【課題】先に形成された下層配線に熱的ダメージを与えることなく、エッチング加工後の低誘電率膜に結合した水分やエッチングガス成分を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成した有機絶縁膜３および無機絶縁膜４にエッチング加工を施して配線溝５ａを形成した後、エッチング加工によって絶縁膜３，４の表面に結合したダメージ成分を電子線ＥＢ照射または紫外線ＵＶ照射によって除去する。電子線ＥＢまたは紫外線ＵＶの照射は、不活性な雰囲気中で半導体基板を加熱した状態で行われる。カーボン系ガスまたはシラン系ガスなどの修復ガスＧを添加した雰囲気中で行われる。 （もっと読む）

【課題】 貴金属ライナとこれに隣接する誘電材料との間の付着性を向上させた相互接続構造を提供する。
【解決手段】 化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させた相互接続構造およびこれを製造する方法を提供する。本発明によれば、化学的にエッチングした誘電材料に処理ステップを行って、処理した表面が疎水性になるように誘電材料の化学的性質を変更する。処理ステップは、貴金属ライナの堆積前に実行して、化学的にエッチングした誘電材料と貴金属ライナとの間の付着性を向上させるのに役立てる。 （もっと読む）

【課題】金属膜の剥離といった問題が生じない高精度な金属配線の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面にレジストマスク２を形成し、このレジストマスク２に配線パターンを形成し、レジストマスク２及び基板１の表面の露出部１１に金属膜３を形成した後、レジストマスク２を剥離して基板１上に金属膜３のみを残す金属配線の製造方法であって、金属膜３の形成前に、露出部１１に凹部１２を設けると共に凹部１２の底面を粗面化し、金属膜３は０．５μｍ以上の膜厚を有することを特徴とする金属配線の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、パッケージサイズがチップサイズに近く、応力吸収層とは別に、熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】パッケージサイズがチップサイズに近く、応力吸収層とは別に、熱ストレスを効果的に吸収することができる半導体装置である。半導体装置１５０は、電極１５８を有する半導体チップと、半導体チップの上に設けられる応力緩和層としての樹脂層１５２と、電極１５８から樹脂層１５２の上にかけて形成される配線１５４と、樹脂層１５２の上方で配線１５４に形成されるハンダボール１５７と、を有し、樹脂層１５２は表面に窪み部１５２ａを有するように形成され、配線１５４は窪み部１５２ａの上を通って形成される。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバにおいて１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＣＳＰ型の半導体装置を提供する。
【解決手段】パターニングされた層間絶縁膜３を含む半導体基板１上に形成されるパッド電極４の端部７をメッキ層５で隙間なく被覆する。メッキ層５の端部６は絶縁膜２（酸化膜）の一部上で接するように形成されている。メッキ層５と絶縁膜２（酸化膜）は接着性が高く、パッド電極４の端部７が露出されない。また、パッド電極４を被覆するメッキ層５が極端に薄くなる部位がないので、腐食の原因となる水、薬液等の物質がパッシベーション膜９から浸入したとしても、パッド電極４はメッキ層５によって保護される。 （もっと読む）

