半導体装置の製造方法
【課題】溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1配線5上に、SiおよびOを含む第2絶縁層6が形成された後、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、MnOからなる金属膜18が被着される。このとき、第2溝11の内面およびビアホール12の側面には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込み、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。そして、金属膜18におけるビアホール12の底面に形成された部分が除去された後、ビアホール12にビア15が埋設されるとともに、第2溝11に第2配線14が埋設される。
【解決手段】第1配線5上に、SiおよびOを含む第2絶縁層6が形成された後、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、MnOからなる金属膜18が被着される。このとき、第2溝11の内面およびビアホール12の側面には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込み、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成される。そして、金属膜18におけるビアホール12の底面に形成された部分が除去された後、ビアホール12にビア15が埋設されるとともに、第2溝11に第2配線14が埋設される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、Cu(銅)を主成分とする金属材料からなるCu配線を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
高集積化された半導体装置において、配線の材料として、Al(アルミニウム)よりも導電性の高いCuを採用したものがある。Cuからなる配線は、Cuがドライエッチングによる微細なパターニングが困難であることから、ダマシン法により、半導体基板上の絶縁膜(層間絶縁膜)に形成された微細な溝に埋設される。
絶縁膜の材料としては、通常、SiO2が採用される。ところが、Cuは、SiO2への拡散性が高い。そのため、SiO2からなる絶縁膜に形成された溝の内面とCuからなる配線とが直に接すると、Cuが絶縁膜中に拡散し、これにより絶縁膜の絶縁耐圧が低下する。したがって、絶縁膜とCuからなる配線との間には、Cuの絶縁膜への拡散を防止するためのバリア膜が必要となる。
【0003】
バリア膜を形成する手法として、CuとMn(マンガン)との合金(CuMn合金)を用いた自己形成プロセスが知られている(たとえば、特許文献1参照)。この自己形成プロセスでは、配線の形成に先立ち、スパッタ法により、溝の内面を含む絶縁膜の表面上に、CuMn合金からなる合金膜が形成される。次いで、めっき法により、合金膜上に、Cuからなるめっき層が形成される。その後、熱処理が行われることにより、合金膜中のMnが絶縁膜中のSi(シリコン)およびO(酸素)と結合し、溝の内面上にMnxSiyOz(x,y,z:零よりも大きい数。以下、単に「MnSiO」と記載する。)からなるバリア膜が形成される。
【特許文献1】特開2005−277390号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
バリア膜の形成に寄与しない余分なMnは、Cuからなるめっき層中に拡散する。Mnのめっき層中への拡散量が多いと、そのめっき層を平坦化して形成されるCu配線中にMnが残留し、配線の抵抗が増大する。そのため、CuMn合金からなる合金膜は、バリア膜の形成に必要十分な厚さに形成されることが好ましい。
しかし、スパッタ法では、溝の底面と比べてその側面にCuMn合金が付着しにくいため、溝の底面上における合金膜の厚さがバリア膜の形成に必要十分な厚さとなるように、合金膜が全体的に薄く形成されると、合金膜における溝の側面上に形成される部分が薄くなりすぎる。その結果、合金膜と溝の側面との密着性が低下し、溝の側面上で合金膜の膜剥がれが生じるおそれがある。膜剥がれが生じると、その部分に、MnSiOからなるバリア膜が良好に形成されない。
【0005】
そこで、本発明の目的は、バリア膜を良好に形成することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、SiおよびOを含む絶縁性材料からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に溝を形成する溝形成工程と、スパッタ法により、前記溝の内面にMnOx(x:零よりも大きい数)からなる金属膜を被着させる金属膜被着工程と、前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるCu配線を形成する配線形成工程とを含む、半導体装置の製造方法である。
【0007】
この方法によれば、まず、SiおよびOを含む絶縁性材料からなる絶縁層に、溝が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面(溝が凹状に形成される場合、その溝の側面および底面)に、MnOx(x:零よりも大きい数、以下、単に「MnO」と記載する。)からなる金属膜が被着される。このとき、溝の内面、つまり絶縁層における溝に臨む部分には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜中のMnOが入り込む。これにより、絶縁層中のSiおよびOと金属膜中のMnOとが結合して、溝の内面に、MnSiOからなるバリア膜が形成される。その後、金属膜(バリア膜)上に、Cuを主成分とするCu配線が形成される。
【0008】
MnOは、CuMn合金と比較して、SiおよびOを含む絶縁材料に対する密着性が高い。そのため、MnOからなる金属膜は、所望する厚さのバリア膜の形成に必要十分な程度の小さい厚さに形成されても、溝の側面からの膜剥がれを生じにくい。したがって、溝の内面上にバリア膜を良好に形成することができる。また、溝の内面に金属膜を被着させる際に、スパッタリングのエネルギーによってMnSiOからなるバリア膜を形成することができるので、バリア膜を形成するための熱処理を行う必要がない。
【0009】
そして、金属膜をそのような小さい厚さ(所望する厚さのバリア膜の形成に必要十分な厚さ)に形成することにより、バリア膜の形成に寄与しない余分なMnの量を低減することができる。これにより、バリア膜上に形成されるCu配線中のMnの残留量を低減することができる。
よって、溝の内面上にバリア膜を良好に形成することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減することができる。
【0010】
また、請求項2に記載のように、前記絶縁層の下層に、前記Cu配線と電気的に接続される下配線が形成されていてもよい。この場合、前記溝形成工程後であって前記金属膜被着工程の前に、前記溝から前記下配線に向けて延び、前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程が行われ、前記金属膜被着工程後に、前記ビアホールにCuを主成分とするビアを形成するビア形成工程が行われることにより、下配線とCu配線との電気的な接続を達成することができる。また、前記金属膜被着工程では、前記溝の内面に加えて、前記ビアホールの側面および前記下配線の表面における前記ビアホールに臨む部分に前記金属膜が被着されることにより、ビアホールの側面に、MnSiOからなるバリア膜を形成することができる。
【0011】
