【課題】低消費電流の半導体装置を提供する。
【解決手段】このサーモスタットＩＣ１では、目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧Ｖｒｅｆを発生する参照電圧発生回路４と、検出温度に応じたレベルの電圧Ｖｔを出力する温度センサ５と、参照電圧Ｖｒｅｆと電圧Ｖｔの高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路６とを備え、参照電圧発生回路４および比較回路６の活性化／非活性化の制御が可能になっている。したがって、全部の回路を常時活性化させていた従来に比べ、消費電流が小さくて済む。 （もっと読む）

【課題】利得調整および広範囲な電圧源にも安定して適用することができる利得調整回路およびＤ級電力増幅回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
利得調整回路100はアナログ入力信号が入力される信号入力端子102、アナログ信号を増幅し電圧源E１が供給される演算増幅器108、演算増幅器108の反転入力端子108aと出力端子108cとの間に接続される第1のＴ型抵抗回路T123を備える。信号入力端子102と反転入力端子108aとの間に利得調整するための第１の可変抵抗RV1を接続する。演算増幅器108の非反転入力端子108bにはバイアス電圧供給回路130から直流バイアス電圧が供給される。バイアス電圧供給回路130は第１の電圧生成回路132および第２のバイアス電圧生成回路138を備える。第１のバイアス電圧生成回路132は第2の電圧源E2および第２のT型抵抗回路T123aを備え、第２のバイアス電圧生成回路138は第3の電圧源E3および第2の可変抵抗RV2を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を防止し、特性が劣化しない範囲で、ＴＭモード発振が行えるようにした半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ光ガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓビーム拡散層７、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層８、ＩｎＧａＰエッチングストップ層９、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１０、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１が形成されている。ＭＱＷ活性層５は、バリア層と引っ張り歪を持つ井戸層で構成された多重量子井戸構造を有しており、井戸層の各膜厚がバリア層の各膜厚よりも大きく、井戸層のうち、少なくとも１層の膜厚が他の井戸層とは異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】被覆膜で被覆された犠牲層をエッチングするときに、エッチングによる被覆膜の損傷の発生を抑制できる犠牲層のエッチング方法、該エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイスの製造方法および該製造方法により製造されるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】シリコン基板２上に犠牲酸化膜２９を形成し、犠牲酸化膜２９を、シリコン基板２の一方面に対向する対向部１７と、シリコン基板２の一方面に形成された段差部１９と、対向部１７と段差部１９とを連設する側部１８とを有する表面膜１１で被覆する。次いで、側部１８に、犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比が、表面膜１１の犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜１６を形成する。そして、犠牲酸化膜２９をエッチングして、表面膜１１をシリコン基板２との間に中空部分を有する状態で支持される中空支持膜とすることにより、シリコンマイク１を得る。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２バリア膜１３の形成後に、ＳｉＨ_４を含むガスを用いたＰＥＣＶＤ法により、Ｃｕ層２０上にＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる犠牲層２１が積層される。犠牲層２１にＳｉおよびＯが含まれるので、犠牲層２１の積層過程で、Ｃｕ層２０と犠牲層２１との界面にＭｎＳｉＯからなる反応生成膜２２が生じる。この反応生成膜２２の生成にＭｎが使用されることにより、Ｃｕ層２０に含まれるＭｎの量が減少する。よって、Ｃｕ層２０からなる第２Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】アクセプタ層のアクセプタ不純物濃度を高めることなく、発光素子の輝度上昇が図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板１上に、アンドープＺｎＯ層２、窒素ドープＭｇＺｎＯ層３、透明導電膜４が順に積層されている。透明導電膜４上にｐ電極５が、ＺｎＯ基板１の裏面にはｎ電極６が形成されている。ここで、窒素ドープＭｇＺｎＯ層３のバンドギャップが、アンドープＺｎＯ層２のバンドギャップよりも０．２ｅＶ以上大きくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】機能素子の可動部分を配置した空間の気密性の低下を抑制しつつ、小型化を実現できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】表面１０ａに凹部１５が形成され、その凹部１５内に配置された可動部分を有する機能素子１００を備える変位検出用半導体チップ１０と、変位検出用半導体チップ１０の表面１０ａ上で凹部１５を囲んで環状に配置されたダイアタッチ材を含む結合部２０と、可動部分の変位を検出した機能素子１００が出力する検出信号を処理する処理回路３００を有し、空洞を形成するように凹部１５の上方を覆って結合部２０上に配置された信号処理用半導体チップ３０とを備え、結合部２０によって凹部１５が気密封止されている。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑えつつ、高出力化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】レーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、上記複数の半導体レーザ素子が設けられたブロック１Ｂ、およびこのブロック１Ｂに対して上記レーザ光の出射方向反対側に位置するベース１Ａを含むステム１と、ブロック１Ｂと導通するコモン用リード３４と、上記複数の半導体レーザ素子と導通する複数のリード３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂと、を備えた半導体レーザ装置Ａであって、ベース１Ａは、複数のリード３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂを挿通させる貫通孔１１，１２を有しており、複数のリード同士３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが互いに絶縁されるように、貫通孔１１，１２には絶縁材料６が充填されている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子を適切に保護することが可能な半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】半導体レーザチップ２と、ｘ方向において半導体レーザチップ２を挟む１対の側壁部３１を有する樹脂パッケージ３と、を備える半導体レーザ装置Ａ１であって、１対の側壁部３１には、ｘ方向において互いに離間する２対の受入面３２ａを有する嵌合受入部として２対の凹部３２のが設けられており、樹脂パッケージ３は、平面視において半導体レーザチップ２を覆うとともに、１対の受入面３２ａ間に圧入された嵌合挿入部としての２対の凸部３６を有するカバー３５をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】全体の小型化を図る場合であっても、樹脂パッケージにクラックが発生する虞れが少なく、かつ所望箇所への面実装も適切に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と、この半導体チップ１の電極に電気的に接続された複数の導体２Ａ，２Ｂと、これら複数の導体２Ａ，２Ｂおよび半導体チップ１を封止する樹脂パッケージ３と、を有しており、導体２Ａ，２Ｂは、厚みが相違する厚肉部２１ａ，２１ｂと薄肉部２２ａ，２２ｂとを有し、かつ厚肉部２１ａ，２１ｂの下面部が樹脂パッケージ３の底面から露出した面実装用の端子部２３ａ，２３ｂとされている、半導体装置Ａであって、複数の導体２Ａ，２Ｂのうちの少なくとも１つの厚肉部２１ａ，２１ｂは、その全体または一部の幅が不均一な非矩形状に形成されている。 （もっと読む）