【課題】ＴＥＧ上のパッド部の浸食を防止し、また、実デバイスのパッド部の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図る。
【解決手段】半導体ウエハのチップ領域ＣＡの第３層配線Ｍ３およびスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３を、それぞれ、ＴｉＮ膜Ｍ３ａ、Ａｌ合金膜Ｍ３ｂおよびＴｉＮ膜Ｍ３ｃで構成し、チップ領域ＣＡの再配線４９上の第２パッド部ＰＡＤ２を洗浄し、もしくはその上部に無電界メッキ法でＡｕ膜５３ａを形成する。さらに、Ａｕ膜５３ａ形成後、リテンション検査を行い、その後、さらに、Ａｕ膜５３ｂを形成した後、半田バンプ電極５５を形成する。その結果、ＴｉＮ膜Ｍ３ｃによってＴＥＧであるスクライブ領域ＳＡの第３層配線Ｍ３の第１パッド部ＰＡＤ１のメッキ液等による浸食を防止でき、また、Ａｕ膜５３ａ、５３ｂによって第２パッド部ＰＡＤ２の半田のぬれ性や半田形成後のシェア強度の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 １から５ｎｍの厚さの金属キャップを用いた改良されたオンチップＣｕ相互接続を提供する。
【解決手段】 開示されているのは、層間の誘電体又は誘電体拡散障壁層の堆積に先立って、１から５ｎｍの厚さの元素でＣｕダマシン配線の表面をコーティングする手順である。そのコーティングは、酸化に対する防御をもたらし、Ｃｕと誘電体の間の密着力を増し、そしてＣｕの界面拡散を減少させる。さらに、その薄いキャップ層はＣｕのエレクトロマイグレーション寿命を増し、応力により誘起されたボイド発生を減らす。選択された元素は、Ｃｕ配線間のショートを引き起こすことなしに、下層の誘電体中に埋込まれたＣｕの上に直接堆積することができる。これらの選ばれた元素は、酸素及び水に関する負の高い還元電位と、Ｃｕへの低い溶解度、及びＣｕとの化合物形成に基づいて選ばれている。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な半導体装置、表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置、表示装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】粗面を有する層を形成し、粗面上に導電性材料を含む組成物に対するぬれ性の低い領域と、組成物に対するぬれ性の高い領域を形成し、ぬれ性の高い領域に前記組成物を用いて導電層を形成する。ぬれ性が大きく異なる領域（ぬれ性に大きく差を有する領域）を形成できるので、液状の導電性材料又は絶縁性材料が、被形成領域のみに正確に付着する。よって、所望のパターンに正確に導電層、絶縁層を形成することができる （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性に優れた配線を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第２の層間絶縁膜２中に形成された下層配線８と、下層配線８上の第３の層間絶縁膜１１中に形成されたメタルプラグ１３と、第４の層間絶縁膜１２中に形成された上層配線１９とは、その底面及び側面が密着層とバリア層とからなるバリアメタル層によって覆われている。これにより、配線層と層間絶縁膜との間にバリアメタル層が介在するため、電流印加時のボイド発生が抑制され、配線の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、アルミ二ウム配線で発生するヒールロックを減少させる、薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明による薄膜トランジスタ基板は、下部アルミ二ウム層と、前記下部アルミ二ウム層の上に形成されている窒化アルミ二ウム層と、前記窒化アルミ二ウム層の上に形成されている上部アルミ二ウム層を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多孔質絶縁膜中の成膜ガス等の侵入による配線容量の増加を抑制し、多孔質絶縁膜とバリアメタルとの密着性を向上させた半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】 配線溝４ａ，４ｂを有し、比誘電率が３以下の多孔質絶縁膜２と、配線溝４ａ，４ｂ表面の膜密度の異なる複数の膜を有するバリアメタル層５ａ，５ｂと、バリアメタル層５ａ，５ｂと多孔質絶縁膜２との間に形成された金属浸透領域６ａ，６ｂと、バリアメタル層５ａ，５ｂを介して配線溝４ａ，４ｂの中に埋め込まれた金属配線７ａ，７ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰプロセスを用いることなく、高アスペクト比の開口を有する接続孔にも良好な埋め込みが可能である半導体装置の作製方法を提供する。また、従来よりも少ない工程数で、配線形成が可能な方法を提供することを目的とする。