【課題】 センサチップの一方側に高精度でシリコンチップを貼合でき、さらに、貼合されたシリコンチップに対して、センサチップの他方側に貼合される封止チップを高精度に位置合わせすることのできる加速度センサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 センサチップ２の一方側にシリコンチップ３が接合されてなる加速度センサ１において、物理量の変化に応じて動作する可動部を有するセンサチップ２に、厚さ方向に貫通し、センサチップ２の上側から下側を視認可能な貫通溝１４を形成する。一方、シリコンチップ３には、センサチップ２の貫通溝１４に対向する部分に、アライメントマーク１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】アクセプタドープ層を含む積層体を形成する場合に、アクセプタドープ層におけるアクセプタ濃度の増大を図らなくても、ホール濃度を十分な濃度とし、ｐ型化を容易に実現できる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、共ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。ここで、共ドープＭｇＺｎＯ層３は、アクセプタ元素とドナー元素とが共に含まれている共ドープ層である。共ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップは、共ドープ層以外の半導体層中で最も小さいバンドギャップとなるアンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した凹部を封止する封止膜の変形を抑制できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５の底面に下端を接する支柱部１１、及び支柱部１１を囲むように凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える半導体チップ１０と、支柱部１１の上端上に配置された柱状部２０２、及び半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置された環状部２０１を有するスペーサ２０と、スペーサ２０の柱状部２０２の上面２０２ａ及び環状部２０１の上面２０１ａに接し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って配置された封止膜３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】１以上の半導体レーザ素子を有する半導体レーザチップ２と、半導体レーザチップ２が搭載された実装部１１、および半導体レーザチップ２に導通する端子部１３を有するリード１と、リード１の一部を覆う樹脂パッケージ３と、を備える半導体レーザ装置Ａであって、実装部１１は、半導体レーザチップ２と導通しており、かつ樹脂パッケージ３から端子部１３が突出する側が樹脂パッケージ３に覆われており、リード１は、実装部１１に繋がっており、かつ樹脂パッケージ３から端子部１３とは異なる方向に露出する張り出し端子部１２をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の変動を抑制し、消費電力を低減する。
【解決手段】電圧電流変換回路１０は、チャージポンプ回路４の出力電圧Ｖｏｕｔに応じたフィードバック電圧ＶＦＢを所定の基準電圧ＶＲＥＦと比較し、その誤差に応じたバイアス電流ＩＢＯを発生する。オシレータ１２は、バイアス電流ＩＢＯに応じた周波数で発振する。バッファ１４は、バイアス電流ＩＢＯによってバイアスされ、オシレータ１２から出力されるクロック信号ＣＫ０にもとづいて、チャージポンプ回路４にゲートクロックＣＫ１、ＣＫ１Ｂを供給して駆動する。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧素子および低耐圧素子の特性を低下させることなく、ホットキャリア耐性を向上させることのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１の高耐圧素子領域７において、シリコン基板２の表面に高耐圧素子用ゲート絶縁膜１０を形成し、この高耐圧素子用ゲート絶縁膜１０上に、高耐圧素子用ゲート電極１１を形成する。また、高耐圧素子領域７において、シリコン基板２の表層部に、高耐圧素子用ゲート電極１１に対向するチャネル領域３８隣接する高耐圧側ソース領域１３および高耐圧側ドレイン領域１４を形成する。そして、高耐圧素子用ゲート絶縁膜１０の、高耐圧素子用ゲート電極１１の端部に対向する部分に、高耐圧素子用ゲート電極１１の中央部に対向する部分よりも大きい厚さのバーズビーク部３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】 別の不具合を発生させることなく、高耐圧素子の耐圧を向上でき、かつ、低耐圧素子の動作速度を増加できる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１の製造工程において、ポリシリコン膜３１上に、開口３２を有し、高耐圧素子領域７における高耐圧素子用ゲート電極１１が形成される領域を覆うレジストマスク３３を形成する。そして、ポリシリコン膜３１を突き抜け、さらにシリコン基板２の表面からポリシリコン膜３１の厚さよりも深い位置まで達するエネルギーでＮ型不純物を注入する。これにより、シリコン基板２内にＮ型不純物を拡散させて高耐圧側低濃度ドレイン領域１７を形成する。そして、レジストマスク３３をポリシリコン膜３１のエッチングのためのマスクとして残存させたまま、開口３２から露出するポリシリコン膜３１をエッチングにより除去することにより、高耐圧素子用ゲート電極１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光効率が高くかつ低消費電力のマトリックス装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】ｎ行、ｍ列からなるｎ×ｍマトリックス回路１（ここで、ｎ、ｍは２以上の整数）と、ｎ×ｍマトリックス回路１に隣接して配置され、ｎ×ｍマトリックス回路１の行を選択する行デコーダ２と、ｎ×ｍマトリックス回路１に隣接して配置され、ｎ×ｍマトリックス回路１の列を選択し、選択された列に電流を供給する定電流回路４とを備え、行デコーダ２において、行選択のデューティサイクルを１／（ｎ／ｋ）（ここで、ｎ／ｋは２以上の整数）で駆動すると共に、電流の値を行選択のデューティサイクルを１／ｎで駆動する場合の電流値の１／ｋにすることを特徴とするマトリックス装置およびその駆動方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その設置場所や使用状態に応じて、適切な省電力化を実現することが可能な自動販売機を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る自動販売機１００は、自動販売機１００の機能を実現する複数の機能部（照明部２、操作部３、温度調節部４、金銭識別部５、商品搬送部６など）と；自動販売機１００の動作を設定するための設定信号を出力するインタフェイス部（メンテナンス操作部８）と；前記インタフェイス部から入力される前記設定信号に基づいて設定されたスリープ条件に従い、前記複数の機能部のスリープ移行／復帰制御を個別に行うためのスリープ制御信号を前記複数の機能部に出力するスリープ制御部１ａと；を有する。 （もっと読む）

【課題】新たな通信方式を提供する。
【解決手段】受信電極４は、送信電極２に対して絶縁層を介して近接配置される。第１電圧印加部１０は、受信電極４に、第１状態において所定の第１固定電圧を印加し、第２状態において第１固定電圧より低い第２固定電圧を印加する。第２電圧印加部１２は、参照キャパシタ３２の参照電極６に、第１状態において第２固定電圧を印加し、第２状態において第１固定電圧を印加する。第１サンプルホールド回路１４は、第１状態にて受信電極４および参照電極６それぞれに現れる電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２を平均し、第１検出電圧Ｖｄｅｔ１として保持する。第２サンプルホールド回路１６は、第２状態にて受信電極４および参照電極６それぞれに現れる電圧Ｖｘ１、Ｖｘ２を平均し、第２検出電圧Ｖｄｅｔとして保持する。増幅部２０は、第１検出電圧Ｖｄｅｔ１と第２検出電圧Ｖｄｅｔ２の電位差を増幅する。 （もっと読む）