金属膜の材料であるMnOは、Cuと比較して電気抵抗が高い。そのため、下配線の表面におけるビアホールに臨む部分上にMnOからなる金属膜が存在していると、ビアと下配線との間の電気抵抗が高くなる。
そこで、請求項3に記載のように、前記ビア形成工程に先立ち、水素還元処理により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分からOを除去する工程を含むことが好ましい。Oが除去されることにより、MnOがMnに還元される。そして、Mnがビアなどに拡散することにより、下配線上から金属膜が消失する。
【0012】
また、その工程に代えて、請求項4に記載のように、前記ビア形成工程に先立ち、逆スパッタ法により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分を選択的に除去する工程が行われてもよい。逆スパッタ法は、スパッタ法と同一のスパッタリング装置で実施することができる。そのため、金属膜における下配線の表面に接する部分を除去する工程で逆スパッタ法が用いられることにより、同一のスパッタリング装置において、金属膜被着工程に連続して、その金属膜の部分的な除去の工程を行うことができる。さらに、Cu配線がめっき法により形成される場合には、スパッタ法により、金属膜上にシード膜が形成される。この場合、金属膜被着工程およびその金属膜の部分的な除去の工程に加えて、そのシード膜を形成する工程を同一のスパッタリング装置で連続して行うことができる。そのため、半導体製造装置の構成を簡素化することができ、また、それらの工程間での半導体ウエハ(前記絶縁層が形成されたウエハ状態の半導体基板)の搬送が不要であるので、半導体装置の製造に要する時間を短縮することができる。
【0013】
請求項5に記載のように、前記配線形成工程は、スパッタ法により、前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるシード膜を形成する工程と、めっき法により、前記シード膜上にCuからなるめっき層を形成する工程とが含まれていてもよい。
ただし、めっき層は、めっき成長したままの状態では、その結晶構造が均一でなく、比抵抗が高い。そこで、めっき法により第2配線およびビアが形成される場合には、請求項
6に記載のように、前記配線形成工程後、熱処理により、前記めっき層を結晶化させる結晶化工程を含むことが好ましい。これにより、めっき層の結晶構造が均一化(結晶化)されるので、そのめっき層からなるCu配線およびビアの比抵抗を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
半導体装置1は、半導体基板(図示せず)上に、Cuを配線材料として用いた多層配線構造を有している。
半導体基板は、たとえば、Si(シリコン)基板からなる。半導体基板の表層部には、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの機能素子が作り込まれている。
【0015】
半導体基板上には、SiO2(酸化シリコン)からなる第1絶縁層2が積層されている。
第1絶縁層2の表層部には、所定の配線パターンに対応した微細な第1溝3が形成されている。第1溝3の内面(側面および底面)には、MnSiOからなる第1バリア膜4が形成されている。そして、第1溝3内には、第1バリア膜4を介して、Cuを主成分とする金属材料からなる第1配線5が埋設されている。
【0016】
第1絶縁層2上には、第2絶縁層6が積層されている。第2絶縁層6は、拡散防止膜7、第1層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および第2層間絶縁膜10を、第1絶縁層2側からこの順に積層した構造を有している。
拡散防止膜7は、たとえば、SiC(炭化シリコン)およびSiCN(炭窒化シリコン)を積層した構造を有している。第1層間絶縁膜8および第2層間絶縁膜10は、たとえば、SiO2からなる。エッチングストッパ膜9は、たとえば、SiCからなる。
【0017】
第2絶縁層6の表層部には、所定の配線パターンに対応した第2溝11が形成されている。また、第2絶縁層6には、第1配線5と第2溝11とが対向する部分に、ビアホール12が貫通して形成されている。
第2溝11およびビアホール12の内面には、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成されている。そして、第2溝11およびビアホール12内には、第2バリア膜13を介して、それぞれCuを主成分とする金属材料からなる第2配線14およびビア15が埋設されている。第2配線14およびビア15は、一体をなしている。
【0018】
図2A〜2Gは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を順に示す模式的な断面図である。
図2Aに示すように、第1バリア膜4および第1配線5が埋設された第1絶縁層2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、拡散防止膜7、第1層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および第2層間絶縁膜10がこの順に積層される。これにより、第1絶縁層2上に、第2絶縁層6が形成される。
【0019】
その後、図2Bに示すように、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。具体的には、まず、第2絶縁層6上に、ビアホール12が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有するマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8がドライエッチングされる。このとき、適当なタイミングで反応ガス(エッチャント)を切り換えることにより、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8が連続的にエッチングされる。次に、第2絶縁層6上からマスクが除去された後、第2絶縁層6上に、第2溝11が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有する新たなマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10がドライエッチングされる。その後、拡散防止膜7およびエッチングストッパ膜9の露出した部分が除去されることにより、第2溝11およびビアホール12が形成される。
【0020】
次いで、図2Cに示すように、スパッタ法により、第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域、ならびに第1配線5の表面におけるビアホール12に臨む部分に、MnOからなる金属膜18が被着される。金属膜18は、第2バリア膜13の形成に必要かつ十分な程度の厚さ(たとえば、1〜10nm)に形成される。このとき、金属膜18における第2絶縁層6に接する部分(第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域)には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込む。これにより、第2絶縁層6中のSiおよびOと金属膜18中のMnOとが結合して、第2溝11およびビアホール18の内面を含む第2絶縁層6の表面全域に、MnSiOからなるバリア膜13が形成される。金属膜18における第2絶縁層6に接する部分は、第2バリア膜13の形成に伴って消失し、第1配線5上にのみ金属膜18が残る。
【0021】
