【目的】機械的衝撃がかかる断続切削や、熱衝撃がかかる湿式切削でも優れた耐摩耗性と耐欠損性を有することができるサーメットを提供する。
【構成】Ｔｉの炭化物，窒化物，炭窒化物及びこれらの複合化合物のうち少なくとも１種を主成分とする硬質相と、鉄族金属のうち少なくとも１種からなる結合相とからなるサーメットにおいて、硬質相が、ＣｕのＫα１線を用いたＸ線回折における（１１３）面のピーク位置がそれぞれ０．２〜１．０度離れた３つのＢ１型結晶を有する。 （もっと読む）

【目的】珪化処理後の焼結体表面への遊離珪素の残留を抑制し、加工性に優れ、炭素と珪素の反応による発熱、急激な体積膨張をおさえることができ、クラックのない炭化珪素質焼結体を得る。
【構成】炭化珪素と炭素からなる成形体に対して、珪素の融点以上の温度で金属珪素を含浸し、炭素を珪化する炭化珪素質焼結体の製造方法であって、珪化処理における昇温過程の１２００℃以上から珪化温度までの温度領域で、５℃／ｍｉｎ以下の昇温速度で、且つ炭素を含有する雰囲気中で行う徐昇温工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】本発明は、光ファイバ増幅器内構成部品間における光ファイバ接続部を廃することにより、実装工程を簡略化し、損失の低減、信頼性の向上を図る。
【構成】本発明は、合波機能、分岐機能、戻り光除去機能を有する両端に光ファイバを有する部品間において、一通のファイバにより合波、分岐等各機能を構成することにより、スプライス接続等の接続部を廃した増幅器用光回路である。 （もっと読む）

【目的】半導体素子に出し入れされる電気信号にノイズや減衰が発生するのを有効に除去し、半導体素子を常に安定に作動させることができるセラミック配線基板を提供することにある。
【構成】絶縁基体１にメタライズ配線層２と、該メタライズ配線層２に電気的に接続される抵抗体６とを被着形成させて成るセラミック配線基板であって、前記抵抗体６の周囲に前記メタライズ配線層２に電気的に接続されないダミーの抵抗体７を配した。 （もっと読む）

【目的】本発明は、符号化、復号に伴い生じる歪の内、特に急峻なエッジ付近において目立つ歪に対して、各画素の値に適応化した形で歪を軽減することを目的とする。
【構成】 画像を直交変換手段および量子化手段を用いて符号化した画像データを復号する画像信号復号装置において、画像データを復号して得られた復号画像信号上、必要とされるエッジ、ポイント情報などを保存しつつ、画像の符号化、復号に伴い生じる歪のうち、特に急峻なエッジ付近に生じる視覚的な目障りな歪であるモスキートノイズを効果的に軽減することが可能となる。 （もっと読む）

【目的】内部に収容する光半導体素子を正確、且つ確実に作動させることができる光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【構成】光半導体素子6 がペルチェ素子8 を介して載置される載置部1aを有する金属基体1 と、前記金属基体1 の上面に前記載置部1aを囲繞するようにして接合され、各その側壁に切り欠き部2aを有する金属枠体2 と、前記金属枠体2 の切り欠き部2aにロウ材を介して嵌着接合され、その側面に金属枠体2 の内側に突出する平板状の突出部3aを有するとともに該突出部3a上面に前記ペルチェ素子8 の電極がリード線13を介して電気的に接続されるメタライズ配線層11が被着形成されたセラミック端子部材3 と、前記金属枠体2 の上面に接合される蓋体5 とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記セラミック端子部材3 のペルチェ素子8 の電極がリード線13を介して電気的に接続されるメタライズ配線層11の領域に前記リード線13が挿通可能な貫通孔3d若しくは切り欠き部3eを設ける。 （もっと読む）

【目的】 撮影レンズが交換可能で、撮影レンズの種類に対応した倍率に調整されるレンジファインダ系と、基準側レンズと参照側レンズから入射した光のセンサ上の位置に基づき被写体までの距離を得るＡＦ測距部を有するカメラのＡＦ測距システムにおいて、レンジファインダ内のフォーカスターゲットに対する測距センサのパララックスを補正できるパララックス補正機構を提供する。
【構成】 レンジファインダ３の中央部に固定枠のフォーカスターゲット４が設けられている。フォーカスターゲット４の枠と標準レンズを用いたときの測距に用いる演算対象となるセンサの素子幅を一致させてある。望遠レンズに交換した場合には演算対象となるセンサの素子幅を小さくし、広角レンズを用いた場合には演算対象となるセンサの素子幅を広げる。同様に、被写体までの距離が至近側にきた場合は、演算対象となるセンサの素子幅を右方向にずらし、フォーカスターゲット４に対するパララックスを補正する。 （もっと読む）

【目的】コイルの形成占有面積が小さく、且つ導体損失を有効に抑えることができ、コイル側の積層数の制約を、他に与えることない積層コイル基板を提供する。
【構成】本発明は、複数のセラミック層１ａ〜１ｅが積層して成る積層体１内に、セラミック層１ａ〜１ｅ間に配置されたコイルパターン２ｂ〜２ｅと、該セラミック層の厚み方向を貫くビアホール導体３〜９とで、コイルが形成されるように配置した積層コイル基板であって、前記コイルの中心軸が、セラミック層１ａ〜１ｅの厚み方向に対して直交する積層コイル基板である。 （もっと読む）

【目的】 ＩＣベアチップで発生する熱を外部に有効に放熱することができ、回路基板に形成又は配置した他の電子部品の誤動作なく、熱信頼性が向上し、低背化し、表面配線の高密度化が達成できる半導体モジュールの製造方法を提供する。
【構成】 光硬化可能なモノマーを含有するセラミックスリップ材を塗布により絶縁膜１０ａ〜１０ｅを形成する工程、該絶縁膜１０ａ〜１０ｅでビアホール導体４となる位置及びヒートシンク金属部材５が配置される位置に、露光・現像処理によって貫通凹部４０、５０を形成する工程、該貫通凹部４０、５０に、導電性ペーストを充填し、該絶縁膜１０ａ〜１０ｅ上に内部配線３となる導体膜３０を形成する工程を順次繰り返し、さらに、一体的に焼結した後に、ＩＣベアチップ２を接合配置する工程かち成る半導体モジュールの製造方法。 （もっと読む）