【課題】ダマシン構造の金属配線形成において、バリアメタル膜形成工程を省略し、タングステンのグレインサイズを大きくし、電気抵抗の低いタングステン配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に絶縁膜及びグルー膜を形成する段階と、上記グルー膜及び絶縁膜の一部を除去してトレンチを形成する段階と、トレンチ側壁に絶縁膜を形成する段階と、トレンチ内部をクリーニングする段階と、ＡＬＤ法により核生成を行う段階と、トレンチ及びグルー膜を含む上記半導体基板の上部にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する段階と、上記絶縁膜が露出されるまで研磨工程を実施してダマシン構造のタングステン配線を形成する段階からなる。 （もっと読む）

【課題】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造は、下部構造物上に形成されたバリヤ膜と、バリヤ膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、中間膜上に形成されたキャッピング膜と、を含む。これにより、銅導電膜の化学的反応による酸化又は腐蝕を防止でき、低抵抗銅配線の信頼性を確保でき、信号特性がよくなり、画質が改善できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、合金層（シード層）中のＭｎを高濃度化せずに、導電層の膜剥がれを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成し、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、多孔質膜２０上にＣｕＭｎ合金からなる合金層１７を形成する工程を行う。次いで、合金層１７が設けられた配線溝に、Ｃｕを主成分とする導電層１８を埋め込む工程を行う。その後、熱処理を行い、合金層１７中のＭｎを多孔質膜２０の構成成分と反応させて、合金層１７と多孔質膜２０との界面に、銅の拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜１９を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着力が改善されて、良好な側面プロファイルを有する銅配線構造を提供する。本発明はまた、前記構造を有する配線形成方法を提供する。本発明はさらに、前記配線構造を含む薄膜トランジスタ基板を提供する。本発明はさらに、前記したような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】導体材料がキャパシタ電極材料に到達するのを抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様に係る半導体装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成される下部電極と、前記下部電極上に形成される容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成される上部電極より構成されるキャパシタと；前記上部電極及び下部電極上に形成されるコンタクトホールと；前記コンタクトホール内に形成される、酸素を含有したバリア層と；内面に前記バリア層が形成された前記コンタクトホールに充填される導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】タンタルからなるバリアメタル膜がダメージを抑制もしくは低減された低比誘電率層間絶縁膜に接して設けられているとともに、Ｔａバリアメタル膜およびこれに覆われた導電体の接続不良も抑制されている半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２６は、比誘電率が３以下の低比誘電率層間絶縁膜８、バリアメタル膜２１、導電体２２を具備する。低比誘電率層間絶縁膜８には、開口部１７，２０が形成されている。バリアメタル膜２１は、開口部１７，２０の内側を覆って設けられているとともに結晶構造が互いに異なるα−Ｔａおよびβ−Ｔａを含むタンタルの膜からなり、かつ、α−Ｔａとβ−Ｔａとの組成比が低比誘電率層間絶縁膜８に接する部分において１以上５以下となっている。導電体２２は、開口部１７，２０に形成されたバリアメタル膜２１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
【解決手段】実施形態は、銅配線について、エレクトロマイグレーション耐性を向上させるため、より低い金属抵抗率を提供するため、そして金属−金属またはシリコン−金属の界面接着を改善するために、金属−金属界面またはシリコン−金属界面を形成するプロセスおよび統合システムを提供する。統合システム内において、銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、基板表面を調整する代表的方法が提供される。方法は、統合システム内において、基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、汚染物および金属酸化物を除去した後に、統合システム内において、還元環境を使用して基板表面を再調整することとを含む。方法は、また、基板表面を再調整した後に、統合システム内において、銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることも含む。また、上述された代表的方法を実施するためのシステムも、提供される。 （もっと読む）

【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
【解決手段】１つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。実験室雰囲気制御搬送モジュールと、１つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第１の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび１つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。真空搬送モジュールと、１つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第２の雰囲気環境を管理する。真空搬送モジュールおよび１つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第３の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、したがって、第１、第２、または第３の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜の構造を工夫することで、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させることを可能とする。
【解決手段】基板１１上の第１絶縁膜１２に形成された第１配線１７を被覆する第２絶縁膜２１と、前記第２絶縁膜２１に形成された配線溝２５と、前記配線溝２５の底部の前記第２絶縁膜２１に形成されたもので前記第１配線１７に通じる接続孔２６と、前記接続孔２６底部を除く前記配線溝２５と接続孔２６との内面に形成された第１バリア膜３１と、前記接続孔２６底部の前記第１絶縁膜１２上に形成された第２バリア膜３４と、前記第１バリア膜３１および第２バリア膜を３４介して前記配線溝２５および前記接続孔２６に埋め込まれた第２配線３５（含むプラグ３６）とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際に発生するパッド部分の金属のめくれ上がりによるバリを低減することができるとともに、プロセスコントロールモニタを通じてのプローブ検査を問題なく実行することができる半導体ウエハおよび半導体チップの製造方法および半導体ウエハプローブ検査方法を提供する。
【解決手段】プロセスコントロールモニタを通じて半導体チップの製造プロセスに対してプローブ検査する際にプロセスコントロールモニタの電極として用いるパッド５を、複数の配線層７により積層構造にして、各配線層７をビア６で接続し、各配線層７の密着強度を増加させた状態で、ビア６部分を残してダイシングする。 （もっと読む）

