【課題】多層配線の層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜を使用しても、配線と低誘電率絶縁膜との境界部分における応力集中を低減でき、絶縁膜の剥れを抑制でき、さらに放熱能力を向上した配線構造を具備した半導体装置を提供する。
【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の上方に形成された絶縁膜ＩＬＤと、前記絶縁膜内に形成された配線Ｍと、前記低誘電率絶縁膜内に前記配線と離間して形成された網目状ダミー構造体ＮＤとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 細りのない所望する断面積の銅配線を形成することができる銅配線層の形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板１上に下地絶縁膜２、下地バリア層３、銅シード層４を順次成膜したのち、この銅シード層４上にフォトレジスト層５の配線溝６パターンを形成し、この配線溝６の底部に露出した銅シード層４上に銅配線層７を形成し（図２（ａ））、この層７上に保護層８を形成したのちこの層８をマスクとしてフォトレジスト層５、銅シード層４、下地バリア層３を順次エッチングして図２（ｅ）に示す銅配線層７のパターンを形成する。
この層７からの銅の拡散を防止するため表面に層間絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）炭素数４〜８のアルコール系溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の製造プロセスを簡略化およびその製造コストの低減を可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 プラスチックの基板６１１の上に、めっきシードとしての触媒金属を含有する有機または無機金属化合物を含む溶剤を塗布・乾燥させて金属化合物膜６１２を形成し、その所望領域に電子線などのエネルギ線６１３を照射して触媒金属を析出させる。当該照射領域への局所的なエネルギ線照射によりその照射領域のみで金属触媒析出の化学反応が生じ、触媒金属が局所的に析出してパターニングされた金属触媒膜６１４を得ることができる。また、エネルギ照射された基板６１１は、表面の溶融により触媒金属を極浅領域に取り込んだり、表面のアブレーションにより触媒金属と基板表面の接触面積が実効的に広くなったり、あるいは化学的改質により基板と触媒金属との結合状態が強固なものとなるので、固着程度が高まり金属触媒膜の剥離が生じ難くなる。 （もっと読む）

【課題】 表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の表面疎水化用組成物は、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）ケトン系溶媒とを含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、貫通電極を有する半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１０上に第1の絶縁膜１１を介して形成されたパッド電極１２上に、高融点金属層１３を形成する。次に、パッド電極１２及び高融点金属層１３上を含む半導体基板１０の表面上にパッシベーション層１４を形成し、さらに、樹脂層１５を介して支持体１６を形成する。次に、半導体基板１０をエッチングして、半導体基板１０の裏面からパッド電極１２に到達するビアホール１７を形成する。次に、第２の絶縁膜１８を介して、ビアホール１７の底部で露出されたパッド電極１２と電気的に接続された貫通電極２０及び配線層２１を形成する。さらに、ソルダーレジスト層２２、導電端子２３を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