【課題】チタン／窒化チタン積層膜上にアルミニウム膜が形成されたアルミニウム配線を有する半導体製品の製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】バリアメタル成膜用のチャンバ６５において、チャンバ６５内に窒素を含まない不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、シャッタ上にチタン膜を堆積する工程と、シャッタをチャンバ６５内に備わる格納場所へ移動させた後、半導体ウエハＳＷをチャンバ６５内に設置する工程と、チャンバ６５内に窒素を含まない不活性ガスを導入して半導体ウエハＳＷの主面上にチタン膜を堆積する工程と、チャンバ６５内に窒素を含む不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、チタン膜上に窒化チタン膜を堆積する工程と、アルミニウム成膜用チャンバ６６において、チャンバ６６内に不活性ガスを導入してスパッタリングを行い、窒化チタン膜上にアルミニウム膜を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタクト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクトホールを埋めるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線が高密度化しても導電層が絶縁層から剥離することのない配線基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁層１２の一面１２ａに形成された凹部１３によって導電層１４の下面側が絶縁層１２の内側に食い込むので、導電層１４の形成時に、導電層１４と絶縁層１２との間に配された密着層１５や給電層１６が、導電層１４の配線幅Ｗ１よりも内側まで抉られてしまっても、導電層１４が絶縁層１２から剥離してしまうことが防止される。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減に寄与する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１８上に設けられたバンク３４によって区画されたパターン形成領域に
、機能液を配置して膜パターンを形成する。基板１８上に第１のバンク形成材料を配置し
て第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成す
る工程とを有する。第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バ
ンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、４００℃以上の高温処理をせずに、ドライエッチングによるダメージを補修し、層間絶縁膜からの脱ガスを防止する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた下層配線１５上および層間絶縁膜１２上に、層間絶縁膜１７を形成し、層間絶縁膜１７に配線溝１９と、配線溝１９の底部に連通し、下層配線１５に達する接続孔１８を形成する。次に、層間絶縁膜１７に炭素とシリコンを含有するガスを用いたプラズマ処理を行うことで、配線溝１９および接続孔１８の側壁に露出された層間絶縁膜１７の表面側に緻密層３１とＳｉ_xＣ_y膜からなるシール層３２を形成する。次いで、プラズマ処理後の配線溝１９および接続孔１８の内壁を覆う状態で形成されるバリア膜２０を介して、接続孔１８にヴィア２１を形成するとともに配線溝１９に上層配線２２を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】層配線の剥がれを起こさない配線構造とその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＰやＧａＡｓなどを材料とする半絶縁性半導体基板１１上に、半導体を保護するための二酸化珪素などの絶縁膜１２が形成され、その上に層間膜１４が形成され、ビアホール１５の壁を含めて、層間膜１４の表面に、中心導体１７を有する第二層の配線が形成され、該第二層の配線が、絶縁膜である層間膜１４または耐湿性保護膜１８と接するすべての部分において、二層配線の中心導体１７とは異なる導電材料からなる被覆膜である密着性向上膜１６、２０または２１を有することを特徴とする配線構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】電極または金属配線と所望の絶縁膜とを密着でき、所望の低リーク電流特性および高耐圧特性を得ることができること。
【解決手段】この発明にかかるＨＥＭＴ１００は、基板１の上部に形成された化合物半導体層の電子供給層５の上部に、ソース電極６とゲート電極７とドレイン電極８と絶縁膜９，１０とを有する。ソース電極６、ゲート電極７、およびドレイン電極８と絶縁膜１０との各接合界面には窒化物系の接合膜１１ａ，１１ｄ，１１ｃが形成され、ゲート電極７と絶縁膜９との接合界面には窒化物系の接合膜１１ｂが形成される。接合膜１１ａ，１１ｄ，１１ｃは、ソース電極６、ゲート電極７、およびドレイン電極８と絶縁膜１０とをそれぞれ接合する。接合膜１１ｂは、ゲート電極７と絶縁膜９とを接合する。 （もっと読む）

【課題】 従来技術のＭＯＬメタラジを用いてその欠点を回避する新しいＭＯＬメタラジとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸素ゲッター層と金属含有導電性材料との間に配置されたＣｏ含有ライナを含む半導体構造が提供される。Ｃｏ含有ライナ、酸素ゲッター層及び金属含有導電性材料は、Ｃｏ含有ライナが従来のＴｉＮライナと取って代わるＭＯＬメタラジを形成する。「Ｃｏ含有」とは、ライナが、元素状Ｃｏのみを含むか、又は元素状ＣｏとＰ又はＢの少なくとも１つを含むことを意味する。高アスペクト比のコンタクト開口部内により良好な段差被覆性の本発明のＣｏ含有ライナを提供するために、Ｃｏ含有ライナが、無電解蒸着プロセスによって形成される。 （もっと読む）