【課題】有機不純物層の形成を抑え、且つ銅膜と下地となる金属との密着性のよい半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】チタン等の酸化傾向の高い金属からなるバリアメタル層１３（下地膜）が被覆された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、水蒸気の供給の開始と同時またはその後、銅の有機化合物（例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）からなる原料ガスを供給して、水蒸気により酸化物層１３ａが形成されたバリアメタル層１３の表面に銅膜を成膜する。次いで、このウエハＷに熱処理を施して、酸化物層１３ａを、バリアメタル層１３を構成する金属と銅との合金層１３ｂに変換する。 （もっと読む）

【課題】動作による発熱及び外部の温度変化等によって熱膨張又は熱収縮が起こっても、低誘電率絶縁層が剥離したり破壊したりすることを抑制し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１と、このシリコン基板１上に形成され比誘電率が二酸化珪素の比誘電率４．２よりも小さい低誘電率絶縁層３と、この低誘電率絶縁層３内に相互に絶縁されて形成された複数個の配線４及び６と、低誘電率絶縁層３内に形成され配線４及び６間を接続する複数個のビア５と、低誘電率絶縁層３の端部に接するようにシリコン基板１上に設けられ低誘電率絶縁層３よりも大きい弾性率を有する剥離防止層１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】銅膜とその下地膜との密着性がよく、配線間の抵抗の小さな半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】大気中の水分を吸収した多孔質の絶縁層（ＳｉＯＣ膜１１）にトレンチ１００の形成された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、バルブメタルからなる第１の下地膜（Ｔｉ膜１３）を被覆する。絶縁層から放出された水分により、絶縁層と接する第１の下地膜の表面が酸化されてパッシベーション膜１３ａが形成される。一方、第１の下地膜の表面をバルブメタルの窒化物または炭化物からなる第２の下地膜に被覆し、その表面に銅の有機化合物を原料とするＣＶＤにより銅膜１５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性や信頼性等に優れたスタック型ＤＲＡＭのキャパシタを得る。
【解決手段】 ＭＩＳトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された下部電極と、前記下部電極の上面及び側面上に形成されたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜上に形成された上部電極とからなる電荷保持用のキャパシタを有する半導体装置であって、前記下部電極の底部近傍の側面は凹んでおり、この凹んだ部分は前記キャパシタ絶縁膜とは異なる絶縁膜に接している。 （もっと読む）

【課題】高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。
【解決手段】異なる工程において、ウェットエッチングを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層２１ｂをそれぞれ個別に残らず除去する。従って、電極２５を形成するために、外側電極材層及び外側バリアメタル層を同時に除去する工程が存在しない。そのため、ＣＭＰを用いる必要がなく、ウェットエッチングのみを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】再配線層のエッジ部付近に界面剥離やクラックが生じることを防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１００と、半導体基板１００上に形成され、開口１１０ａ（第１開口）を有する第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と、第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上の一部から開口１１０ａ（第１開口）内にかけて形成され、最上面の大きさが第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）と接する面の外周に囲まれた領域の大きさよりも小さい第１再配線層１１と、第１再配線層１１上及び第１層間絶縁膜１１０（第１絶縁膜）上に形成された第２層間絶縁膜１２０（第２絶縁膜）とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性、生産性に優れたアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板は、透明絶縁基板１上に第１の金属膜からなるゲート電極２およびゲート配線４と、ゲート電極２およびゲート配線４を覆うゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜５上に形成された半導体層と、半導体層上に形成されたソース電極８ｂ、ドレイン電極８ａと、透明導電膜からなる画素電極８とを備えたアクティブマトリクス型ＴＦＴアレイ基板であって、ソース電極８ｂまたはドレイン電極８ａのうち、少なくとも一方は透明導電膜８からなり、その上に第２の金属膜９を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができ、Ａｕメッキ部のイオンマイグレーションによる劣化を抑制することができる半導体装置を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、非気密パッケージに実装される半導体装置であって、半導体基板と、半導体基板上に形成された配線金属膜と、配線金属膜上に形成されたメッキ給電膜と、メッキ給電膜上に形成されたＡｕメッキ部と、Ａｕメッキ部を覆う金属膜と、金属膜を覆う絶縁保護膜とを有する。そして、金属膜は、電位−ｐＨ図において不感域及び不動態域で構成され、腐食域を持たない又は腐食域が非常に小さい金属材料からなる。 （もっと読む）

【課題】多層配線を含む半導体装置に、ボラジン系化合物の絶縁膜を用いた場合に、半導体装置のデバイス信頼性が向上させる。
【解決手段】ボラジン骨格を含む層間絶縁膜であって、表面の窒素原子濃度が内部の窒素原子濃度より高いことを特徴とする層間絶縁膜、およびボラジン化合物を原料として、化学的気相反応成長法（ＣＶＤ法）により成膜する工程と、当該膜の表面に、窒素原子を含有するガスを作用させる工程と、を含むことを特徴とする層間絶縁膜の製造方法、ならびに当該層間絶縁膜を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ボラジン骨格を含む絶縁膜を用いた半導体装置のデバイス信頼性を向上させる。
【解決手段】ボラジン化合物を原料として成膜し、当該膜に波長４５０ｎｍ以下の波長を有する紫外線または電離放射線を照射することを特徴とする層間絶縁膜の製造方法および当該製造方法を用いて製造された層間絶縁膜、ならびに当該層間絶縁膜を有する半導体装置。 （もっと読む）