Fターム[5F033XX14]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 密着性改善 (1,147) | 配線と絶縁膜との密着性改善 (441)

Fターム[5F033XX14]に分類される特許

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【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】第2の金属膜を形成するためのめっき液が電極と反応することを抑制することができる半導体装置と、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板12の表面の一部に形成されている表面電極14の外周縁部の表面を被覆する保護膜16を形成する。保護膜16の内周端面30に複数個の凹部32を形成する。表面電極14のうち保護膜16で被覆されていない部分の表面に第1の金属膜18を形成する。第1の金属膜18は、その一部が凹部32の間に入り込んで形成される。次いで、第1の金属膜18の表面に、第1の金属膜18と異なる金属で第2の金属膜20を形成する。 (もっと読む)


【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スピンコート法により、ベースポリマーがポリイミド樹脂である非感光性樹脂のワニスを塗布後、ベーク、キュアしてポリイミド樹脂を硬化、膜を形成する。これを第1絶縁膜12とする。次いで、めっきシード層18形成、フォトレジスト溝パターン22形成、めっき、フォトレジスト溝パターン22除去、配線下以外のめっきシード層18除去に依り、第1の絶縁膜上に配線26を形成する。そして、第1絶縁膜の表面上にシリカ粒子30を分散し、散したシリカ粒子30をマスクとして、CF4及びO2を混合したガスで、第1絶縁膜12をドライエッチングすることに依り、段差が100nm以上の凹凸32を形成する。最後に前述と同様にして、スピンコート法により、第2絶縁膜としてのポリイミド樹脂膜34を形成する。 (もっと読む)


【課題】ダマシン構造のCu配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるCF膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】貫通孔内に形成された導電層に加わる応力を抑制できるとともに、導電層からの効果的な放熱も促すことができる貫通配線基板、及びこの貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板11(基板)の一方の面11aに配された電極層12と、電極層12の少なくとも一部が露呈するように半導体基板11内に開けられた貫通孔20と、貫通孔20の内側面20aを覆い、電極層12の少なくとも一部が露呈するように配された第一絶縁層15と、第一絶縁層15を介して、貫通孔20の内側面20a及び電極層12の露呈部を覆うように配され、電極層12と電気的に接続された導電層5と、導電層5を覆うように配された第二絶縁層16と、を少なくとも備えてなる貫通配線基板10であって、第二絶縁層16は、導電層5の表面形状に沿って形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】メタル電極に設けられた延伸部の表面を覆う絶縁膜の剥離が抑制された半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体からなる活性層に積層されたn型またはp型の半導体層と、該半導体層の上に配置され接続部および延伸部を有するメタル電極と、該メタル電極の該延伸部の上面および側面を少なくとも覆う絶縁膜と、を備え、該延伸部はメタル多層膜で形成され、該メタル多層膜は少なくとも2層の第1メタル層と、該第1メタル層と交互に積層された第2メタル層とを含み、かつ、その最上層は該第2メタル層のひとつであり、該メタル多層膜に含まれる該最上層の第2メタル層以外の第2メタル層の各々の端面が該延伸部の側面に露出して該絶縁膜と接しており、該第2メタル層を構成する第2メタル材料は該第1メタル層を構成する第1メタル材料よりも導電率は低いが該第1メタル材料よりも該絶縁膜との密着強度に優れている。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜上に下地金属層と上部金属層からなる配線を備えた半導体装置において、下地金属層のサイドエッチングによる絶縁膜と上部金属層との密着性の劣化を抑制することができる半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】配線本体16が形成される絶縁膜14の上面には、配線本体16のパターンに対応し、かつ、絶縁膜14の上面から所定の深さの凹部14aが設けられ、当該凹部14aを含む絶縁膜14上面に、配線の一部であり、かつ、密着層であるチタン薄膜15を介して配線本体16が設けられている。凹部14aの幅は、配線本体16の幅よりも狭くなるように設定される。チタン薄膜15は配線本体16の配線幅よりも狭く形成されている。 (もっと読む)


【課題】基体上に成膜特性(反射率、及び密着性)に優れた膜状のアルミニウム体を形成することができるアルミニウム体を備えた基体の製造方法を提供する。
【解決手段】基体をプラズマ処理するプラズマ処理工程と、プラズマ処理された基体上に、アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体及び有機溶媒を含有するアルミニウム体形成用組成物を塗布して、上記基体上に上記組成物からなる塗布層を形成させる塗布工程と、上記塗布層に加熱および光照射の少なくともいずれか一方を行うことにより、膜状のアルミニウム体を形成させるアルミニウム膜形成工程と、を含むアルミニウム体を備えた基体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】配線間の間隙又は配線の下面と基板の上面との間隙に、絶縁膜を埋設することが困難であった。
【解決手段】半導体装置100の製造方法は、次の工程を含む。すなわち、基板上に絶縁層(絶縁層106)を形成する工程。絶縁層106の一部を選択的に除去して凹部(配線溝107及び配線溝110)を形成し、当該凹部内にバリアメタル膜112と金属膜114とをこの順で埋め込むことにより配線(配線115a、115b)を形成する工程。配線(配線115a、115b)を残しつつ、絶縁層106を除去する工程。絶縁層106を除去する前記工程後、下記の溶液を用いて、配線(配線115a、115b)の周囲を埋設する層間絶縁層118を形成する工程。溶液は、シラン化合物と、界面活性剤からなるポロジェンと、シラン化合物の溶質濃度の増加に応じて、アルコールと比較して、シラン化合物を表面に析出させやすく、かつ増粘しにくいシーター溶媒(アルコール及び水を除く)と、を含むことにより特定される。 (もっと読む)


