温度検出手段２による検出温度の最大温度時点から第一の温度検出手段３による検出温度の最大温度時点との時間差を求め、この時間差が予め定めた時間差以上であった場合には、この時間差が予め定めた時間差以下となるように、加熱手段を制御することを特徴とした熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】伝送対象となる信号とパイロット信号が合成された信号をＩＦ信号からＲＦ信号へ変換して、送信側装置１から受信側装置２へ伝送する伝送装置で、装置構成の簡易化や装置の安価化を実現する。
【解決手段】送信側装置及び受信側装置では、伝送対象となる信号のＩＦとして８９５〜９１５ＭＨｚを使用する。受信側装置では、受信手段３１が送信側装置から送信されたＲＦ信号を受信し、ＩＦ変換手段３４が受信されたＲＦ信号をＩＦ信号へ変換し、パイロット信号抽出手段３７がパイロット信号に対応する周波数の信号を通過させる特性を有する１個のフィルタを用いて前記変換されたＩＦ信号に含まれるパイロット信号を抽出し、ローカル信号生成手段３８、３９、３５が抽出されたパイロット信号に基づいて周波数変換のためのローカル信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＴＩシステムから出力されるデータは、ＡＶＭシステムで一時的にキューされ、所定時間のタイミングをとりデータを送信される。しかし、ＣＴＩシステムから出力される情報が多いと、ＡＶＭシステムにデータが貯まり過ぎて、配車システムで一番必要な配車情報の送信が遅れてしまう。
【解決手段】データそれぞれの種類毎に優先度を設け、優先度が高い種類のデータ、例えば、配車情報がＣＴＩシステムからＡＶＭシステム出力された場合には、最優先でＡＶＭシステムからポーリング信号と複合させて送信するようにする。 （もっと読む）

【課題】MIMO方式など複数の通信モードを切り替えて用いる無線通信装置において、再送の連鎖が発生しない範囲で高い通信レートを使用できるようにする。
【解決手段】同じデータの送信回数、および、通信の成否に応じて使用すべきMCS値を徐々に変更することで、再送の連鎖が起きない範囲でより高い通信レートを用いるようにMCS値を制御する。送信側無線通信機1のMIMO方式決定部14は、分離器18で分離したCQI値と実測レートテーブル13を参照してMIMO方式を決定し、AMCテーブル制御部15は、決定されたMIMO方式とCQI値に基づき使用するMCS値を選定する。AMCテーブル制御部15は、送信回数と通信の成否に応じて、MCS値に徐々に変更を加える。また、受信成功時、或いは送信回数が最大値になったとき、実測レートテーブルの平均レートを更新する。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）