半導体装置
【課題】低消費電流の半導体装置を提供する。
【解決手段】このサーモスタットIC1では、目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧Vrefを発生する参照電圧発生回路4と、検出温度に応じたレベルの電圧Vtを出力する温度センサ5と、参照電圧Vrefと電圧Vtの高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路6とを備え、参照電圧発生回路4および比較回路6の活性化/非活性化の制御が可能になっている。したがって、全部の回路を常時活性化させていた従来に比べ、消費電流が小さくて済む。
【解決手段】このサーモスタットIC1では、目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧Vrefを発生する参照電圧発生回路4と、検出温度に応じたレベルの電圧Vtを出力する温度センサ5と、参照電圧Vrefと電圧Vtの高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路6とを備え、参照電圧発生回路4および比較回路6の活性化/非活性化の制御が可能になっている。したがって、全部の回路を常時活性化させていた従来に比べ、消費電流が小さくて済む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は半導体装置に関し、特に、検出温度が目標温度に到達したか否かを判定する半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、内蔵の温度センサで検出した温度が目標温度に到達したか否かを判定し、判定結果を示す信号を出力するサーモスタットICが開発されている。このサーモスタットICは、検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力電圧と参照電圧との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路とを備えている(たとえば、特許文献1参照)。
【特許文献1】特開2007−82365号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
しかし、従来のサーモスタットICは消費電流が大きいという問題があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、低消費電流の半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0004】
この発明に係る半導体装置は、検出温度が目標温度に到達したか否かを判定する半導体装置であって、目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力電圧と参照電圧との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路と、参照電圧発生回路、温度検出回路、および比較回路のうちの少なくとも1つの回路の活性化/非活性化を制御する制御手段とを備えたものである。
【0005】
好ましくは、制御手段は、参照電圧発生回路および比較回路の活性化/非活性化を制御する。
【0006】
また好ましくは、制御手段は、参照電圧発生回路、温度検出回路、および比較回路の活性化/非活性化を制御する。
【0007】
また好ましくは、温度検出回路は、一定の参照電流を発生する参照電流発生回路と、参照電流に基づいて検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度センサとを含み、制御手段は、参照電圧発生回路、参照電流発生回路、および比較回路の活性化/非活性化を制御する。
【0008】
また好ましくは、少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、制御手段は、外部から制御信号を受ける信号端子を含む。
【0009】
また好ましくは、少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、制御手段は、一定周期の制御信号を発生する発振器を含む。
【0010】
また好ましくは、さらに、制御信号によって少なくとも1つの回路の非活性化が指示されたことに応じて、比較回路の出力信号を保持および出力するラッチ回路を備える。
【0011】
また好ましくは、さらに、外部から電源電圧を受ける電源端子と、外部から接地電圧を受ける接地端子とを備え、接地端子は、対象物の温度を温度検出回路に伝達させる温度伝達路を兼ねている。
【発明の効果】
【0012】
この発明に係る半導体装置では、参照電圧発生回路、温度検出回路、および比較回路のうちの少なくとも1つの回路の活性化/非活性化を制御する制御手段を設けたので、全ての回路が常時活性化されていた従来に比べ、消費電流が少なくて済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1によるサーモスタットIC1の構成を示すブロック図である。図1において、このサーモスタットIC1は基板2を備える。基板2の表面には、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、温度センサ5、比較回路6、およびバッファ7が形成されている。また、基板2の外周部には外部ピンP1〜P5が設けられている。
【0014】
参照電流発生回路3は、たとえばバンドギャップ定電流源を含み、温度依存性の無い一定の参照電流Iref1,Iref2を発生する。参照電圧発生回路4は、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルの場合に活性化され、参照電流発生回路3からの参照電流Iref1に基づいて、温度依存性の無い一定の参照電圧Vrefを発生する。制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電圧発生回路4は非活性化され、参照電圧発生回路4での消費電流が削減される。
