【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくｐ型拡散層を形成することが可能であり、形成されたｐ型拡散層上にエッチング残渣のない半導体基板を得る、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有するｐ型拡散層形成組成物を備えた半導体基板に、熱拡散処理を施すこと、前記熱拡散処理のために加熱された半導体基板を、前記熱拡散処理の加熱温度から前記ガラス粉末のガラス転移温度までの間、５℃／分以上３００℃／分以下の冷却速度で冷却すること、及び、冷却後に前記半導体基板上に形成されたガラス層をエッチングにより除去すること、を含むｐ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板の反りが抑えられ且つ分散媒由来の残渣が少ないｐ型拡散層を形成する方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び分散媒を含有するｐ型拡散層形成組成物を用いてシリコン基板にｐ型拡散層を形成し、超音波洗浄を実施する。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び封止材との接着性を向上できるテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この処理方法を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】テープキャリア付き半導体実装用導電基材に腐食抑制剤を含有する第１の化学粗化液を接触させて半導体実装用導電基材の表面に粗化形状を形成する第１粗化工程を有する、テープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法。第１粗化工程の後に、さらに腐食抑制剤を含有する第２の化学粗化液に接触させる第２粗化工程を有する、前記のテープキャリア付き半導体実装用導電基材の表面処理方法、この表面処理を用いてなるテープキャリア付き半導体実装用導電基材、およびこれらを用いた半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁樹脂層２０と、再配線層１３と、絶縁性の再配線保護層２１と、導電性ポスト１８と、外部電極１７とを備える。絶縁樹脂層２０は、積層方向Ｙに開口し第１電極３０に開口する第１開口部３１と、第１開口部３１の開口の周囲の平坦表面５１とを有する。再配線層１３は、平坦表面５１に延在した第１接続部１３ｃと第２接続部３６とを有する。導電性ポスト１８の一端部が第１電極３０に電気的に接続し、かつ、導電性ポスト１８の他端部が第１接続部１３ｃに電気的に接続している。第２開口部３２の内径Ｄ２は、第１開口部３１の内径Ｄ１よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】シリコンを含む基板上に形成された抵抗率の低い電極と、タブ線とが低い接触抵抗で接続された素子、及びこれを用いて形成される太陽電池を提供する。
【解決手段】素子を、シリコンを含む基板８と、前記基板８上に配置され、リン含有銅合金粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含む電極用ペースト組成物の焼成物である電極１１，１３と、前記電極１１，１３上に電気的に接続されたタブ線とを有し、前記電極と前記タブ線との剥離接着強さが０．２Ｎ／ｍｍ〜２．０Ｎ／ｍｍとなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板表面の粗面化を抑制しつつ、特定の部分にｎ型拡散層を形成可能なｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のｎ型拡散層形成組成物は、ドナー元素を含むガラス粉末と、ケイ素粒子と、分散媒とを含有する。このｎ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層、及びｎ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】煩雑な精製工程を必要とすることなく、アルキルジオールモノグリシジルエーテルを効率的に製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ビニルエーテル含有アルコールをエピハロヒドリンと反応させてビニルエーテル含有グリシジルエーテルとし、酸触媒及び水の存在下、脱ビニル化反応を行った後に、さらに酸水溶液を添加してアセタール分解反応を行う工程を含むことを特徴とするアルキルジオールモノグリシジルエーテルの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】特定の部分にｐ型拡散層を形成することが可能であり、有機物の残存による特性劣化の少ないｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び有機物を含む分散媒を含有するｐ型拡散層形成組成物を用いてｐ型拡散層の形成を行うに際し、熱拡散処理の前に前記分散媒中に含まれる有機物成分を十分に除去する。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１は、絶縁樹脂層２０と、再配線層１３と、絶縁性の再配線保護層２１と、導電性ポスト１８と、外部電極１７とを備える。絶縁樹脂層２０は、積層方向Ｙに開口し第１電極３０に開口する第１開口部３１と、第１開口部３１の開口の周囲の平坦表面５１とを有する。再配線層１３は、平坦表面５１に延在した第１接続部１３ｃと第２接続部３６とを有する。導電性ポスト１８の一端部が第１電極３０に電気的に接続し、かつ、導電性ポスト１８の他端部が第１接続部１３ｃに電気的に接続している。第２開口部３２の内径は、第１開口部３１の内径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなく拡散層を形成する拡散層形成組成物、拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の不純物拡散層形成組成物は、ドナー元素又はアクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。この不純物拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｎ型拡散層又はｐ型拡散層、及びｎ型拡散層又はｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 （もっと読む）