【課題】半導体装置の製造方法において、絶縁膜の誘電率を低く維持すると共に、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に層間絶縁膜２９を形成する工程と、層間絶縁膜２９に配線溝２９ａを形成する工程と、層間絶縁膜２９の上面と配線溝２９ａの中とに導電膜２７を形成する工程と、導電膜２７を研磨することにより、層間絶縁膜２９の上面から導電膜２７を除去すると共に、配線溝２９ａの中に導電膜２７を残す工程と、導電膜２７の表面を還元性プラズマに曝す工程と、導電膜２７の表面にシリサイド層３４を形成する工程と、シリサイド層３４の表面に窒化層３６を形成する工程と、炭素を含むガス又は液に層間絶縁膜２９の上面を曝す工程と、層間絶縁膜２９の上面に紫外線を照射する工程と、導電膜２７の上にバリア絶縁膜４０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】より簡易な工程（処理内容）を用いて、導電層表面にキャップ膜を形成することを可能とする。
【解決手段】 基板の上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜中に開口部を形成する工程と、前記開口部とを充填する導電層を形成する工程と、前記導電層の表面にキャップ膜を形成する工程と、を含み、前記キャップ膜を形成する工程において、導電層の表面の還元処理と、膜形成とが同時に行われる。 （もっと読む）

【課題】導電性プラグの上に低誘電率絶縁膜を堆積させる場合、低誘電率絶縁膜の膜厚均一性の悪化による配線のオープン不良もしくはショート不良の発生を抑え、また低誘電率絶縁膜の機械強度や密着性の低下による信頼性の低下を抑えることを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に、第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、第１の絶縁膜を貫通する導電性プラグを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、導電性プラグの上面に保護膜を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、第１の絶縁膜の上および保護膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、保護膜の上面に達するように第２の絶縁膜を貫通する配線溝を形成する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、保護膜を除去する工程（ｆ）と、工程（ｆ）の後に、配線溝内に配線を形成する工程（ｇ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜と下地膜との間の密着性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１メタルキャップ膜ＭＣ１と第２メタルキャップ膜ＭＣ２とが成膜される際に、まず基板Ｓの表面に水素ラジカルが供給されて、表面処理である微粒子のエッチング処理や未結合手への末端処理、さらには酸化層の還元処理が実行される。そして、この表面処理が基板Ｓに施された後、基板Ｓの表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４と励起状態の窒素とが供給されて、第１メタルキャップ膜ＭＣ１及び第２メタルキャップ膜ＭＣ２である硼窒化ジルコニウム膜が成膜される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】剥離しない上部配線膜を形成する。
【解決手段】
下部配線膜１１とコンタクトする部分や、ＳｉＮ層１２の表面に、インクジェット法によってＩｎ微粒子が分散された第一の印刷液を塗布し、焼成して酸化Ｉｎから成る無機接着膜１３を形成し、無機接着膜１３の表面にＡｇ微粒子が分散された第二の印刷液を塗布し、焼成して上部配線膜１４を形成する。無機接着膜１３は、下部配線膜１１表面のＭｏＮ層２３及びガラス基板１０上のＳｉＮ層１２と、上部配線膜１４と接着性が高いので、上部配線膜１４が剥離しない。 （もっと読む）

【課題】誘電率を維持しつつ、密着性を向上することができる層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の反応管２内を昇温用ヒータ１２により所定の温度に加熱する。次に、層間絶縁膜が形成された半導体ウエハ１０を収容したウエハボート９を蓋体７上に載置し、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、半導体ウエハ１０を反応室内に収容する。続いて、反応管２を所定の圧力に維持し、半導体ウエハ１０に紫外線を照射する。 （もっと読む）

