【課題】 本発明の目的は、導電層の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に第１の樹脂層２０ｂを形成する工程と、（ｂ）第１の樹脂層２０ｂをキュアする工程と、（ｃ）キュア後の第１の樹脂層２０よりも立ち上がりが緩やかとなる第２の樹脂層３０ａを第１の樹脂層２０の少なくとも根元部に形成する工程と、（ｄ）第２の樹脂層３０ｂをキュアすることにより、第１及び第２の樹脂層２０，３０を含む樹脂突起４０を形成する工程と、（ｅ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】表面粗度が小さく、平滑性や緻密性に優れ、しかも、基材への密着性やエッチング性に優れた金属被膜と、前記金属被膜を形成するための形成方法と、前記金属被膜をパターン形成した金属配線とを提供する。
【解決手段】金属被膜は、金属微粒子と、水と、分子量２０００〜３００００の分散剤とを含む金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、焼成して形成され、
(1) Ａｇと、
(2) Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、およびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、
を含む合金からなり、合金の総量中の、Ａｇの含有割合が８０〜９９．９原子％、平均結晶粒径が０．２〜５μｍである。形成方法は、金属微粒子分散液を、基材の表面に塗布し、乾燥後、７００℃以下の温度で焼成する。金属配線は、金属被膜をパターン形成した。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、樹脂突起２０上に至るように形成された配線３０とを含む。配線３０は、樹脂突起２０の上端面に形成された第１の部分３１と、樹脂突起２０の基端部の側方に形成された第２の部分３２とを含む。第２の部分３２は、第１の部分３１よりも幅が狭い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点に鑑み、動作速度の遅延を発生させる寄生容量の増大を招くことなく、ボンディング時のパッド剥がれを低減することが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路装置１は、基板１０と；基板１０上に形成された絶縁膜１１と；絶縁膜１１の最上層に形成されたパッド１６ａと；基板１０とパッド１６ａとの間に形成されたダミーパッド１２ａ〜１５ａと；パッド１６ａとダミーパッド１２ａ〜１５ａとを導通するビア１８と、を有して成る半導体集積回路装置であって、ダミーパッド１２ａ〜１５ａのうち、少なくとも最下層のダミーパッド１２ａは、半導体基板１０に対向する面積がパッド１６ａのそれより小さくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に貫通孔２を形成し（図１（ａ））、半導体基板１の一表面および他表面および貫通孔２の内周面に絶縁層３を形成する（図１（ｂ））。半導体基板１の上記一表面側に金属層４を形成する際に上記一表面側と貫通孔２の内側とで金属層４が絶縁層３に積層され、且つ、金属層４のうち貫通孔２の内側で絶縁層３に積層される部位の厚みが半導体基板１の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて徐々に薄くなるようにする（図１（ｃ））。金属層４をシード層として電解メッキ法により貫通孔２の内側を埋め込む金属部５を半導体基板１の厚み方向に沿って析出させる（図１（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液を提供すること。また、前記エッチング液を利用する配線形成方法を提供すること。さらに、前記エッチング液を利用する薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング液、これを利用する配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法が提供される。モリブデン／銅／窒化モリブデン多重膜配線用エッチング液は過酸化水素１０ないし２０重量％、有機酸１ないし５重量％、トリアゾール系化合物０．１ないし１重量％、ふっ素化合物０．０１ないし０．５重量％及び残量の超純水を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫設される貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に厚み方向の両側から中間位置に近づくにつれて開口面積が徐々に小さくなる貫通孔２を形成し（図１（ａ））、その後、半導体基板１の一表面および他表面および貫通孔２の内周面に絶縁層３を形成する（図１（ｂ））。続いて、絶縁層３のうち半導体基板１の上記一表面および貫通孔２の内周面に形成されている部位の表面に金属層４を被着する（図１（ｃ））。