【課題】誘導素子を備えた半導体装置において、該誘導素子の表面粗さが導体損失に及ぼす影響を低減させ、Ｑ値が高く、特性の優れた誘導素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくとも一面に電極を備えた基板と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層１２と、該絶縁樹脂層１２上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部と、前記絶縁樹脂層１２および前記導電部を被覆する封止樹脂層１４とを備えた半導体装置１０であって、前記導電部の一部はインダクタ１３ａとして機能する部位を構成し、前記部位は、前記絶縁樹脂層１２に設けた凹部１６内に配され、該部位の表面と前記絶縁樹脂層１２の表面とは略同一面をなすとともに、該部位の表面は平滑化されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 電極１０パッドを有する半導体基板２の電極１０が形成された面に、芳香族化合物を含む樹脂によって、電極１０の少なくとも一部を避けて樹脂層１４を形成する。Ａｒガスを利用して、電極１０の表面から酸化膜を除去するとともに、樹脂層１４の表面を炭化させて炭化層２４を形成する。電極１０から炭化層２４上に至る配線３２を形成する。その後、配線３２をマスクとして炭化層２４をＯ_２プラズマ２０でエッチングして、炭化層２４を部分的に除去する。 （もっと読む）

【課題】配線表面にバリア膜を形成する前に、ＮＨ₃を含むプラズマ処理を行う際に発生する低誘電率膜のダメージを低減するとともに、比誘電率上昇による配線遅延の問題を低減する配線構造の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に３以下の比誘電率を有する絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜内にＣｕからなる配線を形成する工程と、配線表面上に還元性ガスを供給する工程と、還元性ガスを供給した後、前記配線上にバリア膜を形成することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。その結果、配線構造を形成後、バリア膜を形成する前に配線表面に対してプラズマを供給しないので、低誘電率膜がダメージを受けるのを防止するとともに、ゲート酸化膜等の劣化を防ぐことが出来る。 （もっと読む）

【課題】 メタル配線のバリアメタルとしてＴｉ膜をＣＶＤ法で形成し、メタル配線形成後にフッ化アンモン系の薬液で洗浄する場合に、薬液洗浄によるメタル配線の膜剥がれを抑制することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】 下地酸化膜上にＴｉ膜をＣＶＤ法で形成する工程と、Ｔｉ膜上にメタル膜を形成する工程と、メタル膜及びＴｉ膜をパターニングしてメタル配線を形成する工程と、Ｔｉ膜の側面を酸化する酸化工程と、この酸化工程の後に全面をフッ化アンモン系の薬液で洗浄する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法における信頼性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１上に第１の絶縁層２を介して形成されたパッド電極３と、前記半導体基板１の裏面から前記パッド電極３の表面に到達するように形成されたビアホール８とを有するものにおいて、前記ビアホール８が、前記半導体基板１の裏面に近い部分よりも前記パッド電極３に近い部分の開口径が広くなるように形成された第１の開口部７Ａと、前記第１の開口部７Ａに連なり、前記半導体基板１の表面に近い部分よりも前記パッド電極３の表面に近い部分の開口径が狭くなるように前記第１の絶縁層２に形成された第２の開口部７Ｂとから成ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線上にバリア膜を有する半導体装置において、ストレスマイグレーション、エレクトロマイグレーションの劣化を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁膜内に形成された配線溝内に埋め込まれた導電膜を有する配線層と、配線表面に形成されたバリア膜と、バリア膜上に形成された上層配線層とを備える。また、絶縁膜とバリア膜は接しており、導電膜とバリア膜の間にはＳｉ，Ｃを含むアモルファス層が形成されていることを特徴とする。Ｓｉにより導電膜とバリア膜の結合性を高め、アモルファス層中の空孔をＳｉ，Ｃで埋めるため、配線層とバリア膜の密着性を向上することが出来る。これにより、Ｃｕ配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーション耐性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、簡単なプロセスで信頼性の高い金属層を形成することができる、めっき方法を提供することにある。
【解決手段】 めっき方法は、（ａ）基板の上方に、下地層１０を形成する工程と、（ｂ）下地層１０の上方に、界面活性剤層１２を形成する工程と、（ｃ）界面活性剤層１２をパターニングし、下地層１０を露出させる工程と、（ｄ）基板１０を溶液に浸漬させる工程と、（ｅ）下地層１０の上方、及び界面活性剤層１４の上方に触媒層２６を形成する工程と、（ｆ）界面活性剤層１４を除去することにより、触媒層２６をパターニングする工程と、（ｇ）触媒層２６の上方に金属層２８を析出させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。
【解決手段】 ポリイミドなどからなる保護膜５に開口部６を形成したとき、保護膜５の開口部６を介して露出された接続パッド２の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜５の上面側に凸凹構造の変質層Ａが形成される。次に、開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Ａがさらに変質して網目構造の変質層Ｃが形成される。次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。この場合、第１の下地金属層７は網目構造の変質層Ｃの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。 （もっと読む）