更には、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】複数の空孔を有する絶縁膜表面に撥水表面を有する膜を形成し、撥水表面を有する膜の一部に光を照射して、親水表面を有する領域を形成した後、親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、焼成して導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多孔性低ｋ誘電体膜上に不透過性膜を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造における多孔性低ｋ誘電体膜のようなデバイス上への不透過性膜の接着性を改善するための方法。本方法は、多孔性低ｋ誘電体膜の水、アルコール、ＨＣｌ、ＨＦ蒸気のような捕捉された蒸気又は吸着された分子を放出するために、不透過性膜の堆積前の原位置アニーリング段階を提供する。本方法はまた、多孔性低誘電性膜の堆積に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。本方法は、更に、多孔性低ｋ誘電体膜の一部分の除去に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。実質的に全ての捕捉又は吸着分子を多孔性低ｋ誘電体膜から除去することにより、堆積した不透過性膜と低ｋ誘電体膜の間の接着性が改善される。本方法は、多孔性ハイドロシルセスキオキサン又は多孔性メチルシルセスキオキサン、エアロゲルのような多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Ｓｉ−Ｏ−Ｃ膜、及びメチルドープ多孔性シリカのような多くの多孔性低ｋ誘電体膜に特に適用可能である。
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【課題】 パッド電極下に能動層が配置されている場合においても、パッド電極下における密着性を確保しつつ、バリアメタル構造を能動面上に安定して形成できるようにする。
【解決手段】 不純物拡散層５ａ、５ｂの表面が覆われるようにして層間絶縁膜６上にバリアメタル膜８を形成し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、開口部７が覆われるようにしてパッド電極１６下に配置されるバリアメタル膜８の表面を露出させるレジストパターンＲを形成し、レジストパターンＲをマスクとして、バリアメタル膜８をエッチングすることにより、パッド電極１６下に配置される層間絶縁膜６上のバリアメタル膜８を除去し、バリアメタル膜８を介してゲート電極４および不純物拡散層５ａ、５ｂに接続された配線層９を層間絶縁膜６上に形成し、ゲート電極４および不純物拡散層５ａ、５ｂ上に配置されたパッド電極１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ配線を有し信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板（２０）と、前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜（２１，２２）と、前記第１の絶縁膜に埋め込まれたＣｕ配線（２５）と、前記Ｃｕ配線上に形成された第２の絶縁膜（２７）を具備する半導体装置である。前記Ｃｕ配線と前記第２の絶縁膜との界面には、Ｔｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、およびＺｎからなる群から選択される少なくとも１種の金属またはその酸化物（２８）が不連続に存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅を主導体膜とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。
【解決手段】複数の配線層Ｎ１〜Ｎｘのうち、ウエハの主面に相対的に近い配線層Ｎ１の配線形成工程においては、埋込配線Ｌｎの上面と絶縁膜１２ｂの上面との間に段差が形成されるようにし、複数の配線層Ｎ１〜Ｎｘのうち、ウエハの主面から相対的に遠い配線層Ｎｘの配線形成工程においては、上記段差を形成する工程を経ずに、主導体膜１８ａの上面が絶縁膜１２ｂの上面とほぼ一致した状態で絶縁膜１５ｂを堆積する。これにより、ＴＤＤＢ寿命を向上させることができ、また、プロセス上の制約を満たすことができるので、全体的に信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１１内に基板ステージ１２を配置し、ターゲットを有するスパッタリング成膜手段４を、ターゲット４１ａと処理基板とを相互に対向させて設ける。真空チャンバをターゲットが存する第１空間５１と基板ステージが存する第２空間５２とに仕切る仕切り板５を設け、仕切り板に処理基板が臨む開口部５ａを形成し、開口部を覆って第１空間及び第２空間相互の隔絶を可能とする閉位置と、開口部を開放する開位置との間で移動自在な遮蔽手段６を配置する。化学的成膜法により成膜を行い得る化学的成膜手段を第２空間に設ける。 （もっと読む）

【課題】 オーバーエッチングされた第１電極と良好に導通し、接続信頼性及び歩留まりを向上した、コンタクトの形成方法、共振器構造及びこの共振器構造を備えたＥＬ装置を提供する。
