【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成された凹部の内面にマンガンの化合物からなるバリア層を形成し、このバリア層の上から銅を主成分とする導電路を形成するにあたって、バリア層と導電路との密着性の向上を図り、また導電路の電気的抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】マンガンの化合物からなるバリア層を形成した後、基板に有機酸を供給してバリア層を構成するマンガンの化合物の一部を還元してマンガンの化合物における化学量論的な組成比の不均衡を発生させて、マンガンの化合物中のマンガンの比率を高める。またバリア層の表面もしくは層中のマンガンはシード層を形成した後、加熱処理を行うことで前記シード層の表面に析出され、そして前記凹部内に上層側導電路を形成する前に洗浄処理を行うことで除去される。 （もっと読む）

【課題】基板、特にガラス基板、Ｓｉ基板、シリカ基板などセラミック基板の表面に対する密着性に優れたＣａおよび酸素を含む銅合金膜からなる酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜とこの酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜の上に形成された導電性に優れたＣａ含有銅合金導電膜とからなる密着性に優れた銅合金複合膜を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜と前記下地膜の上に形成されたＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜からなる銅合金複合膜。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗率を維持しつつ、絶縁膜（例えばＳｉＮ膜）との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置における薄膜トランジスタの、ソース電極および／またはドレイン電極並びに信号線、および／または、ゲート電極および走査線に用いられるＣｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｇｅを０．１〜０．５原子％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板モジュールの製造工程中において、絶縁層の剥離ならびに接続電極の断線および剥離が発生する虞があった。
【解決手段】基板モジュール１では、接続電極４が基板２の第一の表面２ａ上に設けられており、第一の貫通孔部５が接続電極４の裏面に達するように基板２の厚み方向に貫通しており、第一の貫通孔部５の内部には貫通電極６が設けられている。貫通電極６は接続電極４の裏面に対向する部分に凹部６ａを有し、貫通電極６の上部は貫通電極６の側部よりも分厚い。貫通電極６は、基板２の第二の表面２ｂ上にも設けられており、第二の表面２ｂ上において配線電極７に接続されている。絶縁層８が配線電極７の表面を覆うように第二の表面２ｂ上に設けられており、貫通電極６の凹部６ａ内にも設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＷＰＰ技術における再配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】再配線が半導体基板１Ｓの面内において互いに電気的に分離された本体パターン２およびダミーパターン３を有している。多層配線と電気的に接続された本体パターン２と、フローティングされたダミーパターン３とが、半導体基板１Ｓの面内で混在して設けられている。半導体基板１Ｓの面内における本体パターン２およびダミーパターン３を合わせた占有率、すなわち再配線の占有率が３５％以上６０％以下である。 （もっと読む）

【課題】製造過程において、バリア膜が絶縁層から剥離するのを防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】誘電率が２．８であるＳｉＯＣからなる低誘電率層４上には、誘電率が３．２であるＳｉＯＣからなる高誘電率層５が形成されている。高誘電率層５は、所定の膜厚Ｔに形成されている。高誘電率層５上には、ＳｉＯ_２からなる保護層６が形成されている。すなわち、低誘電率層４と保護層６との間には、高誘電率層５が介在されている。低誘電率層４、高誘電率層５および保護層６には、保護層６の上面から低誘電率層４まで掘り下がった配線溝７が形成されている。配線溝７の底面および側面には、Ｔａからなるバリア膜８が形成されている。バリア膜８上には、Ｃｕからなり、配線溝７を埋め尽くすＣｕ配線９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ膜からなる配線層と封止樹脂層との密着性を向上させ、両層間での剥離を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１Ａ（１）は、一面に電極３を配してなる半導体基板２と、前記半導体基板の一面を覆うように配され、前記電極と整合する位置に電極用の開口部αを有する絶縁樹脂層４と、前記絶縁樹脂層の一部を覆うように配され、前記開口部αを通して前記電極と電気的に接続される配線層５と、を少なくとも備える半導体装置であって、前記配線層は、Ｃｕ膜からなり、該配線層の表面が１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板１の上に形成されたゲート電極膜２と、前記ガラス基板１およびゲート電極膜２の上に形成された窒化珪素膜３と、前記窒化珪素膜３の上に形成されたアモルファスＳｉ膜４と、前記アモルファスＳｉ膜４の上に形成されたＣｕ、ＳｉおよびＯからなる銅含有珪素酸化膜またはＣｕ、Ｓｉ、ＭおよびＯからなる銅Ｍ含有珪素酸化膜１９と、前記銅含有珪素酸化膜または銅Ｍ含有珪素酸化膜１９の上に形成された純銅または銅合金からなるドレイン電極膜５およびソース電極膜６と、前記ドレイン電極膜５およびソース電極膜６の上に形成された酸化ケイ素または酸化アルミニウム膜１６と、前記酸化ケイ素または酸化アルミニウム膜１６の上に形成された窒化珪素膜１３とからなる。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