【課題】高温化下でも安定な高信頼性を有する配線を容易に精度良く形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に窒化チタンからなる第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層に複数の溝を形成し、溝の底面及び側壁下部を覆う部分が溝の側壁上部を覆う部分よりも厚くなるように、溝の底面及び側壁を覆うバリアメタルを形成し、溝のバリアメタル上に金属膜を埋め込み、複数の配線を形成し、第1の絶縁層を除去して、隣り合う複数の配線の間に配線に接するような空隙を形成し、複数の配線の上面に、金属又は酸化物からなるキャップ膜を形成し、複数の配線の上面及び側壁を覆うようにシリコンナイトライドカーバイド膜又は窒化ボロン膜からなる拡散防止膜を形成し、複数の配線の上面を覆い、且つ、複数の配線間に空隙が形成されるように、第2の絶縁層を形成する。 (もっと読む)


【課題】従来の方法では凹版印刷および平板印刷に向かなかったインクであっても、凹版印刷および平板印刷で印刷することの可能な電子部材の製造方法を提供する。
【解決手段】下記の関係式(1)、(2)を満たす電子材料層および粘着材料層を積層してなる積層インクが、凹版を用いて基材の表面に直接転写される。これにより、電子材料層が凹版印刷に向かない性質を有している場合であっても、粘着材料層の性質を活かして、電子材料層を含む積層インクを基材上に滲みなく印刷することができる。
E2<E3<E1またはE1<E3<E2…(1)
|E1−E2|>|E3−E2|…(2)
E1:版面の表面自由エネルギー
E2:電子材料層の表面自由エネルギー
E3:粘着材料層の表面自由エネルギー (もっと読む)


【課題】 ボンディングパッドを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面側及び裏面側を有するデバイス基板、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、n層数の金属層を有する相互接続構造、及び前記相互接続構造を通過して延伸し、前記n層数の金属層の前記第n番目の金属層に直接接触するボンディングパッドを含む半導体デバイス。半導体デバイスは、前記デバイス基板の前記裏面側に配置された遮蔽構造、及び、前記デバイス基板の前記表面側に配置され、前記デバイス基板の前記裏面側から前記放射線検出領域に向けて投射された放射線を検出することができる放射線検出領域をさらに備える。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるCu配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板1の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層4と、電極に用いられるCu合金膜5と、保護膜6と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Cu合金膜5は、基板側から順に、第一層(X)5aと第二層(Z)5bを含む積層構造を有し、第一層(X)は、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって第二層(Z)よりも電気抵抗率の低いCu合金からなり、第二層(Z)は、Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb、希土類元素、Ge、およびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で2〜20原子%含むCu−Z合金からなり、第二層(Z)の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 (もっと読む)


【課題】ビアホール表面上の絶縁コーティングとビアホール内に挿入される導電材料との付着性を向上する。
【解決手段】導電性ビアを形成する方法は、一つ以上のビアホールを基板内に形成するステップを含む。ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。ビアホールは、その表面に低誘電率(低K)誘電材料を含む誘電体コーティングの付着を促進するように構成されてもよい。障壁層が各ビアホールの表面の上に形成されてもよい。種材料(seed material)を含み得るベース層は、その後のビアホールの表面上の導電材料の選択的堆積を促進するように形成されてもよい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さRaが0.051μmより大きくなり、かつ該金属の表面に1〜10μm径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を1.0μm/min未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


【課題】基板及び/又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なCu合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び/又は絶縁膜と直接接触するCu合金膜であって、前記Cu合金膜は基板側から順に、合金成分としてX(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、BおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を含有するCu−Mn−X合金層(第一層)と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる層(第二層)で構成されたCu合金膜である。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。 (もっと読む)


【課題】配線パターンの修正において、修正抵抗を低減することが可能となる、パターン修正方法を提供する。
【解決手段】パターン修正方法は、導電性パターン20の欠陥部21を修正するパターン修正方法であって、導電性インクを塗布することにより第1のインク層31を形成する工程と、第1のインク層31を焼成することにより第1の修正層32を形成する工程と、少なくとも一部が第1の修正層32に重なるように導電性インクを塗布することにより、第2のインク層33を形成する工程と、第2のインク層33を焼成することにより第2の修正層34を形成する工程とを備え、第1の修正層32および第2の修正層34により欠陥部21を挟んで配置される導電性パターン20間の電気的接続が確保される。 (もっと読む)


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