【課題】銅配線中における局所的な電流集中を緩和し、かつ銅配線抵抗のばらつきおよび上昇を抑えることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の第１の絶縁膜２中に形成された銅配線３と、銅配線３及び第１の絶縁膜２の上に形成されたシリコン炭化窒化膜４を有し、銅配線３内の銅原子とシリコン炭化窒化膜４の構成原子とが微視的に結合する。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】誘電体メモリの微細化が進むと、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造におけるアスペクト比が大きくなるため、上部電極のカバレッジが悪化し、誘電体を結晶化させる熱処理時に上部電極が断線してしまう。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上方に形成された第１の導電膜及び第２の導電膜と、第１の導電膜を覆うように形成された第１の絶縁膜と、第２の導電膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜に形成され、第１の導電膜に達する第１の開口部と、第１の開口部の壁部及び底部に沿って形成された第３の導電膜と、第３の導電膜、第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜上に形成された誘電体膜と、第２の絶縁膜及び誘電体膜の積層膜に形成され、第２の導電膜に達する第２の開口部と、誘電体膜の上並びに第２の開口部の壁部及び底部に沿って形成された第４の導電膜とを備える。第２の絶縁膜の膜厚が、第１の絶縁膜の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】微小ビアでの接続信頼性を確保した信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に配されるとともに、少なくとも１以上の第１配線層、少なくとも１以上の第１絶縁層、及び第１ビアを有する第１配線構造体１２と、第１配線構造体１２上に配されるとともに、少なくとも１以上の第２配線層１５、少なくとも１以上の第２絶縁層１４、第２ビア１６、及び第３ビア１９を有する第２配線構造体１７と、第２配線構造体１７上に設けられた外部端子１８と、を備える半導体装置において、第２配線構造体１７の第２配線層１５と外部端子１８に接合される第２ビア１６は、外部端子１８側の端部に接合界面１６ａが配されている。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料において酸素欠損が発生することをより確実に防止できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に強誘電体キャパシタ３を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３を被覆する水素バリア膜１２を形成する工程と、水素バリア膜１２に貫通孔２１を形成する工程と、強誘電体キャパシタ３及び水素バリア膜１２を被覆する第２層間絶縁膜１３を形成する工程と、第２層間絶縁膜１３に貫通孔２１を形成する工程と、貫通孔２１の内壁面及び強誘電体キャパシタ３の上面それぞれに密着層２４を形成する工程と、貫通孔２１内にプラグを形成する工程とを備え、貫通孔２１が、貫通孔２１の内側に形成されると共に、貫通孔２１の内壁面が、被覆層２４で被覆される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の複数の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】シリサイド膜上に形成されるシリコン窒化膜の膨れや剥離を抑えることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面にシリサイド膜が形成された領域を有する半導体基板を、酸素元素を含むガス雰囲気中でプラズマ処理してシリサイド膜の上に酸化膜を形成する工程と、その酸化膜を形成した後、半導体基板の表面を覆うシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜を、イオン注入により改質する際、クラックが発生する。
