【課題】回路規模を低減しつつ任意の論理を実現可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積回路は、第１論理ブロックを少なくとも１つ含む第１回路群と、第１論理ブロックよりも多い数の第２論理ブロックを含む第２回路群と、入力データを第１論理ブロックまたは第２論理ブロックへ入力する機能、および、第１論理ブロックまたは第２論理ブロックから出力される出力データを外部へ出力する機能を有する入出力部とを含む。第１回路群は、第１スイッチブロックと、第１電源制御回路とを有する。第１電源制御回路は、第１回路群に含まれる第１論理ブロックおよび第１スイッチブロックに対する電力の供給および停止を共通に制御する。第２回路群は、第２スイッチブロックと第２電源制御回路とを有する。第２電源制御回路は、第２回路群に含まれる論理ブロックおよび第２スイッチブロックに対する電力の供給および停止を共通に制御する。 （もっと読む）

【課題】データ信号ラインにＡＣ結合部が含まれる出力回路を備える半導体装置のＤＣテストの実施には、振幅を維持できないという問題がある。そのため、データ信号ラインにＡＣ結合部が含まれる出力回路を備える半導体装置であって、ＤＣテストを可能にする半導体装置が、望まれる。
【解決手段】半導体装置は、データ信号を外部に出力するメインドライバと、データ信号が伝達する配線と接続されているコンデンサと、一端がコンデンサと接続され、他の一端がバイアス電圧源に接続されている終端抵抗と、バイアス電圧源と終端抵抗との間に接続されている第１のスイッチと、を含むＡＣ結合部と、テストモード時にＡＣ結合部のバイアス電圧源と終端抵抗との接続を、第１のスイッチにより遮断する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】非導通状態におけるトランジスタから漏出するリーク電流を正確に測定することができるテスト回路を実現する。
【解決手段】遅延回路は、制御トランジスタ、測定対象トランジスタおよびコンデンサを備える。制御トランジスタは、入力端子の電位に応じて導通状態および非導通状態のうちのいずれかに移行することにより出力端子の電位を変化させる。チャネルの極性が前記制御トランジスタと同一の測定対象トランジスタは、電源とアースとの間において制御トランジスタに直列に接続される。コンデンサは、制御トランジスタが導通状態から非導通状態へ移行した場合に測定対象トランジスタから漏出したリーク電流の値に応じて出力端子の電位の変化を遅延させる。反転回路は、出力端子の電位を反転して前記入力端子に帰還させる。 （もっと読む）

【課題】異なる配線を介して異なる電源端子から内部回路を構成する第１の回路および第２の回路にそれぞれ給電する際に、第１の回路に給電する配線と第２の回路に給電する配線との間に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の回路に給電を行う第１の電源配線と、第２の回路に給電を行う第２の電源配線と、第１の電源配線と第２の電源配線との間に容量素子を設けることにより、両端子間のインピーダンスを、大幅に低減させることにより異種電源間のノイズを低減する。 （もっと読む）

【課題】常時動作領域と電源遮断可能領域とが混在する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体基板に設けられ、複数の基本セル（１０）の配置が可能なセル配置領域と、空間的に前記セル配置領域と重なって設けられた基本電源配線（１１）と、前記基本電源配線（１１）から前記セル配置領域への電源供給を停止するスイッチセル（６）と、前記スイッチセル（６）に隣接して前記セル配置領域に配置され、前記スイッチセル（６）が前記セル配置領域への電源供給を停止した場合においても、前記スイッチセル（６）から電源供給を受ける常時動作セル（５）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電圧測定回路における電流損失を抑え、異常動作の場合であっても電圧測定回路が破壊されない半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明は、第１導通電極と、第２導通電極とを有する半導体スイッチ素子１０と、半導体スイッチ素子１０の第１導通電極および第２導通電極間の電圧を測定するための電圧測定回路３１とを備える半導体装置１０１である。電圧測定回路３１は、半導体スイッチ素子１０と並列に接続され、半導体スイッチ素子１０の導通方向に印加される電圧を所定値に制限するダイオード素子１１と、ダイオード素子１１に直列に接続された制御用スイッチ７と、半導体スイッチ素子１０がオフ状態のときに制御用スイッチ７をオフ状態にし、半導体スイッチ素子１０がオン状態のときに制御用スイッチ７をオン状態にするスイッチ制御部１５とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路ブロックへの電力供給復帰時に、無駄な充放電を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、第１電源電圧を供給する第１電源線と、第１電源電圧よりも高い第２電源電圧を供給する第２電源線と、前段回路ブロックと、前段回路ブロックの出力信号に基づいて動作する後段回路ブロックと、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに対する第１電源電圧及び第２電源電圧の供給を制御する電力供給制御回路と、を備える。電力供給制御回路は、後段回路ブロックへの第１電源電圧の供給開始タイミングを前段回路ブロックへの第１電源電圧の供給開始タイミングよりも遅延させる。更に、電力供給制御回路は、前段回路ブロック及び後段回路ブロックに第１電源電圧が供給された後に、第２電源電圧を前段回路ブロックと後段回路ブロックの両方に供給する。 （もっと読む）

