【課題】ベースフィルムの剥離工程において、絶縁層の一部が配線層から剥離してしまうことを防ぎ、絶縁層でのリーク電流を無視できる程小さくする半導体装置の層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、フォトリソグラフィで所望のレジストパターンを形成する工程、レジストパターンに基づいて、配線層となる所定の金属膜１５を形成する工程、レジストパターンを保持したまま上記金属膜１５上に密着層１９aを形成する工程、該密着層１９aに所定の熱処理を行う工程のあと、ベースフィルムに塗布形成された未架橋の高分子材料からなる絶縁層１９ｂを加熱して押圧し、上記基板１０上に層間絶縁膜１９ｂを形成する。 （もっと読む）

無電解堆積の触媒作用にイオン注入による表面改質を用いて金属膜を堆積する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、金属膜を堆積する方法として実現されうる。当該方法は、基板と、基板上の誘電体層と、誘電体層上のレジスト層とを含み、誘電体層及びレジスト層は１以上の開口を有する構造上に、触媒材料を堆積することを含みうる。当該方法は更に、レジスト層を剥離することを含む。当該方法は更に、１以上の開口を充填すべく構造の１以上の開口内の触媒材料上に金属膜を堆積することを含む。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率および改良された機械的性質、熱的安定性および化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_vＯ_wＣ_xＨ_yＦ_z（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、およびｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体ならびにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

導電性ビアを形成する方法は、一つ以上のビアホールを基板内に形成するステップを含む。ビアホールは、単一マスク、保護層、ボンドパッド、もしくは、エッチングプロセスの間にフォトマスクが除去される場合にハードマスクとして機能する、基板のその他のフィーチャで形成され得る。ビアホールは、その表面に低誘電率（低K）誘電材料を含む誘電体コーティングの付着を促進するように構成されてもよい。障壁層が各ビアホールの表面の上に形成されてもよい。種材料（seed material）を含み得るベース層は、その後のビアホールの表面上の導電材料の選択的堆積を促進するように形成されてもよい。また、結果として得られる半導体素子、中間体構造、ならびに、これらの方法から得られる半導体素子を含むアセンブリと電子デバイスが開示される。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタを形成するために必要となる追加工程数がより少ない半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜に、第１の用凹部及び配線溝が形成されている。第１の用凹部内に下部電極が充填され、配線溝内に第１の配線が充填されている。層間絶縁膜の上にエッチングストッパ膜とビア層絶縁膜とが配置されている。第１のビアホールが、ビア層絶縁膜及びエッチングストッパ膜を貫通し、第１の配線の上面まで達し、その内部に第１のプラグが充填されている。平面視において下部電極と少なくとも部分的に重なる第２の用凹部が、ビア層絶縁膜に形成されている。上部電極が、第２の用凹部の底面と側面とを覆う。上部電極、エッチングストッパ膜、及び下部電極が、キャパシタを構成する。ビア層絶縁膜の上に、第１のプラグに接続された第２の配線が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制および電気抵抗のばらつきも抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置では、第一の銅合金配線３、ビア４および第一のバリヤメタル膜７を備えている。ここで、第一の銅合金配線３は、層間絶縁膜１内に形成されており、主成分であるＣｕに所定の添加元素が含まれている。ビア４は、層間絶縁膜２内に形成されており、第一の銅合金配線３の上面と電気的に接続している。第一のバリヤメタル膜７は、第一の銅合金配線３とビア４との接続部において第一の銅合金配線３と接触して形成されており、窒素を含む。所定の添加元素は、窒素と反応することにより高抵抗部を形成する元素である。また所定の添加元素の濃度は、０．０４ｗｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】スクライブラインにプロセスモニタ用電極パッドを備えた半導体ウエハにおいて、半導体チップサイズ及びスクライブライン幅を大きくすることなく、メタルバリの発生を低減する。
【解決手段】複数の半導体チップ３がスクライブライン５によって互いに分離されてマトリクス状に配置されている。プロセスモニタ用電極パッド１１は、ポリシリコン層１８上に形成されたポリ−メタル層間絶縁膜１９上に形成された１層目メタル配線層２１−１を少なくとも含む３層のメタル配線層からなり、スクライブライン５の切断領域１３を含んで切断領域１３よりも広い幅をもってスクライブライン５に配置されている。プロセスモニタ用電極パッド１１下のポリ−メタル層間絶縁膜１９に１層目メタル配線層２１−１とポリシリコン層１８を接続するための接続孔２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の有機絶縁膜とアンダーフィルとの十分な密着性を得つつ、バンプの近傍の箇所の絶縁性有機保護膜に応力が集中することを回避して、半導体素子のプリント基板への実装後の接続の信頼性の向上を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板３１の所定の位置に設けられた複数の電極層３３と、前記電極層３３の所定領域を選択的に露出して前記半導体基板３１上に形成された有機絶縁膜３４と、前記電極層３３の所定領域に形成された複数の外部接続用突起電極３９と、を具備し、前記外部接続用突起電極３９の周囲近傍の有機絶縁膜３４の厚さが、前記外部接続用突起電極３９間の有機絶縁膜３４の厚さよりも大なる厚さを有することを特徴とする半導体装置により上記課題は解決される。 （もっと読む）