【0015】
温度センサ5は、直列接続された複数のダイオードを含む。複数のダイオードには、参照電流発生回路3で生成された参照電流Iref2が流される。複数のダイオードの順方向電圧の和は、温度センサ5の出力電圧Vtとなる。この電圧Vtは、温度上昇に比例して低下する。電圧Vtは、外部ピンP1に出力される。
【0016】
比較回路6の非反転入力端子(+端子)には参照電圧Vrefが与えられ、その反転入力端子(−端子)には温度センサ5の出力電圧6が与えられる。比較回路6は、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルの場合に活性化され、温度センサ5の出力電圧Vtと参照電圧Vrefとの高低を比較し、電圧Vtが参照電圧Vrefよりも高い場合は外部ピンP4を「L」レベル(0V)にし、電圧Vtが参照電圧Vrefよりも低い場合は外部ピンP4をハイ・インピーダンス状態にする。制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、比較回路6は非活性化され、比較回路6での消費電流が削減される。なお、比較回路6は、ヒステリシス特性を有する。
【0017】
外部ピンP3には、外部から制御信号ENLが与えられる。バッファ7は、外部から外部ピンP3を介して与えられた制御信号ENLを参照電圧発生回路4および比較回路6に伝達する。外部ピンP2には、外部から接地電圧GND(0V)が与えられる。外部ピンP5には、外部から電源電圧VDD(たとえば、2.8V)が与えられる。
【0018】
図2(a)はサーモスタットIC1の上面図であり、図2(b)はその正面図であり、図2(c)はその下面図である。たとえば、サーモスタットIC1の長さは1.6mmであり、その幅は外部ピンP1〜P5も含めて1.6mmであり、その厚さは0.6mmである。基板2の裏面(IC1の下面)の中央部には、接地電極ELが形成されている。接地電極ELは外部ピンP2に接続されている。接地電極ELと外部ピンP2は接地端子を構成する。IC1は、接地電極ELが対象物の温度測定点に接触するようにして、対象物に貼り付けられる。接地電極ELは、対象物の温度を温度センサ5に伝達させる温度伝達路を兼ねている。
【0019】
図3は、外部ピンP1〜P5の使用方法を示す回路ブロック図である。図3において、外部ピンP1は、モニタ装置のハイ・インピーダンス入力段(図示せず)に接続される。また、外部ピンP1と接地電圧GNDのラインとの間に、ノイズ除去用のコンデンサ10が接続される。コンデンサ10の容量値は、たとえば0.1μFである。外部ピンP2は、接地される。外部ピンP3には、制御信号ENLを出力する信号源11が接続される。
【0020】
外部ピンP4は、抵抗素子14を介して電源電圧VDDのラインに接続される。抵抗素子14の抵抗値は、たとえば10kΩである。外部ピンP4がハイ・インピーダンス状態にされると、外部ピンP4に現れる信号OSは「H」レベル(電源電圧VDD)となる。外部ピンP4が「L」レベルにされると、信号OSは「L」レベルになる。外部ピンP5には、電源電圧VDDを出力する直流電源12と、電源電圧VDDを安定化させるためのコンデンサ13が並列接続される。コンデンサ13の容量値は、たとえば1μFである。
【0021】
図4(a)は温度センサ5の出力電圧Vtの温度特性を示す図であり、同図(b)はIC1の出力信号OSの温度特性を示す図である。図4(a)において、電圧Vtは、30℃で1.300Vである。電圧Vtは、30℃から温度が1℃上昇する毎に8.2mV低下する。図4(b)では、目標温度が80℃に設定されている場合が示されている。室温から温度が上昇して80℃に到達すると、信号OSが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。温度が降下して70℃に到達すると、信号OSが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。つまり、このIC1は、10℃のヒステリシスを有する。これは、たとえば、温度が略80℃一定になったとき、信号OSが高い周波数で振動することを防止するためである。
【0022】
図5は、サーモスタットIC1の消費電流IDDを示す図である。このIC1は、2〜7Vの範囲の電源電圧VDDで駆動可能となっている。電源電圧VDDを上昇させると、消費電流IDDのレベルも上昇する。温度Taは、25℃一定とした。図中の実線は制御信号ENLが「H」レベルの場合の消費電流IDDを示し、図中の点線は制御信号ENLが「L」レベルの場合の消費電流IDDを示している。たとえば、電源電圧VDDが4Vの場合、制御信号が「H」レベルから「L」レベルに変化すると、参照電圧発生回路4および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDが7.5μAから3.5μAに減少する。
【0023】
図6は、サーモスタットIC1の動作を例示するタイムチャートである。初期状態では、電源電圧VDDが遮断され、制御信号ENLは非活性化レベルの「L」レベルに固定され、信号OSは「H」レベルにプルアップされている。また、温度は80℃よりも低いものとする。時刻t0において電源電圧VDDが投入されると、参照電流発生回路3が活性化され、3.5μAの消費電流IDDが流れる。また、温度センサ5から電圧Vtが出力される。
【0024】
時刻t1において、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルに立ち上げられると、参照電圧発生回路4および比較回路6が活性化され、7.5μAの消費電流IDDが流れる。制御信号ENLが「H」レベルに立ち上げられてから所定の遅延時間経過後に信号OSが「L」レベルに立ち下げられる(時刻t2)。
【0025】
温度が徐々に上昇して目標温度(80℃)に到達すると(時刻t3)、信号OSが「H」レベルに立ち上げられる。その後、温度が徐々に低下して下限温度(70℃)に到達すると、信号OSが「L」レベルに立ち下げられる(時刻t4)。
