説明

三菱電機株式会社により出願された特許

2,001 - 2,010 / 33,312


【課題】アルカリ溶液を用いたテクスチャエッチング工程によってエッチング液中の陽イオン濃度を低下させることで、シリコン基板面内に均一なテクスチャを形成し、表面の汚染も無い基板を用いることで、高い発電効率を有する太陽電池を高い歩留まりで製造することができる。
【解決手段】テクスチャエッチング装置(エッチング装置)100は、p型又はn型のドーパントを含むシリコン基板8をエッチング液9中に浸漬してエッチングするエッチング装置であり、エッチング液9を貯留するエッチング槽1と、エッチング液9中に溶出した陽イオンを吸着して収集する第一および第二の陽イオン除去装置4A,4Bとを備えている。 (もっと読む)


【課題】部品を搭載するトレイのマガジン3への入替えの際に、余分な待ち時間の発生を回避するとともに、装置の小型化が実現可能な部品供給装置、その方法を提供する。
【解決手段】部品1を搭載する複数のトレイ2をストックするマガジン3、このマガジン3に対してトレイ2を出し入れするトレイ移載機構4、このトレイ移載機構4でマガジン3からトレイ移載位置P3まで取り出されたトレイ2を受け取り所定の部品供給位置P1まで搬送するトレイ搬送機構5を備え、トレイ移載機構4とトレイ搬送機構5との間でトレイ2を受け渡しするトレイ移載位置P3に、トレイ2を一時的に保持してトレイ移載機構4やトレイ搬送機構5の平面的な動作範囲から退避させるトレイ退避機構7を設けている。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素ショットキーダイオードの製造において、ダイオードの順方向特性、特に障壁高さφBを安定させて、リーク電流のばらつきを低減させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層2上に乾式熱酸化によりシリコン酸化膜OX1を形成し、SiC基板1の裏面にオーミック電極3を形成し、その後、SiC基板1をアニールしてオーミック電極3とSiC基板1の裏面との間にオーミック接合を形成し、シリコン酸化膜OX1を除去した後、エピタキシャル層2上にショットキー電極4を形成する。その後、シンターを行い、ショットキー電極4とエピタキシャル層との間にショットキー接合を形成する。 (もっと読む)


【課題】大きな開口率を実現することができるアバランシェフォトダイオードを得る。
【解決手段】n型InP基板1の主面上に、アバランシェ増倍層3、p型InP電界緩和層4、光吸収層5、及びアンドープInP窓層6が順に積層されている。アンドープInP窓層6の一部にp型不純物領域8が設けられている。直線状p側電極9がp型不純物領域8上に配置されてp型不純物領域8に接続されている。直線状p側電極9は、n型InP基板1の主面に対向する平面視において直線状である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁シートの外周部分がヒートシンクから剥離することを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置は、平坦部と該平坦部を囲むように形成された凸部とを有するヒートシンクと、該凸部に囲まれるように該平坦部及び該凸部に接着した絶縁シートと、該絶縁シートを介して該ヒートシンクに放熱する半導体素子と、該ヒートシンクの該絶縁シートが接着した面と反対の面を外部に露出するように、該ヒートシンク、該絶縁シート、及び該半導体素子を覆うモールド樹脂と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、信頼性の高い外部電極との接続構造を有する電力用半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、段差を有する絶縁膜9と、絶縁膜9の前記段差を覆って形成された上部配線10と、上部配線10上の少なくとも前記段差の側壁に対応する部分を含む所定箇所に、部分的に形成された酸化膜16と、上部配線10及び酸化膜16上に形成され、半田21により外部導体22と接合するバリア層20とを備える。 (もっと読む)


【課題】 樹脂によりモールド成形された電力半導体装置において、外部端子部にモールド樹脂が入り込み付着することの防止を図る。
【解決手段】 放熱板5と、上記放熱板の主表面上に設けられた絶縁層6と、上記絶縁層の主表面上に設けられた複数の配線パターン7と、上記複数の配線パターンに当接するように設けられた複数の外部端子2,3と、上記複数の外部端子を相互に連結する熱可塑性樹脂の連結部材12と、上記絶縁層6、配線パターン7を覆う熱可塑性樹脂の樹脂筐体1とを備える電力半導体装置において、上記連結部材12を構成する熱可塑性樹脂を、樹脂筐体1を構成する熱可塑性樹脂より剛性を高くすることにより、製造工程の簡略化を可能とすると共に、外力による樹脂筐体1の亀裂の発生を防止した。 (もっと読む)


【課題】高周波動作と、低コスト化および小型化とを両立させることが可能な高調波抑圧回路を得ること。
【解決手段】基本波の1/8波長の長さを有し、一端が入力端16aを形成し、他端が出力端16bを形成する主線路10と、一端が主線路10の入力端16aに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第1の線路11aと、第1の線路11aの他端に一端が接続された抵抗体14および基本波の1/4波長の長さを有する第1のオープンスタブ12aと、抵抗体14の他端に接続された基本波の1/8波長の長さを有する第2のオープンスタブ13aと、一端が主線路10の出力端16bに接続された基本波の1/4波長の長さを有する第2の線路11bと、第2の線路11bの他端に接続された基本波の1/4波長の長さを有する第3のオープンスタブ12bおよび基本波の1/8波長の長さを有する第4のオープンスタブ13bと、を備える。 (もっと読む)


【課題】符号化利得により干渉耐性を強化できる移動無線通信システムを得る。
【解決手段】送信局10は、送信すべき情報ビット列を複数の消失訂正データブロックに分割し、複数の消失訂正データブロックから複数の消失訂正パリティブロックを生成する消失訂正符号化部12と、複数の消失訂正データブロック及びパリティブロックのそれぞれに誤り訂正/誤り検出符号パリティビットを付与し、誤り訂正/誤り検出符号パリティビットが付与された複数の消失訂正データブロック及びパリティブロックを1つの消失訂正符号化ビット列として出力する誤り訂正/検出符号化部13とを設け、受信局20は、消失訂正符号化ビット列に対して誤り訂正/誤り検出復号を実施する誤り訂正/検出復号部24と、誤り訂正/誤り検出符号パリティビットが取り除かれた複数の消失訂正データブロック及びパリティブロックから情報ビット列を復号する消失訂正復号部25とを設ける。 (もっと読む)


【課題】無線通信システム全体において、他システムの影響の小さい通信用無線チャネルを用いた、効率的で品質の良い通信が可能な無線通信システムを提供する。
【解決手段】無線通信装置(親機)は、無線通信装置(子機)に対して使用可能な無線チャネルのチャネル周波数における電界強度測定を要求する(ステップS102)とともに、無線通信装置(親機)の電界強度測定部でも、そのチャネル周波数における電界強度の測定を行う(ステップS103)。無線通信装置(親機)は、無線通信装置(子機)が測定した電界強度の測定情報を受信して取得する(ステップS104)。ステップS103、S104で取得した電界強度の測定情報から、当該無線通信システムで使用する通信用無線チャネルを決定する(ステップS106)。各無線通信装置は、その通信用無線チャネルを使用して他の無線通信装置と無線通信する。 (もっと読む)


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