【課題】配線不良防止及び製造工程の簡単化を図ることのできる金属配線及びその製造方法とこれを具備した表示基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板上に銅を含む金属物質で形成される金属膜と、前記金属膜の下部面と接触して形成される第１非晶質カーボン膜とを有することを特徴とする。これによって、非晶質カーボン膜を含む低抵抗金属配線を形成することにより製造工程の簡単化を図ることができ、又、配線不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】表面の粗さが適度に設定された樹脂層を得ることができる樹脂層の形成方法、その樹脂層の形成方法を用いためっき方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂より成る基材２と、基材中に分散された混合物４とを含む樹脂層３２を、基板上に形成する工程と、樹脂層の表層部をバイト１２により切削し、基材及び混合物のうちの一方が選択的に除去された切削面を形成する工程とを有している。表面が適度な粗さに設定された樹脂層を得ることができるため、樹脂層上に良好な密着性を有するめっき膜を形成することが可能となる。このため、高い信頼性を確保しつつ、めっき膜より成る配線を狭いピッチで形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、低誘電率、高い機械強度とともに、焼成時の膜厚の変化が少なく、良好な密着性を有する絶縁膜を提供できる膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物を含有する膜形成用組成物であって，該組成物から３５０℃から４００℃の温度範囲で１時間の焼成によって得られる膜を、３５０℃から４００℃の温度範囲で２０時間加熱したときの膜の減少率が０％以上１０％以下であることを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの反りを低減し、配線層を備えたパワーデバイスの製造歩留まりを向上する。
【解決手段】まず、半導体ウエハ１Ｗを準備した後、半導体ウエハ１Ｗの主面にパワーデバイスを形成する。次いで、半導体ウエハ１Ｗの全面を覆うアルミニウムなどの導電性膜２１を形成する。次いで、導電性膜２１が有する応力Ｓ１の働く方向とは逆方向の応力Ｓ２を有する酸化シリコンなどの応力緩和膜３０を、導電性膜２１上に形成する。応力緩和膜３０上に形成したフォトレジスト膜をパターニングした後、フォトレジスト膜をマスクとして応力緩和膜３０の一部を除去する。次いで、応力緩和膜３０から露出した導電性膜２１を除去してパワーデバイスと電気的に接続される配線層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅イオンの拡散を防止する絶縁膜及びこの絶縁膜を用いた多層配線構造の提供。
【解決手段】 疎水性多孔質シリカからなる絶縁膜上に銅電極を設けて、絶縁膜の電界強度が１ＭＶ／ｃｍとなるように電圧を印加した場合に、前記絶縁膜が、１０年を超える絶縁破壊寿命を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップダメージの発生を大幅に抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に設けたプラズマ用電極３８に、プラズマ発生用電源から所定の電力を供給してプラズマを生成し、前記処理容器内に収容されている被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、前記被処理体に発生するチャージアップ電圧を抑制するために前記プラズマ処理を開始する際に、前記プラズマ用電極へ供給する電力を徐々に増加するように構成する。 （もっと読む）