【課題】起動時の消費電流を小さく抑制できるチャージポンプ回路を提供する。
【解決手段】このチャージポンプ回路３０では、ポンプ回路１０の起動期間は分周クロック信号ＣＬＫＤをポンプ回路１０に与えてポンプ回路１０の電流供給能力を低く設定し、起動期間の終了後はクロック信号ＣＬＫをポンプ回路１０に与えてポンプ回路１０の電流供給能力を高く設定する。したがって、起動期間はポンプ回路１０の消費電流を小さく抑制し、起動期間の終了後はポンプ回路１０の電流供給能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】通過損失を低減するためにオン状態時の抵抗を小さくしても、十分なアイソレーション量を確保する高周波スイッチを得る。
【解決手段】トランジスタ５ａ，５ｂのオフ容量Ｃｏｆｆと同一の容量Ｃｃを有するクロスカップルキャパシタ８ａ，８ｂを設ける。
クロスカップルキャパシタ８ａ，８ｂにより、トランジスタ５ａ，５ｂのオフ容量Ｃｏｆｆをキャンセルすることができるので、アイソレーションを大きく改善することができる。したがって、通過損失を低減するためにトランジスタ５ａ，５ｂのオン抵抗Ｒｏｎを小さくしても、十分なアイソレーション量を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】突入電流を抑制できるとともに、チップ面積の増大を抑制することのできる半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体集積回路装置は、ソースが入力電源線に接続され、ドレインが出力電源線に接続され、ゲートが第１制御線に接続された少なくとも１つの第１トランジスタと、ソースが前記入力電源線に接続され、ドレインが前記出力電源線に接続され、ゲートが第２制御線に接続された少なくとも１つの第２トランジスタと、前記第１制御線を駆動する第１バッファと、前記第１制御線を介して入力される制御信号を受け、前記第２制御線を駆動する第２バッファと、前記第１制御線を複数個に分割しかつこれらの分割された第１制御線間を接続するように設けられた複数のトランスファゲートと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェイクアップ中の電力スイッチ加速方法及び装置を提供する。
【解決手段】一実施形態において、集積回路は、少なくとも１つの電力ゲート回路ブロックを含む。電力ゲート回路ブロックは、該ブロックがアクティブであるときにその回路へ電圧を送るバーチャル電圧ノードを含む。バーチャル電圧ノードと、それに対応するグローバル電圧ノードとの間に電力スイッチが結合される。電力ゲート回路ブロックがパワーオンであるときに、電力スイッチが順次にアクチベートされる。電力スイッチがアクチベートされる割合は、バーチャル電圧ノードの電圧が増加するにつれて高くなる。電力スイッチを順次にアクチベートすることで、過剰な電流が電力ゲート回路ブロックに流入するのを防止する。バーチャル電圧ノードの電圧が少なくともあるレベルにあるときに電力スイッチがアクチベートされる割合を高めることで、より高速のウェイクアップを許すことができる。 （もっと読む）

