【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＰＷＭ駆動のリニアリティ低下やダイナミックレンジ縮小を招くことなく、単一の外部制御信号のみを用いて装置自体のオン／オフ制御と負荷のＰＷＭ駆動の双方を実現することが可能な負荷駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＬＥＤドライバＩＣ１は、ＰＷＭ駆動される輝度制御信号ＰＷＭからイネーブル信号ＥＮを生成するイネーブル制御部１０Ａ（図１では平滑回路）と；イネーブル信号ＥＮに応じてオン／オフ制御され、かつ、輝度制御信号ＰＷＭに応じてＬＥＤ２のＰＷＭ駆動を行う負荷駆動部２０と；を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】発熱抵抗部の部分により温度がばらつくことを抑制することができるヒータを提供すること。
【解決手段】長尺状の基板１と、基板１に形成された導電部２１，２２と、基板１に形成されており、導電部２１，２２を導通させている発熱抵抗部３と、を備えているヒータＡ１において、導電部２１，２２はそれぞれ、基板の長手方向ｘに沿って発熱抵抗部３と接続しており、基板の短手方向ｙにおいて、導電部２１，２２は発熱抵抗部３を挟んでいる。 （もっと読む）

【課題】三角波を生成し、システムクロック等の干渉による性能劣化を防ぐことが可能な半導体装置および増幅装置を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、受けたクロックに同期して電流を入出力する電流制御回路５１と、電流制御回路５１による電流の出力および入力によって充電および放電される第１のキャパシタＣ１を含み、第１のキャパシタＣ１の充電電荷に基づいて三角波を出力する電流／電圧変換回路５２とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換センサにおいて検討されている特性の好適な活用を提案する。
【解決手段】可視光域において６０％以上の量子効率を有するＣＩＧＳセンサ７０の出力に基づいてカメラの撮像部への焦点調節を行う。赤外カットフィルタ６８によりＣＩＧＳセンサ７０における赤外域の６０％以上の量子効率の感度域をカットする。赤外カットフィルタ６８を可視光カットフィルタ７６に差し替えることで赤外領域撮像用の焦点検出センサとして活用する。ＣＩＧＳセンサ７０と減光手段６６により広いダイナミックレンジでの焦点検出を可能にする。減光分は測光等に活用する。赤外域の感度における検出情報を可視光域での焦点検出に活用する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で紫外光を選択的に検出できるようにし、装置コストの低減及び装置の小型化を可能にし、最も簡素化した場合には、携帯することもできる紫外検出装置を提供する。
【解決手段】紫外検出装置は、４００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、４００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有する半導体光電変換層を有する光電変換素子を備えている。半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。このように、半導体ベースの光電変換素子で紫外検出装置を構成できるので、軽量で携帯性に優れた検出装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成された後、Ｍｎからなる金属膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。次いで、金属膜１８中のＭｎと第２絶縁層６中のＳｉおよびＯとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第２溝１１およびビアホール１２の内面上に、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力電圧の電圧値に依ることなく、過電流保護値を任意かつ高精度に調整することが可能な過電流保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る過電流保護回路は、監視対象となる電流ラインに挿入されたセンス抵抗Ｒｓと；一端がセンス抵抗Ｒｓの一端に接続された抵抗Ｒ１と；基準電圧ＤＡＣＯＵＴに応じて基準電流Ｉを生成し、抵抗Ｒ１を介して基準電流Ｉを引き込む定電流回路Ａ２と；抵抗Ｒ１の他端電圧Ｖｘとセンス抵抗Ｒｓの他端電圧Ｖｙを比較して過電流保護信号Ｓｏｃｐを生成するコンパレータＣＭＰと；入力されるデジタルデータＤＤをアナログ変換することで基準電圧ＤＡＣＯＵＴを生成するデジタル／アナログ変換回路Ａ１と；を有して成る。 （もっと読む）

【課題】様々な読み取り態様に対応可能なイメージセンサモジュールを提供すること。
【解決手段】ｘ方向に配列された複数の受光部を有する受光手段と、読み取り対象物からの光を上記複数の受光部に結像するレンズユニット４と、を備えるイメージセンサモジュールＡ１であって、レンズユニット４に対してｙ方向一方側に位置しており、ｚ方向に起立し、かつ、ｚ方向おいて上記読み取り対象物側を向く位置決め面１１ａを有する１以上のリブ１１を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージをより小型とすることができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】回路素子の少なくとも一部が形成された半導体基板３と、半導体基板３の表面に配置された１または複数の表面電極４１ａ，４１ｂと、半導体基板３の裏面に配置され、上記回路素子と導通している裏面電極４２と、を備え、表面電極４１ａ，４１ｂが上記回路素子と導通している、半導体装置Ａ１であって、上記表面の側に配置されており、かつ、半導体基板３、表面電極４１ａ，４１ｂおよび裏面電極４２を支持している支持基板１と、表面電極４１ａ，４１ｂと導通しているとともに半導体基板３を貫通している導電部５１ａ，５１ｂと、をさらに備える。 （もっと読む）