その後、水素還元処理が行われる。この水素還元処理により、図2Dに示すように、第1配線5上に残された金属膜18が還元されて、その金属膜18がMnからなるMn膜19に変質する。水素還元処理は、たとえば、水素雰囲気中での熱処理であってもよいし、水素プラズマ処理であってもよい。
次いで、図2Eに示すように、スパッタ法により、第2バリア膜13の表面全域およびMn膜19の表面を被覆するように、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜20が形成される。
【0022】
その後、図2Fに示すように、めっき法により、シード膜20上にCuからなるめっき層21が形成される。めっき層21は、ビアホール12および第2溝11を埋め尽くす厚さに形成される。
めっき層21は、めっき成長したままの状態では、その結晶構造が均一でなく、比抵抗が高い。そこで、めっき成長後には、めっき層21を結晶化(結晶構造の均一化)するための熱処理が行われる。このとき、図2Gに示すように、Mn膜19中のMnは、めっき層21中を移動し、めっき層21の表面に析出する。したがって、Mn膜19は、この結晶化のための熱処理時に消失する。
【0023】
次いで、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、めっき層21および第2バリア膜13が研磨される。この研磨は、めっき層21および第2バリア膜13における第2溝11外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第2絶縁層6(第2層間絶縁膜10)が露出し、その第2絶縁層6の露出した表面と第2溝11内のめっき層21の表面とが面一になるまで続けられる。これにより、図1に示す半導体装置1が得られる。
【0024】
MnOからなる金属膜18は、SiO2からなる第2層間絶縁膜10に対する密着性が比較的高い。そのため、金属膜18が所望する厚さの第2バリア膜13の形成に必要かつ十分な程度の小さい厚さに形成されても、第2溝11の側面からの(第2層間絶縁膜10に対する)金属膜18の膜剥がれを生じにくい。したがって、第2溝11の内面上に第2バリア膜13を良好に形成することができる。また、第2溝11の内面に金属膜18を被着させる際に、スパッタリングのエネルギーによって第2バリア膜13を形成することができるので、第2バリア膜13を形成するための熱処理を行う必要がない。
【0025】
また、水素還元処理により、金属膜18における第1配線5の表面に接する部分からOが除去されて、その部分がMnからなるMn膜19に還元される。このMn膜19は、ビア15などに拡散することによって消失する。Mnは、Cuよりも電気抵抗が高いので、こうして第1配線5上から金属膜18(Mn膜19)が除去されることにより、第1配線5とビアとの間にMnOからなる金属膜18が残された構成と比較して、第1配線5と第2配線14との間の電気抵抗を低減することができる。
【0026】
また、めっき成長により形成されるめっき層21は、めっき成長したままの状態では、その結晶構造が均一でなく、比抵抗が高い。めっき層21の形成後に、めっき層21の結晶化のための熱処理が行われることにより、めっき層21の結晶構造が均一化(結晶化)されるので、そのめっき層21からなる第2配線14およびビア15の比抵抗を低減することができる。
【0027】
図3A〜3Gは、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を順に示す模式的な断面図である。
図3Aに示すように、第1バリア膜4および第1配線5が埋設された第1絶縁層2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、拡散防止膜7、第1層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および第2層間絶縁膜10がこの順に積層される。これにより、第1絶縁層2上に、第2絶縁層6が形成される。
【0028】
その後、図3Bに示すように、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。具体的には、まず、第2絶縁層6上に、ビアホール12が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有するマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8がドライエッチングされる。このとき、適当なタイミングで反応ガス(エッチャント)を切り換えることにより、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8が連続的にエッチングされる。次に、第2絶縁層6上からマスクが除去された後、第2絶縁層6上に、第2溝11が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有する新たなマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10がドライエッチングされる。その後、拡散防止膜7およびエッチングストッパ膜9の露出した部分が除去されることにより、第2溝11およびビアホール12が形成される。
【0029】
次いで、図3Cに示すように、スパッタ法により、第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域、ならびに第1配線5の表面におけるビアホール12に臨む部分に、MnOからなる金属膜18が被着される。金属膜18は、第2バリア膜13の形成に必要かつ十分な程度の厚さ(たとえば、1〜10nm)に形成される。このとき、金属膜18における第2絶縁層6に接する部分(第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域)には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込む。これにより、第2絶縁層6中のSiおよびOと金属膜18中のMnOとが結合して、第2溝11およびビアホール18の内面を含む第2絶縁層6の表面全域に、MnSiOからなるバリア膜13が形成される。金属膜18における第2絶縁層6に接する部分は、第2バリア膜13の形成に伴って消失し、第1配線5上にのみ金属膜18が残る。
【0030】
その後、図3Dに示すように、逆スパッタ法により、第1配線5上に残された金属膜18が除去される。具体的には、金属膜18に対して、ほぼ鉛直方向(第2絶縁層6の積層方向に沿う方向)からガス粒子(たとえば、アルゴンガス粒子)を衝突させることにより、第1配線5上に形成された部分が除去される。第2バリア膜13は、第2絶縁層6と強く結合しているため、この逆スパッタ法によって除去されない。
【0031】
次いで、図3Eに示すように、スパッタ法により、第2バリア膜13の表面全域および第1配線5におけるビアホール12を介して露出する部分を被覆するように、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜20が形成される。
その後、図3Fに示すように、めっき法により、シード膜20上にCuからなるめっき層21が形成される。めっき層21は、ビアホール12および第2溝11を埋め尽くす厚さに形成される。
【0032】
次に、めっき層21を結晶化(結晶構造の均一化)するための熱処理が行われる。
そして、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、めっき層21および第2バリア膜13が研磨される。この研磨は、めっき層21および第2バリア膜13における第2溝11外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第2絶縁層6(第2層間絶縁膜10)が露出し、その第2絶縁層6の露出した表面と第2溝11内のめっき層21の表面とが面一になるまで続けられる。これにより、図1に示す半導体装置1が得られる。
