【課題】 耐圧性を向上させることのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる半導体装置は、絶縁層と、前記絶縁層の上方に形成された半導体層と、前記半導体層の上方に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上方に形成されたゲート電極と、前記半導体層に形成されたソース領域と、前記半導体層に形成されたドレイン領域と、を含み、前記絶縁層の比誘電率は、酸化シリコンの比誘電率より高い。 （もっと読む）

【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗及びトランジスタを有する半導体集積回路の製造において、トランジスタの特性に影響を与えることなく、特定の抵抗の特性のみを単独に制御する。
【解決手段】 この製造方法は、半導体基板内にウエルを形成するステップと、半導体基板に素子分離膜を形成するステップと、半導体基板上にゲート絶縁膜とポリシリコンとをパターン形成するステップと、第１及び第２のフォトマスクを用いて、半導体基板の所定の領域に不純物を注入することによりトランジスタのソース・ドレインとなる不純物拡散領域を形成するステップと、第３のフォトマスクを用いて、半導体基板上に形成された所定のポリシリコンパターン内に不純物を注入することにより、トランジスタの特性を変えることなく所望の特性を有する抵抗を形成するステップと、半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、層間絶縁膜上に配線をパターン形成するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 繰り返し再生しても消耗が少なく、形状や重量、熱容量が変化せずにより長い間成膜工程に使用可能な成膜用治具を提供する。
【解決手段】 ポリシリコン膜の成膜工程に使用されるダミーウェハ1ａを繰り返し成膜工程に使用し、成膜工程で付着したポリシリコン膜をエッチングにより除去して再生する。再生処理の際、ダミーウェハ1ａにあって、成膜中に露出する露出面Ｄ0の少なくとも一部を予め窒化膜２０１で覆っておく。 （もっと読む）

【課題】 基板面内において、エッチング量の均一化を図ることのできる基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】 エッチング槽１と、ガラス基板３１を保持するカセット３０と、エッチング槽１内に設けられカセット３０を保持するカセットホルダ２０と、カセット３０を保持し上下に移動してカセット３０を前記エッチング槽１から出し入れするアクチュエータ４０とを備え、カセットホルダ２０をモータ１０によりエッチング槽１内で回転させ、カセット３０をエッチング槽１に入れる姿勢に対して、カセット３０の移動する移動軸に平行に略１８０°回転した姿勢で前記カセット３０をエッチング槽１から取り出すように構成した。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子は，基体と、基体の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された圧電体膜６と、を含み、バッファ層５は、ペロブスカイト型のＰｂ（（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_１−ｂＸ_ｂ）Ｏ_３からなり、Ｘは、Ｖ、Ｎｂ、およびＴａのうちの少なくとも二種からなり、ａは、０．１５≦ａ≦０．８の範囲であり、ｂは、０．０５≦ｂ≦０．４の範囲であり、圧電体膜６は、ペロブスカイト型のリラクサー材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 良好な圧電特性を有する圧電素子を提供する。
【解決手段】 本発明に係る圧電素子は，基体と、基体の上方に形成されたバッファ層５と、バッファ層５の上方に形成された圧電体膜６と、圧電体膜６の上方に形成されたバリア層８と、を含み、バッファ層５は、ペロブスカイト型のＰｂ（（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_１−ｂＸ_ｂ）Ｏ_３からなり、バリア層８は、ペロブスカイト型のＰｂ（（Ｚｒ_１−ｃＴｉ_ｃ）_１−ｄＺ_ｄ）Ｏ_３からなり、Ｘは、Ｖ、Ｎｂ、およびＴａのうちの少なくとも二種からなり、Ｚは、Ｖ、Ｎｂ、およびＴａのうちの少なくとも二種からなり、ａは、０．１５≦ａ≦０．８の範囲であり、ｂは、０．０５≦ｂ≦０．４の範囲であり、ｃは、０．１５≦ｃ≦０．８の範囲であり、ｄは、０．０５≦ｄ≦０．４の範囲であり、圧電体膜は、ペロブスカイト型のリラクサー材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 ボイドの発生の有無を短時間で且つ容易に確認できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に複数の配線パターン１〜４を形成する工程と、前記絶縁膜及び前記複数の配線パターンの上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上に該層間絶縁膜とは異なる物質（例えばＷ）からなる物質層を堆積する工程と、前記複数の配線パターンのうち隣り合う配線２，３間の容量を測定する工程と、前記容量が所定値より小さい場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜の少なくとも一部にボイドが形成されていると判断し、前記容量が所定値以上の場合は、前記隣り合う配線間に位置する該層間絶縁膜にボイドが形成されていないと判断する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ装置において、陰極から発光層への電子注入性を向上させ、高い効率で発光を得ると共に、製造プロセス上の簡便性および安定性を確保する。
【解決手段】 対向する陽極２３と陰極５０との間に、少なくとも発光層６０を備えた有機ＥＬ装置であって、発光層６０の表面に、インジウム（Ｉｎ）を混合した有機化合物を電子注入層５２として形成する。この構成によれば、反応活性な低仕事関数金属を用いることなく、陰極から発光層への電子注入性を向上させることができる。そのため、不活性雰囲気を要することなく、製造プロセスにおける素子の安定性を確保することができる。したがって、製造プロセスが簡略化され、製造コストを低減することができる。また、安定な金属であるＩｎを用いることで、酸素や水分に対する素子の耐久性が向上する。したがって、発光効率が高く安定した特性を有する有機ＥＬ装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合でもＳＢＤやＳＩＬＣが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＳＩＬＣ、ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が得られる絶縁膜の評価を精度よく行い得る絶縁膜の評価方法、かかる評価方法により評価された信頼性の高い絶縁膜、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜の評価方法は、シリコンおよび酸素原子を含有する絶縁性無機材料を主材料として構成され、水素原子を含むものであり、絶縁膜の特性を評価する評価方法であり、電界を印加したことがない状態の絶縁膜を昇温脱離ガス分析法で分析し、加熱温度が５００〜１０００℃の範囲において測定される、Ｈ_２フラグメントの強度とＯＨフラグメントの強度とを比較し、その比較結果に基づいて前記絶縁膜の特性を評価するものである。 （もっと読む）