【課題】複数の出力トランジスタが並列接続された構成を備え、出力トランジスタを含む各電流経路間で分担電流を高精度に均一に揃えることができる半導体装置、および当該半導体装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】互いに並列に接続された複数の出力トランジスタを備える半導体装置であって、出力トランジスタごとに設けられ第１の制御信号を供給する駆動回路と、第１の制御信号に含める出力トランジスタのコンダクタンスの情報を有するデータを記憶するメモリと、メモリにデータを入力するための第１の外部入力端子と、各駆動回路に出力トランジスタを１つずつ入れ替わり導通させる第２の制御信号を入力するための第２の外部入力端子とを備え、各駆動回路は、メモリに記憶されている駆動対象の出力トランジスタについてのデータを読み出して、コンダクタンスの情報を含む第１の制御信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】スタンバイ状態時における第１導電型のトランジスタでの劣化を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１導電型のトランジスタを含み縦列接続された複数の回路と、複数の回路の其々の入力端子のうち他の回路と接続された接続入力端子と接続し接続入力端子の電圧を制御するための制御信号の活性化に応じて、接続入力端子に、該接続入力端子から電圧を受け付ける回路内の第１導電型のトランジスタを非導通状態とする第１の電圧を供給する制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多様な信号規格の処理に対応する半導体集積回路において、様々な周期性の違いに伴いタイミングと時間幅が変わるアイドル状態に対応した電源制御を適用し、消費電力を低減する。
【解決手段】処理状態と待機状態とを周期的に繰り返して処理を行う半導体集積回路の電源ドメインを制御する電源制御装置であって、待機状態の発生期間および発生間隔を含む周期的特徴情報を取得する周期情報取得部１０３と、電源ドメインが待機状態における待機電圧から半導体集積回路が動作可能となる電圧へ復帰するまでに要する復帰時間と対応付けられた待機電圧候補から、発生期間よりも復帰時間が短くなる待機電圧を電源制御情報として設定する電源制御情報設定部１０４と、電源制御情報に従って発生期間における電源ドメインの待機電圧を制御する電源制御部１０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】より高電圧をより高速にスイッチングできる高速スイッチング動作回路を提供する。
【解決手段】ＤＣ／ＤＣコンバータ１は、活性領域がＳｉＣ半導体からなるＭＩＳＦＥＴで構成されたスイッチング素子１０を有する。駆動回路１１は、スイッチング素子１０を１ＭＨｚ以上の駆動周波数で駆動する。スイッチング素子１０のスイッチング時の電圧変化速度は５×１０^９Ｖ／秒以上である。前記ＭＩＳＦＥＴは、活性領域に形成されたトレンチと、トレンチの底面および壁面を絶縁膜と、絶縁膜を介して活性領域に対向するゲート電極とを含むトレンチゲート構造を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することが可能な半導体装置および電源供給方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、内部回路３に電源を供給する電源供給部４と、内部回路３の複数の場所における特性をモニタする複数のモニタ部１_１〜１_Ｎと、複数のモニタ部１_１〜１_Ｎから出力された信号Ｃ_１〜Ｃ_Ｎに基づき算出されたモニタ値Ｃ_ＡＶＥと、設定された比較値ＣＯＭＰとの比較結果に応じて電源供給部４を制御する制御部２と、を備える。制御部２は、複数のモニタ部１_１〜１_Ｎにおける特性のばらつきに応じて比較値ＣＯＭＰを設定する。 （もっと読む）

【課題】不具合の発生が抑制された半導体集積回路を提供する。
【解決手段】電圧レベルの高いＨｉ信号、及び、該Ｈｉ信号よりも電圧レベルの低いＬｏ信号が異なるタイミングで入力される第１入力端子と、Ｈｉ信号が常時入力される第２入力端子と、第１入力端子のＨｉ信号によって第１動作状態、第１入力端子のＬｏ信号によって第２動作状態に制御される素子と、を有する半導体集積回路であって、第２入力端子とグランドとの間にスイッチング素子が設けられており、該スイッチング素子は、第１入力端子にＨｉ信号が入力されている時にＯＦＦ状態、第１入力端子にＬｏ信号が入力されている時にＯＮ状態となる。 （もっと読む）

【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路ＢＬＤＵ，ＢＬＤＤ，ＢＬＢＤＵ，ＢＬＢＤＤは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢを第１の磁化状態に初期設定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢに直流電流を流す。電源配線ＤＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢは、電源配線ＤＬに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第２の磁化状態に変化する。センスアンプ１０は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢが第１の磁化状態から第２の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢを介してトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに流れる電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】高い電圧を有する入力信号に対して適切に動作するアナログスイッチを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】入力端子と出力端子との間にＰチャネルトランジスタとＮチャネルトランジスタとを並列に接続したアナログスイッチと，入力端子に印加される入力電圧に応じて，Ｐチャネルトランジスタの第１ゲート電圧及び第１バックゲート電圧と，Ｎチャネルトランジスタの第２ゲート電圧及び第２バックゲート電圧とのそれぞれの電位を可変生成する可変電圧回路と，アナログスイッチを導通または非導通に制御する制御信号を可変電圧回路に供給する制御回路とを有する。可変電圧回路は，導通に制御する制御信号に応答して，可変生成される第１ゲート電圧と第２ゲート電圧とをＰチャネルトランジスタとＮチャネルトランジスタのゲートにそれぞれ出力する。 （もっと読む）