【0033】
この実施形態に係る製造方法によっても、第1の実施形態に係る製造方法(図2A〜図2G)と同様の効果を奏することができる。また、この実施形態では、逆スパッタ法によって、第2バリア膜13の形成後に、第1配線5上に残された金属膜が除去される。これにより、第1配線5と第2配線14との間の電気抵抗を低減することができる。
また、スパッタ法および逆スパッタ法は、同一のスパッタリング装置で実施することができるので、金属膜18におけるビアホール12の底面上に形成された部分を除去するために逆スパッタ法が用いられることにより、同一のスパッタリング装置において、金属膜18を形成する工程に連続して、その金属膜18の部分的な除去の工程を行うことができる。さらに、金属膜18の除去の工程に連続して、シード膜20を形成する工程を行うことができる。したがって、半導体製造装置の構成を簡素化することができ、また、それらの工程間での半導体ウエハ(前記絶縁層が形成されたウエハ状態の半導体基板)の搬送が不要であるので、半導体装置1の製造に要する時間を短縮することができる。
【0034】
なお、第1バリア膜4および第1配線5の形成手法については、その説明を省略したが、第1バリア膜4および第1配線5は、第2バリア膜13および第2配線14の形成手法と同様な手法で形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第1絶縁層2にその表面から掘り下がった形状の第1溝3が形成された後、スパッタ法により、MnOからなる金属膜が第1溝3の側面および底面に被着される。このとき、スパッタリングのエネルギーによって第1絶縁層2中のSiおよびOと、金属膜中のMnOとが結合し、第1溝3の側面および底面上に、MnSiOからなる第1バリア膜4が形成される。その後、第1バリア膜4上に、めっき法により、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜およびCuからなるめっき層が順に形成される。そして、CMP法により、そのめっき層の不要部分(第1溝3外の部分)が除去される。これにより、第1溝3内に、第1バリア膜4および第1配線5が得られる。
【0035】
以上、本発明の2つの実施形態を説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、拡散防止膜7は、SiCおよびSiCNを積層した構造を有しているとした。しかし、拡散防止膜7は、Cuの拡散に対するバリア性を有していればよく、たとえば、SiCのみからなる構造であってもよい。
【0036】
また、第1層間絶縁膜8および第2層間絶縁膜10は、SiO2からなるとした。しかし、第1層間絶縁膜8および第2層間絶縁膜10の材料は、SiおよびOを含む絶縁性材料であればよく、その材料として、SiO2以外に、たとえば、SiOC(炭素が添加された酸化シリコン)、またはSiOF(フッ素が添加された酸化シリコン)などを例示することができる。
【0037】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図2A】図2Aは、図1に示す半導体装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図2B】図2Bは、図2Aの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2C】図2Cは、図2Bの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2D】図2Dは、図2Cの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2E】図2Eは、図2Dの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2F】図2Fは、図2Eの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2G】図2Gは、図2Fの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3A】図3Aは、図1に示す半導体装置の他の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図3B】図3Bは、図3Aの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3C】図3Cは、図3Bの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3D】図3Dは、図3Cの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3E】図3Eは、図3Dの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3F】図3Fは、図3Eの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3G】図3Gは、図3Fの次の工程を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【0039】
1 半導体装置
6 第2絶縁層(絶縁層)
11 第2溝(溝)
12 ビアホール
13 第2バリア膜(バリア膜)
14 第2配線(Cu配線)
15 ビア
18 金属膜
19 Mn膜
20 シード膜
21 めっき層
【技術分野】
【0001】
本発明は、Cu(銅)を主成分とする金属材料からなるCu配線を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
高集積化された半導体装置において、配線の材料として、Al(アルミニウム)よりも導電性の高いCuを採用したものがある。Cuからなる配線は、Cuがドライエッチングによる微細なパターニングが困難であることから、ダマシン法により、半導体基板上の絶縁膜(層間絶縁膜)に形成された微細な溝に埋設される。
絶縁膜の材料としては、通常、SiO2が採用される。ところが、Cuは、SiO2への拡散性が高い。そのため、SiO2からなる絶縁膜に形成された溝の内面とCuからなる配線とが直に接すると、Cuが絶縁膜中に拡散し、これにより絶縁膜の絶縁耐圧が低下する。したがって、絶縁膜とCuからなる配線との間には、Cuの絶縁膜への拡散を防止するためのバリア膜が必要となる。
【0003】
バリア膜を形成する手法として、CuとMn(マンガン)との合金(CuMn合金)を用いた自己形成プロセスが知られている(たとえば、特許文献1参照)。この自己形成プロセスでは、配線の形成に先立ち、スパッタ法により、溝の内面を含む絶縁膜の表面上に、CuMn合金からなる合金膜が形成される。次いで、めっき法により、合金膜上に、Cuからなるめっき層が形成される。その後、熱処理が行われることにより、合金膜中のMnが絶縁膜中のSi(シリコン)およびO(酸素)と結合し、溝の内面上にMnxSiyOz(x,y,z:零よりも大きい数。以下、単に「MnSiO」と記載する。)からなるバリア膜が形成される。
【特許文献1】特開2005−277390号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
バリア膜の形成に寄与しない余分なMnは、Cuからなるめっき層中に拡散する。Mnのめっき層中への拡散量が多いと、そのめっき層を平坦化して形成されるCu配線中にMnが残留し、配線の抵抗が増大する。そのため、CuMn合金からなる合金膜は、バリア膜の形成に必要十分な厚さに形成されることが好ましい。