その後、金属層４をシード層として電解メッキ法により貫通孔２の内側を埋め込む金属部５であり金属層４とともに貫通配線６（図１（ｅ））を構成する金属部５を析出させ（図１（ｄ））、金属部５の不要部分を除去する（図１（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成する。それから、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。その後、真空破壊することなく、連続的にキャップ膜（シリコン窒化膜４７）を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に貫通孔２を形成し（図１（ａ））、続いて、絶縁層３を形成する（図１（ｂ））。半導体基板１の上記一表面側に第１の金属層４ａを形成し（図１（ｃ））、第１の金属層４ａをシード層として電解メッキ法により第１の金属部５ａを半導体基板１の厚み方向の途中まで析出させる（図１（ｄ），（ｅ））。絶縁層３の露出している部位の表面と貫通孔２の内側における第１の金属部５ａの表面とに跨って第２の金属層４ｂを形成し（図１（ｆ））、第２の金属層４ｂをシード層として電解メッキ法により第２の金属部５ｂを析出させる（図１（ｇ））。 （もっと読む）

【課題】容量素子の下方にシリコン窒化膜からなる水素バリア膜を備えた半導体装置において、コンタクトプラグ形成工程で生じる密着層の剥離を防止する。
【解決手段】第１のシリコン酸化膜１０４、シリコン窒化膜１０５、及び第２のシリコン酸化膜１０６からなる積層膜に形成されたコンタクトホール１０７の内壁に、ＣＶＤ法により、チタン膜及び窒化チタン膜からなる密着層１０８を形成する。次にＣＶＤ法により、コンタクトホール１０７内をタングステン又はポリシリコンからなる導電膜１０９ａで充填し、ＣＭＰ法により、第２のシリコン酸化膜１０６上の導電膜１０９ａ及び密着層１０８を除去する。続いてエッチバック法又はＣＭＰ法により、第２のシリコン酸化膜１０６を除去し、シリコン窒化膜１０５を露出させることにより、密着層１０８と水素バリア膜であるシリコン窒化膜との剥離を防止し、且つシリコン窒化膜へのスクラッチの発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】 ボラジン系化合物の絶縁膜を用いて、絶縁材料と配線材料との間の密着性や、機械強度等の特性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供すること
【解決手段】 凹部に第１の導体層が埋め込まれた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成された第３の絶縁層と、第２の絶縁層と第３の絶縁層との凹部に埋め込まれた第２の導体層と、を含む半導体装置であって、第２の絶縁層および第３の絶縁層は、炭素含有ボラジン化合物を原料として化学的気相反応成長法によって形成され、第３の絶縁層の炭素含有率が、第２の絶縁層の炭素含有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ回路のＡｌ合金配線の有無による段差やＡｌ合金残渣による突起の影響を受けることなく、平坦な表面の反応電極を形成して、均一かつ収率の高いＤＮＡの合成や検出等を促すことができるマイクロ反応チップと、その確実な製造方法を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ回路の最終保護層６に形成されたコンタクトホール１３に接続電極２２が形成されてＣＭＯＳ回路の配線１２に接続されるとともに、最終保護層６上には、接続電極２２に達する孔部２３Ｂを備えた保護膜２３が形成され、さらにこの保護膜２３上には、孔部２３Ｂを介して接続電極２２に接続される反応電極２４が形成される。保護膜２３の表面２３Ａを研磨加工した後に反応電極２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、導電性の密着性の向上及びマイグレーションの防止を図ることにある。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ａ）電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する半導体基板１０の上方に、複数回のパターニング工程を行うことにより、少なくとも電極パッド１６側が階段状をなす樹脂層４０を形成する工程と、（ｂ）樹脂層４０をキュアすることにより、樹脂突起４１を形成する工程と、（ｃ）電極パッド１６と電気的に接続し、かつ樹脂突起４１の上方を通る導電層５０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 