【0026】
時刻t5において、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルに立ち下げられると、参照電圧発生回路4および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDが7.5μAから3.5μAに減少する。比較回路6が非活性化されると、信号OSは「H」レベルに固定される。なお、制御信号ENLが「L」レベルの期間でも、参照電流発生回路3は活性化されているので、電圧Vtは出力される。
【0027】
時刻t6において、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルに立ち上げられると、参照電圧発生回路4および比較回路6が活性化され、消費電流IDDが3.5μAから7.5μAに増加する。以下、同様にして、温度が目標温度に到達したか否かが判定される。
【0028】
この実施の形態1では、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電圧発生回路4および比較回路6が非活性化される。したがって、IC全体が常時活性化されていた従来に比べ、消費電流が少なくて済む。
【0029】
なお、図1において、比較回路6の非反転入力端子に温度センサ5の出力電圧Vtを与え、反転入力端子に参照電圧Vrefを与えてもよい。この場合は、温度センサ5の出力電圧Vtが参照電圧Vrefよりも高い場合は外部ピンP4がハイ・インピーダンス状態になって信号OSが「H」レベルになり、電圧Vtが参照電圧Vrefよりも低い場合は外部ピンP4が「L」レベルになって信号OSが「L」レベルになる。
【0030】
[実施の形態2]
図7は、この発明の実施の形態2によるサーモスタットIC20の構成を示すブロック図であって、図1と対比される図である。図7において、このIC20が図1のIC1と異なる点は、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電圧発生回路4および比較回路6に加え、参照電流発生回路3も非活性化される点である。
【0031】
図8は、サーモスタットIC20の消費電流IDDを示す図であって、図5と対比される図である。このIC20では、たとえば、電源電圧VDDが4Vの場合、制御信号が「H」レベルから「L」レベルに変化すると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDが7.5μAから0.3μAに減少する。
【0032】
図9は、サーモスタットIC20の動作を例示するタイムチャートであって、図6と対比される図である。図9において、制御信号ENLが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられると、消費電流IDDが7.5μAから0.3μAに低下し、電圧Vt用の外部ピンP1がハイ・インピーダンス状態にされる。他の構成および動作は、実施の形態1と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【0033】
この実施の形態2では、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化されるので、実施の形態1よりも消費電流が少なくて済む。ただし、制御信号ENLが「L」レベルの場合は、温度センサ5の出力電圧Vtの変化をモニタすることはできない。
【0034】
[実施の形態3]
図10は、この発明の実施の形態3によるサーモスタットIC21の構成を示すブロック図であって、図7と対比される図である。図10において、このIC20が図7のIC20と異なる点は、バッファ7が除去され、発振器22およびラッチ回路23が追加され、制御信号ENLの代わりに制御信号HYが外部ピンP3に与えられる点である。
【0035】
発振器22は、一定周期(たとえば、8ms)の制御信号ENLを生成して参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、比較回路6、およびラッチ回路23に与える。制御信号ENLは、一定周期毎に一定時間(たとえば、1ms)だけ活性化レベルの「H」レベルにされる。
【0036】
参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6は、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルの場合に活性化され、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合に非活性化される。ラッチ回路23は、制御信号ENLの立ち上がりエッジに応答して比較回路6の出力信号を取り込み、制御信号ENLの立下りエッジに応答して比較回路6の出力信号を保持および出力する。ラッチ回路23の出力信号は、外部ピンP4に与えられる。
【0037】
また、参照電圧発生回路4は、制御信号HYに従って、IC21のヒステリシス特性を切換える。制御信号HYが「L」レベルの場合は、IC21のヒステリシス特性は図4で示したIC1のヒステリシス特性と同じになる。すなわち、温度が上昇する場合は温度が目標温度の80℃に到達したことに応じて信号OSが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられ、温度が下降する場合は温度が下限温度の70℃に到達したことに応じて信号OSが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。制御信号HYが「H」レベルの場合は、下限温度が76℃になる。
【0038】
図11は、サーモスタットIC21の動作を例示するタイムチャートである。時刻t0において、電源電圧VDDが投入されると、発振器22が発振を開始し、制御信号ENLを生成する。消費電流IDDは、制御信号ENLに同期して変化する。
【0039】