しかし、スパッタ法では、溝の底面と比べてその側面にCuMn合金が付着しにくいため、溝の底面上における合金膜の厚さがバリア膜の形成に必要十分な厚さとなるように、合金膜が全体的に薄く形成されると、合金膜における溝の側面上に形成される部分が薄くなりすぎる。その結果、合金膜と溝の側面との密着性が低下し、溝の側面上で合金膜の膜剥がれが生じるおそれがある。膜剥がれが生じると、その部分に、MnSiOからなるバリア膜が良好に形成されない。
【0005】
そこで、本発明の目的は、バリア膜を良好に形成することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0006】
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、SiおよびOを含む絶縁性材料からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層に溝を形成する溝形成工程と、スパッタ法により、前記溝の内面にMnOx(x:零よりも大きい数)からなる金属膜を被着させる金属膜被着工程と、前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるCu配線を形成する配線形成工程とを含む、半導体装置の製造方法である。
【0007】
この方法によれば、まず、SiおよびOを含む絶縁性材料からなる絶縁層に、溝が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面(溝が凹状に形成される場合、その溝の側面および底面)に、MnOx(x:零よりも大きい数、以下、単に「MnO」と記載する。)からなる金属膜が被着される。このとき、溝の内面、つまり絶縁層における溝に臨む部分には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜中のMnOが入り込む。これにより、絶縁層中のSiおよびOと金属膜中のMnOとが結合して、溝の内面に、MnSiOからなるバリア膜が形成される。その後、金属膜(バリア膜)上に、Cuを主成分とするCu配線が形成される。
【0008】
MnOは、CuMn合金と比較して、SiおよびOを含む絶縁材料に対する密着性が高い。そのため、MnOからなる金属膜は、所望する厚さのバリア膜の形成に必要十分な程度の小さい厚さに形成されても、溝の側面からの膜剥がれを生じにくい。したがって、溝の内面上にバリア膜を良好に形成することができる。また、溝の内面に金属膜を被着させる際に、スパッタリングのエネルギーによってMnSiOからなるバリア膜を形成することができるので、バリア膜を形成するための熱処理を行う必要がない。
【0009】
そして、金属膜をそのような小さい厚さ(所望する厚さのバリア膜の形成に必要十分な厚さ)に形成することにより、バリア膜の形成に寄与しない余分なMnの量を低減することができる。これにより、バリア膜上に形成されるCu配線中のMnの残留量を低減することができる。
よって、溝の内面上にバリア膜を良好に形成することができながら、Cu配線中のMnの残留量を低減することができる。
【0010】
また、請求項2に記載のように、前記絶縁層の下層に、前記Cu配線と電気的に接続される下配線が形成されていてもよい。この場合、前記溝形成工程後であって前記金属膜被着工程の前に、前記溝から前記下配線に向けて延び、前記絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程が行われ、前記金属膜被着工程後に、前記ビアホールにCuを主成分とするビアを形成するビア形成工程が行われることにより、下配線とCu配線との電気的な接続を達成することができる。また、前記金属膜被着工程では、前記溝の内面に加えて、前記ビアホールの側面および前記下配線の表面における前記ビアホールに臨む部分に前記金属膜が被着されることにより、ビアホールの側面に、MnSiOからなるバリア膜を形成することができる。
【0011】
金属膜の材料であるMnOは、Cuと比較して電気抵抗が高い。そのため、下配線の表面におけるビアホールに臨む部分上にMnOからなる金属膜が存在していると、ビアと下配線との間の電気抵抗が高くなる。
そこで、請求項3に記載のように、前記ビア形成工程に先立ち、水素還元処理により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分からOを除去する工程を含むことが好ましい。Oが除去されることにより、MnOがMnに還元される。そして、Mnがビアなどに拡散することにより、下配線上から金属膜が消失する。
【0012】
また、その工程に代えて、請求項4に記載のように、前記ビア形成工程に先立ち、逆スパッタ法により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分を選択的に除去する工程が行われてもよい。逆スパッタ法は、スパッタ法と同一のスパッタリング装置で実施することができる。そのため、金属膜における下配線の表面に接する部分を除去する工程で逆スパッタ法が用いられることにより、同一のスパッタリング装置において、金属膜被着工程に連続して、その金属膜の部分的な除去の工程を行うことができる。さらに、Cu配線がめっき法により形成される場合には、スパッタ法により、金属膜上にシード膜が形成される。この場合、金属膜被着工程およびその金属膜の部分的な除去の工程に加えて、そのシード膜を形成する工程を同一のスパッタリング装置で連続して行うことができる。そのため、半導体製造装置の構成を簡素化することができ、また、それらの工程間での半導体ウエハ(前記絶縁層が形成されたウエハ状態の半導体基板)の搬送が不要であるので、半導体装置の製造に要する時間を短縮することができる。
【0013】
請求項5に記載のように、前記配線形成工程は、スパッタ法により、前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるシード膜を形成する工程と、めっき法により、前記シード膜上にCuからなるめっき層を形成する工程とが含まれていてもよい。
ただし、めっき層は、めっき成長したままの状態では、その結晶構造が均一でなく、比抵抗が高い。そこで、めっき法により第2配線およびビアが形成される場合には、請求項
6に記載のように、前記配線形成工程後、熱処理により、前記めっき層を結晶化させる結晶化工程を含むことが好ましい。これにより、めっき層の結晶構造が均一化(結晶化)されるので、そのめっき層からなるCu配線およびビアの比抵抗を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0014】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
半導体装置1は、半導体基板(図示せず)上に、Cuを配線材料として用いた多層配線構造を有している。
半導体基板は、たとえば、Si(シリコン)基板からなる。半導体基板の表層部には、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの機能素子が作り込まれている。
【0015】
半導体基板上には、SiO2(酸化シリコン)からなる第1絶縁層2が積層されている。
第1絶縁層2の表層部には、所定の配線パターンに対応した微細な第1溝3が形成されている。第1溝3の内面(側面および底面)には、MnSiOからなる第1バリア膜4が形成されている。そして、第1溝3内には、第1バリア膜4を介して、Cuを主成分とする金属材料からなる第1配線5が埋設されている。
【0016】
第1絶縁層2上には、第2絶縁層6が積層されている。第2絶縁層6は、拡散防止膜7、第1層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および第2層間絶縁膜10を、第1絶縁層2側からこの順に積層した構造を有している。
