【課題】本発明は、アナログ／デジタル変換回路の検査を高速かつ高精度に実施することが可能な半導体装置、及び、その検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１０は、第１クロックＣＫ１で動作し、アナログデータをデジタルデータに変換して出力するＡＤＣ１１と；第２クロックＣＫ２で動作するＣＰＵ１２と；第１クロックＣＫ１または第２クロックＣＫ２の一方で動作するメモリ１３と；第１クロックＣＫ１で動作し、デジタルデータをメモリ１３に書き込むメモリ書込回路１４と；デジタルデータのライト時には第１クロックＣＫ１をメモリ１３に出力し、デジタルデータのリード時には第２クロックＣＫ２をメモリ１３に出力するセレクタ１５と；を有して成り、ＣＰＵ１２は、ＡＤＣ１１の検査時において、メモリ１３に格納されたデジタルデータを読み出して所定の演算処理を施し、その結果を装置外部に転送する。 （もっと読む）

【課題】コマンドの誤認識に起因する問題を解決する。
【解決手段】電源回路３０は、オン、オフおよび出力電圧の値が設定可能に構成される。インタフェース回路１０は、電源回路３０のオン、オフを制御する第１データＥＮと、電源回路３０の出力電圧の設定値を指示する第２データＡＤＪを、外部プロセッサ１１０からバス１１２を介して受信する。第１メモリ２０は第１データＥＮを格納する。第２メモリ２２は２つの領域２２Ａ、２２Ｂを含み、異なるタイミングで受信した２つの第２データＡＤＪＡ、ＡＤＪＢを、２つの領域２２Ａ、２２Ｂにそれぞれ格納する。制御部１６は、２つ領域２２Ａ、２２Ｂに格納された２つの第２データＡＤＪＡ、ＡＤＪＢが一致するとき、第１データＥＮおよび第２データＡＤＪに応じて電源回路３０を制御する。 （もっと読む）

【課題】長手方向に沿って均一な線状光を照射可能な導光体、および、より容易にこのような導光体を製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】導光体Ａ１は、全体として棒状に延びており、長手方向端部に設けられた光入射面と、上記長手方向に延びており、上記光入射面から入射した光を反射させる光反射部２１と、光反射部２１から進行してきた光を上記長手方向に延びる線状光として出射させる光出射部２２と、を備えており、光反射部２１の少なくとも一部にシボ部２１１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路と光増幅器を半導体基板上に高精度に集積化できる光ジャイロセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に配置され、出力面１１及び出力面１２をそれぞれ有する光増幅器１０と、出力面１１及び出力面１２にそれぞれ密接する端面を有して光増幅器１０と共にリング状の光路を構成するように半導体基板１上に配置され、出力面１１から出力される第１レーザ光Ｌ１及び出力面１２から出力される第２レーザ光Ｌ２が互いに異なる周回方向に伝搬する光導波路２０と、半導体基板１上に配置され、第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２のそれぞれ一部が光導波路２０から移行する検出路３０と、検出路３０に移行した第１レーザ光Ｌ１及び第２レーザ光Ｌ２のそれぞれ一部が合波して生じるビート信号を検出する信号検出器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の剥離を抑制できる光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体光増幅器（光半導体素子）１は、基板２と、半導体積層部３と、ｐ側電極５と、ｎ側電極６と、一対の反射防止膜（請求項の誘電体膜に相当）７、８とを備えている。半導体積層部３には、ｎ型クラッド層１１と、活性層１２と、ｐ型クラッド層１３と、ｐ型コンタクト層１４とが基板２側から順に積層されている。半導体積層部３には、ストライプ部４が形成されている。半導体積層部３のストライプ部４の延長線上には、凹部２１、２２が形成されている。ストライプ部４の端面と対向する凹部２１、２２の面２１ａ、２２ａには、誘電体膜が積層された反射防止膜７、８が形成されている。凹部２１、２２は、ｎ型クラッド層１１まで達し、且つ、光の進行方向の外側が開口されている。 （もっと読む）

【課題】反転型チャージポンプ回路の出力変動を抑制する。
【解決手段】チャージポンプ回路１００は、入力電圧Ｖｄｄの極性を反転して出力する。
第１スイッチＳＷ１、第３スイッチＳＷ３は、フライングキャパシタＣｆを入力電圧Ｖｄｄで充電する第１経路に設けられる。第２スイッチＳＷ２、第４スイッチＳＷ４は、フライングキャパシタＣｆに蓄えられた電荷を、出力キャパシタＣｏに転送する第２経路に設けられる。制御回路１０は、第１経路に設けられたスイッチＳＷ１、ＳＷ３と、第２経路に設けられたスイッチＳＷ２、ＳＷ４を、を交互にオン、オフさせる。制御回路１０は、出力キャパシタＣｏの一端Ｐ４に発生する出力電圧Ｖｓｓに応じて、スイッチＳＷ１〜ＳＷ４の少なくともひとつのオン時間を変化させる。 （もっと読む）

【課題】単一の信号線で発光素子の輝度を設定する。
【解決手段】インタフェース回路１０は、外部から単一の信号線を介して入力される調光制御信号ＤＩＭを受け、ＬＥＤの輝度を設定する。調光カウンタ１４は、調光制御信号ＤＩＭのエッジの個数をカウントする。第１レベル期間検出部２８は、調光制御信号ＤＩＭがハイレベルを持続する期間を測定する。ラッチ回路２２は、調光カウンタ１４のカウント値ＣＯＵＮＴを、第１レベル期間検出部２８により設定されたタイミング（ＳＩＧ１）でラッチする。ラッチ回路２２の出力に応じてＬＥＤの輝度が設定される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、容易な回路設計で高速データ伝送に対応することが可能なＣＲＣ演算回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＣＲＣ演算回路は、伝送データからシリアル処理でＣＲＣ符号を算出する演算過程を解析して導き出される所定の演算式に基づいて、前記伝送データからパラレル処理で前記ＣＲＣ符号を算出する論理回路を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】環形蛍光ランプの代替として用いることができるＬＥＤランプをより低いコストで提供する。
【解決手段】所定の厚みを有する基板３Ａと、基板３Ａの表面に搭載された複数のＬＥＤモジュール４と、を備えたＬＥＤランプＡであって、基板３Ａは、円弧状に形成された複数の湾曲基板３を組み合わせて形成された環状基板３Ａであり、複数の湾曲基板３は、径方向に所定幅を有しており、径方向の外方の側縁３１の曲率と径方向の内方の側縁３２の曲率とが基板３Ａの厚み方向視において同じ曲率である。 （もっと読む）

【課題】パッドと半導体チップとの接続部分への応力の集中を防止することをができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ２の最表面には、パッシベーション膜４が形成されている。パッシベーション膜４には、その下層に設けられた配線３の一部を露出させる開口５が形成されている。半導体チップ２上には、ポリイミド層６が積層されている。ポリイミド層６には、配線３における開口５を介してパッシベーション膜４から露出する部分と対向する位置に、それを厚さ方向に貫通する貫通孔７が形成されている。ポリイミド層６における貫通孔７の周辺部分８上および貫通孔７内には、その表面上に外部接続端子１２が配置されるパッド９が形成されている。ポリイミド層６は、貫通孔７の周辺部分８が局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）