【課題】バリアメタルの低抵抗化により配線抵抗の低抵抗化を図ると共に、バリアメタルのＣｕに対する拡散バリア性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１４が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１４上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１４，３０とビア２８とは、バリアメタル１６，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１６，３２は、Ｒｕ_ｘＳｉ_ｎＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＳｉ_ｎ膜の少なくとも１つの膜１７Ａ，３４Ａと、Ｒｕ_ｘＮ_ｙ膜１７Ｂ，３４Ｂと、Ｒｕ膜１７Ｃ，３４Ｃとが積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】抵抗が小さく信頼性の高いＣｕ配線またはＣｕプラグを備えた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。バリアシード膜６は、絶縁体または半導体の特性を有する高融点金属の酸化物または窒化物からなる単層の膜であって、該膜に銅以外の低抵抗金属が含有されている。 （もっと読む）

【課題】パッドの補強を行いつつパッド近傍の構造を小型化できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層配線の形成には、ハーフトーンマスクを用いて細いパターンを形成し、パッド４８直下に位置するパッドと下層配線とを連絡する配線５０と、パッドと接続するパッド補強用配線５２とを、ノーマルフォトマスクを用いて大きい幅で形成する。これにより、マスク重なりマージンを設けることなくパッド下の配線を形成出来、高強度を維持しながらパッド近傍構造の小型化を図ることが出来る。 （もっと読む）

自己制限プロセスシーケンスによって窒化アルミニウム層（１０６）を形成することにより、銅系メタライゼーション層の界面特性を大幅に改善できる一方で、層スタックの全体的な誘電率を低いレベルに保つことができる。
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【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い金属層を導電膜上に形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】集積回路１２が形成され、集積回路１２に電気的に接続された電極１４を有する半導体基板１０に、電極１４を覆うように第１の導電膜２０を形成する。第１の導電膜２０をエッチングして第１の導電膜パターン２４を形成する。第１の導電膜パターン２４を覆うように第２の導電膜２６を形成する。第２の導電膜２６に電流を流して行う電解メッキによって、第２の導電膜２６上に、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように金属層３０を形成する。金属層３０をマスクとして第２の導電膜２６をエッチングして、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように第２の導電膜パターン３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高い配線、電極又は端子電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、ＴＦＴ型液晶表示装置のＴＦＴ側基板の上に形成されたゲート配線あるいはゲート電極であって、配線あるいは電極は、二つの異なる絶縁層あるいは絶縁物に挟持された構造を有し、これらは銅を主成分とした第一の層と、当該第一の層の外周部を被覆する酸化物からなる第二の層からなり、さらに第二の層の組成式が、ＣｕＸＭｎＹＳｉＺＯ（０＜Ｘ＜Ｙ，０＜Ｚ＜Ｙ）であること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メモリを有するＲＦＩＤにおいて、プロセスもしくは回路面積を増大させることなくアンテナの配置を行うことを課題とする。
【解決手段】メモリを中央に配置し、メモリ共通電極を囲むようにアンテナの配線を行う。さらに、メモリ共通電極とアンテナの距離は５００μｍ以上、好ましくは１０００μｍ以上離して配置する。このような構成により、メモリ共通電極とアンテナとを共通の絶縁層上に形成することが可能となり、余剰プロセスを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における上層と下層配線の密着性が改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成され、下層配線１００を含む第２の誘電体多層膜８０と、第２の誘電体多層膜上に形成され、凹部３０を有する第１の誘電体多層膜２０と、凹部３０の側面に形成された金属Ｍと酸素を主成分とするＭＯｘ膜４０と、ＭＯｘ膜４０上に形成されたＭを主成分とするＭ膜５０と、Ｍ膜５０上に凹部３０を埋設するＣｕを主成分とする導電体６０と、を有し、凹部３０の底部の直下に存在する下層配線１００の表面の酸素濃度は１％以下である。 （もっと読む）