【解決手段】 導電層２３７とこの上部にキャップメタル層２３６ａとを備えた第１電極２３６と第２電極との間の異なる誘電体層が複数積層された共振器１０に、エッチングでキャップメタル層２３６ａまで到達するコンタクトホール２０を設け、この内壁面を覆う、第１電極２３６と第２電極とを導通させる導電材料からなるコンタクト２５の形成方法である。導電層２３７に導電材料とのコンタクト抵抗が低く、密着性が高く、共振器１０の１０％以上の厚みとなるキャップメタル層２３６ａを積層して第１電極２３６とし、第１電極２３６上に共振器１０を形成する。共振器１０にコンタクトホール２０を形成しコンタクトホール２０の内壁面にコンタクト２５を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に設けられた接続孔内に設けられるバリア膜のカバレッジ不良を防止し、配線信頼性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に設けられた下層配線１５上に層間絶縁膜１７を形成し、層間絶縁膜１７に接続孔１８を形成する第１工程と、下層配線１５の表面側の接続孔１８の底部となる領域に、下層配線１５を構成する第１の金属材料と当該第１の金属材料とは異なる第２の金属材料とからなる合金層３１を形成する第２工程と、合金層３１をスパッタエッチングする第３工程と、接続孔１８に下層配線１５に達する状態のヴィアを形成する第４工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】配線の低抵抗特性及び信頼性を同時に確保する。
【解決手段】導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する表示装置用配線と、基板１１０、該基板１１０上に形成されているゲート線、ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜１４０上に形成されているソース電極１７３を含むデータ線１７１及びソース電極１７３と対向しているドレイン電極１７５、及びドレイン電極１７５と接続されている画素電極１９０を有している。ゲート線とデータ線１７１及びドレイン電極１７５の少なくとも一方とは、導電性酸化物を含有する第１導電層及び銀を含有する第２導電層を有する。これにより、配線の密着性が向上するので剥離を防止することができ、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】銅を主導体層とする配線間の絶縁破壊耐性を向上させる。
【解決手段】埋込第２層配線Ｌ２に対して還元性プラズマ処理する際に、ウエハを保持する第１電極に印加する電力を、ウエハに対向する第２電極よりも低くするか零にする。これにより、埋込第２層配線Ｌ２の導電性バリア膜１７ａの露出面が窒化されるので、その後の配線キャップ用の絶縁膜１５ｂの成膜時に導電性バリア膜１７ａの露出部が酸化されてしまうのを抑制または防止することができる。また、酸化バリア用の絶縁膜１５ｂ１を、酸素を用いないガス条件、特に酸化性の高いＮ_２Ｏガスを用いない条件でのプラズマＣＶＤ法等によって堆積する。これにより、導電性バリア膜１７ａの酸化を抑制または防止できる。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線のエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。
【解決手段】本発明の例に関わる多層配線構造を有する半導体集積回路が形成される半導体装置は、銅配線１４と、銅配線１４の上面上に形成される絶縁層１６とを備え、銅配線１４は、銅配線１４と絶縁層１６との密着性を向上させる添加物を含み、その添加物のプロファイルは、銅配線１４の上面から内部に向かうに従い、次第に濃度が減少する勾配を持ち、銅配線１４の上面で最も高い濃度となる。 （もっと読む）

【課題】 高い密着性と拡散防止性とを備えたバリアメタルを有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第１の層を形成する工程と、前記第１の層の上に、金属と窒素とを含有する第２の層を形成する工程と、前記第２の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板に段差や表面特性の異なる部分がある場合であっても、形成されるパターンに断線等を生じさせないパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 まず、段差部９や表面特性の異なる部分の境界部Ｂ（段差部９等という）を除く基板の表面に液滴を配置し、この段差部９等の前後に第１の膜パターン７１ａを形成する。続いて、段差部９等に液滴７２を配置して、前後の第１の膜パターン７１ａに跨る第２の膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、汎用性が高く、膜剥離、歪や基板の反りを防止できる積層薄膜電気配線板を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層薄膜電気配線板は、基板上に下部電気絶縁層と上部電気絶縁層を有し、下部電気絶縁層と上部電気絶縁層との間に電気配線層を有している。更に、本発明の積層薄膜電気配線板によれば、電気配線層に孔部を設けることに特徴がある。 （もっと読む）