【課題】ハイブリッド型データベースが使用するメモリの容量を有効に利用しながらも、迅速にインメモリ型データベースのメモリ領域を確保する。
【解決手段】プロセッサとメモリとストレージ装置を備えた計算機で、メモリ上の第１のメモリ領域に表とインデックスを格納するインメモリＤＢと、メモリ上の第２のメモリ領域にストレージ装置に格納された表の一部とインデクスを格納するディスクＤＢと、を制御するデータベースの管理方法であって、計算機は、インメモリ型ＤＢの第１のメモリ領域が不足することを検知したときに、ディスクＤＢの第２のメモリ領域に格納された表またはインデクスから削除する対象を選択し、削除する対象として選択された表またはインデクスを第２のメモリ領域から削除し、第２のメモリ領域から削除された表またはインデクスの領域を解放して、当該解放した領域を前記第１のメモリ領域に付加する。 （もっと読む）

【課題】ユーザの端末に応じた使用感良好な画面を効率的かつ低コストで提供する。
【解決手段】情報処理装置１００がユーザ端末２００からのアクセスに際し取得した、該当ユーザ端末２００に関するユーザーエージェント情報または該アクセスに利用された通信キャリアの情報、の少なくともいずれかの情報によりアクセス元の端末種類を判別する処理と、前記判別した端末種類が携帯電話機である場合、携帯電話機向けの画面装飾データを記憶部１０１より読み出して前記画面定義にインクルードしインラインＣＳＳ方式の画面表示情報を生成し、前記判別した端末種類がスマートフォンまたはタブレットＰＣである場合、スマートフォンまたはタブレットＰＣ向けの画面装飾データを記憶部１０１より読み出して前記画面定義にインクルードし外部ファイルＣＳＳ方式の画面表示情報を生成する処理と、前記生成した画面表示情報を前記ユーザ端末２００に返信する処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】温室効果ガスの排出量を増加させた原因を効率的に追跡調査する。
【解決手段】本発明の温室効果ガス排出量管理装置は、製品を製造するために排出された温室効果ガスの排出量の変化要因を分析する温室効果ガス排出量管理装置であって、工程、工程に投入された原料、工程における製造設備を稼動させる用役、温室効果ガスの排出量を相互に関連付けた１又は複数の排出量個別情報を、製品及び製品が製造される単位であるロットに関連付けて記憶した排出量データベースを格納する記憶部と、任意の製品の入力を受け付け、排出量データベースから、受け付けた製品に関連付けられた排出量個別情報を抽出し、抽出した排出量個別情報に含まれる温室効果ガスの排出量を、工程ごとに、又は、原料及び用役ごとに合計し、合計した温室効果ガスの排出量を、ロットごとに出力する制御部と、を有すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ユーザによる対策すべき差分の把握や対策検討などの効率的な支援を実現できる技術を提供する。
【解決手段】進捗管理装置１の制御部１０は、各情報を管理する情報取得部１１と、部品別にコストや納入日に関する計画値、実績値などを算出し、計画コストと実績コストとの差分値などを算出し、条件に該当する部品及び差分の情報を抽出する処理を行う差分処理部１２と、上記抽出された部品及び差分の情報に関係付けられる差分原因パターンの情報を抽出し画面に表示する処理と、上記差分原因パターンの情報の中からユーザにより差分原因を特定可能とする処理とを行う原因処理部１３と、上記特定された差分原因に関係付けられる対策の情報を抽出し画面に表示する処理と、上記対策の情報の中からユーザにより実施すべき対策を特定可能とする処理とを行う対策処理部１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】論理検証における検査項目であるプロパティを効率的に生成する論理検証方法を提供する。
【解決手段】論理と、論理を検証する検証項目である第１のプロパティと、を取得する第１の手順と、第１のプロパティで発生する事象を時系列に並べた時系列表を作成する第２の手順と、第１のプロパティと時系列表とに基づいて、検証項目の逆、裏又は対偶を意味する第２のプロパティを生成する第３の手順と、第１のプロパティ及び作成した第２のプロパティを用いて、論理を検証する第４の手順と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は秒単位で復帰可能な二重化システムの構築を可能とすることである。
【解決手段】
主系と待機系のサーバブレードと外部記憶装置において、主系のサーバブレードが外部記憶装置に不揮発性メモリの内容を常に書き出す。待機系のサーバブレードは主系のサーバブレードをpingによって監視し、障害を検知した場合に不揮発性メモリの内容・構成を外部記憶装置から読込み復帰する。 （もっと読む）

【課題】電流切り替え用スイッチと相変化膜とが電気的に並列に形成されたメモリビットの複数個を電気的に直列に配置したメモリアレイ構造を持つ相変化メモリにおいて、転送速度性能の向上と信頼性の向上とを共に実現する。
【解決手段】パルス電流源により生成されたパルス電流の発生期間内に、直列に接続された複数のメモリビットのそれぞれの電流切り替え用スイッチを逐次的にＯＮ／ＯＦＦさせ、複数のメモリビットのうちの少なくとも一つのメモリビットの相変化膜に前記パルス電流の発生期間よりも短い期間の電流を流すことにより、前記複数のメモリビットに逐次的にデータを書き込む。 （もっと読む）

【課題】ケイ酸塩リチウムを用い、リチウム二次電池の高容量化と長寿命化を両立させることができるリチウム二次電池用の正極材料を提供することを目的とする。
【解決手段】組成式Ｌｉ_2-2aＭ_1+a-bＮ_bＳｉ_1-cＸ_cＯ₄（Ｍは、Ｆｅ，Ｍｎからなる群より選択される一つ以上の元素。Ｎは、Ｍｇ，Ｃａ、及びＺｎからなる群より選択される一つ以上の元素。Ｘは、Ｖ及びＴｉからなる群より選択される一つ以上の元素。−０.１≦ａ≦０.１，０≦ｂ≦０.１，０＜ｃ≦０.３、かつ１.０＜（（１＋ａ−ｂ）＋ｃ）≦１.３）で表わされるリチウム二次電池用正極材料によって、高容量化と長寿命化を両立させる。 （もっと読む）

【課題】単電池間の温度差を均一にでき、長時間にわたって冷却能力に優れ、かつ、モジュールの組立てが容易で、電池の運転中にもセルの面圧管理に優れた電池モジュールを提供する。
【解決手段】複数の平板状のラミネートセル２を積層して収容する筐体１０と、積層されるラミネートセル２間に設けられ、良熱伝導性を有する熱伝導板２０と、熱伝導板２０の対向する一対の両端部２０ｃに設けられるバネ部３０Ａと、を備え、筐体１０の側板１３の内壁１３ｓには、バネ部３０Ａが支持される溝部１３Ａが設けられ、この溝部１３Ａには、バネ部３０Ａが密着して接触するように構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】kmオーダーの長尺の二ホウ化マグネシウム超電導線材の製造方法、およびこの方法により製造された二ホウ化マグネシウム超電導線材を提供する。
【解決手段】芯材４を送出ボビン１３から送出する工程と、マグネシウムとホウ素とを蒸発させ、送出された前記芯材４上に連続して二ホウ化マグネシウムを蒸着する工程と、二ホウ化マグネシウムが蒸着した前記芯材４を巻取りボビン１４に巻取る工程とを備えることで二ホウ化マグネシウム超電導線材を製造する。 （もっと読む）