時刻t1において、制御信号ENLが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が活性化され、消費電流IDDは0.1μAから7.0μAに増加する。このとき、温度Taが80℃以下であったので、比較回路6の出力信号は「L」レベルとなる。この「L」レベルの信号はラッチ回路23に取り込まれ、信号OSは「L」レベルになる。
【0040】
時刻t2において、制御信号ENLが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDは7.0μAから0.1μAに減少する。ラッチ回路23は、制御信号ENLの立下りエッジに応答して比較回路6の出力信号を保持および出力する。したがって、信号OSは「L」レベルに維持される。
【0041】
時刻t3において、制御信号ENLが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が活性化され、消費電流IDDは0.1μAから7.0μAに増加する。このとき、温度Taが80℃以上であったので、比較回路6の出力信号はハイ・インピーダンス状態となる。この信号はラッチ回路23に取り込まれ、信号OSは「H」レベルになる。
【0042】
時刻t4において、制御信号ENLが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDは7.0μAから0.1μAに減少する。ラッチ回路23は、制御信号ENLの立下りエッジに応答して比較回路6の出力信号を保持および出力する。したがって、信号OSは「H」レベルに維持される。以下同様である。
【0043】
この実施の形態3では、実施の形態2と同じ効果が得られる他、制御信号ENLがIC21内で生成されるので、制御信号ENLを外部からIC21に供給する必要がない。したがって、CPUやMPUによってIC21の活性化/非活性化を制御することなく、IC21単体で活性化/非活性化を制御することができる。また、制御信号ENL用の外部ピンP3が不要になるので、余った外部ピンP3を別の用途に使用することが可能となる。
【0044】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】この発明の実施の形態1によるサーモスタットICの構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示したサーモスタットICの外観を示す図である。
【図3】図1に示した外部ピンの使用方法を示す回路ブロック図である。
【図4】図1に示したサーモスタットICの出力電圧Vtおよび出力信号OSの温度特性を示す図である。
【図5】図1に示したサーモスタットICの消費電流を示す図である。
【図6】図1に示したサーモスタットICの動作を例示するタイムチャートである。
【図7】この発明の実施の形態2によるサーモスタットICの構成を示すブロック図である。
【図8】図7に示したサーモスタットICの消費電流を示す図である。
【図9】図7に示したサーモスタットICの動作を例示するタイムチャートである。
【図10】この発明の実施の形態2によるサーモスタットICの構成を示すブロック図である。
【図11】図10に示したサーモスタットICの動作を例示するタイムチャートである。
【符号の説明】
【0046】
1,20,21 サーモスタットIC、2 基板、3 参照電流発生回路、4 参照電圧発生回路、5 温度センサ、6 比較回路、7 バッファ、10,13 コンデンサ、11 信号源、12 直流電源、14 抵抗素子、22 発振器、23 ラッチ回路、P1〜P5 外部ピン。
【技術分野】
【0001】
この発明は半導体装置に関し、特に、検出温度が目標温度に到達したか否かを判定する半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、内蔵の温度センサで検出した温度が目標温度に到達したか否かを判定し、判定結果を示す信号を出力するサーモスタットICが開発されている。このサーモスタットICは、検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力電圧と参照電圧との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路とを備えている(たとえば、特許文献1参照)。
【特許文献1】特開2007−82365号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
しかし、従来のサーモスタットICは消費電流が大きいという問題があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、低消費電流の半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0004】
この発明に係る半導体装置は、検出温度が目標温度に到達したか否かを判定する半導体装置であって、目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度検出回路と、温度検出回路の出力電圧と参照電圧との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路と、参照電圧発生回路、温度検出回路、および比較回路のうちの少なくとも1つの回路の活性化/非活性化を制御する制御手段とを備えたものである。
【0005】
好ましくは、制御手段は、参照電圧発生回路および比較回路の活性化/非活性化を制御する。
【0006】
また好ましくは、制御手段は、参照電圧発生回路、温度検出回路、および比較回路の活性化/非活性化を制御する。
【0007】
また好ましくは、温度検出回路は、一定の参照電流を発生する参照電流発生回路と、参照電流に基づいて検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度センサとを含み、制御手段は、参照電圧発生回路、参照電流発生回路、および比較回路の活性化/非活性化を制御する。
【0008】