【解決手段】半導体基板４２上に配置した複数の下層配線４６とその間隙４７とを覆って、有機ＳＯＧ膜を塗布し平坦化する。有機ＳＯＧ膜を目的深さまで改質する工程は、予備改質工程と本改質工程との２段階で行う。まず、予備改質工程が行われ、目的深さより浅い中間深さまで有機ＳＯＧ膜を第１のイオン注入により改質し、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕを形成する。予備改質工程に続いて本改質工程が行われ、第１のイオン注入より高いエネルギーで第２のイオン注入を行い、目的深さまでの有機ＳＯＧ膜を改質して、上部改質ＳＯＧ膜５２ｕの下に下部改質ＳＯＧ膜５２ｄを形成する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置であっても、膜剥がれを生じ難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 溝７を有し、バリアメタル層８で被覆された層間絶縁膜６上に、銅を用いた導電膜９を形成し、層間絶縁膜６の溝７を、銅を用いた導電膜９で埋め込む工程と、銅を用いた導電膜９を、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いてエッチングし、前記銅を用いた導電膜９を薄膜化する工程と、薄膜化された銅を用いた導電膜９及びバリアメタル層８を研磨し、層間絶縁膜６の上面と溝７内に残存する銅を用いた導電膜の上面とを平坦化する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】貫通配線基板を他基板に実装する際には圧力と熱が掛かる場合でも、貫通配線基板及び被実装物の耐久性を向上せしめた貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた貫通孔に貫通配線を備える貫通配線基板の製造方法において、基板部材７の両面に絶縁層９を形成する工程と、基板部材７下面の絶縁層９の窓開けを行い、前記基板をエッチングし基板部材７に貫通孔３を形成する工程と、貫通孔３の内周面に絶縁層９を形成する工程と、貫通孔３における基板部材７の上面側の絶縁層９の窓開けを行う工程と、貫通孔３を充填すると共に、貫通孔３から所定距離離れた位置まで貫通配線基板の一方の面上に伸延した貫通伸延配線１３を形成する工程と、貫通孔３の位置を除く貫通伸延配線１３上に導電性を有するバンプ１５を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハエッヂ部における膜はがれやパターン飛びを防止できる半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０１上には、トレンチ分離膜５００により分離された活性領域にゲート構造４００が形成されており、さらに、コンタクト層間膜１０３および、ｌｏｗ−ｋビア層間膜すなわちＶ層とｌｏｗ−ｋ配線層間膜すなわちＭ層とが交互に成膜された多層配線構造が形成されている。第一の層間膜１１３から第五の層間膜１５３までのFineレイヤにおいては、Ｍ層のウエハエッヂ部は除去されているが、Ｖ層のウエハエッヂ部は除去されていない。また、コンタクト層間膜１０３のウエハエッヂ部は除去されていない。 （もっと読む）

【課題】絶縁層とその上に形成された導電層とが、高い密着性を有する積層構造体を、簡易な製造工程を用いて低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板３１上のポリイミドからなる濡れ性変化層３２に、配線パターン部分を開口したフォトマスクを通し紫外線を照射する。紫外線を照射されなかった部分は第１の表面エネルギー３２ｂを持ち、紫外線が照射された部分は、第１の表面エネルギー部よりも表面エネルギーが高く、かつ表面に複数の微細なくぼみを有する第２の表面エネルギー部３２ａとなる。インクジェット法を用いて金属粒子分散液を紫外線照射部に吐出し、導電層３３を形成する。紫外線照射部は濡れ性が高くなり、かつくぼみによる凹凸により導電層との密着性が向上している。この後、ベークをし、絶縁層３４を形成する。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にＳｉＯ_２膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、ＳｉＯ_２膜にコンタクトホールを形成する工程（Ｓ１０４）と、コンタクトホール内にＴｉ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、Ｔｉ膜を窒化処理する工程（Ｓ１０８）と、コンタクトホール側壁に形成されたＴｉＮ膜を除去する工程（Ｓ１１０）と、コンタクトホール内にＷ膜を堆積させる工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの形成のための平坦化工程で障壁層が損傷することを防止することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。その後、開口の下部側壁及び底面に沿って形成された残留金属膜と開口の上部側壁及び残留金属膜の表面に沿って形成された金属窒化膜とを含む障壁層を形成する。障壁層を含む開口を埋め立てて金属プラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、製造から実装までの工程を効率的に行うことができる電子部品及び半導体装置、その製造方法及び実装方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【解決手段】パッケージサイズがチップサイズに近くて応力吸収層を有し、パターニングされたフレキシブル基板を省略でき、かつ、複数の部品を同時に製造することができる半導体装置である。