電気的に機能しない金属領域（２１２Ｂ、３１２Ｂ）の下方にダミービア（２１３Ｂ、３１３Ｂ）を供給することにより、後続のプロセスにおいて、金属が層間剥離する危険性が著しく低下する。更に、一実施形態では、形成されるメタライゼーション層（３３０）の機械的強度は、機能しないオーバーレイ金属領域（３１２Ｂ）のアンカーとしての役割を果たすダミー金属領域（３０３Ｂ）を供給することでさらに一層強化される。加えて、ダミービア（２１３Ｂ、３１３Ｂ）はさらに、電気的に機能する金属領域（２１２Ａ、２１２Ｃ、２１２Ｄ、３１２Ａ）と、領域（２２０Ａ、３２０Ａ）とともに供給され、これにより、機械的安定性とその電気的パフォーマンスも強化される。
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【課題】ＣＳＰ型の半導体装置の接続信頼性を確保すると共に紫外線の影響を防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板２に形成された回路素子に電気的に接続する電極パッド５と、電極パッド５に電気的に接続し、半導体基板２上に延在する配線１０と、配線１０上に形成されたポスト電極１１とを備えた半導体装置において、ポスト電極１１の側面に形成した密着性被膜１３と、この密着性被膜１３の表面および配線１０を封止し、遮光性を有する封止層１５とを設ける。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をＬｏｗ−ｋ膜で構成し、低比誘電率を維持したままＬｏｗ−ｋ膜の密着性を向上させて膜剥がれ等を抑制できる、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上方に形成され、表面に複数の配線からなる第１配線層が形成された第１絶縁膜と、前記第１配線層及び前記第１絶縁膜上に形成された第１キャップ層と、前記第１キャップ層上に形成され、表面に複数の配線からなる第２配線層が形成され、前記第２配線層間に前記第１キャップ層まで達する溝部が形成された第２絶縁膜と、前記溝部に埋め込まれた第３絶縁膜とを備え、前記第３絶縁膜の前記第１キャップ層に対する密着性が、前記第２絶縁膜と前記第１キャップ層との密着性よりも高い構成とするので、Ｌｏｗ−ｋ膜の密着性を向上させて、効果的に膜剥がれ等を防止することを可能にできる。 （もっと読む）

【課題】 デバイスに適用されるにおいて好適な回路基板を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板上に導電性超微粒子のインクを塗布して配線層を形成した回路基板であって、焼結後の前記配線層は ０．１ｖｏｌ％から１０ｖｏｌ％の空孔を含む。 （もっと読む）

【課題】ダマシン配線プロセスにおける層間膜剥れ及び加工特性の変動を抑えることが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、第１の層間膜５、６を形成する工程と、前記第１の層間膜５、６に、配線溝７を形成する工程と、前記第１の層間膜５、６の外周部に、外周溝８を形成する工程と、前記配線溝７及び前記外周溝８内に、金属膜９、１０を形成する工程と、少なくとも金属膜９、１０上に、第２の層間膜１２を形成する工程を備える。
【選択図】図１ｄ
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【課題】 配線、これを含む薄膜トランジスタ基板、及びその製造方法が開示される。
【解決手段】 本発明の一実施例による配線は、下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された中間膜、及び前記中間膜上に形成されたキャッピング膜を含むか、又は下部構造物上に形成されたバリア膜、前記バリア膜上に形成された第１中間膜、前記第１中間膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜、前記銅導電膜上に形成された第２中間膜、及び前記第２中間膜上に形成されたキャッピング膜を含む。 （もっと読む）