また好ましくは、少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、制御手段は、外部から制御信号を受ける信号端子を含む。
【0009】
また好ましくは、少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、制御手段は、一定周期の制御信号を発生する発振器を含む。
【0010】
また好ましくは、さらに、制御信号によって少なくとも1つの回路の非活性化が指示されたことに応じて、比較回路の出力信号を保持および出力するラッチ回路を備える。
【0011】
また好ましくは、さらに、外部から電源電圧を受ける電源端子と、外部から接地電圧を受ける接地端子とを備え、接地端子は、対象物の温度を温度検出回路に伝達させる温度伝達路を兼ねている。
【発明の効果】
【0012】
この発明に係る半導体装置では、参照電圧発生回路、温度検出回路、および比較回路のうちの少なくとも1つの回路の活性化/非活性化を制御する制御手段を設けたので、全ての回路が常時活性化されていた従来に比べ、消費電流が少なくて済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1によるサーモスタットIC1の構成を示すブロック図である。図1において、このサーモスタットIC1は基板2を備える。基板2の表面には、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、温度センサ5、比較回路6、およびバッファ7が形成されている。また、基板2の外周部には外部ピンP1〜P5が設けられている。
【0014】
参照電流発生回路3は、たとえばバンドギャップ定電流源を含み、温度依存性の無い一定の参照電流Iref1,Iref2を発生する。参照電圧発生回路4は、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルの場合に活性化され、参照電流発生回路3からの参照電流Iref1に基づいて、温度依存性の無い一定の参照電圧Vrefを発生する。制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電圧発生回路4は非活性化され、参照電圧発生回路4での消費電流が削減される。
【0015】
温度センサ5は、直列接続された複数のダイオードを含む。複数のダイオードには、参照電流発生回路3で生成された参照電流Iref2が流される。複数のダイオードの順方向電圧の和は、温度センサ5の出力電圧Vtとなる。この電圧Vtは、温度上昇に比例して低下する。電圧Vtは、外部ピンP1に出力される。
【0016】
比較回路6の非反転入力端子(+端子)には参照電圧Vrefが与えられ、その反転入力端子(−端子)には温度センサ5の出力電圧6が与えられる。比較回路6は、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルの場合に活性化され、温度センサ5の出力電圧Vtと参照電圧Vrefとの高低を比較し、電圧Vtが参照電圧Vrefよりも高い場合は外部ピンP4を「L」レベル(0V)にし、電圧Vtが参照電圧Vrefよりも低い場合は外部ピンP4をハイ・インピーダンス状態にする。制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、比較回路6は非活性化され、比較回路6での消費電流が削減される。なお、比較回路6は、ヒステリシス特性を有する。
【0017】
外部ピンP3には、外部から制御信号ENLが与えられる。バッファ7は、外部から外部ピンP3を介して与えられた制御信号ENLを参照電圧発生回路4および比較回路6に伝達する。外部ピンP2には、外部から接地電圧GND(0V)が与えられる。外部ピンP5には、外部から電源電圧VDD(たとえば、2.8V)が与えられる。
【0018】
図2(a)はサーモスタットIC1の上面図であり、図2(b)はその正面図であり、図2(c)はその下面図である。たとえば、サーモスタットIC1の長さは1.6mmであり、その幅は外部ピンP1〜P5も含めて1.6mmであり、その厚さは0.6mmである。基板2の裏面(IC1の下面)の中央部には、接地電極ELが形成されている。接地電極ELは外部ピンP2に接続されている。接地電極ELと外部ピンP2は接地端子を構成する。IC1は、接地電極ELが対象物の温度測定点に接触するようにして、対象物に貼り付けられる。接地電極ELは、対象物の温度を温度センサ5に伝達させる温度伝達路を兼ねている。
【0019】
図3は、外部ピンP1〜P5の使用方法を示す回路ブロック図である。図3において、外部ピンP1は、モニタ装置のハイ・インピーダンス入力段(図示せず)に接続される。また、外部ピンP1と接地電圧GNDのラインとの間に、ノイズ除去用のコンデンサ10が接続される。コンデンサ10の容量値は、たとえば0.1μFである。外部ピンP2は、接地される。外部ピンP3には、制御信号ENLを出力する信号源11が接続される。
【0020】
外部ピンP4は、抵抗素子14を介して電源電圧VDDのラインに接続される。抵抗素子14の抵抗値は、たとえば10kΩである。外部ピンP4がハイ・インピーダンス状態にされると、外部ピンP4に現れる信号OSは「H」レベル(電源電圧VDD)となる。外部ピンP4が「L」レベルにされると、信号OSは「L」レベルになる。外部ピンP5には、電源電圧VDDを出力する直流電源12と、電源電圧VDDを安定化させるためのコンデンサ13が並列接続される。コンデンサ13の容量値は、たとえば1μFである。
【0021】
図4(a)は温度センサ5の出力電圧Vtの温度特性を示す図であり、同図(b)はIC1の出力信号OSの温度特性を示す図である。図4(a)において、電圧Vtは、30℃で1.300Vである。電圧Vtは、30℃から温度が1℃上昇する毎に8.2mV低下する。図4(b)では、目標温度が80℃に設定されている場合が示されている。室温から温度が上昇して80℃に到達すると、信号OSが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられる。温度が降下して70℃に到達すると、信号OSが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。つまり、このIC1は、10℃のヒステリシスを有する。これは、たとえば、温度が略80℃一定になったとき、信号OSが高い周波数で振動することを防止するためである。