【課題】 例えデザインルールが厳しくなっても、十分な密着性を有する配線材料を電解めっきによって基板の全面に均一に形成して、信頼性の高い埋込み配線を形成できるようにする。
【解決手段】 絶縁膜内に配線用凹部を形成した基板表面に、配線材料成膜用の電解めっき液に対して不溶性の導電膜を形成し、前記導電膜をシード膜として、電解めっき法により該導電膜の表面に配線材料を前記配線用凹部内に埋込みつつ成膜し、前記導電膜の表面に成膜した余剰の配線材料を除去して前記配線用凹部内に埋込んだ配線材料で配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 金属配線およびコンタクト抵抗に優れると同時に、後続の熱処理工程が行われても素子特性の低下を防止することを可能とするフラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明のフラッシュメモリ素子のソースコンタクト形成方法は、セル領域のＳＳＬ用ゲート電極パターンに備えられた接合領域が形成された半導体基板の全面に層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜をパターニングし、前記ＳＳＬ用ゲート電極パターンの一側で前記接合領域を露出させるソースコンタクトホールを形成する段階と、前記ソースコンタクトホールの形成された結果物の全面にタングステンシリサイド膜の含まれた膜を形成し、前記層間絶縁膜が露出するまで平坦化工程を行い、前記ソースコンタクトホール内にのみ前記タングステンシリサイド膜の含まれた膜が埋め立てられてソースコンタクトを形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質化のために必要な電流（リセット電流）を低減した相変化メモリを提供する。
【解決手段】相変化膜で構成されるメモリセル３０と、メモリセル３０の下主面にその一端が直接に接続され、他端がＭＯＳトランジスタ１０の一方のソース・ドレイン層３に接続されて、当該ソース・ドレイン層３とメモリセル３０とを電気的に接続するとともに、メモリセル３０の下部電極となるプラグ電極ＣＰ１と、メモリセル３０の上主面にその一端が直接に接続され、他端がメモリセル３０を覆うように配設された層間絶縁膜９上に配設されたビット配線層ＷＲに接続されて、当該ビット配線層ＷＲとメモリセル３０とを電気的に接続するとともに、メモリセル３０の上部電極となるプラグ電極ＣＰ１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜−絶縁膜間等の界面における膜剥がれやクラック等による不良が生じない低誘電率膜を用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上の第１の絶縁膜１０２に第１の配線１０６を形成し、第１の絶縁膜１０２上に第２の絶縁膜１０７、第３の絶縁膜１０８、第４の絶縁膜１０９及び第５の絶縁膜１１０を順次堆積する。その後、第１の配線１０６上の第５の絶縁膜１１０から第２の絶縁膜１０７までを突き抜ける第１のスルーホール１１２と第１のスルーホール１１２につながる第２の配線溝１１４に第２の配線１１７を形成し、第５の絶縁膜１１０から第１の絶縁膜１０２までを突き抜ける第２のスルーホール１２０に第１の支柱１２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔へのメッキ埋め込み方法及びメッキ装置において、メッキ埋め込み工程の前後に別プロセスを必要とせずに直接貫通孔に金属を埋め込み、また、埋め込み金属中にボイドの発生のない信頼性の高い貫通電極をより高速に形成することを可能とする。
【解決手段】貫通孔３を有する絶縁材料からなる基板１又は表面が絶縁された基板１にメッキを施して貫通孔３の内部に金属４を埋め込むメッキ埋め込み方法であって、第１工程では基板１の表面に金属薄膜２を形成し、第２工程では基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度を異ならせて金属薄膜２にメッキを施し電流密度の高い側の面Ａの貫通孔３の開口部をメッキ金属４で塞ぎ、第３工程ではメッキ抑制剤及び又はメッキ促進剤を含むメッキ液を用いるとともに基板１の面Ａ側の電流密度と面Ｂ側の電流密度の高低を第２工程とは逆に設定してメッキを施し貫通孔３にメッキ金属４を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 パワーデバイスと、パワーデバイス上の厚いＣｕ電極層２と、Ｃｕ電極層２を覆う有機樹脂膜３とを備える半導体装置において、Ｃｕ電極層２の表面（上面２ａと側面２ｂ）の全領域を覆うように、Ｃｕ窒化膜８を配置する。ここで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との密着性を低下させる主原因は、有機樹脂膜３を通過した酸素がＣｕ電極層２と反応して、Ｃｕ電極層２の表面に酸化膜が生成することである。そこで、Ｃｕ電極層２と有機樹脂膜３との間の領域に、酸素の透過を抑制することができるＣｕ窒化膜８を配置することで、Ｃｕ電極層と有機樹脂膜との密着性寿命を、従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

金属層は、触媒により活性化された下地材料の表面領域上に、めっきプロセスによって形成されうる。この触媒はＣＶＤ、ＰＶＤまたはＡＬＤによって堆積されるかまたは下地材料を堆積する際に少なくとも部分的に取り込まれる。このようにして、メタライゼーション構造の高アスペクト比のビアに優れた金属シード層を形成することができる。
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【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、かつ、表面のダメージをより簡便にかつ効率良く修復する事ができる表面疎水化法、ならびに表面のダメージの修復に使用可能な表面疎水化用組成物、及び前記表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置及びその製造方法、を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２０をエッチングして形成された凹部２２の内壁２２ａの表面に、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒と、（Ｃ）安定化剤とを含む膜を形成し、前記膜中に含まれるシラン化合物と、前記凹部内壁表面にエッチングで生成されたシラノール基を反応させることによって、前記凹部内壁表面に疎水性膜２４を形成した後、凹部内に導電性膜２６を充填する。 （もっと読む）