拡散防止膜7は、たとえば、SiC(炭化シリコン)およびSiCN(炭窒化シリコン)を積層した構造を有している。第1層間絶縁膜8および第2層間絶縁膜10は、たとえば、SiO2からなる。エッチングストッパ膜9は、たとえば、SiCからなる。
【0017】
第2絶縁層6の表層部には、所定の配線パターンに対応した第2溝11が形成されている。また、第2絶縁層6には、第1配線5と第2溝11とが対向する部分に、ビアホール12が貫通して形成されている。
第2溝11およびビアホール12の内面には、MnSiOからなる第2バリア膜13が形成されている。そして、第2溝11およびビアホール12内には、第2バリア膜13を介して、それぞれCuを主成分とする金属材料からなる第2配線14およびビア15が埋設されている。第2配線14およびビア15は、一体をなしている。
【0018】
図2A〜2Gは、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を順に示す模式的な断面図である。
図2Aに示すように、第1バリア膜4および第1配線5が埋設された第1絶縁層2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、拡散防止膜7、第1層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および第2層間絶縁膜10がこの順に積層される。これにより、第1絶縁層2上に、第2絶縁層6が形成される。
【0019】
その後、図2Bに示すように、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。具体的には、まず、第2絶縁層6上に、ビアホール12が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有するマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8がドライエッチングされる。このとき、適当なタイミングで反応ガス(エッチャント)を切り換えることにより、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8が連続的にエッチングされる。次に、第2絶縁層6上からマスクが除去された後、第2絶縁層6上に、第2溝11が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有する新たなマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10がドライエッチングされる。その後、拡散防止膜7およびエッチングストッパ膜9の露出した部分が除去されることにより、第2溝11およびビアホール12が形成される。
【0020】
次いで、図2Cに示すように、スパッタ法により、第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域、ならびに第1配線5の表面におけるビアホール12に臨む部分に、MnOからなる金属膜18が被着される。金属膜18は、第2バリア膜13の形成に必要かつ十分な程度の厚さ(たとえば、1〜10nm)に形成される。このとき、金属膜18における第2絶縁層6に接する部分(第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域)には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込む。これにより、第2絶縁層6中のSiおよびOと金属膜18中のMnOとが結合して、第2溝11およびビアホール18の内面を含む第2絶縁層6の表面全域に、MnSiOからなるバリア膜13が形成される。金属膜18における第2絶縁層6に接する部分は、第2バリア膜13の形成に伴って消失し、第1配線5上にのみ金属膜18が残る。
【0021】
その後、水素還元処理が行われる。この水素還元処理により、図2Dに示すように、第1配線5上に残された金属膜18が還元されて、その金属膜18がMnからなるMn膜19に変質する。水素還元処理は、たとえば、水素雰囲気中での熱処理であってもよいし、水素プラズマ処理であってもよい。
次いで、図2Eに示すように、スパッタ法により、第2バリア膜13の表面全域およびMn膜19の表面を被覆するように、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜20が形成される。
【0022】
その後、図2Fに示すように、めっき法により、シード膜20上にCuからなるめっき層21が形成される。めっき層21は、ビアホール12および第2溝11を埋め尽くす厚さに形成される。
めっき層21は、めっき成長したままの状態では、その結晶構造が均一でなく、比抵抗が高い。そこで、めっき成長後には、めっき層21を結晶化(結晶構造の均一化)するための熱処理が行われる。このとき、図2Gに示すように、Mn膜19中のMnは、めっき層21中を移動し、めっき層21の表面に析出する。したがって、Mn膜19は、この結晶化のための熱処理時に消失する。
【0023】
次いで、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、めっき層21および第2バリア膜13が研磨される。この研磨は、めっき層21および第2バリア膜13における第2溝11外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第2絶縁層6(第2層間絶縁膜10)が露出し、その第2絶縁層6の露出した表面と第2溝11内のめっき層21の表面とが面一になるまで続けられる。これにより、図1に示す半導体装置1が得られる。
【0024】
MnOからなる金属膜18は、SiO2からなる第2層間絶縁膜10に対する密着性が比較的高い。そのため、金属膜18が所望する厚さの第2バリア膜13の形成に必要かつ十分な程度の小さい厚さに形成されても、第2溝11の側面からの(第2層間絶縁膜10に対する)金属膜18の膜剥がれを生じにくい。したがって、第2溝11の内面上に第2バリア膜13を良好に形成することができる。また、第2溝11の内面に金属膜18を被着させる際に、スパッタリングのエネルギーによって第2バリア膜13を形成することができるので、第2バリア膜13を形成するための熱処理を行う必要がない。
【0025】
また、水素還元処理により、金属膜18における第1配線5の表面に接する部分からOが除去されて、その部分がMnからなるMn膜19に還元される。このMn膜19は、ビア15などに拡散することによって消失する。Mnは、Cuよりも電気抵抗が高いので、こうして第1配線5上から金属膜18(Mn膜19)が除去されることにより、第1配線5とビアとの間にMnOからなる金属膜18が残された構成と比較して、第1配線5と第2配線14との間の電気抵抗を低減することができる。
【0026】
また、めっき成長により形成されるめっき層21は、めっき成長したままの状態では、その結晶構造が均一でなく、比抵抗が高い。めっき層21の形成後に、めっき層21の結晶化のための熱処理が行われることにより、めっき層21の結晶構造が均一化(結晶化)されるので、そのめっき層21からなる第2配線14およびビア15の比抵抗を低減することができる。
【0027】
図3A〜3Gは、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を順に示す模式的な断面図である。
図3Aに示すように、第1バリア膜4および第1配線5が埋設された第1絶縁層2上に、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的気相成長)法により、拡散防止膜7、第1層間絶縁膜8、エッチングストッパ膜9および第2層間絶縁膜10がこの順に積層される。これにより、第1絶縁層2上に、第2絶縁層6が形成される。