【0022】
図5は、サーモスタットIC1の消費電流IDDを示す図である。このIC1は、2〜7Vの範囲の電源電圧VDDで駆動可能となっている。電源電圧VDDを上昇させると、消費電流IDDのレベルも上昇する。温度Taは、25℃一定とした。図中の実線は制御信号ENLが「H」レベルの場合の消費電流IDDを示し、図中の点線は制御信号ENLが「L」レベルの場合の消費電流IDDを示している。たとえば、電源電圧VDDが4Vの場合、制御信号が「H」レベルから「L」レベルに変化すると、参照電圧発生回路4および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDが7.5μAから3.5μAに減少する。
【0023】
図6は、サーモスタットIC1の動作を例示するタイムチャートである。初期状態では、電源電圧VDDが遮断され、制御信号ENLは非活性化レベルの「L」レベルに固定され、信号OSは「H」レベルにプルアップされている。また、温度は80℃よりも低いものとする。時刻t0において電源電圧VDDが投入されると、参照電流発生回路3が活性化され、3.5μAの消費電流IDDが流れる。また、温度センサ5から電圧Vtが出力される。
【0024】
時刻t1において、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルに立ち上げられると、参照電圧発生回路4および比較回路6が活性化され、7.5μAの消費電流IDDが流れる。制御信号ENLが「H」レベルに立ち上げられてから所定の遅延時間経過後に信号OSが「L」レベルに立ち下げられる(時刻t2)。
【0025】
温度が徐々に上昇して目標温度(80℃)に到達すると(時刻t3)、信号OSが「H」レベルに立ち上げられる。その後、温度が徐々に低下して下限温度(70℃)に到達すると、信号OSが「L」レベルに立ち下げられる(時刻t4)。
【0026】
時刻t5において、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルに立ち下げられると、参照電圧発生回路4および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDが7.5μAから3.5μAに減少する。比較回路6が非活性化されると、信号OSは「H」レベルに固定される。なお、制御信号ENLが「L」レベルの期間でも、参照電流発生回路3は活性化されているので、電圧Vtは出力される。
【0027】
時刻t6において、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルに立ち上げられると、参照電圧発生回路4および比較回路6が活性化され、消費電流IDDが3.5μAから7.5μAに増加する。以下、同様にして、温度が目標温度に到達したか否かが判定される。
【0028】
この実施の形態1では、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電圧発生回路4および比較回路6が非活性化される。したがって、IC全体が常時活性化されていた従来に比べ、消費電流が少なくて済む。
【0029】
なお、図1において、比較回路6の非反転入力端子に温度センサ5の出力電圧Vtを与え、反転入力端子に参照電圧Vrefを与えてもよい。この場合は、温度センサ5の出力電圧Vtが参照電圧Vrefよりも高い場合は外部ピンP4がハイ・インピーダンス状態になって信号OSが「H」レベルになり、電圧Vtが参照電圧Vrefよりも低い場合は外部ピンP4が「L」レベルになって信号OSが「L」レベルになる。
【0030】
[実施の形態2]
図7は、この発明の実施の形態2によるサーモスタットIC20の構成を示すブロック図であって、図1と対比される図である。図7において、このIC20が図1のIC1と異なる点は、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電圧発生回路4および比較回路6に加え、参照電流発生回路3も非活性化される点である。
【0031】
図8は、サーモスタットIC20の消費電流IDDを示す図であって、図5と対比される図である。このIC20では、たとえば、電源電圧VDDが4Vの場合、制御信号が「H」レベルから「L」レベルに変化すると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDが7.5μAから0.3μAに減少する。
【0032】
図9は、サーモスタットIC20の動作を例示するタイムチャートであって、図6と対比される図である。図9において、制御信号ENLが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられると、消費電流IDDが7.5μAから0.3μAに低下し、電圧Vt用の外部ピンP1がハイ・インピーダンス状態にされる。他の構成および動作は、実施の形態1と同じであるので、その説明は繰り返さない。
【0033】
この実施の形態2では、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合は、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化されるので、実施の形態1よりも消費電流が少なくて済む。ただし、制御信号ENLが「L」レベルの場合は、温度センサ5の出力電圧Vtの変化をモニタすることはできない。
【0034】
[実施の形態3]
図10は、この発明の実施の形態3によるサーモスタットIC21の構成を示すブロック図であって、図7と対比される図である。図10において、このIC20が図7のIC20と異なる点は、バッファ7が除去され、発振器22およびラッチ回路23が追加され、制御信号ENLの代わりに制御信号HYが外部ピンP3に与えられる点である。
