【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット７７と、回転可能な回転ドラム７１と、を備えたスパッタリング装置７０を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム７１の外周面７１ａにウエハＷを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を通過するように回転ドラム７１を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム７１を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で使用することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１インナー電極と第２インナー電極との積層からなるワイヤー接続領域を合金化防止溝によって第１アウター電極および第２アウター電極と分離することでワイヤーボンディング界面から成長したＡｕ−Ａｌ合金層の進行を抑制し、半導体装置表面のパッシベーション膜のクラックを防止する。 （もっと読む）

【課題】素子の面積を増大させることなく、かつ、コントロールゲート電圧を制御しなくとも、低電圧で書き込み量を大幅に増やすことが可能であり、また、安定して十分な書き込みを行うことが可能である不揮発性半導体装置を提供すること。
【解決手段】ドレインアバランシェホットエレクトロンにより書き込みを行う半導体記憶素子であって、第１導電型の半導体基板に形成された第２導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、前記フローティングゲート下部の前記第１の半導体層の表面に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域に接触するように前記第１の半導体層上に設けられた第１導電型のソース領域及びドレイン領域とを有するＭＯＳトランジスタであって、前記チャネル領域が２種類以上のキャリア濃度の分布をもつ半導体記憶素子とした。 （もっと読む）

【課題】消費電力が嵩まず且つ小型の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサ１を、第一の基板６および第二の基板７と、第一の基板６の第二の基板７に対向する面に対向する面に設けられた凹部９と、第一の基板６と第二の基板７とに挟まれて固定された枠部２と、第一の基板６，第二の基板７，枠部２，で挟まれた箇所に形成される空隙部２０と、空隙部２０内に配設される可動電極３と、可動電極３の周面を取り囲むように配置されたバネ部４と、凹部９の底面および側壁に設けられた固定電極５と、第一の基板６に貫通して設けられ、一端が枠部２に電気的に接続された枠部貫通電極８と、第一の基板６に貫通して設けられ、一端が固定電極５に電気的に接続された固定電極貫通電極１３と、を備えて構成した。 （もっと読む）

【課題】圧電振動片に対して高速かつ低温で絶縁膜を形成し、圧電振動片とパッケージとの接合性を向上させることができる圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電振動片２をマウントする工程の前に、圧電振動片２の表面にクロムからなる下地金属層１８ａ及び金からなる仕上金属層１８ｂを積層状態で形成する工程と、仕上金属層１８ｂを所定領域で剥離する工程と、仕上金属層１８ｂを剥離した後の下地金属層１８ａの表面を改質して絶縁膜３４を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に絶縁膜２とゲート酸化膜３を設け、ゲート酸化膜２上の一部にヒューズ配線４の両端にヒューズ端子１５を有するヒューズを設ける。ヒューズを構成するヒューズ配線４の上方には酸化膜５を介して窒化膜１４が形成された凸領域があり、ヒューズ端子１５は第１金属配線７と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】転がり軸受や転がり軸受の内輪に嵌合する軸状の部材にナゲット部から飛散するパーティクルが付着することによる不具合を減少させる。
【解決手段】転がり軸受の内輪内面を軸状の第１部材の外面に嵌合し、レーザ光を照射して転がり軸受の内輪における軸方向の周縁部の少なくとも一部と第１部材の外面とを溶接し、転がり軸受内輪の周縁部側の軸方向端面に対するレーザ光の入射角を４５°より大きくし、第１部材の形状が、レーザ光の照射により形成されるナゲット部の第１部材側の端部から所定距離以内、かつ、端部から延伸する直線とレーザ光の照射軸とがなす角度が４５°以下となる領域内に第１部材が存在しない形状である転がり軸受装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高温ガスの熱がインナーリード押さえに逃げ難くする。
【解決手段】プラグのインナーリード３ａに圧電振動片２のマウント２ａ部を接合する圧電振動子のマウント装置であって、プラグを支持するプラグ支持体と、プラグ支持体に隣接して配置され、圧電振動片２を支持する振動片支持体と、振動片支持体の上方に配置され、インナーリード３ａとマウント部２ａに高温ガスを噴射するガス噴射手段と、ガス噴射手段とプラグ支持体との間にて昇降可能に配置され、インナーリード３ａを跨いでインナーリード３ａを上から押さえる切り欠き部２８を有し、切り欠き部２８の両側に、ガス噴射手段から噴射される高温ガスがプラグ支持体側へ回り込むのを防止する高温ガス遮断部２６が形成され、切り欠き部２８を包囲する領域が他の領域よりも肉厚の薄い薄肉部３０とされている板状のインナーリード押さえ２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 二次電池への蓄電量を大きくし、所望の場合に電子機器を駆動し続けることが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器の熱源への装着を検知する装着検知部を備えており、装置検知部の検知信号を元に、熱発電部の出力を昇圧する昇圧回路と電子機器部、二次電池それぞれの電気的接続を制御するスイッチ部を有する構成とする。熱源からの取り外した瞬間に電子機器部への電力供給を断ち、発電された電力全てを二次電池に蓄電する。熱源への装着時に、熱発電部からの電力に加え、二次電池からの電力を電子機器部へ供給することで、装着すると即時に電子機器部を起動することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒューズ配線４の下方には凸領域となるＴＥＯＳ膜１４の下敷きがあり、ヒューズ配線４はＴＥＯＳ膜１４を跨ぐように設けられ、ヒューズ配線４の上方にはＴＥＯＳ膜１４よりも小さい領域のヒューズ開口部１３が設けられる。さらに、ＴＥＯＳ膜１４の無い領域にてヒューズ配線１４の両端に設けられたヒューズ端子１５には第１金属配線７が電気的に接続されている。 （もっと読む）