【課題】テストパターンである微細配線とそれに繋がる幅広の引き出し配線とを２枚のマスクを用いた２重露光により半導体基板上に形成する方法において、繋ぎ合わせるオーバーラップ領域の面積がランダムに異なっていたため発生していた、配線のオーバーエッチングにより短絡、密着性不良、フォーカスずれ等の諸問題を発生させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１のマスクと第２のマスクの両方のデータが存在する繋ぎ合わせ部分となる共通データ領域１０７の最小一方向幅を、ＴＥＧ領域１０１の配線の最小配線幅寸法と同一にする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ材料を用いる場合に生じる問題を回避するとともに、下層側の配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層側配線の断線不良の発生を抑制することができる配線構造を備えた液晶表示装置用基板及びその製造方法の提供。
【解決手段】下層配線（ゲート配線２）を、Ｃｕ層４の周囲をバリア金属膜３ａ、３ｂで被覆した構造とし、バリア金属膜３ａ、３ｂでＣｕとＳｉとの接触を防止し、耐薬品性、耐腐食性及び密着性を向上させる。また、予め透明絶縁基板１に溝１２を形成し、その中に上記構造の下層配線を埋設することにより、下層配線の段差に起因するディスクリネーション不良や上層配線の断線不良の発生を抑制する。これによりＡｌよりも抵抗の小さいＣｕを使用可能とし、下層配線を厚く形成できるため、大型、高密度かつ開口率の大きい液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＨＳＧ形成時の下部電極の破れや、ＨＳＧ形成後のウェット処理によるＨＳＧの剥がれを抑制しつつ、下部電極の膜厚を薄くすることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリンダ層間膜１０６に設けたシリンダホール１０７内に、第１のシリコン層１０８ａ、シリコンリッチな酸化膜１０及び第２のシリコン層を積層した後、シリコンリッチな酸化膜１０をストッパとして第２のシリコン層に対しＨＳＧ化処理を行うことにより、シリコンリッチな酸化膜１０の表面に複数のＨＳＧ１０８ｃを形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の配線構造中の絶縁膜を低誘電率化するとともに、製造安定性を向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、銅含有金属により構成される第１配線１０８と、第１配線１０８の上部を被覆する第１のＣｕシリサイド層１１１と、Ｃｕシリサイド層１１１の上部に設けられ、第１配線１０８に接続される導電性の第１プラグ１１４と、第１プラグ１１４の上部を被覆するＣｕシリサイド層１１７と、第１配線１０８の側壁から第１プラグ１１４の側壁にわたって設けられ、第１配線１０８の側壁と、第１配線１０８の上部と、第１プラグ１１４の側壁とを覆うように形成された第１ポーラスＭＳＱ膜１０５と、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の下層にあって、第１配線１０８の側壁下部に接するとともに、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５よりも膜密度の高い第１ＳｉＣＮ膜１０３と、を有する配線構造を備える。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と金属配線層との間に厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層を形成する事によって、金属配線層としてのアノード配線層及びカソード配線層と層間絶縁膜とのコンタクト特性が良好となり、アノード配線層及びカソード配線層とを同一の工程で同時に形成する事ができる半導体装置、ＬＥＤヘッド及びそれを用いた画像形成装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、該半導体基板上に形成され、該半導体基板へのコンタクトホールが開口された層間絶縁膜２３と、一端が前記コンタクトホールに接続され、他端がボンディングパッドを構成する金属配線層１３と、前記層間絶縁膜と金属配線層との間に設けられ、厚さが５〜５００〔Å〕のＴｉから成る密着層３１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 上下の配線層を接続する配線接続構造の下層配線層とその上に形成される絶縁層との剥離障害を防止する。
【解決手段】 第一の配線層２１上に形成された第一の絶縁層３１に設けた第一の開口部４１と、第一の絶縁層３１上に形成された第二の絶縁層３２に設けた第二の開口部４２とは、共に円形等の内角部に鋭角部を有さない周縁で囲まれた形状に構成されている。開口形状にかかる簡単な構成を採用することで、第一の配線層２１と第一の絶縁層３１とのストレスに基づく剥離障害の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