【0035】
発振器22は、一定周期(たとえば、8ms)の制御信号ENLを生成して参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、比較回路6、およびラッチ回路23に与える。制御信号ENLは、一定周期毎に一定時間(たとえば、1ms)だけ活性化レベルの「H」レベルにされる。
【0036】
参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6は、制御信号ENLが活性化レベルの「H」レベルの場合に活性化され、制御信号ENLが非活性化レベルの「L」レベルの場合に非活性化される。ラッチ回路23は、制御信号ENLの立ち上がりエッジに応答して比較回路6の出力信号を取り込み、制御信号ENLの立下りエッジに応答して比較回路6の出力信号を保持および出力する。ラッチ回路23の出力信号は、外部ピンP4に与えられる。
【0037】
また、参照電圧発生回路4は、制御信号HYに従って、IC21のヒステリシス特性を切換える。制御信号HYが「L」レベルの場合は、IC21のヒステリシス特性は図4で示したIC1のヒステリシス特性と同じになる。すなわち、温度が上昇する場合は温度が目標温度の80℃に到達したことに応じて信号OSが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられ、温度が下降する場合は温度が下限温度の70℃に到達したことに応じて信号OSが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられる。制御信号HYが「H」レベルの場合は、下限温度が76℃になる。
【0038】
図11は、サーモスタットIC21の動作を例示するタイムチャートである。時刻t0において、電源電圧VDDが投入されると、発振器22が発振を開始し、制御信号ENLを生成する。消費電流IDDは、制御信号ENLに同期して変化する。
【0039】
時刻t1において、制御信号ENLが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が活性化され、消費電流IDDは0.1μAから7.0μAに増加する。このとき、温度Taが80℃以下であったので、比較回路6の出力信号は「L」レベルとなる。この「L」レベルの信号はラッチ回路23に取り込まれ、信号OSは「L」レベルになる。
【0040】
時刻t2において、制御信号ENLが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDは7.0μAから0.1μAに減少する。ラッチ回路23は、制御信号ENLの立下りエッジに応答して比較回路6の出力信号を保持および出力する。したがって、信号OSは「L」レベルに維持される。
【0041】
時刻t3において、制御信号ENLが「L」レベルから「H」レベルに立ち上げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が活性化され、消費電流IDDは0.1μAから7.0μAに増加する。このとき、温度Taが80℃以上であったので、比較回路6の出力信号はハイ・インピーダンス状態となる。この信号はラッチ回路23に取り込まれ、信号OSは「H」レベルになる。
【0042】
時刻t4において、制御信号ENLが「H」レベルから「L」レベルに立ち下げられると、参照電流発生回路3、参照電圧発生回路4、および比較回路6が非活性化され、消費電流IDDは7.0μAから0.1μAに減少する。ラッチ回路23は、制御信号ENLの立下りエッジに応答して比較回路6の出力信号を保持および出力する。したがって、信号OSは「H」レベルに維持される。以下同様である。
【0043】
この実施の形態3では、実施の形態2と同じ効果が得られる他、制御信号ENLがIC21内で生成されるので、制御信号ENLを外部からIC21に供給する必要がない。したがって、CPUやMPUによってIC21の活性化/非活性化を制御することなく、IC21単体で活性化/非活性化を制御することができる。また、制御信号ENL用の外部ピンP3が不要になるので、余った外部ピンP3を別の用途に使用することが可能となる。
【0044】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【0045】
【図1】この発明の実施の形態1によるサーモスタットICの構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示したサーモスタットICの外観を示す図である。
【図3】図1に示した外部ピンの使用方法を示す回路ブロック図である。
【図4】図1に示したサーモスタットICの出力電圧Vtおよび出力信号OSの温度特性を示す図である。
【図5】図1に示したサーモスタットICの消費電流を示す図である。
【図6】図1に示したサーモスタットICの動作を例示するタイムチャートである。
【図7】この発明の実施の形態2によるサーモスタットICの構成を示すブロック図である。
【図8】図7に示したサーモスタットICの消費電流を示す図である。
【図9】図7に示したサーモスタットICの動作を例示するタイムチャートである。
【図10】この発明の実施の形態2によるサーモスタットICの構成を示すブロック図である。
【図11】図10に示したサーモスタットICの動作を例示するタイムチャートである。
【符号の説明】
【0046】
1,20,21 サーモスタットIC、2 基板、3 参照電流発生回路、4 参照電圧発生回路、5 温度センサ、6 比較回路、7 バッファ、10,13 コンデンサ、11 信号源、12 直流電源、14 抵抗素子、22 発振器、23 ラッチ回路、P1〜P5 外部ピン。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
検出温度が目標温度に到達したか否かを判定する半導体装置であって、
前記目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、
