説明

横河電機株式会社により出願された特許

211 - 220 / 4,443


【課題】 恒温槽のような大がかりな装置を用いることなくアナログフロントエンド回路の温度特性を簡便に測定することができ、その温度ドリフトを的確に補正可能な温度ドリフト補正装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる温度ドリフト補正装置100の構成は、アナログフロントエンド回路110の温度を検知する温度計102と、アナログフロントエンド回路110を加熱するヒータ104と、ヒータ104のオン、オフそれぞれについてのアナログフロントエンド回路110の入出力特性とそのときの温度とに基づく温度特性を記憶しておくメモリ106と、アナログフロントエンド回路110を通過してA/D変換されたディジタル出力信号に対して、その温度特性を用いて、温度計が検知する温度におけるアナログフロントエンド回路110の温度ドリフトを補正する補正演算回路108とを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】比較的少ないメモリ容量で長期間のログを格納できるとともに、エラーや不具合が発生する前の状況も把握でき、さらに将来のエラーや不具合の発生を予測できるフィールド機器を実現する。
【解決手段】センサ回路の出力データを格納するログメモリを有するフィールド機器において、前記ログメモリは複数段設けられるとともに、これらログメモリの間には前段のログメモリの出力データを所定の比率で実質的に圧縮するデータ処理手段が設けられている。 (もっと読む)


【課題】簡単な光学調整で高解像度の試料の画像を得ると共に、光軸方向に自由度を持たせた観察を行うことを目的とする。
【解決手段】本発明の顕微鏡装置1は、干渉性を有し、試料Sを励起させるレーザ光Lを発振するレーザ光源2と、試料Sにレーザ光Lを照射したときに蛍光した戻り光Rを検出する検出部14と、レーザ光Lの焦点Fの範囲内に定在波を発生させるようにレーザ光Lを反射させる反射面10aに試料Sを搭載した試料搭載部10と、を備えている。直接的に試料Sに焦点Fを結ぶレーザ光Lと反射面10aで反射したレーザ光Lとを干渉させて定在波を発生させている。また、戻り光においても干渉させている。これにより、分解能を高くすることができ、高解像度の画像を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】異なる周波数を用いて信号の値を表現して通信するときに、正確な通信を行うことを目的とする。
【解決手段】本発明の通信装置は、第1の周波数FLと第2の周波数FHとを用いて二値の信号を通信する通信装置1であって、一定の判定周期JTの間に変化する入力信号rxdのエッジ数を検出して、出力信号sigの論理を生成する信号生成部を備えている。エッジとエッジとの間隔ではなく、一定の判定周期JTの間のエッジ数を検出して、このエッジ数に基づいて入力信号rxdが第1の周波数FLであるか第2の周波数FHであるかを認識でき、入力信号rxdの論理の判定を行うことができる。これにより、出力信号sigを生成することができる。 (もっと読む)


【課題】検出器に対して容易に変換器を回転させることができる検出器と変換器の回転構造を提供する。
【解決手段】 検出器と変換器の回転構造において、大径部と小径部からなる断面凸状に形成された検出器と、該検出器の小径部が挿入され、一端が前記検出器の大径部に接触した状態で他端が前記小径部の端部と略面一になる程度に形成され、かつ前記他端側から所定の深さに形成され前記検出器の小径部との間に円筒状の空間を有する変換器と、前記空間に前記小径部を巻き回して配置されたコイルばねと、前記コイルばねを押圧するばね押圧部材を備えると共に、前記検出器の大径部と前記変換器の接触部を噛合い構造とし、前記コイルばねは前記変換器を持ち上げて前記コイルばねを押圧したときに前記噛合いが外れる程度に形成されている。 (もっと読む)


【課題】外部磁界に対する電子スピンの変化量を大きくして、外部磁界の検出感度を高めることができる磁性体部材を提供する。
【解決手段】所定の形状に形成された磁性体5の表面に、その磁性体5に固有の最小磁区よりも小さい多数の領域7に分割する多数の溝6が形成されており、前記磁性体5は、ワイヤ状に形成され、前記領域7は、ハニカム状に形成され、前記溝6には、反磁性体材料が埋められている。磁性体部材5の表面は磁壁が存在しない単磁区構造になり、外部磁界にする検出感度を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】メモリへのデータ書込み処理に要する時間の短縮により、システム全体の速度性能の改善をはかる。
【解決手段】エラー検知部31が、CPU1から出力されるライト置情報に基づき、リードデータの特定された個所のエラー訂正の要否を示す制御情報を生成すると同時に、ライトデータ生成部32が、ライト位置情報に基づきメモリ2から読み出されるリードデータにライト要求データをマージしてライトデータを生成する。そして、エラー訂正部33が、その制御情報に基づき、ライトデータ生成部32から出力されるライトデータに対してエラー訂正を行ない、検査ビット生成部34がエラー訂正部33から出力される前記ライトデータからエラー訂正用検査ビットを生成してメモリ2に書き込む。 (もっと読む)


【課題】省エネルギー化推進のための有益な情報を提供する。
【解決手段】単位時間毎の物理量を示した時系列データを収集する時系列データ収集部111と、収集した時系列データを1日単位の時間毎データに集計する集計部113と、解析対象の時間毎データに関して、ユーザからの設定にしたがって関連付けられた時間毎データに基づいて時間毎の基準値を計算する基準値計算部123と、解析対象の時間毎データと時間毎の基準値とを重ねてグラフ表示する解析表示部124とを備える。 (もっと読む)


【課題】バックボードのスロットアドレスを変更することなく、IOモジュールを増加させるためのノードを任意に拡張できるモジュール実装型制御装置を実現する。
【解決手段】1台のCPUモジュールと、複数台のIOモジュールとが、スロットアドレスで管理される第1バックボードバスに実装され、前記CPUモジュールから前記第1バックボードバスに送信されるCMDフレームのスロットアドレスで指定された前記IOモジュールを呼び出して通信する第1ノードを備えるモジュール実装型制御装置において、前記第1バックボードバスに実装された第1中継モジュールと中継バスを介して通信する、第Nバックボードバスに実装された第N中継モジュールは、受信したCMDフレームの通信信号を並べ戻す回路を具備すると共に、該CMDフレームのCRCコードをチェックし、一致の場合、該CMDフレームは前記CPUモジュールから自己ノードへの通信と認識する。 (もっと読む)


【課題】高速パターン発生器と、低速パターン発生器とを備えた半導体試験装置で、希望する低速レート時間長とサイクル比とで半導体試験を行なえるようにする。
【解決手段】高速パターン発生器の分解能の設定を受け付けるパターン発生器パラメータ設定部と、作成対象のパターンプログラムの低速レート時間長と、サイクル比の設定を受け付けるプログラム条件設定部と、低速レート時間長をサイクル比で割った値未満で最も大きい分解能の倍数を切捨てレート時間長とし、値超で最も小さい分解能の倍数を切上げレート時間長とするレート時間長算出部と、低速レート時間長に対応する高速パターンのサイクルにおける切捨てレート時間長の個数と切上げレート時間長の個数とを、合計のレート時間長が低速レート時間長と等しくなるように設定する個数設定部とを備えたパターンプログラム作成支援装置。 (もっと読む)


211 - 220 / 4,443