【課題】銅のエレクトロマイグレーション耐性を高めるためのコーティング方法の提供。
【解決手段】多層複合デバイスの作製方法であって、（Ａ）表面をａ）アニリンのジアゾニウム塩か、少なくとも１種の官能基を担持するジアゾニウム塩か、又は請求項１で定義される式：Ｈ２Ｎ−Ａ−Ｘ−Ｚのアミン化合物かを含む溶液にか；ｂ又は、アリールジアゾニウム塩を含有する第一溶液に続けて、シラン、シラザン、シロキサン、アミン、ヒドロキシル基、及びカルボキシル基から成る群から選択される少なくとも１種の官能基を担持し、かつ上記アリールジアゾニウム塩によって複合材料の上記表面にグラフトされたアリールラジカルと反応可能な少なくとも１種の官能基を担持する化合物を含有する第二溶液に接触させることによって、誘電体層を、誘電体層に銅領域を有する上記表面上に形成し、（Ｂ）Ｓｉ含有の誘電性Ｃｕエッチング停止層及び／又は銅拡散バリアから成る上層を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 ボンディング工程で印加される超音波振動によって表面電極が剥離することが無い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０の表面に層間膜４が形成され、前記層間膜４を貫通し前記半導体基板１０の表面又は内部に至るコンタクトホール１１内にバリアメタル３を介して埋め込まれたコンタクト電極２を有し、前記コンタクト電極２の上部で表面電極１と接続された半導体装置において、前記層間膜４の表面に凹部１２が形成され、前記凹部１２内で前記層間膜４と前記表面電極１が直接接している。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド部のパッド剥がれを抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜８上にバリアメタル層１４を形成する工程と、パッド開孔部の下に位置する前記バリアメタル層の少なくとも一部を除去する工程と、前記除去する工程により露出した層間絶縁膜８及び前記バリアメタル層１４の上に第２のＡｌ合金膜１５を形成する工程と、第２のＡｌ合金膜及び前記バリアメタル層をパターニングすることにより、前記層間絶縁膜上にボンディングパッド部１７ａを形成する工程と、前記ボンディングパッド部及び前記層間絶縁膜の上にパッシベーション膜１８を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記ボンディングパッド部上に位置するパッド開孔部を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】積層された導電性バリア層の酸素バリア性を向上させると共に、積層された導電性バリア層に生じる浮きや剥離を防止してコンタクト抵抗の安定化を図る。
【解決手段】半導体装置は、容量素子２１とトランジスタのソース領域又はドレイン領域１３とを電気的に接続するコンタクトプラグ１５と、該コンタクトプラグ１５の上に形成された高融点金属のみの窒化物である窒化チタンからなる導電層１６Ａと、窒化チタンアルミニウム膜、イリジウム膜及び酸化イリジウム膜の積層膜からなる酸素の拡散を防止する多結晶状の導電性酸素バリア層１７とを有している。結晶配向性が低い窒化チタンからなる導電層１６Ａを導電性酸素バリア膜１７の下側に設けたことにより、導電層１６Ａの直上に形成される導電性酸素バリア膜である窒化チタンアルミニウム膜は緻密な膜構造となるため、酸素の侵入を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】銅膜の表面にマンガン化合物膜を残すことにより、歩留まりおよび配線信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板１上に層間絶縁膜４を形成する工程と、層間絶縁膜４に開口部４ａ，４ｂを形成する工程と、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第１マンガン含有銅膜を形成する工程と、層間絶縁膜４の表面に、マンガン化合物膜８を形成する第１アニール処理を行う工程と、マンガン化合物膜８上であって、開口部４ａ，４ｂの内壁を被覆する第２マンガン含有銅膜６−２を形成する工程と、開口部４ａ，４ｂを埋め込む銅膜７−２を形成する工程と、層間絶縁膜４上に形成された銅膜７−２を除去する工程と、銅膜７−２と層間絶縁膜４の界面および銅膜７−２の表面に、マンガン化合物膜８，１０を形成する第２アニール処理を行う工程とを有する。 （もっと読む）