ＣＭＯＳイメージセンサにおいて相互接続の層間剥離によるヒルロックタイプのピデフェクトの発生を回避可能なＣＭＯＳイメージセンサの製造方法が開示されている。ＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、第１の金属相互接続を有する基板を準備するステップと、第１の金属相互接続上に中間層の絶縁層を形成するステップと、中間層の絶縁層をエッチングすることにより第１金属相互接続の一部を露光するためのコンタクトホールを形成するステップと、コンタクトホールの内側表面に沿って中間層の絶縁層上にバッファ層を形成するステップと、アニール処理を行うステップと、バッファ層をエッチングすることによりコンタクトホールの側壁にスペーサを形成するステップと、スペーサを有す、中間層の絶縁層の頂面に沿ってバリア金属層を形成するステップと、コンタクトホールがコンタクトプラグで埋められるようにバリア金属層上にコンタクトプラグを形成するステップと、および第２の金属相互接続がコンタクトプラグと接触するように中間層の絶縁層上に第２の金属相互接続を形成するステップとを含む。
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【課題】Ｆ添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った多層配線構造ににおいて、開口部内のバリアメタル膜とＦ添加カーボン膜との反応を抑制し、配線と絶縁膜の密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部４４Ａ内のＦ添加カーボン膜４４の露出表面に、Ｔａバリアメタル膜４７の堆積に先立って、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Ｆと反応した場合に安定な化合物を形成するＡｌなどの金属元素よりなる金属膜４９を堆積する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を被覆した無機絶縁膜のエッチング時にエッチング残渣が生成せず、金属配線や金属層などの銅及び銅合金の腐食を抑制する半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品を提供する。
【解決手段】半導体装置は、パッド電極２が形成された半導体基板１と、少なくとも前記パッド電極２上に形成された無機絶縁膜３と、無機絶縁膜３上に形成された第１の有機絶縁膜４とを備える。第１の有機絶縁膜４は、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド系樹脂と、複素環状化合物、チオ尿素類及びメルカプト基を有する化合物から選択される少なくとも１種の化合物とを含有する樹脂組成物から形成される。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な動作速度およびエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置を製造する。
【解決手段】半導体基板の上面に層間絶縁膜１０１が形成されており、層間絶縁膜１０１内に下層配線１０５が形成されている。層間絶縁膜１０１の上面および下層配線１０５の上面にはライナー絶縁膜１０６が形成されており、ライナー絶縁膜１０６の上面には層間絶縁膜１０８が形成されている。層間絶縁膜１０８内に上層配線１１３が形成されており、下層配線１０５と上層配線１１３とはビア１０９を介して接続されている。そして、ビア周辺領域１４０に形成されたライナー絶縁膜１０６の膜厚は、ビア周辺領域１４０の外側に形成されたライナー絶縁膜１０６の膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】密着性ガードリングを有する積層構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層と、導電層を覆うように形成された絶縁層を有し、基板上に形成された濡れ性変化層において、導電層が複数形成される回路形成領域の周囲を囲むように、高表面エネルギー領域が形成され、高表面エネルギー領域上に絶縁層を形成することにより、濡れ性変化層と絶縁層との間に密着性ガードリング領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体ＩＣの表面から裏面に電極経路を形成する貫通電極形成方法において、界面での導電性材料の剥がれ等の機械的不良や、絶縁不良，導通不良等の電気的不良を抑制することを目的とする。
【解決手段】貫通孔に樹脂材料を形成する際に、貫通孔底部に電極ＰＡＤ１０２を形成し、インクジェット方法により貫通孔の周囲に絶縁材料１０４を中心部に導電性材料１０５を形成し、さらに、インクジェット吐出樹脂を表面に凹凸が形成されるように吐出することにより、絶縁材料１０４と導電性材料１０５との密着性、および絶縁性材料１０４と貫通孔内壁との密着性を向上することができるため、界面での導電性材料１０５の剥がれ等の機械的不良や、絶縁不良，導通不良等の電気的不良を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の高いスループットを維持しつつ、バリアメタルの酸化工程の追加や異なる種類のシード層の積層、バリア層の積層等を行い配線の信頼性を向上させる。
【解決手段】薄膜の合金シード層を成長させるチャンバー、または、薄膜のバリアメタルを成長させるチャンバーのうち、最も短いタクト時間のチャンバー数を最も少なくして、あるいは、統一して１台の装置で専用に用い、タクト時間の長い工程のチャンバーを２または、３チャンバー以上にすることにより、薄膜工程のチャンバー間バラツキを無くして、装置のスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの開口が容易であり、歩留まりが改善され、キャパシタ特性が向上した強誘電体メモリ等の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に層間絶縁膜６を形成する工程と、層間絶縁膜６を貫通し半導体基板表面を露出する第１のホール及び第２のホールを形成する工程と、第１のホール及び第２のホールにそれぞれ導電膜を埋め込んで第１のプラグ１０及び第２のプラグ１０を形成する工程と、層間絶縁膜６上に第１のプラグ１０と接続し、順に積層された導電性バリア膜、下部電極、誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタＣを形成する工程と、キャパシタＣ、層間絶縁膜６、及び第２のプラグ１０を覆うように少なくとも１つのＡｌＯＮ層を有する水素バリア膜２０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、露出誘電表面を覆う銅表面上にコバルト層を選択的に形成するプロセスを提供する。一実施形態では、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間は処理チャンバー内の基板の汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に基板上の誘電表面を露出したままにしながら金属銅表面を覆ってまたは上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、コバルトキャッピング層および誘電表面を覆ってまたは上に誘電障壁層を堆積させるステップとを包含する、基板上の銅表面をキャッピングするための方法が、提供される。別の実施形態では、堆積−処理サイクルは、気相堆積プロセスを実行した後に後処理プロセスを実行するステップを包含し、その堆積−処理サイクルは、複数のコバルトキャッピング層を形成するために繰り返されてもよい。
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基板を加工処理するための方法および装置を提供する。基板を加工処理するための方法は、導電性材料を備えた基板を準備することと、導電性材料上に前処理プロセスを実行することと、シリサイド層を形成するために導電性材料上にシリコン系化合物を流すことと、シリサイド層上に後処理プロセスを実行することと、基板上にバリア誘電体層を堆積することとを含む。
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【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パターン形成された導電性金属層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間に改善された接着性を与えるものである。
【解決手段】本発明は、パターン形成された導電性金属層、通常は銅層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間の改善された接着に関する。
改善された接着性を有するこの構造は、パターン形成された障壁誘電体層とパターン形成された導電性金属層との間に接着層を含んでいる。この接着層は、銅のバルク電気抵抗率を増加することなしに、金属層と障壁層との間の接着力を、向上させる。改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。 （もっと読む）

集積回路中の銅線を完全に取り囲んでいるケイ酸マンガン層及び窒化ケイ素マンガン層を組み込んだ集積回路用の配線構造、及びその製造方法を提供する。ケイ酸マンガンは、銅が配線から拡散しないためのバリアを形成し、それにより、絶縁体が磁気尚早に損しないよう保護し、トランジスタが銅により劣化しないように保護する。また、ケイ酸マンガン及び窒化ケイ素マンガンは、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、これゆえに製造及び使用の間のデバイスの機械的な完全性が保持される。また、銅−ケイ酸マンガン界面及び窒化ケイ素マンガン界面における強い接着は、デバイスの使用の間の銅のエレクトロマイグレーションによる損傷から保護する。また、マンガン含有シースは、銅がその周囲の酸素又は水により腐食しないよう保護する。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）