【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０を窒素プラズマに曝露する。これにより、既存の側壁保護膜３２にＡｌＮが合わさって側壁保護膜３２を分厚くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 主走査方向における光の強度のムラを抑制できる光源装置および画像読取装置を提供すること。
【解決手段】 長手状に延びる基材１と、方向Ｘに沿って配列された複数のＬＥＤ光源３と、基材１に搭載され且つ複数のＬＥＤ光源３を収容するリフレクタ４と、リフレクタ４に接合され、且つ、方向Ｚ視において、複数のＬＥＤ光源３の各々に重なる光拡散部材６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マスク倒れを防止でき、しかもＡｌＣｕ配線のサイドエッチングを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第２層間膜１７上に、下側ＴｉＮ／Ｔｉ膜２９、ＡｌＣｕ膜３０および上側ＴｉＮ／Ｔｉ膜３１を順に積層することによってＡｌＣｕ配線層３４を形成する。次に、ＡｌＣｕ配線層３４上に、ＳｉＯ_２からなるハードマスク３７を形成する。そして、このハードマスク３７を利用してＡｌＣｕ配線層３４をドライエッチングすることにより、第１ＡｌＣｕ配線２０を形成する。第１ＡｌＣｕ配線２０の形成後、この配線２０の表面を覆うように、ＳｉＮ膜３８を形成する。これにより、既存の側壁保護膜３６にＳｉＮ膜３８が合わさって側壁保護膜３２が形成される。 （もっと読む）

【課題】より使用のしやすい携帯電話を提供する。
【解決手段】筐体構造内部に剛体的に直接保持されてこの筐体構造表面に軟骨伝導振動を伝える圧電バイモルフを有する携帯電話を提供する。圧電バイモルフの金属板は、ＧＵＩ表示面と平行に配置され主振動方向をＧＵＩ表示面と直交させる。圧電バイモルフの金属板は、携帯電話側面と平行に配置され主振動方向を側面と直交させる。圧電バイモルフはＧＵＩ操作感フィードバック振動源、着信バイブ振動源として兼用される。圧電バイモルフは衝撃センサに兼用される。加速度センサで水平静止が検知されたとき圧電バイモルフの軟骨伝導振動は停止させるが、ＧＵＩ操作感フィードバック振動、着信バイブ振動および衝撃センサ機能は維持する。 （もっと読む）

【課題】携帯機器の方位や、軌跡データを生成する技術を提供する。
【解決手段】３軸の加速度センサ１２は、その３軸が地磁気センサ１４の３軸と平行となるように配置される。信号処理部２０は、地磁気センサ１４の出力Ｓ１と、加速度センサ１２の出力Ｓ２を受ける。信号処理部２０は、加速度センサ１２の３軸出力のうち、最も大きな成分を有する軸を鉛直軸と判定し、それ以外の２軸と対応する地磁気センサ１４の２軸の出力を利用して、本携帯機器１の方位を算出するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 Ｒａ値を高めることが可能な半導体発光装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体発光装置１００は、出力ピーク波長が４４０〜４８５ｎｍであるＬＥＤチップ２００と、ＬＥＤチップ２００からの光を受けるように配置され、ＬＥＤチップ２００からの光によって励起されることにより、ピーク波長が６４５ｎｍ以上である光を発する赤色蛍光体３１０およびピーク波長が５６５ｎｍ以下である光を発する緑色蛍光体３２０を含む蛍光体部３００と、を備えることにより白色光を発する。 （もっと読む）

【課題】駆動ＩＣの温度上昇を抑制する。
【解決手段】第１トランジスタＭ１は、第１端子Ｐ１と第３端子Ｐ３の間に設けられる。第２トランジスタＭ２は、第２端子Ｐ２と第３端子Ｐ３の間に設けられる。演算増幅器ＯＡは、その第１入力端子に所定の基準電圧Ｖ_ＲＥＦが入力され、その第２入力端子が第３端子Ｐ３と接続され、その出力端子が第１トランジスタＭ１の制御端子と接続される。第１端子Ｐ１には、対応するＬＥＤストリング６の他端が接続され、第１端子Ｐ１と第２端子Ｐ２の間に外部抵抗Ｒｅｘｔが接続され、第３端子Ｐ３と接地端子の間に検出抵抗Ｒｓが接続された状態において、駆動ＩＣ１００は、対応するＬＥＤストリング６に駆動電流Ｉ_ＬＥＤを供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】オーディオ装置の歪み特性を改善する。
【解決手段】Ｄ／Ａコンバータ３０は、入力されたデジタルオーディオ信号Ｓ２をアナログオーディオ信号Ｓ３に変換する。アナログボリウム回路３０は、Ｄ／Ａコンバータ２２の出力信号Ｓ３を、ユーザにより設定されたボリウム値に応じた利得で増幅する。アナログボリウム回路３０は、ボリウム値の変更時に、利得を緩やかに変化させるように構成される。Ｄ／Ａコンバータ２２およびアナログボリウム回路３０は、ひとつの半導体基板に一体集積化され、共通のマスタークロック信号ＭＣＬＫを起源とする互いに整数倍の関係にあるクロック信号にもとづいて動作するように構成される。 （もっと読む）

【課題】還元性雰囲気による特性劣化を抑制することができる構造の強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体キャパシタ積層構造８は、強誘電体膜３と、強誘電体膜の一方表面に接する下部電極２と、強誘電体膜３の他方表面に接する上部電極４とを含む。上部電極４および下部電極２のうちのうちの少なくともいずれか一方が、酸化物導電体層と金属層とを交互に積層した積層電極構造を有している。この積層電極構造は、酸化物導電体層および金属層のうちの少なくともいずれか一方を２層以上含む。 （もっと読む）

【課題】コストの問題やアライメント問題を解消し、動作電圧の異なる発光素子と受光素子との間の絶縁性を維持できるフォトカプラ装置を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１上に、ｎ型半導体層２、吸収層３、ｐ型半導体層４が積層され、ｎ型半導体層２〜ｐ型半導体層４までで、ＰＤを構成している。透明絶縁性基板１の裏面には、ｎ型半導体層５、活性層６、ｐ型半導体層７が下方向に向かって順に積層され、ｎ型半導体層５〜ｐ型半導体層７までで、ＬＥＤを構成している。低電圧側のＬＥＤと高電圧側のＰＤとの間に配置された透明絶縁性基板１は、発光素子側の動作電圧と受光素子側の動作電圧との電圧差よりも大きい耐圧を有するように構成される。 （もっと読む）