前記検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度検出回路と、
前記温度検出回路の出力電圧と前記参照電圧との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路と、
前記参照電圧発生回路、前記温度検出回路、および前記比較回路のうちの少なくとも1つの回路の活性化/非活性化を制御する制御手段とを備える、半導体装置。
【請求項2】
前記制御手段は、前記参照電圧発生回路および前記比較回路の活性化/非活性化を制御する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記制御手段は、前記参照電圧発生回路、前記温度検出回路、および前記比較回路の活性化/非活性化を制御する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記温度検出回路は、
一定の参照電流を発生する参照電流発生回路と、
前記参照電流に基づいて前記検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度センサとを含み、
前記制御手段は、前記参照電圧発生回路、前記参照電流発生回路、および前記比較回路の活性化/非活性化を制御する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、
前記制御手段は、外部から前記制御信号を受ける信号端子を含む、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、
前記制御手段は、一定周期の前記制御信号を発生する発振器を含む、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項7】
さらに、前記制御信号によって前記少なくとも1つの回路の非活性化が指示されたことに応じて、前記比較回路の出力信号を保持および出力するラッチ回路を備える、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
さらに、外部から電源電圧を受ける電源端子と、
外部から接地電圧を受ける接地端子とを備え、
前記接地端子は、対象物の温度を前記温度検出回路に伝達させる温度伝達路を兼ねている、請求項1から請求項7までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項1】
検出温度が目標温度に到達したか否かを判定する半導体装置であって、
前記目標温度に応じたレベルの一定の参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、
前記検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度検出回路と、
前記温度検出回路の出力電圧と前記参照電圧との高低を比較し、比較結果を示す信号を出力する比較回路と、
前記参照電圧発生回路、前記温度検出回路、および前記比較回路のうちの少なくとも1つの回路の活性化/非活性化を制御する制御手段とを備える、半導体装置。
【請求項2】
前記制御手段は、前記参照電圧発生回路および前記比較回路の活性化/非活性化を制御する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記制御手段は、前記参照電圧発生回路、前記温度検出回路、および前記比較回路の活性化/非活性化を制御する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記温度検出回路は、
一定の参照電流を発生する参照電流発生回路と、
前記参照電流に基づいて前記検出温度に応じたレベルの電圧を出力する温度センサとを含み、
前記制御手段は、前記参照電圧発生回路、前記参照電流発生回路、および前記比較回路の活性化/非活性化を制御する、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、
前記制御手段は、外部から前記制御信号を受ける信号端子を含む、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記少なくとも1つの回路の活性化/非活性化は制御信号によって制御され、
前記制御手段は、一定周期の前記制御信号を発生する発振器を含む、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の半導体装置。
【請求項7】
さらに、前記制御信号によって前記少なくとも1つの回路の非活性化が指示されたことに応じて、前記比較回路の出力信号を保持および出力するラッチ回路を備える、請求項6に記載の半導体装置。
【請求項8】
さらに、外部から電源電圧を受ける電源端子と、
外部から接地電圧を受ける接地端子とを備え、
前記接地端子は、対象物の温度を前記温度検出回路に伝達させる温度伝達路を兼ねている、請求項1から請求項7までのいずれかに記載の半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2010−78501(P2010−78501A)
【公開日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−248373(P2008−248373)
【出願日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【出願人】(000116024)ローム株式会社 (3,539)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年4月8日(2010.4.8)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【出願人】(000116024)ローム株式会社 (3,539)
【Fターム(参考)】
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