本発明は、銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成して保護する銅配線または銅電極に関する。また、本発明は、上記銅配線または銅電極を用いる液晶表示装置に関する。基板に銅配線または銅電極を形成した後、上記銅配線または銅電極の表層に銀薄膜を形成する場合、上記銀薄膜が銅配線または銅電極を保護することで酸化またはその他、不要な反応に対する銅の抵抗性を強めることによって、銅電極及び配線の性能を良好に保持することができる。
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【課題】 絶縁層からの脱ガス処理を必要十分な程度に実施し、製造時の歩留まりと生産性、及び完成品の信頼性の観点から総合的に優れた半導体装置の製造装置を提供する。
で提供する。
【解決手段】 処理室１００と、処理室１００内に載置される基板１０を加熱する加熱手段１１０と、加熱手段１１０の駆動に伴って処理室１００内に放出されるガスの放出量を把握するガスモニター手段１２０と、基板１０の上に金属膜を成膜する成膜手段１３０と、ガスモニター手段１２０によって把握されたガス放出量から予め定めた特徴を発見したとき成膜手段１３０を駆動して金属膜の成膜を開始する制御手段１４０とから半導体装置の製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低いと共にリーク電流が少ない有機シリコン系膜を得易い有機シリコン系膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 原料ガスとして少なくとも１種の有機シリコン化合物を用いた化学的気相堆積法により有機シリコン系膜を成膜するにあたり、前記有機シリコン化合物として、少なくともケイ素、水素、炭素、及び窒素を構成元素として含有していると共に、ケイ素原子と窒素原子とが互いに結合していない化合物を用いることによって、上記課題を解決した。 （もっと読む）

誘電体膜を処理する方法およびシステムであって、アルキルシラン、アルコキシシラン、アルキルシロキサン、アルコキシシロキサン、アリールシラン、アシルシラン、シクロシロキサン、ポリシルセスキオキサン（ＰＳＳ）、アリールシロキサン、アシルシロキサン、ハロシロキサン、またはこれらのいずれかの組み合わせに、前記誘電体膜の少なくとも一つの表面を露出させるステップを有する、方法およびシステムである。誘電体膜は、ポアを有するまたは有さない、ドライエッチング処理により形成されたエッチング特徴部を備える低誘電率膜を有する。エッチング処理またはアッシュ処理の結果、誘電体膜に形成された特徴部に露出された表面は、損傷を受け、あるいは活性化され、これは、不純物の付着、水分の吸収、誘電率の上昇等につながる。このような損傷表面は、これらの表面の修復、例えば、誘電率の回復（すなわち、誘電率の低下）、およびこれらの表面の清浄化による不純物、水分または残留物の除去のうちの少なくとも一つを実施することにより処理される。また、バリア層の調製および膜の特徴部の金属化処理は、特徴部の側壁表面の密封による露出ポアの封止処理ステップを有し、バリア膜の成膜用の表面が提供される。 （もっと読む）

【課題】所望の比誘電率を有し、機械的強度に優れる絶縁膜、この絶縁膜を容易に形成し得る絶縁膜の形成方法、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、導電体同士を絶縁するものであって、絶縁性基材４２中に、当該絶縁膜の膜強度を向上させる絶縁性粒子４１を含有してなるものである。この絶縁膜は、絶縁性粒子４１として、絶縁性基材４２の比誘電率と異なる比誘電率の粒子を用いることにより、その比誘電率を調整したものである。例えば、絶縁性粒子４１として、絶縁性基材４２の比誘電率より低い比誘電率の粒子を用いることにより、絶縁膜全体の比誘電率を調整（低下）することができ、かかる絶縁膜は、層間絶縁膜に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】 配線と封止樹脂層との接触面積を増加させることにより、配線と封止樹脂層との間の密着性を向上させることができ、その結果、配線の絶縁性の低下を防止することができる配線とそれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の再配線層は、断面形状が正テーパ状（台形状）の銅メッキ層からなる再配線層１１であり、その両側面１１ａ、１１ｂは、底面１１ｃに対して角度θの傾斜面とされ、この底面１１ｃの幅は上面１１ｄの幅より幅広とされていることを特徴とする。 （もっと読む）