配線間の寄生容量が小さく、安定な構造を有する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる第１の絶縁層除去工程と、前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、前記第２の絶縁層上にキャップ膜を形成するキャップ膜形成工程と、前記第２の絶縁層を除去する第２の絶縁層除去工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高融点金属シリサイド層への熱負荷を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン基板１０の一部領域に高融点金属シリサイド層１３ａ〜１３ｃを形成する工程と、高融点金属シリサイド層１３ａ〜１３ｃの上に層間絶縁膜２１を形成する工程と、層間絶縁膜２１の上に、第１導電膜３１、強誘電体膜３２、及び第２導電膜３３を順に形成する工程と、第１導電膜３３、強誘電体膜３２、及び第２導電膜３１をパターニングすることにより、下部電極３１ａ、キャパシタ誘電体膜３２ａ、及び上部電極３３ａで構成されるキャパシタQを形成する工程と、高融点金属シリサイド層１３ａ〜１３ｃの凝集面積が上限面積以下となるようなアニール時間でアニールを行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの印刷が可能で、低温での熱処理で高い導電率が発現し、密着性に優れた樹脂金属複合導電材料を提供する。
【解決手段】液状樹脂３内においてミクロンサイズ金属粒子４の表面にはナノサイズ金属粒子１が吸着しており、そしてミクロンサイズ金属粒子４同士はナノサイズ金属粒子１を介して接触している〔(a)図〕。この樹脂金属複合導電材料を300℃以下の比較的低温にて熱処理を行うと樹脂３a中に金属焼結体２が形成される〔(b)図〕。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン構造を形成する際、合わせずれが生じた場合の下層の配線間絶縁膜への接続孔の掘り込みを抑制し、接続孔を加工制御性よく形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上にエッチング阻止膜7、第１絶縁膜8、第２絶縁膜9、第１、第２、第３マスク形成層を順次成膜し、第３マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第３マスク12'を形成し、第３マスク12'から第２絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。第3マスク12’上から第２マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第2マスク21’を形成し、第１絶縁膜8の途中まで接続孔13を掘り下げる。第３マスク12’上から第１マスク形成層をエッチングして配線溝パターンを有する第１マスク10'を形成し、エッチング阻止膜7の途中まで接続孔13を掘り下げる。第２マスク21'上から第２絶縁膜9をエッチングして第２配線溝14を形成し、エッチング阻止膜7を除去した後、第２マスク21'を除去する。 （もっと読む）

【課題】 水素によるキャパシタ誘電体膜の劣化を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 シリコン（半導体）基板１の上に下地絶縁膜１０を形成する工程と、下地絶縁膜１０の上に、下部電極１１ａ、キャパシタ誘電体膜１２ａ、及び上部電極１３ａを順に形成してなるキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第１層間絶縁膜１５を形成する工程と、第１層間絶縁膜１５の上に、シリコン基板１にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により第１保護絶縁膜１６を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置に熱処理を施したとしてもコンタクトプラグの周囲に形成された窒化膜に生じる熱変形を抑え、半導体装置の電気的特性を維持することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 工程１４では、シリコン基板１２上の層間絶縁膜１４にコンタクトホール１５ａを形成する。工程１５では、シリコン基板１２におけるコンタクトホール１５ａの下側に不純物３１を導入する。工程１６では、導入した不純物３１を、例えば、８００℃の温度の熱処理によって拡散してドレイン電極２３の領域を広げる。工程１７及び１８では、コンタクトホール１５ａの内面にチタン膜２８及び窒化チタン膜２９を形成する。工程１９では、半導体装置１１に、例えば、５２０℃の温度の熱処理を施して、シリコン基板１２におけるバリアメタル２６とシリコン基板１２との間にシリサイド膜１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜に導入されたダメージに起因する配線の性能の劣化を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、配線溝若しくは接続孔の少なくとも一方が形成され、配線溝若しくは接続孔表面近傍の炭素濃度若しくは膜密度が内部の炭素濃度若しくは膜密度と同等若しくはそれより高い低誘電率絶縁膜と、前記配線溝若しくは接続孔内に形成された導電体層と、前記低誘電率絶縁膜と前記導電体層との間に設けられたバリアメタルと、前記バリアメタルと前記低誘電率絶縁膜との間に設けられた第２の絶縁膜とを具備する配線構造を具備する。 （もっと読む）