【課題】 流通過程などの保存状態において微生物が安定して保存され、施用時に十分な効果がある微生物資材およびその施用方法を提供する。
【解決手段】 土壌病害性微生物に対し拮抗作用を示すバチルス・ズブチリス（Bacillus subtilis）の培養液を好ましくは粉末状または粒状の有機物のキャリアと混合し、１００℃以下の温度で減圧乾燥し水分含量を３０質量％とした、土壌病害防除能を有する微生物含有組成物、その製造方法、その微生物含有組成物を含有する農園芸用資材。本微生物含有組成物を堆肥に代表される有機肥料の製造工程中に添加して有機肥料に混和した形で土壌に施用することにより、土壌病害が発生することなく農作物の収量が向上する。 （もっと読む）

【課題】
通液の際の圧力負荷を増やさずに分離性能を上げるために必要となる制御された細孔構造を有し、かつ芳香族低分子化合物の分離も良好で、溶媒交換も自由にできる有機ポリマーモノリス、その製造方法、およびそれを用いた化学物質分離用具を提供すること。
【解決手段】
水酸基および／またはアミド基を有するモノマーに由来するモノマー単位を２０質量％以上含有し、水銀圧入法によるモード（最頻値）直径が０．５〜１０μｍのスルーポアとＢＥＴ法によるモード直径が２〜５０ｎｍのメソポアとを有し、かつＢＥＴ法による比表面積が５０ｍ²／ｇ以上であることを特徴とする有機ポリマーモノリス、その製造方法、
およびそれを用いた化学物質分離用具。 （もっと読む）

【課題】 結晶基板と発光部との間の、ｎ型III族窒化物半導体からなる中間層の低抵抗化、表面の平坦化を可能とし、発光強度を向上させることができるようにする。
【解決手段】 本発明のIII族窒化物半導体発光素子１は、結晶基板２上に形成されたIII族窒化物半導体（組成式Ａｌ_XＧａ_YＩｎ_ZＮ_1-aＭ_a：０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１で且つ、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１。記号Ｍは窒素（Ｎ）とは別の第Ｖ族元素を表し、０≦ａ＜１である。）からなる結晶層を発光部４とするIII族窒化物半導体発光素子であり、結晶基板２は表面が鏡面研磨されているとともに面方位がジャスト方向よりわずかに傾斜させた状態で積層され、その結晶基板２と発光部４との中間に、ゲルマニウム（Ｇｅ）の原子濃度を周期的に変化させたｎ型III族窒化物半導体からなるゲルマニウム周期変化層３を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】環境に有害な弗化炭素ガスを簡単な処法で完全に且つ経済的に分解し無害化する。
【解決手段】パーフルオロカーボンまたはハイドロフルオロカーボンの気体を、炭素質固体材料とアルカリ土類金属化合物とからなる反応剤に、３００℃以上の温度で且つ２０vol.％以下（０％を含まず）の気体酸素の存在下で接触させることからなる弗化炭素類の分解法。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極を具備した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられている発光素子において、該正極が少なくともｐ型半導体層と接するコンタクトメタル層を含み、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなる透光性電極を有し、該ｐ型半導体層の正極側表面にコンタクトメタル層を形成する金属を含む正極金属混在層が存在する。 （もっと読む）

【課題】チューブとヘッダーとの接合部におけるろう材の流れを制御することによってエロージョンの発生を制御し、ひいては耐食性に優れた熱交換器用チューブを提供する。
【解決手段】 アルミニウム製の扁平状チューブ13の表面に溶射によるＡｌ−Ｓｉ系合金ろう材層15が形成され、フィン2と交互に積層配置されるとともに、長さ方向の両端の差込部18がヘッダーに差し込まれて該ヘッダーに連通接続される熱交換器用チューブ10であって、前記差込部18またはチューブ13の側壁14の少なくとも一方に、溶融したＡｌ−Ｓｉ系合金ろう材を誘導する溝17が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、発光特性に優れ、エージングによる発光出力低下、逆耐電圧減少等の特性変化が極めて少ないIII 族窒化物半導体発光素子を得ることを目的とする。
【解決手段】 結晶基板上に形成された、III 族窒化物半導体（組成式Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ_1-aＭ_a：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１で且つ、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１であり、そしてＭは窒素（Ｎ）とは別の第Ｖ族元素を表し、０≦ａ＜１である。）を含むIII 族窒化物半導体発光素子であって、結晶基板側よりｎ型層、発光層およびｐ型層をこの順序で有し、ｎ型層にゲルマニウム（Ｇｅ）がドープされた領域を含み、かつｎ型層よりもキャリア濃度の低い下地層をｎ型層と結晶基板との間に有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 部品点数を削減できて軽量化及びコスト低減を図り得ると共に、取付作業性に優れて生産性に優れ、かつパネルの取付剛性が十分に得られてパネルによる振動や騒音が十分に抑制され得るインストルメントパネル取付構造体を提供する。
【解決手段】 この発明のインストルメントパネル取付構造体１は、筒状のステアリングサポートビーム２と、パネル本体部３１及び該パネル本体部の両端部から延ばされた側板部３２、３３を有したインストルメントパネルと、該インストルメントパネルの側板部に当接される張出部５、９を有したサイドブラケット３、７とを備えてなり、前記ステアリングサポートビーム２の両端部にそれぞれ前記サイドブラケット３、７が固着されるとともに、前記インストルメントパネル３０は、その両側板部３２、３３が前記一対のサイドブラケットの張出部５、９の少なくとも一部を外側から挟み込んだ状態に配置されて前記サイドブラケット３、７に取付固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 圧縮歪が緩和された多重量子井戸構造の発光層を有する高強度の発光をもたらすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上にｎ型層１０４，１０５、発光層１０６およびｐ型層１０７，１０８を有し、当該発光層が井戸層１０６ｂおよび障壁層１０６あが交互に積層された多重量子構造からなり、当該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれるように配置され、当該障壁層が層内全体に亙って不純物を含有し、かつ、厚み方向における中央部の該不純物の濃度が井戸層に接する部分よりも高濃度であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】チューブとヘッダーとの接合部におけるエロージョンの発生を抑制し、優れた耐圧強度を有する熱交換器を製造する。
【解決手段】 アルミニウム製の扁平状チューブ(13)の表面にＡｌ−Ｓｉ系合金ろう材層(15)が形成された熱交換器用チューブ(10)と、フィン(2)と、少なくとも外面にろう材層(22)が形成され、前記熱交換器用チューブ(10)を差し込む差込孔(23)が穿設された中空ヘッダー(20)とを用い、前記熱交換器用チューブ(10)の両端の差込部(17)を、対向配置した前記ヘッダー(20)の差込孔(23)に差し込んで連通状態に仮組みし、これらを一括ろう付するに際し、前記熱交換器用チューブ(10)の上下壁(14)において、フィン(2)が接合されるフィン接合部(18)にろう材の流れを促進するフラックスを付与するとともに、前記差込部(17)とフィン接合部(18)の間のヘッダー近傍部(19)にろう材の流れを相対的に低下させる流動調整剤を付与する。 （もっと読む）