集積回路のための相互接続構造体に、銅線の核形成、成長及び接着を促進する窒化コバルトの層が組み込まれる。銅の拡散バリヤーとして機能し、かつ窒化コバルトと下地の絶縁体の間の接着性も増加させる、窒化タングステン又は窒化タンタルなどの耐熱性の金属窒化物又は金属炭化物層上に窒化コバルトを堆積してよい。窒化コバルトは、新規なコバルトアミジナート前駆体からの化学気相成長により形成され得る。窒化コバルト上に堆積された銅層は、高い電気伝導度を示し、マイクロエレクトロニクスにおける銅伝導体の電気化学的な堆積のための種層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】新しい低抵抗率タングステン積層膜スキーム、および、低抵抗率タングステン積層膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】積層膜は、タングステン・カーバイド、または、窒化タングステンなどの低抵抗率タングステン化合物と混合されたタングステンを有するタングステンリッチ層３７１を、タングステン核生成３７３および／またはバルク層３７５を堆積するベースとして有する。これらのタングステンリッチ層は、タングステンコンタクトのメタライゼーション、および、ビットラインにおけるバリアおよび／または接着層として用いられうる。タングステンリッチ層の堆積は、基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質にさらすことを含む。タングステンとタングステン・カーバイドとの混合層は、優れた接着性を有する薄い低抵抗率の膜であり、次なるタングステンプラグまたはライン形成の優れたベースとなる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハをチップに分割する際、スクライブ領域においてレーザグルービング工法を用いた場合、拡散層までレーザ光が透過すると、拡散層に設置した拡散層導電膜にレーザ光が吸収され、導電膜の溶解及び体積膨張により、拡散層導電膜上の広い範囲で層間膜の膜剥がれの発生を防止する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上に、配線が形成された第１の層間絶縁膜６と、配線と電気的に接続されるビアが形成された第２の層間絶縁膜７とが交互に積層され、配線又はビアと電気的に接続される機能素子を有する複数の回路領域２と、該回路領域２の周囲に形成され、回路領域２を半導体基板１から切り出す際の切りしろであるスクライブ領域４とが形成されている。スクライブ領域４には、導電性材料からなる第１のダミーパターン１２及び第２のダミーパターン１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた電極の近傍に発生する応力を低減し、半導体素子の破損や、特性不良の発生を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子６を有する半導体装置において、半導体素子６にはこの半導体素子６の表裏を貫通する電極２が設けられ、この電極２は中空部分を有し、この中空部分には半導体素子６と電極２との間に発生する応力を低減するための応力緩和材１を形成する。例えば、応力緩和材１には、感光性樹脂からなる低弾性体や、ＳｉＯ_２、ポリシリコン、導電性ペーストなどの材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る多層配線の形成方法は、シロキサン構造を含むビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４を金属配線４１ａ上に形成する第一の工程（図１［１］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の一部に金属配線４１ａに達する凹部としてのデュアルダマシン溝４８を形成する第二の工程（図１［２］〜図２［２］）と、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４とデュアルダマシン溝４８内で露出した金属配線４１ａとに水素プラズマ処理を施すことにより、ビア層間絶縁膜４３及び配線層間絶縁膜４４の表面に改質層４９を形成するとともに金属配線金属配線４１ａの表面を還元する第三の工程（図３［１］）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上の第１の絶縁膜１に形成された配線溝Ｍ１と、配線溝Ｍ１側壁及び底部に形成されたタンタル系バリアメタル２ａと、タンタル系バリアメタル２ａに沿って配線溝Ｍ１を埋め込むように形成されたＣｕ膜２ｂと、Ｃｕ膜２ｂ表面に形成された銅とシリコンの合金層または銅とシリコンと窒素のＣｕＳｉＮ層３ａと、ＣｕＳｉＮ層３ａの上及び第１の絶縁膜１の上に形成され第１の絶縁膜１より高密度なＳｉＮｘ膜３ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の酸素含有量が低い部分とＣｕ配線との密着性およびバリア性を十分に高めることができるバリア層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置ＤＶは、半導体基板ＳＢと、Ｃｕ配線ＷＲと、層間絶縁膜ＩＬと、バリア層ＢＲとを有する。Ｃｕ配線ＷＲは銅を含有し半導体基板ＳＢ上に設けられている。層間絶縁膜ＩＬはＣｕ配線ＷＲを埋め込むように半導体基板ＳＢ上に設けられている。バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。層間絶縁膜ＩＬは、バリア層ＢＲに面し、かつ炭素および窒素の少なくともいずれかを含有するライナー膜ＬＮを含む。バリア層ＢＲのライナー膜ＬＮと面する部分ＢＬは、炭素および窒素の少なくともいずれかを含む化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】ニッケルシリサイド層上の絶縁膜の応力を規定することで、膜剥がれの防止を可能とする。
【解決手段】半導体基板１１に形成された素子分離領域１２と、前記素子分離領域１２で分離された前記半導体基板１１の第１素子形成領域１３に形成されたＰ型電界効果トランジスタ２と、前記素子分離領域１２で分離された前記半導体基板１１にニッケルシリサイド層２９が形成され、該ニッケルシリサイド層２９上からヒ素イオン注入されたＮ型基板領域１４と、前記Ｐ型電界効果トランジスタ２上を被覆する圧縮応力を有する第１絶縁膜４１と、前記Ｎ型基板領域１４上を被覆していて引張応力もしくは前記圧縮応力よりも小さい圧縮応力を有する第２絶縁膜４２とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅配線中における局所的な電流集中を緩和し、かつ銅配線抵抗のばらつきおよび上昇を抑えることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の第１の絶縁膜２中に形成された銅配線３と、銅配線３及び第１の絶縁膜２の上に形成されたシリコン炭化窒化膜４を有し、銅配線３内の銅原子とシリコン炭化窒化膜４の構成原子とが微視的に結合する。 （もっと読む）