【課題】自己形成バリア膜を有するＣｕ配線中に残留する不純物金属の濃度を下げることにより、配線抵抗の低い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上のＳｉ含有絶縁膜に凹部を形成し、この絶縁膜の表面にＣｕＭｎからなる前駆体膜を形成する。前駆体膜上にＣｕ膜を堆積し、酸化雰囲気下で熱処理することにより、前駆体膜と絶縁膜を反応させ、その境界面にＭｎＳｉＯからなる自己形成バリア膜を形成する。未反応のＭｎを配線形成膜内に拡散移動させ、さらに配線形成膜表面で雰囲気中の酸素と反応させ、ＭｎＯ膜として析出させる。ＭｎＯ膜を除去し、Ｃｕ膜上にさらにＣｕを堆積し、配線形成膜を積み増す。凹部外の絶縁膜が露出するまでＣｕ膜をＣＭＰ法により平坦化してＭｎ濃度の低いＣｕ配線構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線のＣｕ拡散防止性能を向上する。
【解決手段】酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面に、アンモニアプラズマ処理を施す。これにより、例えば厚さ１０ｎｍ未満の薄い窒化シリコン膜が形成される。この結果、酸化シリコン膜３９の上面、配線溝４２の側壁部の酸化シリコン膜３９の表面、配線溝４２の底部の酸化シリコン膜３１ｂの上面およびスルーホール３４の側壁部の酸化シリコン膜３１ｂの表面部分の膜質、清浄度、電気的な安定性を向上でき、Ｃｕの拡散防止性能を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】配線層が狭ピッチ化されても配線層の剥がれを十分に防止できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁層１０の配線配置領域の内側に、配線層２０の剥がれを防止するアンカー部２０ｘを構成するための溝１０ｘを形成した後に、下地絶縁層１０の配線配置領域に、溝１０ｘに埋め込まれたアンカー部２０ｘを備えて、下地絶縁層１０の上面から突出する配線層２０を形成する。配線層２０の形成方法は、セミアディティブ法が好適に使用される。 （もっと読む）

【課題】絶縁層と絶縁層との密着性を高め、半田バンプシア強度、半田バンププル強度を高め、半導体装置の基板実装後の信頼性を向上し得る半導体装置とその製造方法及び半導体装置を使用した電子装置の提供。
【解決手段】本発明は、半導体基板２１の表面に絶縁層２３が設けられ、該絶縁層上に導電層２４，２５が設けられ、該導電層上に半田バンプ２６が設けられた半導体装置において、前記導電層に、前記絶縁層側に突出する楔部２８Ａを少なくとも１箇所有することを特徴とする半導体装置２０Ａを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い配線を形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】集積回路が形成された半導体基板１０の、集積回路に電気的に接続された電極１２を有する面に、凹部２４を有するように樹脂層２０を形成する。樹脂層２０及び電極１２を覆うように導電膜３０を形成する。樹脂層２０の凹部２４の内側面及び底面上方で導電膜３０の一部が露出する開口４２を有するようにメッキレジスト層４０を導電膜３０上に形成する。導電膜３０に電流を流して行う電解メッキによって導電膜３０のメッキレジスト層４０からの露出部上に金属層５０を形成する。メッキレジスト層４０を除去する。金属層５０をマスクとして、導電膜３０の金属層５０からの露出部をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細化しても剥離が生じ難い金属層を導電膜上に形成することを図ることを目的とする。
【解決手段】
