【課題】低ノイズの磁気再生ヘッド及びそれを備えた磁気記録装置を提供する。
【解決手段】検出部１は、非磁性導電体３上にスピン軌道相互作用の大きな非磁性導電体１４、絶縁障壁層１３、反強磁性導電体１２、自由層となる磁性導電体１１の順序で積層した構造とする。自由層となる磁性導電体１１は反強磁性導電体１２と積層させることで、磁性導電体と反強磁性導電体の交換結合により、磁性導電体単体よりも異方性磁界が大きくなるため、スピン蓄積素子のマグノイズは低下する。また、検出部１を上記の順で積層されているとＴＡＭＲ効果が高く得られるため、スピン蓄積素子の出力電圧にＴＡＭＲの効果が加えられる。更に、非磁性導電体１４がスピンシンクとして働くため、検出部１へ流入するスピン電子の量が増大することによってスピン蓄積素子の出力電圧が増大する。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く、且つ各電池の放熱バランスに優れた非水電解質電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質電池モジュールは、複数の非水電解質電池と、複数の放熱部材と、複数の断熱部材と、前記非水電解質電池、前記放熱部材及び前記断熱部材を収納した外装体とを備え、前記非水電解質電池は、電池要素と、前記電池要素を収納した可撓性を有する外装材とを含み、前記非水電解質電池は、前記放熱部材を介して積層されて電池積層体を形成し、前記放熱部材の端部は、前記外装体の内面に圧接状態で接触し、前記断熱部材は、前記電池積層体の積層方向の両端部と前記外装体との間に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラグインハイブリッド自動車用電池に要求される高容量かつ高安全のリチウム二次電池を達成できる正極材と、高容量かつ高安全のリチウム二次電池を提供する。
【解決手段】本発明による正極材は、組成式Ｌｉ_{１．１＋ｘ}Ｎｉ_ａＭ１_ｂＭ２_ｃＯ_２（Ｍ１はＭｏまたはＷを表し、Ｍ２はＣｏを表すか、またはＣｏとＭｎを表し、−０．０７≦ｘ≦０．１、０．７≦ａ＜０．９８、０．０２≦ｂ≦０．０６、０＜ｃ≦０．２８）で表される第１の正極活物質と、組成式Ｌｉ_{１．０３＋ｘ}Ｎｉ_ａＴｉ_ｂＭ３_ｃＯ_２（Ｍ３はＣｏを表すか、またはＣｏとＭｎを表し、−０．０３≦ｘ≦０．０７、０．７≦ａ≦０．８、０．０５≦ｂ≦０．１、０．１≦ｃ≦０．２５）で表される第２の正極活物質を含み、前記第１の正極活物質と前記第２の正極活物質との合計に対する前記第１の正極活物質の割合は、質量比で３０％以上である。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル導体と可動ロッドの接触面積を確保できて両者間で良好に通電できる上、ロッド軸方向に移動するときの可動ロッドの軸振れも低減でき、小型化して信頼性も向上する真空遮断器を提供する。
【解決手段】絶縁円筒体１１内に固定ロッド１２に取り付けた固定電極と可動ロッド１３に取り付けた可動電極とを対向させて配置した真空バルブ本体１０を用い、固定ロッド１２は一方の端子導体板１４と接続している。真空バルブ本体１０から突出させた可動ロッド１３は、操作器で駆動操作する絶縁操作ロッド１８と連結してロッド軸方向に移動可能にし、可動ロッド１３と他方の端子導体板１５間をフレキシブル導体１６で電気的に接続している。可動ロッド１３には、その外面に良導電材製の通電接続ブロック１７を通電可能に嵌合しており、可動ロッド１３及び通電接続ブロック１７の双方の下端面に、フレキシブル導体１６の一端を固着している。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温での熱処理により得られ、しかも高臨界電流密度を有する超電導線材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物１を含ませることで、従来よりも低温での熱処理により得られ、高臨界電流密度を有する超電導線材１０及びその製造方法を提供することができる。Ｍｇ（Ｂ_１−ｘＣ_ｘ）_ｙ・・・（１）（ただし、式（１）中、ｘは０＜ｘ＜１を満たす数であり、ｙは２．１≦ｙを満たす数である。） （もっと読む）

【課題】直列静電容量を更に調整して絶縁性能の向上を図れ、急峻なサージ電圧に耐えられ、小型化が可能な静止誘導電器用巻線を提供する。
【解決手段】絶縁被覆１０２Ａ、１０２Ｂを施した素線導体１０１Ａ、１０１Ｂを巻回して円板コイル単位１００Ａ、１００Ｂを形成すると共に、各円板コイル単位１００Ａ、１００Ｂは素線導体１０１Ａ、１０１Ｂの巻回が順に進むターン間に、巻回ターン数の異なる素線導体を位置させるように互いに入り組ませて巻回形成したインターリーブ方式により静止誘導電器用巻線を構成する。そして、各円板コイル単位１００Ａ、１００Ｂの入り組ませた各素線導体１０１Ａ、１０１Ｂは、一方の絶縁被覆１０２Ａをクラフト紙により形成し、他方の絶縁被覆１０２Ｂをアミン添加紙の如く誘電率がより高くて耐熱絶縁特性の良好な絶縁紙により形成している。 （もっと読む）

【課題】通電特性の低下を抑制しながら接続可能な超電導マグネット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二ホウ化マグネシウムを含む超電導線材１と、超電導線材１が捲回された超電導コイル２と、超電導線材１の端部１ａ，１ｂと別の超電導線材の端部とが一体化されてなる接続部３と、を備え、接続部３は二ホウ化マグネシウムを含んでなる焼結体であり、超電導線材１の端部１ａ，１ｂの断面形状と、超電導コイル２に捲回されている部分の超電導線材１の断面形状と、が異なる形状となっていることを特徴とする、超電導マグネット１０。 （もっと読む）

【課題】超電導スイッチの構造強度を保ちつつ、超電導スイッチのＯＮ状態（超電導状態）／ＯＦＦ状態（常電導状態）を切り替える際の、超電導膜とヒータとの間の熱効率が高い超電導スイッチを提供する。
【解決手段】超電導スイッチ１は、基板７と、通電により発熱するヒータ６と、導電性膜４と、前記導電性膜４に蒸着されたＭｇＢ₂膜３とを備えている。この基板７の一の面に前記ヒータ６，前記導電性膜４，前記ＭｇＢ₂膜３の順で積層する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって金属シリサイド膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、金属シリサイド膜を形成する領域以外の領域に加わる熱負荷を低減して、半導体装置の特性劣化を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、例えば、シリサイド化する領域（領域ＡＲ１）に透過膜ＰＦを形成し、シリサイド化しない領域（領域ＡＲ２）に透過膜ＰＦを形成しないことにより、紫外線レーザ光ＵＶを照射した際、シリサイド化する領域の温度をシリサイド化するための共晶化温度よりも高くする一方、シリサイド化しない領域の温度をシリサイド化するための共晶化温度よりも低くする。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性を有する高速超低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】不揮発性磁気メモリに、高い熱安定性をもつ自由層を適用した高出力なトンネル磁気抵抗効果素子を装備し、スピントランスファートルクによる書込み方式を適用する。トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の第一の強磁性膜３０６と第二の強磁性膜３０８と第一の非磁性膜３０７で構成される自由層を持ち、自由層に（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５を介して固定層３０２１を積層した構造を有する。 （もっと読む）