【0028】
その後、図3Bに示すように、第2絶縁層6に、第2溝11およびビアホール12が形成される。具体的には、まず、第2絶縁層6上に、ビアホール12が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有するマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8がドライエッチングされる。このとき、適当なタイミングで反応ガス(エッチャント)を切り換えることにより、第2層間絶縁膜10、エッチングストッパ膜9および第1層間絶縁膜8が連続的にエッチングされる。次に、第2絶縁層6上からマスクが除去された後、第2絶縁層6上に、第2溝11が形成されるべき部分を選択的に露出させる開口を有する新たなマスク(図示せず)が形成される。そして、そのマスクを介して、第2層間絶縁膜10がドライエッチングされる。その後、拡散防止膜7およびエッチングストッパ膜9の露出した部分が除去されることにより、第2溝11およびビアホール12が形成される。
【0029】
次いで、図3Cに示すように、スパッタ法により、第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域、ならびに第1配線5の表面におけるビアホール12に臨む部分に、MnOからなる金属膜18が被着される。金属膜18は、第2バリア膜13の形成に必要かつ十分な程度の厚さ(たとえば、1〜10nm)に形成される。このとき、金属膜18における第2絶縁層6に接する部分(第2溝11およびビアホール12の内面を含む第2絶縁層6の表面全域)には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜18中のMnOが入り込む。これにより、第2絶縁層6中のSiおよびOと金属膜18中のMnOとが結合して、第2溝11およびビアホール18の内面を含む第2絶縁層6の表面全域に、MnSiOからなるバリア膜13が形成される。金属膜18における第2絶縁層6に接する部分は、第2バリア膜13の形成に伴って消失し、第1配線5上にのみ金属膜18が残る。
【0030】
その後、図3Dに示すように、逆スパッタ法により、第1配線5上に残された金属膜18が除去される。具体的には、金属膜18に対して、ほぼ鉛直方向(第2絶縁層6の積層方向に沿う方向)からガス粒子(たとえば、アルゴンガス粒子)を衝突させることにより、第1配線5上に形成された部分が除去される。第2バリア膜13は、第2絶縁層6と強く結合しているため、この逆スパッタ法によって除去されない。
【0031】
次いで、図3Eに示すように、スパッタ法により、第2バリア膜13の表面全域および第1配線5におけるビアホール12を介して露出する部分を被覆するように、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜20が形成される。
その後、図3Fに示すように、めっき法により、シード膜20上にCuからなるめっき層21が形成される。めっき層21は、ビアホール12および第2溝11を埋め尽くす厚さに形成される。
【0032】
次に、めっき層21を結晶化(結晶構造の均一化)するための熱処理が行われる。
そして、CMP(Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)法により、めっき層21および第2バリア膜13が研磨される。この研磨は、めっき層21および第2バリア膜13における第2溝11外に形成されている不要部分がすべて除去されて、第2絶縁層6(第2層間絶縁膜10)が露出し、その第2絶縁層6の露出した表面と第2溝11内のめっき層21の表面とが面一になるまで続けられる。これにより、図1に示す半導体装置1が得られる。
【0033】
この実施形態に係る製造方法によっても、第1の実施形態に係る製造方法(図2A〜図2G)と同様の効果を奏することができる。また、この実施形態では、逆スパッタ法によって、第2バリア膜13の形成後に、第1配線5上に残された金属膜が除去される。これにより、第1配線5と第2配線14との間の電気抵抗を低減することができる。
また、スパッタ法および逆スパッタ法は、同一のスパッタリング装置で実施することができるので、金属膜18におけるビアホール12の底面上に形成された部分を除去するために逆スパッタ法が用いられることにより、同一のスパッタリング装置において、金属膜18を形成する工程に連続して、その金属膜18の部分的な除去の工程を行うことができる。さらに、金属膜18の除去の工程に連続して、シード膜20を形成する工程を行うことができる。したがって、半導体製造装置の構成を簡素化することができ、また、それらの工程間での半導体ウエハ(前記絶縁層が形成されたウエハ状態の半導体基板)の搬送が不要であるので、半導体装置1の製造に要する時間を短縮することができる。
【0034】
なお、第1バリア膜4および第1配線5の形成手法については、その説明を省略したが、第1バリア膜4および第1配線5は、第2バリア膜13および第2配線14の形成手法と同様な手法で形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、第1絶縁層2にその表面から掘り下がった形状の第1溝3が形成された後、スパッタ法により、MnOからなる金属膜が第1溝3の側面および底面に被着される。このとき、スパッタリングのエネルギーによって第1絶縁層2中のSiおよびOと、金属膜中のMnOとが結合し、第1溝3の側面および底面上に、MnSiOからなる第1バリア膜4が形成される。その後、第1バリア膜4上に、めっき法により、Cuを主成分とする金属材料からなるシード膜およびCuからなるめっき層が順に形成される。そして、CMP法により、そのめっき層の不要部分(第1溝3外の部分)が除去される。これにより、第1溝3内に、第1バリア膜4および第1配線5が得られる。
【0035】
以上、本発明の2つの実施形態を説明したが、本発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、拡散防止膜7は、SiCおよびSiCNを積層した構造を有しているとした。しかし、拡散防止膜7は、Cuの拡散に対するバリア性を有していればよく、たとえば、SiCのみからなる構造であってもよい。
【0036】
また、第1層間絶縁膜8および第2層間絶縁膜10は、SiO2からなるとした。しかし、第1層間絶縁膜8および第2層間絶縁膜10の材料は、SiおよびOを含む絶縁性材料であればよく、その材料として、SiO2以外に、たとえば、SiOC(炭素が添加された酸化シリコン)、またはSiOF(フッ素が添加された酸化シリコン)などを例示することができる。
【0037】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構造を示す模式的な断面図である。