集積回路が形成され、集積回路に電気的に接続された電極１２を有する半導体基板１０に、電極１２を覆うように導電膜１８を形成する。導電膜１８に電流を流して行う電解メッキによって導電膜１８の一部上に金属層２６を形成し、導電膜１８に対して金属層２６に対するよりも強いエッチング作用のある第１のエッチャントによって、金属層２６をマスクとして導電膜１８をエッチングする。このとき、導電膜１８の、金属層２６下の部分をサイドエッチングする。金属層２６に対して導電膜１８に対するよりも強いエッチング作用のある第２のエッチャントによって、金属層２６をエッチングする。このとき、金属層２６の、導電膜１８のサイドエッチングによって導電膜１８からオーバーハングした部分をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電膜の上に、ゾル・ゲル法により強誘電体膜２４を形成する工程と、強誘電体膜２４上に第１導電性酸化金属膜２５ｄを形成する工程と、第１導電性金属酸化膜２５ｄに対して第１のアニールを行う工程と、第１導電性酸化金属膜２５ｄ上に第２導電性酸化金属膜２５ｅを形成する工程と、第１導電膜２３、強誘電体膜２４、及び第２導電膜２５をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを有し、第１導電性酸化金属膜２５ｄを形成する工程において、スパッタガスにおける酸素流量比が増大することにより強誘電体膜２４の強誘電体特性が向上することを利用し、強誘電体特性を酸素流量比で調節する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電膜２３の上に、少なくともゾル・ゲル法による成膜ステップを含む成膜方法により第１強誘電体膜２４ｂを形成する工程と、第１強誘電体膜２４ｂの上に、スパッタ法により第２強誘電体膜２４ｃを形成する工程と、第２強誘電体膜２４ｃの上に第２導電膜２５を形成する工程と、第１導電膜２３、第１、第２強誘電体膜２４ｂ、２４ｃ、及び第２導電膜２５をパターニングして、下部電極２３ａ、キャパシタ誘電体膜２４ａ、及び上部電極２５ａを備えたキャパシタQを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中に、内壁面で画成された開口部を形成する工程と、前記内壁面をＣｕ−Ｍｎ合金層により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層が、前記内壁面に直接に接するように覆う工程と、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に第１のＣｕ層を堆積する工程と、前記第１のＣｕ層上に第２のＣｕ層を堆積し、前記第２のＣｕ層により前記開口部を充填する工程と、前記内壁面上に、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記絶縁膜との反応により、バリア層を形成する工程と、前記Ｃｕ−Ｍｎ層中の未反応Ｍｎ原子を前記第２のＣｕ層の表面より、前記第１および第２のＣｕ層を介して除去する工程と、含む半導体装置の製造方法において、形成されるＣｕ配線層の抵抗を低減する。
【解決手段】前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層の形成の後、大気に露出することなく、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層上に前記第１のＣｕ層を堆積する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】銅配線から絶縁膜へのＣｕイオンの電界拡散を抑制させること。
【解決手段】第１の銅導体３３と、第１の銅導体より低い電位にある第２の導体３０と、第１の銅導体３３と第２の導体３０との間に位置する第１の絶縁膜３１と、第１の銅導体３３と第１の絶縁膜３１との間に、膜厚と抵抗率が第１の絶縁膜３１よりも小さな第２の絶縁膜３２を備えた半導体装置を提供する。第２の絶縁膜３２の抵抗率は、第１の絶縁膜３１の抵抗率の１／１０以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、比抵抗が低い導電膜を成膜する。
【解決手段】本発明のターゲット１１はＣｕを主成分とし、第一の添加金属であるＺｒが添加されており、このターゲットをスパッタリングして得られる第一の導電膜はＣｕを主成分とし、Ｚｒを含有する。このような膜はシリコンやガラスに対する密着性が高いだけでなく、比抵抗も低く、Ｃｕがシリコン層に拡散し難いので、シリコン層やガラス基板表面に形成される電極や金属配線に特に適している。ターゲット１１に更に、Ｍｎと、Ｚｎと、Ｓｎ等の第二の添加金属を添加すればシリコン、ガラス、ＩＴＯに対する密着性がより高くなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージの影響を抑止するシール層を用いて、ビア抵抗を増大させることなく信頼性不良を低減することを可能とする。
【解決手段】層間絶縁膜１１に凹部（ビアホール１３、配線溝１４）を形成する工程と、前記凹部の内面にアルキル基を有するシラン系のガスをプリカーサとして用いたシール層１５を形成する工程と、前記シール層１５に対して電子線キュアもしくは紫外線キュアを行う工程と、前記凹部に導電体１７を埋め込む工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）