【課題】 電極の段切れを防止して表示品位の優れたアクティブマトリクス型表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置は、接続配線４と、貫通孔３３を含む無機絶縁膜２１と、コンタクトホール３２を含む有機絶縁膜２２と、画素メタル電極６とを備える。貫通孔３３は、接続配線４の表面においてコンタクトホール３２よりも大きくなるように形成され、有機絶縁膜２２は、貫通孔３３とコンタクトホール３２とに挟まれるように形成された介在部３１を含む。接続配線４は、表面のうち少なくとも介在部３１が接する領域に形成された酸化膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接続用パッドを有する半導体装置において、製造工程中の熱負荷などによって発生する恐れのある、パッド部の膜剥がれを防止する。
【解決手段】 シリコン、シリコン酸化膜上に形成されるＴｉ膜またはＴｉ化合物膜と、はんだが接続されるＮｉ膜（またはＣｕ膜）との間に、両者との密着性が良好なＣｒ膜を挿入したパッド構造とする。さらに、Ｔｉ膜またはＴｉ化合物膜とシリコン酸化膜との界面に生じる剥離を防止するため、Ｃｒ膜がＴｉ膜またはＴｉ化合物膜よりも大きな面積で形成された構造とする。 （もっと読む）

【課題】配線上にＳｉＣＮ膜を有する半導体装置において、ＳｉＣＮ膜から流出する不安定なＮによるレジストポイゾニングの発生を低減する。
【解決手段】ＳｉＣＮ膜を有する半導体装置の製造方法において、ＳｉＣＮ膜成膜時に一部に有機基を有する原料ガスとＨｅの流量比を１：４．２以上にする。または原料ガスの流量×原料ガスの有機基との結合数とＨｅの流量比を１：１．４以上にする。その結果、ＳｉＣＮ膜中のＳｉＮＨ基の増加を抑制し、膜ストレス変化とポイゾニング不良の発生を合わせて抑制することが半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体薄膜と導体層との密着性を高め信頼性の高い配線構造をもつ半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、Ｓｉ−Ｏ結合を主成分とする骨格の周りに多数の空孔が配置された誘電体薄膜表面に、反応性プラズマを供給し、前処理を行なう工程と、前記前処理のなされた前記誘電体薄膜表面にスパッタリング法により導電性膜を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記前処理工程に先立ち、前記誘電体薄膜表面に、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルクロロシラン（ＴＭＣＳ）分子のうちの少なくとも１種を含むガスを接触させる工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 層間絶縁膜が剥離または破壊される事態が起こりにくい半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０８）と、前記絶縁膜上に導電性材料を堆積させる堆積工程（Ｓ１１４〜Ｓ１１８）と、堆積した前記導電性材料を所定の深さまでウェットエッチングするウェットエッチング工程（Ｓ１２０）と、ウェットエッチングされた前記導電性材料を研磨する研磨工程（Ｓ１２２）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細配線を実現することができる「配線基板の製造方法」を提供すること。
【解決手段】 ダマシンプロセスを用いた配線形成工程を含む配線基板の製造方法において、下層配線層１０上に形成された層間絶縁層１１に、下層配線層１１に達するビアホールＶＨを形成し、その際に生じたスミアＳＭを除去した後、層間絶縁層１１上に、ビアホールＶＨの上方に位置する所要の配線パターンの形状に従う開口部（配線溝）ＯＰを有するように感光性永久レジスト層１２を形成する。次に、全面にシード層１３を形成し、ビアホールＶＨ及び開口部（配線溝）ＯＰの内部を充填するようにしてシード層１３上に導体層１４を形成した後、感光性永久レジスト層１２が露出するまで導体層１４の表面を研磨して平坦化し、配線パターン１５を形成する。 （もっと読む）