【図2A】図2Aは、図1に示す半導体装置の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図2B】図2Bは、図2Aの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2C】図2Cは、図2Bの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2D】図2Dは、図2Cの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2E】図2Eは、図2Dの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2F】図2Fは、図2Eの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図2G】図2Gは、図2Fの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3A】図3Aは、図1に示す半導体装置の他の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図3B】図3Bは、図3Aの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3C】図3Cは、図3Bの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3D】図3Dは、図3Cの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3E】図3Eは、図3Dの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3F】図3Fは、図3Eの次の工程を示す模式的な断面図である。
【図3G】図3Gは、図3Fの次の工程を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
【0039】
1 半導体装置
6 第2絶縁層(絶縁層)
11 第2溝(溝)
12 ビアホール
13 第2バリア膜(バリア膜)
14 第2配線(Cu配線)
15 ビア
18 金属膜
19 Mn膜
20 シード膜
21 めっき層
【特許請求の範囲】
【請求項1】
SiおよびOを含む絶縁性材料からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に溝を形成する溝形成工程と、
スパッタ法により、前記溝の内面にMnOx(x:零よりも大きい数)からなる金属膜を被着させる金属膜被着工程と、
前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるCu配線を形成する配線形成工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記絶縁層の下層には、前記Cu配線と電気的に接続される下配線が形成されており、
前記溝形成工程後であって前記金属膜被着工程の前に、前記溝から前記下配線に向けて延び、前期絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記金属膜被着工程後に、前記ビアホールにCuを主成分とするビアを形成するビア形成工程とを含み、
前記金属膜被着工程では、前記溝の内面に加えて、前記ビアホールの側面および前記下配線の表面における前記ビアホールに臨む部分に前記金属膜が被着される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記ビア形成工程に先立ち、水素還元処理により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分からOを除去する工程を含む、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記ビア形成工程に先立ち、逆スパッタ法により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分を選択的に除去する工程を含む、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記配線形成工程は、
スパッタ法により、前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるシード膜を形成する工程と、
めっき法により、前記シード膜上にCuからなるめっき層を形成する工程とを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記配線形成工程後、熱処理により、前記めっき層を結晶化させる結晶化工程を含む、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項1】
SiおよびOを含む絶縁性材料からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に溝を形成する溝形成工程と、
スパッタ法により、前記溝の内面にMnOx(x:零よりも大きい数)からなる金属膜を被着させる金属膜被着工程と、
前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるCu配線を形成する配線形成工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記絶縁層の下層には、前記Cu配線と電気的に接続される下配線が形成されており、
前記溝形成工程後であって前記金属膜被着工程の前に、前記溝から前記下配線に向けて延び、前期絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記金属膜被着工程後に、前記ビアホールにCuを主成分とするビアを形成するビア形成工程とを含み、
前記金属膜被着工程では、前記溝の内面に加えて、前記ビアホールの側面および前記下配線の表面における前記ビアホールに臨む部分に前記金属膜が被着される、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記ビア形成工程に先立ち、水素還元処理により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分からOを除去する工程を含む、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記ビア形成工程に先立ち、逆スパッタ法により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分を選択的に除去する工程を含む、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記配線形成工程は、
スパッタ法により、前記金属膜上にCuを主成分とする金属材料からなるシード膜を形成する工程と、
めっき法により、前記シード膜上にCuからなるめっき層を形成する工程とを含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記配線形成工程後、熱処理により、前記めっき層を結晶化させる結晶化工程を含む、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図2G】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図2G】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【公開番号】特開2010−40771(P2010−40771A)
【公開日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−202138(P2008−202138)
【出願日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【出願人】(000116024)ローム株式会社 (3,539)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【国際特許分類】
【出願日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【出願人】(000116024)ローム株式会社 (3,539)
【Fターム(参考)】
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