【課題】半導体スイッチを小さい負担で駆動できるとともに、半導体スイッチに十分なゲート電流を流すことができ、しかも、ゲート配線のインピーダンスによる障害を回避できる半導体モジュール。
【解決手段】ゲートに印加される電圧に応じてオンオフする半導体スイッチＱ１と、半導体スイッチのソース電位に対して正極性を有する正極コンデンサ１１０と、半導体スイッチのソース電位に対して負極性を有する負極コンデンサ１１１と、正極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオンさせる場合は正極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオン制御部１１２と、負極コンデンサを充電する機能を有し、半導体スイッチをターンオフさせる場合は負極コンデンサからの電流を半導体スイッチのゲートに流すターンオフ制御部１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】コントローラ装置の制御周期Ｔ_ｃがドライブ装置の駆動周期Ｔ_ｄの整数倍ではない場合にも同期を確保して設計上の自由度を増大させる。
【解決手段】コントローラ装置１の制御周期よりも駆動周期が短いドライブ装置３０Ａが、コントローラ装置１からの同期信号に合わせて駆動周期の起動タイミングを調整する周期タイミング補正手段３３を備え、調整後の起動タイミングに従って駆動されるシステムにおいて、制御周期が駆動周期の整数倍でない場合に、制御周期に含まれる駆動周期の回数と端数時間とを求め、駆動周期の回数を変えずに１回以上の駆動周期を増加させた時の増加分の合計時間が前記端数時間に一致するように当該駆動周期を演算し、または、駆動周期の回数を増加させて１回以上の駆動周期を減少させた時の減少分の合計時間が元の駆動周期と端数時間との差に一致するように当該駆動周期を演算する周期演算手段３２を備える。 （もっと読む）

【課題】エッジ部に形成される段差部の傾斜を緩やかにできるＳＯＮ構造を有する半導体基板の製造方法およびその半導体基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1ホール群１３の外周部に第1ホール１１より直径Ｄ２が小さく間隔Ｗ２が大きな第２ホール群１４を形成し、その後の水素雰囲気の高温アニールで平板状の空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】予防保全により、信頼性を維持することが可能なガス検知技術を提供する。
【解決手段】フィルタパッケージ１１０に収容されたセンサ素子１０のヒータ層３への間欠的な通電による加熱および感知層７への通電による電気抵抗値Ｒの検出によって雰囲気のガスの濃度を検出するガス検知装置１００において、検出対象のガス以外の干渉ガスの有無を判別するガス種判定手段２３を設け、干渉ガスが検出された場合には、検出対象ガスの検出のための閾値Ｒ２よりも大きな閾値Ｒ１を電気抵抗値Ｒが下回った場合にフィルタパッケージ１１０の劣化と判断して警報を出力することで、ガス検知装置１００の予防保全を実現する。 （もっと読む）

【課題】樹脂製品部分とスクラップ部分の切り離し時にバリの発生を抑制でき、バリ除去工程を不要にして生産性を向上させ、薄い樹脂製品にも対応することができる樹脂成型用金型およびこの金型を用いて製造される樹脂部品の製造方法を提供する。
【解決手段】金型３のゲート５に形成されるノッチ（凸部）を樹脂製品室１に近い箇所に設置することで、切り離しの際にノッチによって樹脂が薄くなった箇所（凹部１１）に応力を集中させて、この箇所で切断する。その結果、バリの発生を抑制して樹脂製品部分１とスクラップ部分５を切り離すことができる。また、バリが発生した場合でも、このノッチの設置位置や大きさによってバリ形状などを制御できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源装置において、交流入力電圧の大きさに応じて個々に防振対策をする必要性をなくすようにする。
【解決手段】入力電圧検出部３０は、交流入力電圧が１００Ｖ系であるか２００Ｖ系であるかを検出し、その検出結果に応じて、周波数低減ゲイン設定部４０が周波数低減ゲイン特性を切り替える。周波数低減ゲイン設定部４０は、負荷率に応じた値のフィードバック信号を受け、切り替えられた周波数低減ゲイン特性に沿った周波数に変換し、その周波数のオン・オフ信号で駆動回路６０がスイッチング素子を駆動する。交流入力電圧の大きさに応じて周波数低減ゲイン特性を切り替えたことで、１００Ｖ系より２００Ｖ系の方がフィードバック信号の低減が早まるという特性がキャンセルされ、周波数低減時に電源動作周波数が可聴領域に到達する負荷率を揃えることができ、一括した防振対策を可能にする。 （もっと読む）

【課題】ステータコア（固定子）に的確に引張応力を付与して、鉄損の低減効果を得ることができる回転電機およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋼板６を積層して構成されたステータコア５と、ステータコア５を嵌入して装着するフレーム３と、ステータコア５と所定の空隙をもって同心的に配置されたローター８とを備えた回転電機１であって、ステータコア５の外周部とフレーム３の内周部の間に隙間１７を設け、その隙間１７に接着剤１９を充填してステータコア５をフレーム３に固定するものにおいて、ステータコア５をフレーム３に装着時の径方向の対向位置におけるフレーム３の内径寸法とステータコア５の外径寸法の差を０．１ｍｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】設計コストおよび製造コストの増大を招くことのない比較的単純な構造を有し、同時に良好なライタビリティとＷＡＴＥ抑制効果とを達成できる垂直磁気記録媒体の提供。
【解決手段】非磁性体基体上にＳＵＬ構造、および磁気記録層を含み、ＳＵＬ構造が、非磁性基体側の第１ＳＵＬと、磁気記録層側の第２ＳＵＬと、第１ＳＵＬと第２ＳＵＬとの間の非磁性層から構成され、第２ＳＵＬが、２層以上の軟磁性層と、１層以上のスペーサー層とを含み、スペーサー層は、隣接する２つの軟磁性層の間に存在し、スペーサー層は、非磁性かつ非晶質の材料からなり、５ｎｍ〜１５ｎｍの膜厚を有し、第２ＳＵＬの実効透磁率が第１ＳＵＬの実効透磁率よりも小さいことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを樹脂封止した半導体素子において、樹脂封止部１５の絶縁耐量試験とその他の特性試験を同時に行い、試験コストを低減できて、特性試験装置全体の占有面積を減少できる半導体素子の特性試験装置およびその装置を用いた半導体素子の特性試験方法を提供する。
【解決手段】絶縁耐量を試験するための電圧印加治具１を半導体素子の樹脂封止部１５に接触させ、この電圧印加治具１に静特性試験または動特性試験で印加される高電圧を印加することで、特性試験（漏れ電流試験、耐圧特性試験、Ｌ負荷試験など）と同時に樹脂封止部１５の絶縁耐量試験も行う。 （もっと読む）

【課題】従来の３レベル変換回路の双方向スイッチのスナバ回路では、電圧クランプ形スナバが適用できないため、スナバ損失が大きくなること、スナバを構成するために多くのスイッチ素子が必要となることなどにより、装置が大型で、変換効率が低下する問題がある。
【解決手段】双方向スイッチをダイオードを逆並列接続した第1及び第2の半導体スイッチを直列接続した第1の半導体スイッチ直列回路と、ダイオードを逆並列接続した第３及び第４の半導体スイッチを直列接続した第２の半導体スイッチ直列回路との並列回路で構成し、前記第1及び第2の半導体スイッチ又は前記第３及び第４の半導体スイッチと並列に半導体スイッチ素子の両端電圧を直流電源電圧にクランプする電圧クランプ形スナバを接続する。 （もっと読む）