ウエーハ１０に電極１２を形成する工程と、電極１２を避けてウエーハ１０に応力緩和層としての樹脂層１４を設ける工程と、電極１２から樹脂層１４の上にかけて配線としてのクローム層１６を形成する工程と、樹脂層１４の上方でクローム層１６に外部電極としてのハンダボールを形成する工程と、ウエーハ１０を個々の半導体チップに切断する工程と、を有し、クローム層１６及びハンダボールの形成工程には、ウエーハプロセスにおける金属薄膜形成技術が適用される。 （もっと読む）

【課題】 銅に対する良好なバリア性を持ち、生産性、及び周囲の膜との密着性の双方ともが良好となる銅保護膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面に銅、もしくは銅含有金属膜が露出した状態の半導体基板を準備する工程（ＳＴ．１）と、銅、もしくは銅含有金属膜の上に、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、及びＷのいずれか一つからなる金属膜を成膜する工程（ＳＴ．２）と、上記金属膜にＳｉを導入する工程（ＳＴ．３）と、Ｓｉが導入された金属膜を窒化する工程（ＳＴ．４）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高い銅配線構造の半導体装置を提供することである。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、
前記半導体装置の配線層は配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記配線間絶縁膜は、
エッチングレートが異なる複数の絶縁膜による積層構造で構成され、
少なくとも一つの絶縁膜が銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記複数の絶縁膜は、ビア部分の導体に圧縮応力が作用する組み合わせからなる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線におけるストレスマイグレーション及びエレクトロマイグレーション等を抑制して電気的信頼性の十分な向上を得る。
【解決手段】Ｃｕ配線２の表面に形成したＳｉ含有導電層３を複数回、例えば２回プラズマ処理し、Ｓｉ含有導電層３の組成状態を調節して固定化する。各プラズマ処理では、Ｎ₂，ＮＨ₃，Ｎ₂Ｏ，ＣＯ₂，Ｏ₂，Ｈ₂，Ｈｅ，Ａｒ，Ｃ_xＨ_y（ｘ：１以上の自然数、ｙ：２以上の自然数）から選択された１種又は２種以上のガスをソースガスとし、チャンバー内を、６．７×１０Ｐａ〜６．７×１０³Ｐａ程度の間で圧力制御する。投入パワーとして、５０Ｗ〜１５００Ｗ程度、好ましくは５０Ｗ〜６００Ｗ程度の弱い高周波パワーのみ、又は当該高周波パワーと０Ｗ〜５００Ｗ程度の低周波パワーとを組み合わせ、プラズマ処理を実行する。 （もっと読む）

金属シード層と無電解ニッケル皮膜層とを有するアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）構造及びその製造方法が開示される。ＵＢＭ構造は半導体基板と、少なくとも１つの最終金属層と、パッシベーション層と、金属シード層と、メタライゼーション層とを具える。少なくとも１つの最終金属層はハードウェア基板の少なくとも一部分の上に形成される。パッシベーション層も半導体基板の少なくとも一部の上に形成される。また、パッシベーション層は複数の開口を含む。更に、パッシベーション層は非導電性材料から形成される。少なくとも１つの最終金属は複数の開口により露出される。金属シード層はパッシベーション層の上に形成され、複数の開口を被覆する。メタライゼーション層は前記金属シード層の上に形成される。メタライゼーション層は無電解堆積により形成される。
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【課題】 上面に大きな凹凸を有さず、低い接触抵抗の実現が可能なコンタクトプラグを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１上に形成された不純物拡散層２と、半導体基板の上部に形成される層間絶縁膜３と、層間絶縁膜３を貫通するコンタクトホール内に所定の材料が充填されて不純物拡散層２との電気的接続を形成するコンタクトプラグと、を有する。コンタクトプラグは、コンタクトホール内の上部領域において、前記層間絶縁膜の側壁に沿ってＴｉＮ層５が形成され、下部領域において、前記層間絶縁膜３の側壁に沿って、並びに前記コンタクトホール底面上に、Ｔｉ層４を外側とし、ＴｉＮ層５を内側とする二層構造が形成される。さらに、ＴｉＮ層５の内側にはＷ層６が形成されている。 （もっと読む）