【課題】外来ノイズに対して撮像素子を容易に保護することができるカメラモジュールを提供する。
【解決手段】撮像素子３と、撮像素子３を搭載する基板４と、撮像素子３に光を導く光学部品５０〜５４と、撮像素子３を囲うとともに光学部品５０〜５４を保持するホルダ６’とを備えたカメラモジュールＡ１において、ホルダ６’は、導電性を有しており、光学部品５０には、透明導電膜５０Ａが形成されている。ホルダ６’は、基板４を介してアース接続されている。 （もっと読む）

【課題】より簡略な工程で製造可能であり、不良が発生しにくい半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面または裏面の少なくともいずれか一方に電極２１を有する１以上の半導体素子２と、半導体素子２を覆う保護部材３と、を備えた半導体装置Ａ１であって、保護部材３には、電極２１に臨む貫通孔３１が形成されており、貫通孔３１の内面３１ａに、電極２１と導通する配線パターン４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線５上に、ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６が形成された後、第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、ＭｎＯからなる金属膜１８が被着される。このとき、第２溝１１の内面およびビアホール１２の側面には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜１８中のＭｎＯが入り込み、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。そして、金属膜１８におけるビアホール１２の底面に形成された部分が除去された後、ビアホール１２にビア１５が埋設されるとともに、第２溝１１に第２配線１４が埋設される。 （もっと読む）

【課題】クラックなどの不良が生じにくく、安定した動作が可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】矩形状の半導体チップ１と、表面に半導体チップ１を搭載する板状のリード２と、半導体チップ１とリード２とを接着する緩衝部材３と、を備えた半導体装置Ａ１であって、リード２の表面には、半導体チップ１との間に緩衝部材３が介在する複数の突起２１が形成されており、複数の突起２１は、リード２の厚み方向視において、半導体チップ１の四隅と重ならないように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】指の位置をより正確に検出するとともに薄型化を図ることが可能な入力装置および携帯情報処理装置を提供すること。
【解決手段】互いに平行に配置された複数の帯状要素を有する透明な電極層４と、電極層４の上記複数の帯状要素とは異なる方向に沿って互いに平行に配置された複数の帯状要素を有しており、電極層４に対して絶縁され、かつ積層された透明な電極層５と、電極層４，５に対してその積層方向において指Ｆｇが接近したときに生じる静電容量変化によって上記導電体の接近を検出するＩＣチップ７４と、を備える入力装置Ａ１であって、表裏面を有し、その表面が指Ｆｇが接する接触面１ａとされており、その裏面である対向面１ｂに電極層４が形成されている透過板１を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不正コピーを適切に防止することが可能な記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る記憶装置において、アドレスのインクリメント動作が行われているか否かを検出するアドレス解析部２０３は、ロード信号ＬＤを生成するロード信号生成部１と；ロード信号ＬＤをトリガとしてメモリ１００に供給されるアドレス信号ＡＤＤを読み込み、そのアドレス値を自身のカウント値として設定した上で、それ以後、リード信号ＲＤに基づいて、前記カウント値を１つずつインクリメントして出力するカウンタ２と；メモリ１００に供給されるアドレス信号ＡＤＤとカウンタ２のカウンタ値を比較し、その一致／不一致を示す比較結果信号を出力するアドレス比較部３と；を有して成る。 （もっと読む）

【課題】陽極電極層からのホ−ル注入時のエネルギ−障壁を低減する新しい構成のホ−ル注入層を陽極電極層に接する層に設け、低電圧駆動化と素子の駆動安定性を付与することを実現する。
【解決手段】陽極電極層と、陽極電極層と対向して配置された陰極電極層と、陽極電極層と陰極電極層との間に位置する、陽極電極層に接するホ−ル注入層及び少なくとも一層の発光層と、を有し、陽極電極層と陰極電極層の少なくとも一方は透明であり、ホ−ル注入層は、ダメージ低減層として機能し、金属酸化物と有機化合物との混合膜を含み、混合膜は共蒸着によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を容易に厚くすることが可能なトレンチ型半導体素子及びトレンチ型半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ型半導体素子１は、上端が開口されたトレンチ１４が形成された基板２と、基板２に形成され、不純物を含む導電型の半導体領域１２、１３と、半導体材料（Ｓｉ）と半導体材料とは異なる元素（Ａｓ：砒素）からなる不純物とを含み、トレンチ１４の開口を覆う層間絶縁膜５とを備え、層間絶縁膜５のＡｓの不純物濃度は、導電型の半導体領域１２（１３）のＡｓ（Ｂ：ボロン）の不純物濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】不良が生じにくい構造を備えた固体電解コンデンサを提供すること。
【解決手段】弁作用金属からなる多孔質焼結体１と、多孔質焼結体１から突出する陽極ワイヤ１１と、陽極ワイヤ１１を支持する支持部５１および支持部５１と導通する底部５２を有する陽極実装端子５と、多孔質焼結体１の表面に積層された誘電体層２および固体電解質層３と、固体電解質層３に導通する陰極実装端子６と、を備えており、陰極実装端子６が、外部の実装基板に実装するための平坦な実装面６１を有している固体電解コンデンサＡ１であって、陰極実装端子６は、陽極実装端子５に近づくほど実装面６１から遠ざかるように形成された傾斜面６３を備えており、多孔質焼結体１が傾斜面６３に支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不正コピーを適切に防止することが可能な記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る記憶装置において、アドレスのインクリメント動作が行われているか否かを検出するアドレス解析部２０３は、メモリ１００に供給された前回のアドレス信号ＡＤＤをラッチするアドレスラッチ部１と；アドレスラッチ部１でラッチされた前回のアドレス信号ＡＤＤをインクリメントして出力するアドレス加算部２ａと；メモリ１００に供給されている現在のアドレス信号ＡＤＤ（出力信号Ａ１）とアドレス加算部２ａの出力信号Ｂ１とを比較し、両者が一致していればアドレスのインクリメント動作が行われていると判断するアドレス比較部３と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）